CN103140899A - 透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜 - Google Patents

透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜 Download PDF

Info

Publication number
CN103140899A
CN103140899A CN2011800376601A CN201180037660A CN103140899A CN 103140899 A CN103140899 A CN 103140899A CN 2011800376601 A CN2011800376601 A CN 2011800376601A CN 201180037660 A CN201180037660 A CN 201180037660A CN 103140899 A CN103140899 A CN 103140899A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
transparent conductive
manufacture method
nesa coating
conductive oxides
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800376601A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103140899B (zh
Inventor
郑光春
赵显南
柳志勋
郑润浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
InkTec Co Ltd
Original Assignee
InkTec Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by InkTec Co Ltd filed Critical InkTec Co Ltd
Publication of CN103140899A publication Critical patent/CN103140899A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103140899B publication Critical patent/CN103140899B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)

Abstract

本发明提供透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜，所述透明导电膜的制造方法的特征在于，在基材上形成包含透明导电性氧化物、导电性金属体和导电性聚合物的透明复合导电层；或在基材上形成包含透明导电性氧化物层、导电性金属体层和导电性聚合物层的透明复合导电层；或在基材上形成具有透明导电性氧化物层和包含导电性金属体及导电性聚合物的有机-无机混合层的透明复合导电层。

Description

透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜
技术领域
本发明涉及工序简单，能够制造电导率、透射率、耐弯曲性及粘接力优异且具有低雾度（Haze）的透明导电膜的透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜。
背景技术
通常透明导电膜用作显示元件的电源施加用；家电设备的电子波阻断膜；LCD、OLED、FED、PDP、柔性显示器；电子纸等各种显示器领域的透明电极等电气电子装备的必要构成要素，目前主要使用的透明导电膜原料有ITO（Indium-Tin oxide）、ATO（Antimony-Tin Oxide）、AZO（Antimony-Zinc Oxide）等无机氧化物导电性原料。
如果将上述原料利用通常使用的溅射法、离子束法或真空蒸镀法等制造透明导电膜，则能够制造高导电性和透射率优异的导电膜，但是真空装备导致的设备投资费用大，大量生产及大型化存在困难，尤其是对塑料膜之类的需要低温工序的透明基板而言存在限制。
通过溅射工序蒸镀时，根据氧气分压和温度等条件，透明导电膜的组成发生变化，从而发生薄膜的透射率和阻抗急剧变化的现象。
因此，提出了适合低价格化和大型化的利用旋涂、喷涂、沉积涂覆、印刷等湿式涂覆法进行涂覆后煅烧而使用透明导电膜的方法，例如韩国专利公开号第1999-011487号中公开了利用金属微粒和结合剂的透明导电膜；韩国专利公开号第1999-064113号中公开了氧化锡中添加中空型碳化微纤维制得的透明导电膜用组合物；韩国专利公开号第2000-009405号中公开了氧化锡或氧化铟中添加氧化钕制得的透明导电性光选择吸收被膜形成用涂覆溶液。此外，日本专利第2003-213441号中公开了有关含有金或银等金属微粒的透明导电层形成液的制造方法的内容。
通过所述方法制造的透明导电膜的表面阻抗大；且发生根据周围环境变化而表面阻抗随时间增加等经时变化，因此存在不能维持初期导电性的问题；透射率低而用作导电膜时受限；还由于复杂而大量的工序而存在生产率降低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供工序简单，能够制造电导率、透射率、耐弯曲性及粘接力优异且具有低雾度（Haze）的透明导电膜的透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜。
本发明提供一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成包含透明导电性氧化物、导电性金属体和导电性聚合物的有机-无机混合型透明复合导电层的步骤；以及b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
本发明还提供一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成具有透明导电性氧化物层及包含导电性金属体和导电性聚合物的有机-无机混合层的透明复合导电层，且与顺序无关地形成所述透明导电性氧化物层和所述有机-无机混合的步骤；以及b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
本发明还提供一种透明导电膜的制造方法其特征在于，包括：a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成包含透明导电性氧化物层、导电性金属体层和导电性聚合物层的透明复合导电层，且与顺序无关地形成所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层和所述导电性聚合物层步骤；以及b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
本发明还提供通过上述方法制造的透明导电膜。
根据本发明可提供工序简单，能够制造电导率、透射率、耐弯曲性及粘接力优异且具有低雾度（Haze）的透明导电膜的透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜。
附图说明
图1是根据本发明实施例1的透明导电膜的结构示意图。
图2是根据本发明实施例2的透明导电膜的结构示意图。
图3是根据本发明实施例3的透明导电膜的结构示意图。
具体实施方式
根据本发明实施例1的透明导电膜的制造方法包括：a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成包含透明导电性氧化物、导电性金属体和导电性聚合物的有机-无机混合型透明复合导电层的步骤；以及b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
根据实施例1的透明导电膜如图1所示，可以由基材及有机-无机混合型透明复合导电层（包含透明导电性氧化物、导电性金属体、导电性聚合物的层）构成。所述有机-无机混合型透明复合导电层可在能确保透射率的范围内具备多个。
所述a）步骤的所述基材只要是通过涂覆或印刷工序容易形成薄膜或图案，就可以使用多种的基板。
例如，可以使用聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚砜（PES）、尼龙（Nylon）、聚四氟乙烯（PTFE）、聚醚醚铜（PEEK）、聚碳酸酯（PC）、聚芳酯（PAR）等透明塑料膜或玻璃基板。但是基材的种类并不限于此。
此外，根据本发明的透明导电膜的制造方法在所述a）步骤之前还可以包括将所述基材进行前处理的步骤。
具体地，可以将所述基材进行水洗及脱脂后使用，或进行特别的前处理而使用，前处理方法例如有等离子体、离子束、电晕、氧化或还原、热、蚀刻、紫外线（UV）照射以及使用所述粘结剂或添加剂的底漆（primer）处理方法，但并不限于此。
所述a）步骤的所述有机-无机混合型透明复合导电层中，透明导电性氧化物可以以片或纳米片状（fkake）包含在所述有机-无机混合型透明复合导电层中。所述透明导电性氧化物可以以厚度900nm以下及直径10μm以下的片状添加。优选厚度及直径为1μm以下，更优选100nm以下，但不限于此。
此外，所述导电性金属体可以以线、杆或纤维形态被包含在所述有机-无机混合型透明复合导电层中。可以使用直径10μm以下的导电性金属体。优选1μm以下，更优选100nm以下，但不限于此。
所述a）步骤的所述有机-无机混合型透明复合导电层可以由含有所述透明导电性氧化物、所述导电性金属体和所述导电性聚合物的1液型有机-无机混合溶液形成。
例如，可以由包含透明导电性氧化物溶液、导电性金属体溶液和导电性聚合物溶液而制造的1液型有机-无机混合溶液形成。
具体地，可以由包含透明导电性氧化物分散液、导电性金属体水溶液和导电性聚合物水溶液的1液型有机-无机混合溶液形成。但不限于此。
所述透明导电性氧化物分散液中，所述透明导电性氧化物可以以厚度900nm以下及直径10μm以下的片状添加分散而成。优选厚度及直径1μm以下，更优选100nm以下，但不限于此。
所述透明导电性氧化物分散液可以将透明导电性氧化物片与溶剂混合，以使透明导电性氧化物片均匀分散在溶剂中而制造。此外，还可以利用通过溶胶凝胶合成法制造纳米分散体的方法，以使能够进行湿式涂覆。
在此，溶剂可以使用有机或无机树脂或醇、水或有机溶剂等溶剂中的一种或它们的混合物。此时，除了溶剂以外还可以添加结合剂及/或分散剂。
作为所述结合剂，可以举出乙基羟乙基纤维素与丙烯酸-丙烯酰胺共聚物的混合物、聚环氧乙烷与聚乙烯醇的混合物、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸酯-甲基丙烯酸酯共聚物、丙烯酸-丙烯酰胺共聚物及丙烯酸-丙烯酰胺共聚物与聚环氧乙烷的混合物。
所述分散剂可以主要使用聚羧酸或其衍生物之类的有机化合物。聚羧酸或其衍生物的例子可举出丙烯酸或甲基丙烯酸的碱金属盐之类的丙烯酸盐或甲基丙烯酸盐的均聚物及共聚物；丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯或甲基丙烯酸异丁酯之类的丙烯酸酯或丙烯酸甲酯的均聚物及共聚物。但不限于此。
此外，所述透明导电性氧化物分散液除了所述的添加剂以外，根据需要还可以在稳定剂、薄膜助剂、粘结树脂、表面活性剂、湿润剂（wettingagent）、触变剂（thixotropic agent）、流平剂（levelling）及还原剂中的添加剂中进行选择而添加。
所述透明导电性氧化物（TCO,Transparent Conductive Oxide）是指光的透射性高且具有导电性质的物质。
所述透明导电性氧化物可以使用例如选自氧化锡（tin oxide，SnO2）、氧化锡锑（antimony tin oxide，ATO）、掺氟二氧化锡（fluorotinoxide，FTO）、氧化锌（ZnO）、氧化锌铝（aluminum zinc oxide，AZO）、氧化镓锌（GZO，Gallium Zinc Oxide）、掺硼氧化锌（BZO，Boron Zinc Oxide）、SZO（SiO2-ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟锡（ITO，Indium Tin Oxide）及氧化铟锌（IZO,Indium Zinc Oxide）中的一种以上。其中，ITO容易制造具有低阻抗的透明导电膜而优选，但不限于此。
所述导电性金属体水溶液中可添加直径10μm以下的导电性金属体。优选，1μm以下；更优选100nm以下，但不限于此。还可以添加线、杆或纤维型导电性金属体。
所述导电性金属体水溶液的所述导电性金属体可以从银纳米线、金纳米线及金-银合金纳米线中选择使用。
具体地，优选使用电导率比较优异、价格低廉且能够进行大量生产的银纳米线。银纳米线的主材料银通常是不透明的原料，但是其大小小至纳米单位时显示透明性。特别是，为了在可是光线区域（400～700nm）具有透明性，直径或厚度在100nm以下才能确保透明性。就导电性部分的银的电阻率的增加而言，当直径或厚度降低到10nm以下时，发生电阻率的急剧增大，因此银纳米线的直径优选10nm～100nm。
就所述银纳米线而言，主要通过将硝酸银和聚乙烯比咯烷酮溶解在乙二醇之类的溶剂中，加热搅拌进行还原的多元醇还原法制造银纳米线，制造水分散状态的银纳米线水分散液。
所述导电性聚合物水溶液中的所述导电性聚合物可以使用选自聚乙炔（polyacetylene）、聚苯胺（polyaniline）、聚吡咯（polypyrrole）、聚噻吩（polythiophene）、聚硫化氮（polysulfurnitride）、聚苯硫醚（polyphenylenesulfide）、聚苯撑（polyphenylene）聚呋喃（polyfuran）、聚对苯撑乙烯（polyphenylenevinylene）、聚噻吩乙炔（polythienylenevinylene）、聚（异硫茚）（polyisothianaphthen）、PEDOT（聚乙烯二氧噻吩（polyethylenedioxythiophene））（PEDOT）及PEDOT/PSS（聚苯乙烯磺酸（polystyrenesulfonate））中的1种以上。其中，PEDOT/PSS（polystyrenesulfonate）的导电性及透明性优异而可以优选使用，但不限于此。
所述透明导电性氧化物分散液、导电性金属体水溶液及导电性聚合物水溶液的制造可以通过在本发明所述领域中公知的方法来制造。
所述1液型有机-无机混合溶液还可以包含选自去离子水、有机溶剂和表面活性剂中的1种以上。
所述有机溶剂可以为甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇之类的醇类；乙二醇、甘油之类的二元醇类；乙酸乙酯、醋酸丁酯、卡必醇醋酸酯之类的醋酸酯类；二***、四氢呋喃、二
Figure BDA00002797455800061
烷之类的醚类；甲基乙基酮、丙酮之类的酮类；己烷、庚烷之类的烃类；苯、甲苯之类的芳香族；以及氯仿或二氯甲烷、四氯化碳之类的卤素取代溶剂或它们的混合溶剂，但不限于此。
所述表面活性剂可以使用非离子性表面活性剂，例如，所述非离子性表面活性剂可以选自烷氧基化C4～C22-醇、烷基多糖苷、N-烷基多糖苷、N-烷基葡糖酰胺、脂肪酸烷氧基化物、脂肪酸聚乙二醇酯、脂肪酸胺烷氧基化物、任意封端的脂肪酸酰胺烷氧基化物、脂肪酸烷醇酰胺烷氧基化物、N-烷氧基多羟基-脂肪酸酰胺、N-芳氧基多羟基-脂肪酸酰胺、聚异丁烯/马来酸酐衍生物、脂肪酸甘油酯、脱水山梨糖醇酯、多羟基-脂肪酸衍生物、多烷氧基-脂肪酸衍生物及二甘油脂。具体地，优选使用Dupont公司的产品Zonyl FSO之类的非离子性表面活性剂。但不限于此，只要是本发明所属领域中公知的非离子性表面活性剂均可以使用。
所述1液型有机-无机混合溶液可以通过将所述导电性金属体溶液和所述导电性聚合物溶液与所述有机溶剂混合的步骤；添加所述透明导电性氧化物溶液混合的步骤；及添加所述去离子水、所述有机溶剂及表面活性剂混合的步骤而制造。
用所述1液型有机-无机混合溶液形成所述a）步骤中的所述透明复合导电层的方法可以选自旋（spin）涂、辊（roll）涂、喷涂、浸（dip）涂、流（flow）涂、刮刀（doctor blade）法、点胶（dispensing）、喷墨印刷、胶版印刷、丝网印刷、移印（pad printing）、凹版印刷、柔版（flexography）印刷、模版印刷、压印（imprinting）、静电印刷（xerography）及平版印刷（lithography）方法。
所述b）步骤的干燥和煅烧通过热处理实现。
例如在热处理步骤中通常在80～400℃下进行；优选90～300℃；更优选100～150℃进行热处理。或在所述范围内，在低温和高温2阶段以上进行热处理。例如，在80～150℃处理1～30分钟，在150℃～300℃处理1～30分钟。
以下，在实施例1和实施例3的说明中，对于与实施例1相同的技术内容省略具体说明。
根据本发明实施例2的透明导电膜的制造方法包括：a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成具有透明导电性氧化物（TCO,Transparent Conductive Oxide）层及包含导电性金属体和导电性聚合物的有机-无机混合层的透明复合导电层，且与顺序无关地形成所述透明导电性氧化物层和所述有机-无机混合层的步骤；以及b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
所述透明导电性氧化物层可包含透明导电性氧化物片。
根据实施例2的透明导电膜如图2中所示，可由基材及透明复合导电层构成，其中所述透明复合导电层可由所述透明导电性化合物层及所述有机-无机混合层（含有导电性金属体、导电性聚合物的层）构成。
所述透明导电性氧化物层及所述有机-无机混合层的层叠顺序不限于如图2所示的顺序，也可以是所述有机-无机混合层位于所述基材层之上，所述透明导电性氧化物层位于所述有机-无机混合层上。此外，在能确保透射率的范围内，所述透明导电性氧化物层及所述有机-无机混合层可分别具备多个。
以所述透明导电性氧化物层及所述有机-无机混合层的顺序层叠时，可以在所述透明导电性氧化物层上形成所述有机-无机混合层之前，将所述透明导电性氧化物层进行开裂（cracking），在所述透明导电性氧化物层上形成裂纹后，形成所述有机-无机混合层。
由于所述透明导电性氧化物层开裂时以片状（flake）开裂，因此所述透明导电性氧化物层可以以包含透明导电性氧化物片的透明导电性氧化物片层形成。
此时，所述开裂的所述透明导电性氧化物层可以以150nm至500nm的厚度形成。所述透明导电性氧化物层的厚度超过150nm时，开裂发生良好，因此需要裂纹时以该范围形成后进行开裂。
此外，所述透明导电性氧化物层由所述透明导电性氧化物溶液形成，所述有机-无机混合层由包含所述导电性金属体溶液及导电性聚合物溶液而制造的有机-无机混合溶液形成。
此时所述透明导电性氧化物溶液可包含透明导电性氧化物片。
另外，所述导电性金属体溶液可包含线、杆或纤维形态的导电性金属体。
例如，所述透明导电性氧化物层由所述透明导电性氧化物分散液形成，所述有机-无机混合层由包含所述导电性金属体水溶液及导电性聚合物水溶液的有机-无机混合溶液形成。
此时，有机-无机混合溶液还可以包含选自去离子水、有机溶剂及表面活性剂中的一种以上。
所述有机-无机混合溶液可以通过将所述导电性金属体溶液及所述导电性聚合物溶液与所述有机溶剂混合的步骤；及添加所述去离子水、所述有机溶剂及表面活性剂进行混合的步骤而制造。
所述有机-无机混合溶液涂覆到所述形成裂纹的所述透明导电性氧化物层上时，填埋所述裂纹时能够起到确保导电性及透射率的作用。
与实施例2不同，可以与顺序无关地在基材上由包含导电性金属体及透明导电性氧化物的层形成1层；由导电性聚合物层形成2层。各层的个数在能确保透射率的范围内可以形成多个。
或者，可以与顺序无关地在基材上由导电性金属体层形成1层；由包含导电性聚合物及透明导电性氧化物的层形成2层。各层的个数在能确保透射率的范围内可以形成多个。
根据本发明实施例3的透明导电膜的制造方法包括a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成包含透明导电性氧化物（TCO,Transparent Conductive Oxide）层、导电性金属体层和导电性聚合物层的透明复合导电层，且与顺序无关地形成所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层和所述导电性聚合物层的步骤；以及b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
所述透明导电性氧化物层可包含透明导电性氧化物片，所述导电性金属体层可包含线、杆或纤维形态的导电性金属体。
此时，根据实施例3的透明导电膜如图3所示，可由基材及透明复合导电层构成，此时，所述透明复合导电层由所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层及所述导电性聚合物层构成。
所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层及所述导电性聚合物层的层叠顺序不限于图3所示的顺序，当然可以将所述3层以多种组合变更层叠顺序。
此外，在能确保透射率的范围内，所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层及所述导电性聚合物层可以分别具备为多个。
以所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层及所述导电性聚合物层的顺序层叠时，可将所述透明导电性氧化物层进行开裂（cracking）后，在开裂的所述透明导电性氧化物层上形成所述导电性金属体层。
由于所述透明导电性氧化物层开裂时以片（flake）状开裂，因此所述透明导电性氧化物层可以以包含透明导电性氧化物片的透明导电性氧化物片层形成。
后述的导电性金属体溶液涂覆到形成所述裂纹的所述透明导电性氧化物层上时，能够填埋所述裂纹，从而能够起到确保导电性及透射率的作用。
此时，所述开裂的所述透明导电性氧化物层可以以150nm至500nm的厚度形成。所述透明导电性氧化物层的厚度超过150nm时，开裂发生良好，因此需要裂纹时以该范围形成后进行开裂。
或者，所述透明导电性氧化物层由透明导电性氧化物溶液形成；所述导电性金属体层由导电性金属体溶液形成；所述导电性聚合物层由导电性聚合物溶液形成。
此时，所述导电性金属体溶液可包含线、杆或纤维形态的导电性金属体。
此外，所述透明导电性氧化物溶液可包含透明导电性氧化物片。
例如，所述透明导电性氧化物层由透明导电性氧化物分散液形成；所述导电性金属体层由导电性金属体水溶液形成；所述导电性聚合物层由导电性聚合物水溶液形成。
此时，所述透明导电性氧化物层的厚度为10～150nm，所述导电性金属体层的厚度为10～300nm，所述导电性聚合物层的厚度为10～300nm。但不限于此。
为了导电性的提高，所述实施例1～3的透明复合导电层还可以包含CNT、CNF、石墨烯等。
以下通过实施例进一步详细说明本发明，但本发明的范围不限于此。
实施例1
1）1液型有机-无机混合溶液
在玻璃容器中将5%银纳米线水分散液（直径30nm，纵横比≥1000）20g、10%PEDT:PSS水溶液10g与甲醇20g混合，缓慢搅拌。在此混合10%ITO片（厚度20nm，直径1μm）分散液10g，缓慢搅拌。在此添加去离子水10g和甲醇30g、Zonyl FSO 0.01g进行缓慢搅拌，得到1液型有机-无机混合溶液。
2）透明基材的前处理
透明导电膜用基材使用了SK公司的SH82（PET膜）制品，为了增加亲水性进行了常压等离子体处理。气体流量调节为氮气200lpm、氧气4lpm，等离子体的放电输出调节为12kw，并以10mm/s的速度进行处理。以整数基准接触角35°进行测定。
3）透明导电膜制造
将所述1液型有机-无机混合溶液利用旋涂涂覆到作为基材的经过前处理的PET膜上。旋涂条件以1000rpm进行5秒，在对流烘箱中150℃下进行3分钟的干燥和煅烧。由此得到了由PET膜和有机-无机混合型透明复合导电层构成的透明导电膜（参照图1）。
实施例2
1）透明导电性氧化物分散液及有机-无机混合溶液
为了形成透明导电性氧化物层，准备了与实施例1中所使用的相同的10%ITO纳米片（厚度20nm，直径1μm）分散液10g。
为了形成有机-无机混合层，在玻璃容器中将5%银纳米线水分散液（直径30nm，纵横比≥1000）20g、10%PEDT:PSS水溶液10g与甲醇20g混合，缓慢搅拌后，在此添加去离子水10g和甲醇40g、Zonyl FSO0.01g进行缓慢搅拌，得到有机-无机混合溶液。
2）透明导电膜用基材
透明导电膜用基材使用了SK公司的SH82（PET膜）制品，为了增加亲水性进行了常压等离子体处理。气体流量调节为氮气200lpm、氧气4lpm，等离子体的放电输出调节为12kw，并以10mm/s的速度进行处理。以整数基准接触角35°进行测定。
3）透明导电膜的制造
在作为基材的经过前处理的PET膜上利用旋涂依次涂覆用于形成透明导电性氧化物层的所述10%ITO纳米片（厚度20nm，直径1μm）分散液及用于形成有机-无机混合层的所述有机-无机混合溶液。旋涂条件以1000rpm进行5秒钟，在对流烘箱中150℃下进行3分钟的干燥和煅烧。由此得到了由PET膜、透明导电性氧化物层及有机-无机混合层构成的透明导电膜（参照图2）。
实施例3
1）透明导电性氧化物分散液、导电性金属体水溶液、导电性聚合物水溶液的制造
分别准备了与实施例1中所使用的相同的10%ITO纳米片（厚度20nm，直径1μm）分散液、5%银纳米线水分散液（直径30nm，纵横比≥1000）及10%PEDT:PSS水溶液。
2）透明导电膜用基材
透明导电膜用基材使用了SK公司的SH82（PET膜）制品，为了增加亲水性进行了常压等离子体处理。气体流量调节为氮气200lpm、氧气4lpm，等离子体的放电输出调节为12kw，并以10mm/s的速度进行处理。以整数基准接触角35°进行测定。
3）透明导电膜的制造
在作为基材的经过前处理的PET膜上利用旋涂依次涂覆用于形成透明导电性氧化物层的所述10%ITO纳米片（厚度20nm，直径1μm）分散液、用于形成导电性金属体层的所述5%银纳米线水分散液（直径30nm，纵横比≥1000）及用于形成导电性聚合物层的所述10%PEDT:PSS水溶液。旋涂条件以1000rpm进行5秒钟，在对流烘箱中150℃下进行3分钟的干燥和煅烧。由此得到了由PET膜、透明导电性氧化物层、导电性金属体层及导电性聚合物层构成的透明导电膜（参照图3）。

Claims (29)

1.一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：
a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成包含透明导电性氧化物、导电性金属体和导电性聚合物的有机-无机混合型透明复合导电层的步骤；以及
b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物以片状包含在所述有机-无机混合型透明复合导电层中。
3.根据权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述有机-无机混合型透明复合导电层由含有所述透明导电性氧化物、所述导电性金属体和所述导电性聚合物的1液型有机-无机混合溶液形成。
4.根据权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述有机-无机混合型透明复合导电层由1液型有机-无机混合溶液形成，所述1液型有机-无机混合溶液包含透明导电性氧化物溶液、导电性金属体溶液和导电性聚合物溶液而制造。
5.根据权利要求4所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述1液型有机-无机混合溶液进一步包含选自去离子水、有机溶剂和表面活性剂中的1种以上而制造。
6.根据权利要求5所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述有机-无机混合溶液通过以下步骤而制造：将所述导电性金属体溶液和所述导电性聚合物溶液与所述有机溶剂混合的步骤；添加所述透明导电性氧化物溶液进行混合的步骤；以及添加所述去离子水、所述有机溶剂和所述表面活性剂进行混合的步骤。
7.一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：
a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成具有透明导电性氧化物层及包含导电性金属体和导电性聚合物的有机-无机混合层的透明复合导电层，且与顺序无关地形成所述透明导电性氧化物层和所述有机-无机混合层的步骤；以及
b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
8.根据权利要求7所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，以所述透明导电性氧化物层和所述有机-无机混合层的顺序进行层叠时，将所述透明导电性氧化物层进行开裂后，在开裂的透明导电性氧化物层上形成所述有机-无机混合层。
9.根据权利要求8所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物层进行开裂时以片状进行开裂，从而所述透明导电性氧化物层以包含透明导电性氧化物片的透明导电性氧化物片层的方式形成。
10.根据权利要求7所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物层由透明导电性氧化物溶液形成，所述有机-无机混合层由包含导电性金属体溶液和导电性聚合物溶液而制造的有机-无机混合溶液形成。
11.根据权利要求10所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述有机-无机混合溶液还包含选自去离子水、有机溶剂和表面活性剂中的1种以上而制造。
12.根据权利要求11所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述有机-无机混合溶液通过以下步骤而制造：将所述导电性金属体溶液和所述导电性聚合物溶液与所述有机溶剂进行混合的步骤；以及添加所述去离子水、所述有机溶剂和所述表面活性剂进行混合的步骤。
13.一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：
a）在基材上形成透明复合导电层的步骤，即，形成包含透明导电性氧化物层、导电性金属体层和导电性聚合物层的透明复合导电层，且与顺序无关地形成所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层和所述导电性聚合物层的步骤；以及
b）将所述透明复合导电层进行干燥和煅烧的步骤。
14.根据权利要求13所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，以所述透明导电性氧化物层、所述导电性金属体层和所述导电性聚合物层的顺序进行层叠时，所述透明导电性氧化物层进行开裂后，在开裂的透明导电性氧化物层上形成所述导电性金属体层。
15.根据权利要求14所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物层进行开裂时以片状开裂，从而所述透明导电性氧化物层以包含透明导电性氧化物片的透明导电性氧化物片层的方式形成。
16.根据权利要求13所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物层由透明导电性氧化物溶液形成，所述导电性金属体层由导电性金属体溶液形成，所述导电性聚合物层由导电性聚合物溶液形成。
17.根据权利要求13所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述导电性金属体由包含线、杆或纤维形态的导电性金属体的导电性金属体溶液形成。
18.根据权利要求1或7所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述导电性金属体以线、杆或纤维形态包含在所述有机-无机混合型透明复合导电层中。
19.根据权利要求7或13所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物层由包含透明导电性氧化物片的透明导电性氧化物片溶液形成。
20.根据权利要求4、10和16中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物溶液包含透明导电性氧化物片。
21.根据权利要求4、10和16中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述导电性金属体溶液包含线、杆或纤维形态的导电性金属体。
22.根据权利要求1、7和13中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述基材为聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚砜（PES）、尼龙（Nylon）、聚四氟乙烯（PTFE）、聚醚醚铜（PEEK）、聚碳酸酯（PC）、聚芳酯（PAR）或玻璃。
23.根据权利要求1、7和13中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，在所述a）步骤之前，还包括对所述基材进行前处理的步骤。
24.根据权利要求1、7和13中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，在所述a）步骤中形成所述透明复合导电层的方法选自旋涂、辊涂、喷涂、浸涂、流涂、刮刀法、点胶、喷墨印刷、胶版印刷、丝网印刷、移印、凹版印刷、柔版印刷、模版印刷、压印、静电印刷和平版印刷方法。
25.根据权利要求1、7和13中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物为选自氧化锡、氧化锡锑、掺氟二氧化锡、氧化锌、氧化锌铝、氧化镓锌、掺硼氧化锌、SiO2-ZnO、氧化铟、氧化铟锡和氧化铟锌中的一种以上。
26.根据权利要求1、7和13中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述导电性金属体为选自银纳米线、金纳米线和金-银合金纳米线中的一种以上。
27.根据权利要求1、7和13中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述导电性聚合物为选自聚乙炔、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚硫化氮、聚苯硫醚、聚苯撑聚呋喃、聚对苯撑乙烯、聚噻吩乙炔、聚（异硫茚）、聚乙烯二氧噻吩、以及聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸中的1种以上。
28.根据权利要求1、7和13中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于，所述b）步骤的干燥和煅烧包含热处理步骤。
29.一种透明导电膜，是通过权利要求1、7和13中任一项所述的制造方法制造的。
CN201180037660.1A 2010-07-30 2011-07-28 透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜 Expired - Fee Related CN103140899B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100074380A KR101489161B1 (ko) 2010-07-30 2010-07-30 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR10-2010-0074380 2010-07-30
PCT/KR2011/005564 WO2012015254A2 (ko) 2010-07-30 2011-07-28 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103140899A true CN103140899A (zh) 2013-06-05
CN103140899B CN103140899B (zh) 2015-09-23

Family

ID=45530618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180037660.1A Expired - Fee Related CN103140899B (zh) 2010-07-30 2011-07-28 透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9230707B2 (zh)
JP (2) JP5612767B2 (zh)
KR (1) KR101489161B1 (zh)
CN (1) CN103140899B (zh)
WO (1) WO2012015254A2 (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730195A (zh) * 2013-12-13 2014-04-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种铜纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法
CN103730194A (zh) * 2013-12-13 2014-04-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法
CN104575864A (zh) * 2014-12-15 2015-04-29 中国科学院长春应用化学研究所 一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法
CN104575698A (zh) * 2013-10-09 2015-04-29 精磁科技股份有限公司 透明导电膜结构
CN105336508A (zh) * 2015-11-06 2016-02-17 东华大学 一种柔性的透明二硫化钼薄膜电极的制备方法
CN105895736A (zh) * 2016-03-15 2016-08-24 宁波江东波莫纳电子科技有限公司 一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法
CN107134321A (zh) * 2017-04-28 2017-09-05 成都川烯科技有限公司 一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法
CN107507676A (zh) * 2017-09-04 2017-12-22 南京工业大学 一种基于银纳米线和pedot的纸基柔性透明电极的快速制备方法
CN108485263A (zh) * 2018-04-06 2018-09-04 菏泽学院 一种导电、透明高分子材料及其制备方法
CN108630708A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
CN108825078A (zh) * 2018-06-13 2018-11-16 浙江西溪玻璃有限公司 一种调光隔热玻璃基板及其制备工艺
CN109535469A (zh) * 2018-11-14 2019-03-29 长沙浩然医疗科技有限公司 一种导电薄膜的制备方法
CN111933331A (zh) * 2020-09-03 2020-11-13 深圳市诺斯特新材料股份有限公司 一种透明导电膜及电子装置
CN112185606A (zh) * 2020-09-29 2021-01-05 梁燕 一种高分子柔性导电薄膜及其制备方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009035238A1 (de) * 2009-07-29 2011-02-10 Behr Gmbh & Co. Kg Solarkollektor und Verfahren zur Herstellung einer lichtabsorbierenden Oberfläche
JP5419955B2 (ja) * 2011-12-12 2014-02-19 株式会社東芝 透明導電材料、分散液、透明導電膜、及びそれらの製造方法
CN102569462A (zh) * 2012-02-10 2012-07-11 无锡中洁能源技术有限公司 等离子体改性全聚酯太阳电池背膜及其生产工艺
KR101388682B1 (ko) * 2012-04-30 2014-04-24 한국교통대학교산학협력단 은 나노와이어 및 그라핀을 이용한 하이브리드 전극 및 이의 제조방법
KR20140046923A (ko) * 2012-10-11 2014-04-21 제일모직주식회사 투명 도전체, 이를 제조하기 위한 조성물 및 이를 포함하는 광학표시 장치
JPWO2014080789A1 (ja) * 2012-11-20 2017-01-05 横浜ゴム株式会社 低温焼成用導電性組成物および太陽電池セル
CN103094416B (zh) * 2013-01-21 2016-08-17 无锡中洁能源技术有限公司 一种光伏组件生产工艺
CN104051660A (zh) * 2013-03-12 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法
CN103236323A (zh) * 2013-04-18 2013-08-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜的制备方法
JP6171609B2 (ja) * 2013-06-19 2017-08-02 東ソー株式会社 透明導電膜用塗工液及びこれを用いた透明導電膜
DE102013111267B4 (de) * 2013-10-11 2019-10-24 Schott Ag Kochfeld mit einem transparenten elektrischen Leiter und Verfahren zur Herstellung
TWI500048B (zh) 2013-12-30 2015-09-11 Ind Tech Res Inst 透明導電膜組合物及透明導電膜
CN103865263B (zh) * 2014-01-09 2016-05-11 常州大学 一种有机-无机复合红外隐身材料的制备方法
KR20170018718A (ko) 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
KR102404922B1 (ko) * 2015-11-05 2022-06-08 한국전자통신연구원 투명전도성산화물 박막의 제조 방법
JP2017112051A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 東ソー株式会社 透明導電膜
KR102612902B1 (ko) 2016-04-22 2023-12-18 삼성디스플레이 주식회사 투명 전도막 및 이를 포함하는 전자 소자
WO2018019813A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Basf Se Transparent electroconductive layer and ink for production thereof
KR102335627B1 (ko) * 2016-08-11 2021-12-08 한국전자통신연구원 투명 전도성 구조체를 포함하는 전자 소자의 제조방법
CN106298066B (zh) * 2016-08-17 2017-07-28 石狮市森科智能科技有限公司 一种柔性透明导电膜的制备方法
JP6910133B2 (ja) * 2016-11-29 2021-07-28 旭化成株式会社 ポリイミドフィルム積層体
JP6782211B2 (ja) 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN108417294A (zh) * 2017-12-07 2018-08-17 浙江欧仁新材料有限公司 柔性透明导电电极
KR20200047809A (ko) 2018-10-19 2020-05-08 한국성전(주) Pedot를 이용한 차량 대시보드용 터치패널
KR20200055170A (ko) 2018-11-07 2020-05-21 한국성전(주) Pedot를 이용한 차량 대시보드용 터치패널 및 그 형성방법
KR20200079439A (ko) 2018-12-24 2020-07-03 한국성전(주) 도전성 폴리머를 이용한 차량용 터치패널
KR20200079357A (ko) 2018-12-24 2020-07-03 한국성전(주) Pedot를 이용한 차량 대시보드용 터치패널 및 그 형성방법
KR20200106237A (ko) 2019-02-28 2020-09-14 한국성전(주) 도전성 폴리머를 이용한 차량용 터치패널
KR20210003347A (ko) 2019-07-01 2021-01-12 한국성전(주) Pedot을 이용한 차량용 터치 패드 및 제조 방법
JP7442283B2 (ja) * 2019-09-02 2024-03-04 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法および中間体
KR20210087599A (ko) 2020-01-02 2021-07-13 한국성전(주) 곡면 대상물에 대한 터치패드 설치 구조 및 방법
KR102378619B1 (ko) * 2020-02-07 2022-03-23 한남대학교 산학협력단 용액공정을 이용한 유연기판 위 인듐-주석 산화물의 코팅방법
JP2022042664A (ja) * 2020-09-03 2022-03-15 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN115938647A (zh) * 2022-12-02 2023-04-07 宁波碳源新材料科技有限公司 一种超高粘附力的银纳米线/铝掺杂氧化锌复合柔性透明导电薄膜及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030043909A (ko) * 2000-07-14 2003-06-02 캐논 가부시끼가이샤 유기-무기 하이브리드 광 방출 디바이스 (ｈｌｅｄ)
KR20050052992A (ko) * 2003-12-01 2005-06-07 아스라브 쏘시에떼 아노님 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을통합하는 장치
CN1846281A (zh) * 2003-09-08 2006-10-11 住友金属矿山株式会社 透明导电层叠体与采用了该层叠体的有机el元件及它们的制造方法
KR20070095919A (ko) * 2004-12-28 2007-10-01 유니버시테테트 아이 오슬로 기체상 증착 기술에 의한 박막
WO2009086161A1 (en) * 2007-12-20 2009-07-09 Cima Nanotech Israel Ltd. Transparent conductive coating with filler material

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5525578A (en) * 1989-11-21 1996-06-11 Hoechst Aktiengesellschaft Herbicidal agents containing imidazole herbicide and ether sulfate surfactants
JPH09115334A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Materiais Corp 透明導電膜および膜形成用組成物
KR100472496B1 (ko) 1997-07-23 2005-05-16 삼성에스디아이 주식회사 투명도전성조성물,이로부터형성된투명도전막및그제조방법
KR20000009405A (ko) 1998-07-24 2000-02-15 김영남 투명한 전도성 광선택 흡수피막이 형성된화상표시면판 및 그제조방법과 그 도포용액
JP2003151362A (ja) * 2001-08-31 2003-05-23 Toppan Printing Co Ltd 導電膜および導電膜の製造方法
JP3876811B2 (ja) 2001-11-02 2007-02-07 住友金属鉱山株式会社 透明導電層形成用塗液の製造方法
JP2003238822A (ja) * 2001-12-12 2003-08-27 Mitsubishi Rayon Co Ltd 導電性樹脂組成物、積層体および積層体の製造方法
JP3988935B2 (ja) * 2002-11-25 2007-10-10 富士フイルム株式会社 網目状導電体及びその製造方法並びに用途
JP2005019056A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Toray Ind Inc 複合透明導電性基材とそれを用いたディスプレイ
US20080223428A1 (en) * 2004-04-19 2008-09-18 Zeira Eitan C All printed solar cell array
JP2006286418A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Tdk Corp 透明導電体
WO2008131304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-30 Cambrios Technologies Corporation Composite transparent conductors and methods of forming the same
JP5507806B2 (ja) * 2007-11-30 2014-05-28 日東電工株式会社 導電性物質偏在ポリマー層を有する導電部材
JP2009155570A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Mitsubishi Rayon Co Ltd カーボンナノチューブ含有組成物、これからなる塗膜を有する複合体およびその製造方法
JP5359132B2 (ja) * 2008-09-05 2013-12-04 コニカミノルタ株式会社 透明電極及び該透明電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
GB0817224D0 (en) * 2008-09-19 2008-10-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Coated polymeric substrates
TW201013708A (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Efun Technology Co Ltd Transparent conductive film and the application thereof
WO2010082429A1 (ja) * 2009-01-16 2010-07-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 パターン電極の製造方法及びパターン電極
WO2010082428A1 (ja) * 2009-01-19 2010-07-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030043909A (ko) * 2000-07-14 2003-06-02 캐논 가부시끼가이샤 유기-무기 하이브리드 광 방출 디바이스 (ｈｌｅｄ)
CN1846281A (zh) * 2003-09-08 2006-10-11 住友金属矿山株式会社 透明导电层叠体与采用了该层叠体的有机el元件及它们的制造方法
KR20050052992A (ko) * 2003-12-01 2005-06-07 아스라브 쏘시에떼 아노님 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을통합하는 장치
KR20070095919A (ko) * 2004-12-28 2007-10-01 유니버시테테트 아이 오슬로 기체상 증착 기술에 의한 박막
WO2009086161A1 (en) * 2007-12-20 2009-07-09 Cima Nanotech Israel Ltd. Transparent conductive coating with filler material

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104575698B (zh) * 2013-10-09 2018-07-31 精磁科技股份有限公司 透明导电膜结构
CN104575698A (zh) * 2013-10-09 2015-04-29 精磁科技股份有限公司 透明导电膜结构
CN103730194A (zh) * 2013-12-13 2014-04-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法
CN103730194B (zh) * 2013-12-13 2016-02-24 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜的制备方法
CN103730195B (zh) * 2013-12-13 2016-03-30 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种铜纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法
CN103730195A (zh) * 2013-12-13 2014-04-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种铜纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法
CN104575864A (zh) * 2014-12-15 2015-04-29 中国科学院长春应用化学研究所 一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法
CN105336508A (zh) * 2015-11-06 2016-02-17 东华大学 一种柔性的透明二硫化钼薄膜电极的制备方法
CN105895736A (zh) * 2016-03-15 2016-08-24 宁波江东波莫纳电子科技有限公司 一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法
CN108630708A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
US11231606B2 (en) 2017-03-15 2022-01-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Conductive substrate, manufacturing method thereof and display device
CN107134321A (zh) * 2017-04-28 2017-09-05 成都川烯科技有限公司 一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法
CN107507676A (zh) * 2017-09-04 2017-12-22 南京工业大学 一种基于银纳米线和pedot的纸基柔性透明电极的快速制备方法
CN108485263A (zh) * 2018-04-06 2018-09-04 菏泽学院 一种导电、透明高分子材料及其制备方法
CN108825078A (zh) * 2018-06-13 2018-11-16 浙江西溪玻璃有限公司 一种调光隔热玻璃基板及其制备工艺
CN109535469A (zh) * 2018-11-14 2019-03-29 长沙浩然医疗科技有限公司 一种导电薄膜的制备方法
CN111933331A (zh) * 2020-09-03 2020-11-13 深圳市诺斯特新材料股份有限公司 一种透明导电膜及电子装置
CN112185606A (zh) * 2020-09-29 2021-01-05 梁燕 一种高分子柔性导电薄膜及其制备方法
CN112185606B (zh) * 2020-09-29 2022-04-01 深圳市法鑫忠信新材料有限公司 一种高分子柔性导电薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120021451A (ko) 2012-03-09
JP5612767B2 (ja) 2014-10-22
US9230707B2 (en) 2016-01-05
JP5869627B2 (ja) 2016-02-24
JP2015008141A (ja) 2015-01-15
KR101489161B1 (ko) 2015-02-06
WO2012015254A2 (ko) 2012-02-02
JP2013539162A (ja) 2013-10-17
US20130126796A1 (en) 2013-05-23
CN103140899B (zh) 2015-09-23
WO2012015254A3 (ko) 2012-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103140899B (zh) 透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜
Yang et al. Robust and smooth UV-curable layer overcoated AgNW flexible transparent conductor for EMI shielding and film heater
CN106229036B (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法
Hecht et al. Emerging transparent electrodes based on thin films of carbon nanotubes, graphene, and metallic nanostructures
Tait et al. Spray coated high-conductivity PEDOT: PSS transparent electrodes for stretchable and mechanically-robust organic solar cells
Li et al. ITO-free photovoltaic cell utilizing a high-resolution silver grid current collecting layer
CN106782769A (zh) 低粗糙度低方阻的柔性透明导电复合薄膜及其制备方法
CN105378856B (zh) 透明电极薄膜的制造方法
CN105359226B (zh) 显示器用透明电极薄膜的制造方法及显示器用透明电极薄膜
CN104240798A (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法
US20140158411A1 (en) Substrate having transparent electrode for flexible display and method of fabricating the same
CN104576692B (zh) 导电柔性基板及其制作方法与oled显示装置及其制作方法
JP5293398B2 (ja) カーボンナノチューブ含有組成物および塗膜
WO2016206158A1 (zh) 石墨烯/pedot:pss混合溶液的制备方法及具有石墨烯/pedot:pss复合透明导电膜的基板的制备方法
CN106046918A (zh) 一种导电油墨及其制备方法
CN104303238A (zh) 透明导电性墨以及透明导电图案形成方法
CN105224151B (zh) 纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板
CN103958603A (zh) 导电金属组合物
JP2011146015A (ja) タッチスクリーン入力装置
JP2010244746A (ja) 透明電極、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
Valasma et al. Grid-type transparent conductive thin films of carbon nanotubes as capacitive touch sensors
TW201716517A (zh) 用於剛性及可撓性基材之導電透明塗層
JP2013152928A (ja) 透明導電膜
KR20110069478A (ko) 투명 전극용 투명 기판의 제조 방법
JP2006278582A (ja) 有機薄膜太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150923