CN103134990A - 一种电阻测试方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种微电子测试领域,尤其涉及一种电阻测试方法,包括被测电阻和测试pad,在测试过程中,利用金属线将两个pad和被测电阻串联,并输出电流I,然后使用探针卡测试两个pad的电压,WAT测试Alg平台计算出两个电压差值的绝对值,然后利用该数值除以电流,即可方便得出被测电阻的电阻值。本发明将传统电阻测试电路串联起来,利用串联电路电流处处相等的原理,只需要测试一次电流即可,同时测试相邻pad的电压,根据算法即可方便得出相邻pad之间被测电阻的电阻值,简化了操作步骤,节省了大量检测时间,同时降低了企业的检测成本。

Description

一种电阻测试方法
技术领域
本发明涉及一种微电子测试领域,尤其涉及一种电阻测试方法。
背景技术
随着半导体领域技术的不断进步,为了在生产过程中保证晶圆的良品率及时了解生产情况,需要对硅片的电阻值进行测试,并将检测得的电阻值通过WAT(Wafer Acceptance Test,晶圆接收测试)Alg平台进行输出和保存,便于技术人员对硅片的生产进行控制,以确保晶圆在生产中的良品率。
中国专利(申请号:201210273406.8)公开了一种电阻测试方法,其中,所述方法包括下述步骤:将测试机的四个测试端分别与待测电阻的四个测试端连接,其中测试机第一测试端与第二测试端在待测电阻的同一侧相连,测试机第三、第四测试端在待测电阻的另一侧相连;分别测试测试机四个测试端之间的部分或全部电阻值,根据所述测试机四个测试端之间的部分或全部电阻值,计算待测电阻的阻值。但是该发明只公开了减少电阻在测试过程中减少误差的问题,检测设备的成本较高,同时在测试电阻的实际操作过程中还是比较繁琐。
此外,中国专利(申请号:200910151805.5)公开了一种以轨迹模型实现晶片允收测试先进工艺控制的***与方法,包括:在处理中的多个晶片批次上实行一金属层间晶片允收测试;使用一批次取样程序自所述多个晶片批次中选取一晶片批次子集合;通过该晶片批次子集合选取一组取样晶片,该组取样晶片在实行所述金属层间晶片允收测试后提供金属层间晶片允收测试数据;根据该组取样晶片提供的所述金属层间晶片允收测试数据,估算处理中的所述多个晶片批次的所有晶片的末端晶片允收测试数据;以及提供所述估算得到的所述末端晶片允收测试数据供一晶片允收测试先进工艺控制程序控制一微调程序或一先进工艺控制程序。该发明公开了晶片选择测试的方法,但是没有具体涉及到电阻的测试方法,而在生产过程中,为了保证晶圆的正常生产,对电阻的测试必不可少。
现有技术中对电阻进行测试主要采取单个测试的方法,每个待测电阻都需要连接两个测试pad,在电路施加电流需要测出pad的电压,计算其差值的绝对值再除以电流从而得出待测电阻的电阻值,该方法在实际操作过程中比较繁琐,每个电阻都需要匹配有2个单独的测试pad,同时还要在每个电阻测试电路中施加电流并对进行测试,测试效率较低。
图1为现有技术WAT测试电阻的示意图,1-6为测试pad,R为测试电阻,根据图示可得知,每个单侧电阻R都单独连接两个pad,且每个测试电路又相互独立,如图所示:pad1和pad2与R1连接,同时pad3和pad4与R2连接,pad5和pad6与R3连接......以此类推,pad2n-1和pad2n与Rn连接。在现有技术的测试中,需要分别测量电流I和待测电阻两端pad的电压,并通过我们的WAT测试Alg平台计算出当次测试的电阻值。例如,使用该方法对电阻进行测试的计算公式为:
R 1 = | U 2 - U 1 I | ,
以此类推:
R 2 = | U 4 - U 3 I | ;
R 3 = | U 6 - U 5 I | ;
........
R n = | U 2 n - U 2 n - 1 I | ;
由此可见,由于现有技术的各个电阻测试电路相对独立,传统的测试方法比较繁琐,一个待测电阻需要使用2个测试pad,在测试过程中,还需要测试对每个测试电路中的pad的电压和电路中的电流,比较麻烦,增加了企业的检测时间,耗费了大量人力物力。
发明内容
本发明根据现有技术电阻测试方法的不足提供了一种电阻测试方法,将传统方法中测试pad与电阻并联改为串联,利用串联电路电流相同的原理可方便得出电阻值,简化了测试步骤,节省了大量人力物力。
本发明采取的技术方案为:
一种电阻测试方法,其中,包括以下步骤:
S1、将N个待测电阻与M个pad串联,形成一串联电路,且该串联电路中相邻的两个所述pad之间均设置有一个待测电阻;其中,M和N均为正整数,且M=N+1;
S2、给所述串联电路上电,测量并获取该串联电路中每个所述pad上的电压UM和所述串联电路的电流I;
S3、电压值和电流值传输到WAT测试Alg平台,所述Alg平台根据电阻公式 R N = | U M - U M - 1 I | , 得出每个所述待测电阻的阻值。
上述的电阻测试方法,其中,步骤S3中所述RN为第N个所述待测电阻的阻值,所述UM为第M个所述pad上的电压值,所述UM-1为第M-1个所述pad上的电压值,所述padM与padM-1为相邻的两个pad,且第N个所述待测电阻为位于所述padM与padM-1之间。
上述的电阻测试方法,其中,所述Um与Um-1为相邻的两pad的电压值。
上述的电阻测试方法,其中,所述Alg平台利用探针卡与所述pad连接,获取每个pad上的电压值U并将所述电压值传输到所述Alg平台。
上述的电阻测试方法,其中,所述所述Alg平台中设置有计算模块,该计算模块通过获取的电压值及电流值,并根据所述公式
Figure BDA00002845537200042
输出每个待测电阻的阻值并进行保存。
由于本发明采取了以上技术方案,将传统的测试电路改为串联测试电路,将待测电阻和两个pad连接,用探针卡测出两个pad点的电压,将电压数据传输至WAT测试Alg平台,WAT测试Alg平台根据算法计算出两个pad之间的电压差值,然后利用该电压差值的绝对值除以电流,得出电阻值R,测试方法简单快捷,节省了检测时间,节省了大量人力物力。
附图说明
图1为现有技术中电阻测试方法的连接示意图;
图2为本发明实施例中电阻测试方法的流程示意图;
图3为本发明实施例中电阻测试方法的连接示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。
图2为本发明实施例中电阻测试方法的流程示意图:
S1、将N个待测电阻与M个pad串联,形成一串联电路,且该串联电路中相邻的两个pad之间均设置有一个待测电阻;其中,M和N均为正整数,且M=N+1;
S2、给串联电路上电,测量该串联电路中的电流I,同时使用探针卡测量并获取该串联电路中每个pad上的电压值,其中,相邻两pad的电压值分别为Um和Um-1,探针卡底端设置有多个金属针脚,金属针脚与pad接触后可测得pad处的电压值,同时根据串联电路电流处处相等的原理,所以每个待测电阻和pad处的的电流相等,只需要在主电路中测试一次电流即可,在实际测试过程中免去了对电流进行重复测试,简化了测试步骤;
S3、探针卡测得的电压值UM和电流I传输到Alg平台,Alg平台利用电阻公式
Figure BDA00002845537200051
得出每个待测电阻的阻值,并对所述电阻的阻值进行保存;
其中,RN为第N个待测电阻的阻值,UM为第M个pad上的电压值,UM-1为第M-1个pad上的电压值,且第N个待测电阻为位于第M个pad与第M-1个pad之间。
图3为本发明电阻测试方法的连接示意图,一种电阻测试方法,以6个pad测试5个测试电阻为例进行详细说明,如图3所示,将6个pad与5个待测电阻进行串联,每个待测电阻两端都连接有pad,如电阻R1的两端连接有pad1和pad2,电阻R2的两端连接有pad2和pad3....电阻R5的两端连接有pad5和pad6,在实际测试过程中,将该串联电路上电,测得该串联电路的电流值I,然后利用探针卡分别测得各pad的电压值U1,U2,U3,U4,U5,U6,测得的电压值和电流值传输到WAT测试平台Alg平台,Alg平台根据算法输出电阻值并对数据进行保存;
RI电阻值计算公式为:以此类推,得出其他待测电阻的电阻值:
R 2 = | U 3 - U 2 I | ;
R 3 = | U 4 - U 3 I | ;
........
R 5 = | U 6 - U 5 I |
综上所述,本发明一种电阻测试方法将待测电阻与pad串联,形成一串联电路,且该串联电路中相邻的两个pad之间均设置有一个待测电阻;利用串联电路电流处处相等的特点,在检测过程中只需检测一次电路中的电流即可,同时检测出相邻两个pad的电压,计算器差值的绝对值即为该相邻pad之间待测电阻的电阻值,简化了检测步骤,提高了检测效率,同时节省了大量人力物力。
以上所述仅为本发明较佳的实施例,并非因此限制本发明的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种电阻测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将N个待测电阻与M个pad串联,形成一串联电路,且该串联电路中相邻的两个所述pad之间均设置有一个待测电阻;其中,M和N均为正整数,且M=N+1;
S2、给所述串联电路上电,测量并获取该串联电路中每个所述pad上的电压UM和所述串联电路的电流I;
S3、电压值和电流值传输到WAT测试Alg平台,Alg平台根据电阻公式 R N = | U M - U M - 1 I | , 得出每个所述待测电阻的阻值。
2.根据权利1所述的电阻测试方法,其特征在于,步骤S3中所述RN为第N个所述待测电阻的阻值,所述UM为第M个所述pad上的电压值,所述UM-1为第M-1个所述pad上的电压值,所述padM与padM-1为相邻的两个pad,且第N个所述待测电阻为位于所述padM与padM-1之间。
3.根据权利要求1所述的电阻测试方法,其特征在于,所述Um与Um-1为相邻的两个pad的电压值。
4.根据权利要求1所述的电阻测试方法,其特征在于,所述Alg平台利用探针卡与所述pad连接,获取每个pad上的电压值U并将所述电压值传输到所述Alg平台。
5.根据权利要求4所述的电阻测试方法,其特征在于,所述Alg平台中设置有计算模块,该计算模块通过获取的电压值及电流值,并根据公式
Figure FDA00002845537100012
输出每个待测电阻的阻值并进行保存。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104977469A (zh) * 2014-04-04 2015-10-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于集成电路设计的测量电路和方法
CN105092976A (zh) * 2014-05-08 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 接触电阻的测试方法和测试结构
CN109283395A (zh) * 2018-11-30 2019-01-29 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种多通道电阻测试***及其测试方法
CN111796148A (zh) * 2020-07-31 2020-10-20 上海华力微电子有限公司 一种电阻测试结构
CN112505102A (zh) * 2019-09-16 2021-03-16 力成科技股份有限公司 封装基板之电阻测量方法及其封装基板
CN113702710A (zh) * 2020-05-21 2021-11-26 圣邦微电子(北京)股份有限公司 电阻测试电路及电阻测试方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952838A (en) * 1995-06-21 1999-09-14 Sony Corporation Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures
TW555988B (en) * 2001-07-31 2003-10-01 Xilinx Inc Testing vias and contacts in integrated circuit fabrication
CN1529175A (zh) * 2003-10-16 2004-09-15 友达光电股份有限公司 量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构
US20060139047A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Jing-Rong Zhou Testing system and testing method for duts
US7152012B2 (en) * 2004-09-28 2006-12-19 Lsi Logic Corporation Four point measurement technique for programmable impedance drivers RapidChip and ASIC devices
US7394280B1 (en) * 2007-02-06 2008-07-01 Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. Method of electro migration testing
CN102157415A (zh) * 2011-03-15 2011-08-17 上海宏力半导体制造有限公司 裸芯片的晶圆参数的测试方法
CN102749518A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 财团法人交大思源基金会 凸块接点的电阻测量结构及包含其的封装基板
CN102854386A (zh) * 2012-08-02 2013-01-02 深圳市明微电子股份有限公司 一种电阻测试方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952838A (en) * 1995-06-21 1999-09-14 Sony Corporation Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures
TW555988B (en) * 2001-07-31 2003-10-01 Xilinx Inc Testing vias and contacts in integrated circuit fabrication
CN1529175A (zh) * 2003-10-16 2004-09-15 友达光电股份有限公司 量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构
US7152012B2 (en) * 2004-09-28 2006-12-19 Lsi Logic Corporation Four point measurement technique for programmable impedance drivers RapidChip and ASIC devices
US20060139047A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Jing-Rong Zhou Testing system and testing method for duts
US7394280B1 (en) * 2007-02-06 2008-07-01 Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. Method of electro migration testing
CN102157415A (zh) * 2011-03-15 2011-08-17 上海宏力半导体制造有限公司 裸芯片的晶圆参数的测试方法
CN102749518A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 财团法人交大思源基金会 凸块接点的电阻测量结构及包含其的封装基板
CN102854386A (zh) * 2012-08-02 2013-01-02 深圳市明微电子股份有限公司 一种电阻测试方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104977469A (zh) * 2014-04-04 2015-10-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于集成电路设计的测量电路和方法
CN104977469B (zh) * 2014-04-04 2018-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于集成电路设计的测量电路和方法
CN105092976A (zh) * 2014-05-08 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 接触电阻的测试方法和测试结构
CN109283395A (zh) * 2018-11-30 2019-01-29 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种多通道电阻测试***及其测试方法
CN112505102A (zh) * 2019-09-16 2021-03-16 力成科技股份有限公司 封装基板之电阻测量方法及其封装基板
CN113702710A (zh) * 2020-05-21 2021-11-26 圣邦微电子(北京)股份有限公司 电阻测试电路及电阻测试方法
CN111796148A (zh) * 2020-07-31 2020-10-20 上海华力微电子有限公司 一种电阻测试结构

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