CN103145760A - 钌络合物反应液的后处理方法及获得的钌络合物粗产品 - Google Patents

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CN103145760A CN2012105807215A CN201210580721A CN103145760A CN 103145760 A CN103145760 A CN 103145760A CN 2012105807215 A CN2012105807215 A CN 2012105807215A CN 201210580721 A CN201210580721 A CN 201210580721A CN 103145760 A CN103145760 A CN 103145760A
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Abstract

本发明公开了一种钌络合物反应液的后处理方法,其包括如下步骤:步骤A)将钌络合物反应液冷却至10℃~50℃;步骤B)加入冷冻至-50℃~0℃的用于沉淀的溶剂,析出钌络合物沉淀,得到钌络合物沉淀混合液;步骤C)将钌络合物沉淀混合液置于-50℃~0℃温度下进行充分沉淀;以及步骤D)解冻、过滤、洗涤、干燥得到钌络合物粗产品。在本发明的钌络合物反应液的后处理方法中,加入用于沉淀的溶剂之前,不用对钌络合物反应液进行旋蒸去除溶剂处理,而是直接析出沉淀,从而能够缩短后处理时间,减少异构体的生成,并且能够高收率、低成本地得到钌络合物粗产品。

Description

钌络合物反应液的后处理方法及获得的钌络合物粗产品
技术领域
本发明涉及一种钌络合物反应液的后处理方法及获得的钌络合物粗产品。 
背景技术
作为代替化石燃料的能源,利用了太阳光的太阳能电池受到关注,人们对其进行了各种研究。太阳能电池是一种将光能转换为电能的光电转换装置,由于以太阳光作为能源,所以对地球环境的影响极小,期待得到更广泛的普及。 
应用了由染料敏化的光感应电子移动的染料敏化型太阳能电池(Dye-Sensitized Solar Cell,简称为DSSC),由于具有较高的光电转换效率,不需要真空装置等大花销的提纯装置,而且能够使用氧化钛等便宜的半导体材料以良好的生产率简单地提纯,所以期待成为新一代的太阳能电池。作为敏化染料,使用能够有效地吸收可见光附近的光的物质,例如式(Ⅰ)所示的钌(Ru)络合物就是其中一种。 
Figure BDA00002665498200011
其中,X1为式(2)~(19)其中之一且X2为氢,或者X1与X2同为式(2)~(19)其中之一; 
Figure BDA00002665498200012
Figure BDA00002665498200021
其中,R1~R40分别独立为H、CtH2t+1(t=1~15)、OCvH2v+1(v=1~15)、SCwH2w+1(w=1~15)或为表示式(36)~(37)其中之一,而n为0~2,m为1~4,其中,Y1为硫(S)、甲烯基(CH2)、铵基(N-R)(R为H或CxH2x+1(x=1~15)其中之一)、氧(O)或硒(Se)其中之一; 
其中式(2)~(19)中的Y2可分别独立为式(20)~(37)其中之一; 
Figure BDA00002665498200022
Figure BDA00002665498200031
其中,式(21)中的i=1~15,而其中,式(22)中的j=1~15,且(23)中的k=1~15,其中R41~R45、R48~R58分别独立为H、CAH2A+1(A=1~15)、OCBH2B+1(B=1~15)、SCDH2D+1(D=1~15)或为表示式(36)~(37);其中,R46~R47,分别独立为H、CEH2E+1(E=1~6)、或OCFH2F+1(F=1~6)、或SCGH2G+1(G=1~15),其中式(36)与式(37)中的R59与R60分别独立为H或CJH2J+1(J=1~15)且r为0~6,且式(24)、式(26)、式(27)、式(28)与式(29)中CqH2q的q=1~3; 
其中Z1为式(38)~(44)其中之一。其中Z2为氢、或式(38)~(44)其中之一、又或者是Z1与Z2为相同基团; 
Figure BDA00002665498200032
其中,R61与R62分别独立为H、CIH2I+1(I=1~15)、OCJH2J+1(J=1~15)或SCKH2K+1(K=1~15)其中之一;其中A1表示氢、锂、钠、钾、四级铵盐(如式(45)所示)或其它带正电荷的离子或基团; 
Figure BDA00002665498200033
其中,R63~R66分别独立为H或CyH2y+1(y=1~15)。 
当Z1与Z2同为式(38)而X1为式(2)且式(2)中的n为0,且Y1为硫(S),且X2为氢或与X1为相同基团式(2)时,其中Y2不为式(20)~ (22)或式(31),此时,式(2)中Y2仅可为式(23)~(30)或式(32)~(37)其中之一; 
当Z1与Z2同为式(38)而X1为式(3)且式(3)中的n为0,且Y1为硫(S),且X2为氢或与X1为相同基团式(3)时,Y2不为式(20)~(22)或式(31),此时,Y2仅可为式(23)~(30)或式(32)~(37)其中之一; 
当Z1与Z2同为式(38)而X1为式(4)且式(4)中的n为0,且Y1为硫(S),且式(4)中R3为氢,且X2为氢或与X1为相同基团式(4)时,Y2不为式(20)~(22),此时,Y2仅可为式(23)~(37)其中之一; 
当Z1与Z2同为式(38)而X1为式(5)且式(5)中的n为0,且Y1为硫(S),且式(5)中R4~R7皆为氢,且X2为氢或与X1为相同基团式(5)时,Y2不为式(20)~(22),此时,Y2仅可为式(23)~(37)其中之一。 
具体的是,式(Ⅰ)所示的钌(Ru)络合物结构如式(61)~(67)所示: 
Figure BDA00002665498200041
其中,R67~R70分别独立为H、CEH2E+1(E=1~6)、或OCFH2F+1(F=1~6)、或SCGH2G+1(G=1~15),或为表示式(36)~(37)其中之一;其中R71~R74分别独立为H、CAH2A+1(A=1~15)、OCBH2B+1(B=1~15)、SCDH2D+1(D=1~ 15)或为表示式(36)~(37)其中之一;其中,R75~R76分别独立为H、CtH2t+1(t=1~15)、OCvH2v+1(v=1~15)、SCwH2w+1(w=1~15)或为表示式(36)~(37)其中之一;其中,R77~R82分别独立为SCGH2G+1(G=1~15)或为表示式(36)~(37)其中之一;其中R83~R86分别独立为H、CAH2A+1(A=1~15)、OCBH2B+1(B=1~15)、SCDH2D+1(D=1~15)或为表示式(36)~(37)其中之一; 
其中A1表示氢、锂、钠、钾、四级铵盐(如式(45)所示); 
其中,R63~R66分别独立为H或CyH2y+1(y=1~15)。 
第一种比较具体的情况是,式(Ⅰ)所示的钌(Ru)络合物结构如式(68)~(74)所示: 
Figure BDA00002665498200062
Figure BDA00002665498200071
其中,A1表示氢、锂、钠、钾、四级铵盐(如式(45)所示); 
其中,R63~R66分别独立为H或CyH2y+1(y=1~15)。 
第二种比较具体的情况是,式(Ⅰ)所示的钌(Ru)络合物结构如式(75)~(76)所示: 
Figure BDA00002665498200082
其中,R87~R90分别独立为H或CJH2J+1(J=1~15)其中之一; 
其中A1表示氢、锂、钠、钾、四级铵盐(如式(45)所示); 
Figure BDA00002665498200083
其中,R63~R66分别独立为H或CyH2y+1(y=1~15)。 
目前式(Ⅰ)所示的钌络合物为Z991,采用非专利文献(Chia-Yuan Chen, Shi-Jhang Wu,Chun-Guey Wu,etal,“A Ruthenium Complex with SuperhighLight-Harvesting Capacity for Dye-Sensitized Solar Cells”,Angew.Chem.Int.Ed.2006,45,5822~5825)的一锅法进行合成 
溶剂选用DMF,分三步反应,第一步为[RuCl2(p-cymene)]2与中间体1(abtpy)在70℃反应4小时;第二步为第一步反应液与中间体2(dcbpy)在130℃反应4小时反应;第三步为第二步反应液与NH4SCN在110℃或130℃反应4小时得到目标钌络合物反应液。反应后的钌络合物(Z991)反应液先进行冷却,然后于65℃~70℃真空下旋转蒸发去除溶剂,加水析出沉淀,过滤、洗涤、干燥得到钌络合物粗产品。该后处理方法需要旋转蒸发去除溶剂,需要消耗能量和花费大量时间,且粗产物中异构体杂质较多。因此,如此处理的钌络合物粗产品不利于产业化应用。 
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中钌络合物经过合成后,反应液处理耗时、耗能且得到的粗产品中异构体杂质较高的技术问题,提供一种新的钌络合物反应液的后处理方法。 
本发明的钌络合物反应液的后处理方法,包括如下步骤: 
步骤A),将钌络合物反应液冷却至10℃~50℃; 
步骤B),加入冷冻至-50℃~0℃的用于沉淀的溶剂,析出钌络合物沉淀,得到钌络合物沉淀混合液; 
步骤C),将步骤B)得到的钌络合物沉淀混合液置于-50℃~0℃温度下进行充分沉淀;以及 
步骤D),解冻、过滤、洗涤、干燥得到钌络合物粗产品。 
较佳地,步骤B),加入冷冻至-45℃~0℃的用于沉淀的溶剂,析出钌络合物沉淀,得到钌络合物沉淀混合液;步骤C),将步骤B)得到的钌络合物沉淀混合液置于-45℃~0℃温度下进行充分沉淀。 
较佳地是,步骤A)中,钌络合物反应液冷却至室温。如此操作,能够减少异构体等副产物的生成量,得到较高纯度的目标产物钌络合物粗产品。 
步骤B)中,所述的用于沉淀的溶剂为水、稀硝酸或无水乙醇,所述的用于沉淀的溶剂的体积为所述钌络合物反应液中溶剂的体积的5~10倍,优选8倍。通过加入高倍量的用于沉淀的溶剂,可以使得沉淀充分地析出。 
步骤C)中,钌络合物沉淀混合液置于-50℃~0℃温度下,优选-20℃~-16℃温度下,更优选-18℃温度下进行充分沉淀12~48小时,优选24~36小时。钌络合物沉淀混合液通过冷冻处理,能够减少异构体等副产物的生成量。 
步骤D)中,所述解冻在20℃~40℃下进行,所述洗涤用2~5倍的水洗涤,所述干燥在30℃~50℃下干燥24h~48h。 
本发明的另一目的在于提供一种利用本发明的后处理方法获得的钌络合物粗产品。 
本发明的积极进步效果在于:在基于已知方法的后处理中,在钌络合物反应液经过冷却后,为了有效析出沉淀,采用旋蒸的方法去除溶剂。而本发明的钌络合物反应液经过冷却后,不用对反应液进行旋蒸去除溶剂,而是直接加入用于沉淀的溶剂析出钌络合物沉淀。本发明的方法具有下面几个优点: 
(1)由于旋蒸去除溶剂过程温度一般高达65~75℃,会导致异构体等副产物的生成,省去这一过程能有效减少异构体的生成量,从而提高粗产品的纯度; 
(2)省去了旋蒸仪器的使用,大大降低了仪器成本; 
(3)省去了旋蒸过程,缩短后处理时间有利于降低制造成本。 
如此一来,本发明的钌络合物反应液的后处理方法在缩短后处理时间的同时,减少异构体副产物的生成。从而能够高收率、低成本地得到钌络合物粗产品。如此合成的钌络合物粗产品作为染料可以应用于染料敏化光电转换装置,代表性地,可以应用于染料敏化型太阳能电池。 
附图说明
图1是实施例1所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱 图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图2为实施例2所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图3是实施例3所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图4为实施例4所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图5是实施例5所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图6为实施例6所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图7为实施例7所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图8为实施例8所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图9为实施例9所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图10为实施例10所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale)); 
图11为比较实施例所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的HPLC色谱图;其中,横轴表示溶出时间(min),纵轴表示强度(任意标尺(scale))。 
具体实施方式
采用非专利文献(Chia-Yuan Chen,Shi-Jhang Wu,Chun-Guey Wu,etal,“A Ruthenium Complex with Superhigh Light-Harvesting Capacity forDye-Sensitized Solar Cells”,Angew.Chem.Int.Ed.2006,45,5822~5825)的一锅法进行合成钌络合物(Z991),用于实施例1~7以及比较实施例。 
实施例1 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于-18℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出 Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-18℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于25℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图1可以看出实施例1所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了82.09%,主要副产物杂质的含量为3.15%。 
实施例2 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于-10℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍的水倒入步骤A)冷却至室温的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加水析出沉淀后的混合液置于-18℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于25℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图2可以看出,实施例2所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了80.98%,主要副产物杂质的含量为4.83%。 
实施例3 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于0℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-18℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于20℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥 器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图3可以看出实施例3所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了80.01%,主要副产物杂质的含量为5.65%。 
实施例4 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至50℃。 
步骤B)将去离子水预先置于-18℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-18℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于40℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图4可以看出实施例4所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了80.15%,主要副产物杂质的含量为5.45%。 
实施例5 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至10℃。 
步骤B)将去离子水预先置于-18℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-18℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于35℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图5可以看出实施例5所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了81.96%,主要副产物杂质的含量为4.88%。 
实施例6 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于-18℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-10℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于30℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图6可以看出实施例6所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了81.65%,主要副产物杂质的含量为4.87% 
实施例7 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于-18℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-28℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于25℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图7可以看出实施例7所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了82.03%,主要副产物杂质的含量为3.95% 
实施例8 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于-45℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-18℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于25℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图8可以看出实施例8所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了81.88%,主要副产物杂质的含量为3.91%。 
实施例9 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于-18℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于0℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于25℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图9可以看出实施例9所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了80.55%,主要副产物杂质的含量为5.15%。 
实施例10 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却至室温。 
步骤B)将去离子水预先置于-18℃冰箱中冷冻2h,将高于反应液中溶剂体积8倍以上的冰水倒入步骤A)冷却后的反应液中,充分摇匀析出Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]沉淀。 
步骤C)将加冰水析出沉淀后的混合液置于-45℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于25℃解冻后用过滤漏斗回收固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体在40℃真空干燥器中干燥24h,得到Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品。 
从图10可以看出实施例10所得的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度达到了81.90%,主要副产物杂质的含量为3.66%。 
比较实施例 
步骤A)在合成反应结束后,在磁力搅拌条件下将反应液在避光和Ar气体气氛中自然冷却。 
步骤B)在65℃~70℃水浴温度,25~30mbar真空度,75~85rpm转速条件下,旋蒸除去溶剂。 
步骤C)加去离子水析出沉淀后,将沉淀混合液置于-18℃条件下冷冻过夜,使固相充分沉淀。 
步骤D)将混合液于25℃解冻后用过滤漏斗回收该固体,并用高于反应液中溶剂体积2倍的去离子水充分洗涤该固体。将该固体,在40℃真空干燥器中干燥24h,得到粗产品。 
从图11可以看出,比较实施例得到的Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度为79.51%,主要副产物杂质的含量为6.51%。 
结论:冷却后的反应液不经过旋转蒸发除去溶剂,而是加入预先冷冻的溶剂进行沉淀,不但节约了后处理所花费的时间和能耗,而且能够使得Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品的纯度高达82.09%,有效抑制了主要副产物杂质的生成,使得副产物杂质的含量降低了50%以上。因此,通过本发明制造的钌络合物Ru[(dcbpy)(abtpy)(NCS)2]粗产品能够适当地应用于染料敏化型太阳能电池等染料敏化光电转换装置。 

Claims (9)

1.一种钌络合物反应液的后处理方法,其包括如下步骤:
步骤A),将钌络合物反应液冷却至10℃~50℃;
步骤B),加入冷冻至-50℃~0℃的用于沉淀的溶剂,析出钌络合物沉淀,得到钌络合物沉淀混合液;
步骤C),将步骤B)得到的钌络合物沉淀混合液置于-50℃~0℃温度下进行充分沉淀;以及
步骤D),解冻、过滤、洗涤、干燥得到钌络合物粗产品。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤A)中,钌络合物反应液冷却至室温。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤B),加入冷冻至-45℃~0℃的用于沉淀的溶剂,析出钌络合物沉淀,得到钌络合物沉淀混合液;步骤C),将步骤B)得到的钌络合物沉淀混合液置于-45℃~0℃温度下进行充分沉淀。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤B)中,所述的用于沉淀的溶剂为水、稀硝酸或无水乙醇,所述的用于沉淀的溶剂的体积为所述钌络合物反应液中溶剂的体积的5~10倍。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述的用于沉淀的溶剂的体积为所述钌络合物反应液中溶剂的体积的8倍。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤C)中,钌络合物沉淀混合液置于-50℃~0℃温度下进行充分沉淀12~48小时。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤C)中,钌络合物沉淀混合液置于-20℃~-16℃温度下进行充分沉淀24~36小时。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤D)中,所述解冻在20℃~40℃下进行,所述洗涤用2~5倍的水洗涤,所述干燥在30℃~50℃下干燥24h~48h。
9.根据权利要求1~8所述的方法获得的钌络合物粗产品。
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