CN103132028A - 具有多个靶体和磁体的沉积室的pvd装置和方法 - Google Patents
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Abstract
提供用于可单独供电的多个靶体组件的薄膜沉积***和方法。每个靶体组件都包括靶体以及相关的磁体或磁体组。本发明提供了通过对靶体布置单独供电的多个电源产生的可调膜轮廓。可以对提供给靶体布置的功率的相对量进行定制以提供期望的膜，并且可以及时改变提供给靶体布置的功率的相对量以产生具有不同特性的膜。本发明提供了具有多个靶体和磁体的沉积室的PVD装置和方法。
Description
技术领域
本发明总的来说涉及半导体制造工具和方法。更具体地，本发明涉及具有多靶体设计的物理汽相沉积(PVD)装置和方法，其中，不同的靶体通过可单独控制的电源供电并且将不同的材料沉积到衬底上。
背景技术
在半导体制造工业中常用溅射和其他类型的物理汽相沉积(PVD)以在衬底上沉积膜。PVD是在气相中进行的沉积工艺，其中在真空中将源材料物理转印到衬底。除溅射之外，PVD包括热和电子束蒸发。PVD常用于沉积金属、阻挡材料和氧化物。源材料通常存在于在沉积操作中用作阴极的靶体中。
在溅射阴极中，以靶体形式提供的源材料被来自等离子体放电的能量离子侵蚀，并且通过离子释放的材料经由物理汽相沉积PVD在衬底上沉积为薄膜。通常，利用通过靶体阴极和阳极之间的电源施加的电位和放电电流，在工作气体的控制流下，在蒸发处理室(即，真空室)中保持等离子体放电。
在导电靶体材料的情况下，靶体可以提供有连续或脉动负电压，使得在靶体表面的上方形成等离子体。通过在等离子体和靶体表面之间形成的电场，来自等离子体的带正电离子加速朝向负偏压靶体表面(即，阴极)且到达负偏压靶体表面上，轰击靶体表面并通过从靶体释放材料引起靶体的侵蚀，并导致远离靶体表面溅射材料。来自侵蚀靶体的释放材料被导向到诸如半导体衬底的衬底或者位于沉积室中的其他工件。
在磁控溅射***中，靶体上方的等离子体密度通过磁场显著增加。通过磁场产生的高等离子体密度区域中的离子变得具有高度活力。通过紧靠靶体布置的磁体产生磁场。磁体通常设置在相对于靶体溅射表面的靶体面上，即，在靶体的后面。
然而，在传统的磁控溅射***中，靶体将具有不均匀的侵蚀轮廓。不管其形状如何，靶体更优先在相对于磁体的固定磁场的特定位置侵蚀。靶体的不均匀侵蚀轮廓可能导致所沉积的膜的均匀性差以及整个衬底的膜特性不均匀。例如，在衬底的一些空间位置处可以实现较差的阶梯覆盖，而在衬底的其他区域可以实现良好的阶梯覆盖。
在现今快速进步的半导体制造工业中以及随着半导体器件具有越来越微型化的部件，克服现有技术的缺点以及提供具有卓越均匀性和一致质量的沉积薄膜变得越来越重要。
发明内容
一方面，本发明提供了一种膜沉积***，所述膜沉积***包括：沉积室，所述沉积室具有其中包括多个靶体组件的靶体布置，每个所述靶体组件都包括靶体构件以及专用磁体或多个专用磁体，每个所述靶体组件都具有可单独控制的电源；以及工作台，所述工作台用于在其上接收工件。
在所述的膜沉积***中，所述多个靶体组件包括中心靶体构件和围绕所述中心靶体构件的环形靶体构件。
在所述的膜沉积***中，所述多个靶体组件包括同心布置的所述靶体构件。
在所述的膜沉积***中，每个所述靶体构件可以由相同或是不同的材料形成。
在所述的膜沉积***中，每个所述专用磁体或多个专用磁体相对于相关的所述靶体组件的相关的所述靶体构件旋转。
在所述的膜沉积***中，所述多个靶体组件包括在中心设置的第一靶体组件、围绕所述第一靶体组件的环形第二靶体组件以及围绕所述第二靶体组件的环形第三靶体组件，并且其中，所述多个靶体组件中的每一个都适合于在所述工作台上设置的工件上沉积相关的靶体材料。
在所述的膜沉积***中，配置所述多个靶体组件，使得所述靶体构件适合于在所述工作台上设置的工件的不同沉积区域上沉积材料。
另一方面，本发明提供了一种采用物理汽相沉积PVD在衬底上沉积膜的方法，所述方法包括：提供由第一材料形成的第一靶体和由第二材料形成的第二靶体；通过利用形成初始功率比率的第一功率和第二功率，首先对所述第一靶体施加所述第一功率以及对所述第二靶体施加所述第二功率来沉积膜；以及通过使用不同的功率比率对所述第一靶体和所述第二靶体提供功率来继续沉积所述膜。
在所述的方法中，所述施加第一功率和所述施加第二功率包括：使用DC功率同时分别向所述第一靶体和所述第二靶体供电。
在所述的方法中，所述提供包括：所述第一靶体包括第一相关的磁体布置，以及所述第二靶体包括第二相关的磁体布置。
在所述的方法中，所述提供由第一材料形成的第一靶体和由第二材料形成的第二靶体包括：在单个沉积室中沉积所述第一靶体和所述第二靶体，所述沉积室进一步包括用于在其上接收工件的工作台，以及其中，所述沉积和所述继续沉积包括将所述膜沉积到设置在所述工作台上的衬底上。
在所述的方法中，所述沉积膜产生具有第一组成的所述膜的第一厚度，所述第一组成具有第一比率的所述第一靶体材料和所述第二靶体材料，以及所述继续沉积产生具有第二组成的所述膜的第二厚度，所述第二组成具有第二比率的所述第一靶体材料和所述第二靶体材料。
在所述的方法中，所述沉积产生通常为均质的所述膜的所述第一厚度，以及所述继续沉积产生通常为均质的所述膜的所述第二厚度。
在所述的方法中，在衬底上沉积所述膜，所述沉积膜产生具有第一图案的所述膜的第一厚度，所述第一图案包括横跨所述衬底在空间上变化的膜组成，以及所述继续沉积产生具有第二图案的所述膜的第二厚度，所述第二图案包括横跨所述衬底在空间上变化的膜组成，所述第一图案不同于所述第二图案。
又一方面，本发明还提供了一种采用物理汽相沉积(PVD)在衬底上沉积膜的方法，所述方法包括：提供沉积工具，所述沉积工具包括至少一个沉积室，所述至少一个沉积室具有多个沉积靶体组件，每个沉积靶体组件都包括靶体构件以及至少一个相关磁体；以及通过利用第一DC功率对所述多个靶体组件中的第一靶体组件供电以及通过利用第二DC功率对所述多个靶体组件中的第二靶体组件供电，采用物理汽相沉积沉积膜，所述靶体构件由不同的材料形成。
在所述的方法中，所述第一DC功率和所述第二DC功率形成初始功率比率，并且进一步包括：使用不同的功率比率进一步沉积。
在所述的方法中，所述沉积膜产生包括具有第一比率的靶体材料的第一组成的所述膜的第一厚度，以及所述进一步沉积产生包括具有第二比率的所述靶体材料的第二组成的所述膜的第二厚度。
在所述的方法中，所述对第一靶体组件供电和所述对第二靶体组件供电同时进行。
在所述的方法中，所述沉积膜包括在所述至少一个沉积室中设置的衬底上沉积所述膜，并且所述第一靶体组件优先在所述衬底的第一区域中沉积第一材料，以及所述第二靶体组件优先在所述衬底的第二区域中沉积第二材料。
在所述的方法中，所述多个靶体组件包括所述第一靶体构件，所述第一靶体构件基本为圆形且与所述第二靶体构件分离，所述第二靶体构件基本为环形且围绕所述第一靶体组件。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件不必必须按比例绘制。相反，为了清楚起见，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。在整个说明书和附图中，相似的标号指示相似的部件。
图1是根据本发明的在沉积室中的PVD靶体磁体布置的示意图的实施例；
图2是示出根据本发明的一个实施例的磁场的示意图；
图3是根据本发明的PVD靶体和磁体布置的俯视图的实施例；以及
图4A和图4B分别是示出多靶体布置以及通过相关的多靶体布置在衬底上产生的膜的实施例的示意图。
具体实施方式
图1是示出根据本发明的处理室布置的实施例的示意图。根据一个示例性实施例，处理室2是PVD沉积工具中的代表性PVD沉积室，并且可以是磁控溅射沉积处理室。PVD沉积工具可以包括多个处理室2。优选地，处理室2可以是能够精确保持在低压下的真空室。处理室2还可以包括用于工作气体(通常为氩气或其他惰性气体)的控制流的入口和出口，但是这些口在图1中没有示出，并且可以使用各种其他气体。处理室2可以采用各种结构，并且图1所示预期仅仅是示例性的。
处理室2是包括靶体布置的沉积室，该靶体布置由多个靶体组件实施例(诸如靶体组件4和靶体组件6)组成。靶体组件6设置在处理室2内的中心位置，以及靶体组件4是围绕靶体组件6的环形靶体组件。在图1的横截面中示出了靶体组件4的相对两侧。靶体组件6包括靶体8和相关磁体10。靶体组件4包括靶体14和相关磁体16。根据一个实施例，靶体8和14由不同材料形成。根据一个实施例，靶体8和14中的一个或两个可以由半导体制造工业中使用的各种适当的导电材料形成。在各个示例性实施例中，靶体8和14可以由单一材料或者二元或三元材料形成。根据各个示例性实施例，靶体8和14的材料可以是铜、氧化铜、铜硅、铜铝、铜锰、铜铝硅、铝、铝铜、铝硅、铝硅铜、氮化铝、氧化铝、锑、碲化锑、钡、钡铁氧体、钛酸钡、氟化钡、钛酸钡锶、铋、氧化铋、硒化铋、碲化铋、钛酸铋、硼、氮化硼、碳化硼、镉、硒化镉、硫化镉、碲化镉、碳、铈、氟化铈、氧化铈、铬、氧化铬、硅化铬(chromium salicide)、钴、氧化钴、镝、铒、铕、钆、锗、铪、碳化铪、氮化铪、氧化铪、钬、铟、氧化铟、氧化铟锡、铱、铁、氧化铁、镧、铝酸镧、六硼化镧、氧化镧、铅、碲化铅、钛酸铅、锆酸铅、锆钛酸铅、铌酸锂、镁、氟化镁、氧化镁、锰、氧化锰、钼、碳化钼、二硅化钼、氧化钼、二硫化钼、钕、钨、钛、硼化钛、碳化钛、一氧化钛、二硅化钛、二氧化钛、氮化钛、钛钨、TiW、钨、碳化钨、氧化钨、二硅化钨、二硫化钨、钨钛、氮化钨、银、金、钯、铂、镨、铼、铑、钌、钐、硒、硅、碳化硅、二氧化硅、一氧化硅、氮化硅、锶、钛酸锶、钽、碳化钽、氮化钽、氧化钽、硅化钽(tantalum salicide)、碲、铽、锡、氧化锡、镍、镍铬、镍铁、氧化镍、镍钒、镍铂、铌、碳化铌、氮化铌、氧化铌、钒、碳化钒、氧化钒、镱、氧化镱、钇、氧化钇、锌、氧化锌、硒化锌、硫化锌、碲化锌、锆、碳化锆、氮化锆、氧化锆、介电材料或其他材料。靶体组件4和6具有单独的电源。靶体组件4包括专用电源20，以及靶体组件6包括专用电源24。电源20和24可以为RF电源或DC电源或其他适当的电源，并且可以提供脉动或连续功率。
对于靶体组件6，示出了磁体10的北极“N”和南极“S”，并且顺时针方向28表示磁体10相对于靶体8旋转的方向。靶体组件4的磁体16也具有其相应的经识别的北极和南极，并且顺时针方向30表示磁体16相对于靶体组件4的靶体14旋转的方向。在一个实施例中，磁体16可以是始终围绕环形靶体14延伸的环形或者大体上为圆形的磁体，在其他实施例中，环形靶体14可以包括多个单独的磁体，每一个磁体都相对于靶体14沿着顺时钟方向30旋转。靶体14和8中的每一个都处于固定位置。
在其他示例性PVD工具的实施例中，可以不具有磁体，并且处理室可以包括在各种布置中配置的多个单独供电的靶体。
返回到图1，来自靶体8的表面34的材料和来自靶体14的表面36的材料由于诸如所示出的氩原子的能量离子而从它们相应的靶体溅射出来，并且如箭头40所示加速朝向衬底42并到达衬底42上。根据各个示例性实施例，衬底42可以是各种尺寸的半导体衬底，然而在其他实施例中也可以使用其他工件。衬底42安置在工作台46上，该工作台46可以为处理室2的固定或可移动组件。通过相关磁体的磁极确定相应靶体8、14的侵蚀轮廓，或者相应靶体8、14的侵蚀轮廓至少受到相关磁体的磁极的影响。不管其形状如何，靶体更加优先在相对于通过磁体(诸如示例性磁体10、16)产生的磁场的特定位置处侵蚀，尤其当磁体16为在保持其如图1所示出的北磁极和南磁极的同时进行旋转的环形磁体时。高侵蚀区域48、50通常设置在邻近的北磁极和南磁极之间。具有单独控制的电源的两个靶体的存在缓解了任何问题，诸如当只使用单个靶体时可以归因于空间设置的高侵蚀区域的均匀性问题。这是真实的，因为通过从靶体组件4和6两者溅射产生沉积在衬底42上的膜。
设置靶体布置4、6中的每一个并使其适合于在同一衬底42上沉积膜。除所示的示例性结构之外，还可以使用靶体组件的各种结构。根据一个实施例，可以通过使用相应的、单独控制的电源20、24同时对靶体组件4、6施加功率进行衬底42上的沉积。靶体可以串联工作以生产由来自靶体14的材料和来自靶体8的材料的相当一致的比率形成的相对均质的膜。可以通过改变施加到靶体组件4和6的功率的相对量来改变比率。在另一实施例中，各个靶体组件4、6可以优先在衬底42上的不同空间位置上沉积材料。根据任一实施例，从相应靶体溅射出来的材料的相对量可以通过改变施加到靶体组件的功率来改变。根据一个示例性实施例，可以使用第一功率比率，即，通过电源20和24施加的功率的相对量来进行初始沉积。在初始沉积期间，沉积膜可以为均质膜或非均质膜，其组成通过施加到相应靶体组件4、6的相对功率级来确定。在形成初始膜厚度的初始沉积周期之后，可以改变功率比率以形成具有不同组成的均质或非均质膜。除同时供电且同时沉积材料的两个示例性靶体之间的功率比率之外，另一实施例提供了仅向一个靶体提供功率而使另一靶体处于空闲的时间周期。在图4A和图4B中示出各种沉积技术的示例性实施例。
图2是示出具有所示的北磁极和南磁极的示例性圆形磁体50的示意图，并示出了在邻近的北磁极和南磁极之间设置最大磁场52。当沿着诸如图1中所示的靶体的背面设置靶体50时，将在与最大磁场52对准的靶体部分处产生高侵蚀区域48、50。
图3是示出根据本发明另一实施例的靶体布置的俯视图。靶体布置56包括同心布置的靶体，其包括中心靶体58、中间靶体60和外侧靶体62。中间靶体60和外侧靶体62的形状都为大体上为圆形，并且这预期仅是示例性的。在其他实施例中，中间靶体60和外侧靶体60可以是卵形的。在靶体之间存在隔离区域66和68，以确保靶体58、60、62相互电隔离，并因此能够单独地进行电控制。电源70对中心靶体58供电，电源72对中间靶体60供电，以及电源74对外侧靶体62供电。每个靶体都是单独控制的，使得可以在整个沉积工艺中改变对靶体提供的功率的相对量，从而定制沉积膜的组成。在整个沉积工艺中可以改变由电源70、72和74施加的功率的相对量，并且可以同时使用或者在不同的时间使用电源70、72和74。根据各个示例性实施例，电源70、72和74独立地工作，并且可以提供DC或RF功率。在所示出的实施例中，可以看出，两个磁体50与中心靶体58相关联。同样，两个磁体50与中心靶体60和外侧靶体62相关联。相应的顺时针箭头(诸如箭头78)表示两个磁体50相对于它们相应的靶体旋转。换句话说，图3中的每个靶体组件都包括靶体和相关的两个专用磁体50组以及可分开独立控制的电源。
图4A和图4B示出了本发明实施例的各个有利方面并且通常以示意形式显示。在图4A中，并排设置靶体组件80和82，并且每个靶体组件表示靶体和相关的一个磁体或多个磁体以及电源。具有膜部分92和94的膜96表示通过靶体组件80和82生产的膜。靶体组件80中的靶体由材料A形成，以及靶体组件82中的靶体由材料B形成。材料A和B可以是各种适当材料中的任意一种。靶体组件80的沉积区域84用箭头86表示，箭头86表示从靶体组件80溅射出来的材料，以及靶体组件82的沉积区域98用箭头88表示，箭头88表示从靶体组件82溅射出来的材料。沉积区域84和98在空间上分离，并表明靶体组件80和82优先在工件90上的不同位置中沉积材料。
膜96形成在工件90上，并包括由来自靶体组件80的材料A形成的膜部分92和基本上由来自靶体组件82的材料B形成的膜部分94。膜96可以根据以下工艺形成：在沉积工艺的初始阶段期间对靶体组件80施加较大的功率，使得膜96的下部和左手侧部分优先由材料A形成，即，膜部分92。随着沉积工艺的继续，可以改变功率的相对量，使得向靶体组件82施加相对更多的功率，导致膜96的上部和右手侧部分由更高百分比的材料B组成，即，膜部分94。在一个示例性实施例中，初始可以仅对靶体组件80供电，并且在后来阶段可以仅对靶体组件82供电，而在其他示例性实施例中，可以同时连续不断地对靶体组件80和82提供功率。材料A和材料B二者都可以表示单一材料、二元材料或其他复合材料。
在一些示例性实施例中，可以配置靶体布置，使得在任何沉积阶段期间，在衬底90上生产的膜为由第一比率的材料A和B的组合形成的均质膜，以及当改变施加到靶体的相对功率时，在仍可以保持均质的膜中材料A和B的比率可以发生变化。在一个实施例中，沉积膜的初始下部厚度可以是均质的，并且包括1∶5比率的组分A和B，以及沉积膜的上部厚度可以包括5∶1比率的组分A和B。当然，这预期仅仅是用于说明的目的。
现在，参照图4B，所示出的靶体布置可以包括同心靶体组件，其包括由材料B形成的中心靶体100、由材料A形成的中间靶体102以及由材料B形成的外侧靶体104。可以在中心设置中心靶体100，并且中间靶体102为环形且围绕中心靶体100，以及外侧靶体104也为环形且围绕中间靶体102。该结构仅表示一个实施例，并且每个靶体100、102、104都表示作为靶体组件的一部分的靶体，该靶体组件具有相关的一个磁体或多个磁体以及可单独控制的电源(未示出)。沉积箭头108被示为在由材料B组成的外侧靶体104的沉积区域120内，沉积箭头110被示为在由材料A组成的中间靶体102的沉积区域124内，以及箭头112表示沉积材料B且由材料B形成的中心靶体100的沉积区域126。衬底130包括由从靶体100、102和104溅射出来的材料形成的膜132。膜132包括基本上由材料A形成的部分134和基本上由材料B形成的部分136。根据该实施例，在沉积工艺的初始阶段(优先沉积材料A)期间，与靶体100或104相比，可以对靶体102提供更大的功率。在连续沉积工艺的后期阶段期间，与对由材料A形成的中间靶体102提供的功率相比，对由材料B形成的靶体100和104提供更大的功率。这生产膜132，其包括主要由材料A形成的下部(部分134)和主要由材料B形成的上部和外部，即部分136。材料A和B中的一种或两种都可以为复合材料。尽管所示出的实施例示出了部分134主要由材料A形成以及部分136主要由材料B形成，但这仅仅是示例性的。在其他实施例中，部分134和136中的一个或两个都可以包括材料A和B的均质混合物或其他混合物，并且材料A和B可以以各种组成比率存在。在又一些示例性实施例中，可以生产由材料A和B的各种组成形成的各种其他膜部分。
沉积膜包括通过对相关靶体布置单独供电的多个电源生产的可调膜组成。可以对提供给靶体布置的功率的相对量进行定制以提供期望的膜，并且可以在整个连续或不连续的沉积工艺中及时改变提供给靶体布置的功率的相对量以产生具有不同特性的膜。在一个实施例中，从膜的顶部到底部可以存在材料A或B或者这两者的浓度梯度。
根据一个方面，本发明提供了一种膜沉积***，该膜沉积***包括：沉积室，该沉积室具有其中包括多个靶体组件的靶体布置，每个靶体组件都包括靶体构件以及专用磁体或专用磁体组，每个靶体组件都具有可单独控制的电源；以及工作台，该工作台用于在其上接收工件。
根据另一方面，提供了一种采用物理汽相沉积(“PVD”)在衬底上沉积膜的方法。该方法包括：提供沉积工具，该沉积工具包括至少一个沉积室，该至少一个沉积室具有多个沉积靶体组件，每个沉积靶体组件都包括靶体构件以及至少一个相关磁体；以及通过利用第一DC功率对多个靶体组件中的第一靶体组件供电以及通过利用第二DC功率对多个靶体组件中的第二靶体组件供电，采用物理汽相沉积沉积膜，靶体构件由不同材料形成。
根据又一方面，提供了一种采用物理汽相沉积(“PVD”)在衬底上沉积膜的方法。该方法包括：提供由第一材料形成的第一靶体和由第二材料形成的第二靶体；通过利用形成初始功率比的第一和第二功率对第一靶体施加第一功率以及对第二靶体施加第二功率来沉积膜；以及通过使用不同的功率比向第一靶体和第二靶体提供功率来继续沉积膜。
前面仅示出了本发明的原理。因此，应该理解，本领域的技术人员能够设计出尽管在本文中没有明确描述或示出但体现了本发明的原理并包括在其精神和范围内的各种布置。此外，本文引用的所有实例和条件语言都主要明确预期仅是为了教导的目的且旨在帮助理解本发明的原理和发明人为促进本领域所贡献的概念，并且被解释为不限于这些具体引用的实例和条件。此外，本文中引用本发明的原理、方面和实施例以及其具体实例的所有声明都预期包涵其结构和功能等效物。此外，预期这些等效物包括当前已知的等效物以及未来开发的等效物，即，不管其结构如何，开发的执行相同功能的任何元件。
预期结合附图一起阅读示例性实施例的这种描述，所述附图被认为是整个书面说明书的一部分。在说明书中，相对术语诸如“下部”、“上部”、“水平”、“垂直”、“在......上方”、“在......下方”、“向上”、“向下”、“顶部”和“底部”及其派生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)应该被解释为是指如随后所述的或者如论述中的附图所示的方位。这些相对术语是为了便于描述，并不要求在具体方位上构造或操作装置。除非另有明确描述，关于接合、连接等的术语(诸如“连接”和“互连”)是指其中一个结构直接或通过***结构间接地固定或接合至另一结构的关系以及两者都是可移动的或刚性的接合或关系。
尽管根据示例性实施例描述了本发明，但其不限于此。然而，所附权利要求应按广义进行解释，以包括可以由本领域技术人员在不背离本发明的等效物的精神和范围的情况下作出的本发明的其他变体和实施例。
Claims (10)
1.一种膜沉积***，包括：
沉积室，具有其中包括多个靶体组件的靶体布置，每个所述靶体组件都包括靶体构件以及专用磁体或多个专用磁体，每个所述靶体组件都具有可单独控制的电源；以及
工作台，用于在其上接收工件。
2.根据权利要求1所述的膜沉积***，其中，所述多个靶体组件包括中心靶体构件和围绕所述中心靶体构件的环形靶体构件。
3.根据权利要求1所述的膜沉积***，其中，所述多个靶体组件包括同心布置的所述靶体构件。
4.根据权利要求1所述的膜沉积***，其中，每个所述靶体构件可以由相同或是不同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的膜沉积***，其中，每个所述专用磁体或多个专用磁体相对于相关的所述靶体组件的相关的所述靶体构件旋转。
6.根据权利要求1所述的膜沉积***，其中，所述多个靶体组件包括在中心设置的第一靶体组件、围绕所述第一靶体组件的环形第二靶体组件以及围绕所述第二靶体组件的环形第三靶体组件，并且其中，所述多个靶体组件中的每一个都适合于在所述工作台上设置的工件上沉积相关的靶体材料。
7.根据权利要求1所述的膜沉积***，其中，配置所述多个靶体组件，使得所述靶体构件适合于在所述工作台上设置的工件的不同沉积区域上沉积材料。
8.一种采用物理汽相沉积PVD在衬底上沉积膜的方法，所述方法包括：
提供由第一材料形成的第一靶体和由第二材料形成的第二靶体；
通过利用形成初始功率比率的第一功率和第二功率，首先对所述第一靶体施加所述第一功率以及对所述第二靶体施加所述第二功率来沉积膜；以及
通过使用不同的功率比率对所述第一靶体和所述第二靶体提供功率来继续沉积所述膜。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述沉积膜产生具有第一组成的所述膜的第一厚度，所述第一组成具有第一比率的所述第一靶体材料和所述第二靶体材料，以及所述继续沉积产生具有第二组成的所述膜的第二厚度，所述第二组成具有第二比率的所述第一靶体材料和所述第二靶体材料。
10.一种采用物理汽相沉积(PVD)在衬底上沉积膜的方法，所述方法包括：
提供沉积工具，所述沉积工具包括至少一个沉积室，所述至少一个沉积室具有多个沉积靶体组件，每个沉积靶体组件都包括靶体构件以及至少一个相关磁体；以及
通过利用第一DC功率对所述多个靶体组件中的第一靶体组件供电以及通过利用第二DC功率对所述多个靶体组件中的第二靶体组件供电，采用物理汽相沉积沉积膜，所述靶体构件由不同的材料形成。
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