CN103123427B - 具有位置信息的显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明有关于一种具有位置信息的显示器,包含多个像素单元,每一像素单元包含位置识别图码、第一像素电极以及第二像素电极。第一像素电极与第二像素电极间隔一狭缝。位置识别图码与狭缝在显示器的显示面的法线方向上重叠。本发明在不减损显示器的亮度下,提供识别位置的功能。
Description
技术领域
本发明是有关于一种具有位置信息的显示器。
背景技术
近年来,触控屏幕或触控面板已广泛地应用于各种电子产品中。常见的触控面板包含电阻式触控屏幕、电容式触控屏幕、电磁感应式触控屏幕、光学感应式触控屏幕及音波式触控屏幕等等。在这些现有的触控技术中,都各有其优缺点。例如,电阻式触控屏幕及电容式触控屏幕会减损显示器的亮度。音波式触控屏幕及光学感应式触控屏幕虽然不会减损显示器的亮度,但是解析度不尽理想。电磁感应式触控屏幕的成本较高。有鉴于此,目前仍须要一种崭新的触控技术,期能具有高解析度及低成本,且不减损显示器的亮度。
发明内容
本发明的一目的是提供一种具有位置信息的显示器,以能在不减损显示器的亮度下,提供识别位置的功能。
本发明的另一目的是提供一种具有位置信息的显示器,以能提高此显示器的可识别角度。
根据本发明一实施态样,此具有位置信息的显示器包含多个像素单元,每一像素单元包含一位置识别图码、一第一像素电极以及一第二像素电极。第一像素电极与第二像素电极间隔一狭缝,且位置识别图码与狭缝在显示器的显示面的法线方向上重叠。
根据本发明另一实施态样,是提供一种具有位置信息的液晶显示器,其包含一主动阵列基板、一对向基板、一液晶层以及多个位置识别图码。主动阵列基板包含多个像素,每一像素包含一透明导电层,且透明导电层具有一狭缝。对向基板面向主动阵列基板。液晶层位于主动阵列基板与对向基板之间。这些位置识别图码配置于主动阵列基板或/及对向基板,且位置识别图码与狭缝在在一垂直投影方向上重叠。
在一实施方式中,每一位置识别图码包含一吸收红外光材料。
在一实施方式中,吸收红外光材料吸收波长800nm至1100nm的红外光。
在一实施方式中,所述液晶显示器为一聚合物稳定配向的液晶显示器(PSALCD),且透明导电层包含一第一像素电极以及一第二像素电极,第一与第二像素电极被狭缝间隔开。
在一实施方式中,这些位置识别图码位于对向基板上,且对向基板包含一图案化黑色树脂层,这些位置识别图码与图案化黑色树脂层为同一层别。
根据本发明一实施方式,位置识别图码位于该对向基板上,且对向基板包含基材、图案化黑色树脂层、彩色光阻层以及第三共用电极。图案化黑色树脂层位于基材上。彩色光阻层位于基材上,且覆盖图案化黑色树脂层的至少一部分。第三共用电极配置在彩色光阻层上,其中位置识别图码位于彩色光阻层上,且被第三共用电极覆盖。
根据本发明一实施方式,位置识别图码位于对向基板上,且对向基板包含基材、图案化黑色树脂层、彩色光阻层以及第三共用电极。图案化黑色树脂层位于基材上。彩色光阻层位于基材上,且覆盖图案化黑色树脂层的至少一部分。第三共用电极配置在彩色光阻层上,其中位置识别图码位于第三共用电极上。
在一实施方式中,这些位置识别图码配置在对向基板的相对于液晶层的外侧表面。
在一实施方式中,这些位置识别图码配置在主动阵列基板上,且位置识别图码位于狭缝之内。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层,每一透明导电层形成于彩色光阻层上,其中位置识别图码位于彩色光阻层上,且位置识别图码位于狭缝内。
在一实施方式中,这些位置识别图码配置在主动阵列基板的相对于液晶层的外侧表面。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层,且每一透明导电层形成于彩色光阻层上,其中位置识别图码配置在主动阵列基板的相对液晶层的外侧表面。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层,且每一透明导电层形成于彩色光阻层上,且其中对向基板包含图案化黑色树脂层以及第三共用电极覆盖图案化黑色树脂层,位置识别图码位于第三共用电极上。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层,且每一透明导电层形成于彩色光阻层上,且其中对向基板包含基材、图案化黑色树脂层以及第三共用电极。图案化黑色树脂层位于且接触基材上。第三共用电极覆盖图案化黑色树脂层。这些位置识别图码位于且接触基材上,且被第三共用电极覆盖。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层,且每一透明导电层形成于彩色光阻层上,且其中对向基板包含基材、图案化黑色树脂层以及第三共用电极。图案化黑色树脂层位于且接触基材上。第三共用电极覆盖图案化黑色树脂层。位置识别图码配置于对向基板的相对液晶层的外侧表面。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层以及图案化黑色树脂层,且图案化黑色树脂层以及每一透明导电层配置于彩色光阻层上,且其中位置识别图码配置于彩色光阻层上,且位于这些狭缝内。
根据本发明一实施方式,其中主动阵列基板更包含彩色光阻层以及图案化黑色树脂层,且图案化黑色树脂层以及每一透明导电层配置于彩色光阻层上,且其中位置识别图码配置在主动阵列基板的相对液晶层的外侧表面。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层以及图案化黑色树脂层,且图案化黑色树脂层以及每一透明导电层配置于彩色光阻层上,且其中对向基板包含第三共用电极,这些位置识别图码位于第三共用电极上。
根据本发明一实施方式,其中主动阵列基板更包含彩色光阻层以及图案化黑色树脂层,且图案化黑色树脂层以及每一透明导电层配置于彩色光阻层上,且其中对向基板包含基材以及第三共用电极位于基材上,位置识别图码位于基材上,且被第三共用电极覆盖。
根据本发明一实施方式,主动阵列基板更包含彩色光阻层以及图案化黑色树脂层,且图案化黑色树脂层以及每一透明导电层配置于彩色光阻层上,且其中这些位置识别图码配置于对向基板的相对液晶层的外侧表面。
根据本发明一实施方式,狭缝的宽度为约3μm至约20μm。
根据本发明一实施方式,狭缝的宽度为约5μm至约18μm。
根据本发明一实施方式,狭缝的宽度为约3μm至约7μm。
根据本发明一实施方式,位置识别图码的宽度对狭缝的宽度的比值为约0.5至约1.2。
根据本发明又一实施态样,提供一种具有位置信息的液晶显示器,其包含主动阵列基板、对向基板、液晶层以及多个位置识别图码。主动阵列基板包含多个像素,每一像素包含第一像素电极以及第二像素电极,第一像素电极与第二像素电极间隔一狭缝。对向基板面向主动阵列基板。液晶层位于主动阵列基板与对向基板之间。位置识别图码配置于主动阵列基板或/及对向基板,且位置识别图码包含吸收红外光材料,且位置识别图码在垂直投影方向上与狭缝重叠,也就是位置识别图码在主动阵列基板的投影与狭缝在该主动阵列基板的投影位置重叠。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:
图1A绘示本发明一实施方式的具有位置信息的液晶显示器的俯视示意图;
图1B绘示本发明另一实施方式的具有位置信息的液晶显示器的俯视示意图;
图1C及1D绘示本发明另外两实施方式的具有位置信息的液晶显示器的俯视示意图;
图1E及1F绘示本发明两比较例的具有位置信息的液晶显示器的俯视示意图;
图2绘示图1A中延2-2’线段的剖面示意图;
图3绘示本发明另一实施方式的具有位置信息的液晶显示器的剖面示意图;
图4A-4C绘示本发明数个实施方式的具有位置信息的液晶显示器的剖面示意图;
图5绘示本发明另一实施方式的具有位置信息的液晶显示器的剖面示意图;
图6A-6E绘示本发明数个实施方式的具有位置信息的液晶显示器的剖面示意图;
图7A-7E绘示本发明另外五个实施方式的具有位置信息的液晶显示器的剖面示意图。
其中,附图标记:
100显示器
101像素单元
102显示面
110主动阵列基板
111像素
112外侧表面
113栅极线
114数据线
115主动元件
116第一共用电极
117第二共用电极
118第三共用电极
120透明导电层
120s狭缝
121第一像素电极
122第二像素电极
122a主干
122b枝干
130对向基板
130a基材
131外侧表面
132内侧表面
134、138图案化黑色树脂层
136、137彩色光阻层
140液晶层
150识别图码
160第一偏光片
170第二偏光片
180红外线光源
190影像读取装置
2-2’线段
G狭缝宽度
W位置识别图码宽度
具体实施方式
为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备,下文针对了本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述;但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例,在有益的情形下可相互组合或取代,也可在一实施例中附加其他的实施例,而无须进一步的记载或说明。
在以下描述中,将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而,可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下,为简化图式,熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。
图1A绘示本发明一实施方式的具有位置信息的液晶显示器100的俯视示意图,图2绘示图1A中延2-2’线段的剖面示意图。液晶显示器100包含一主动阵列基板110、一对向基板130、一液晶层140以及位置识别图码150。为简化图示的目的,图1A中未绘示对向基板130及液晶层140。
主动阵列基板110具有多个像素111,每一个像素111包含透明导电层120,且透明导电层120具有狭缝120s,如图1A所示。在一实施方式中,透明导电层120包含第一像素电极121以及第二像素电极122,第一与第二像素电极121、122被狭缝120s间隔开,使第一和第二像素电极121、122彼此分离。在一实施方式中,狭缝120s的宽度G为约3μm至约20μm。在另一实施方式中,狭缝120s的宽度G为约5μm至约18μm。在其他实施方式中,狭缝120s的宽度G为约3μm至约7μm。再一较佳实例中,狭缝120s的宽度G为约7μm。第一像素电极121朝向至少一个方向延伸,例如:四个方向延伸,而形成四个区域(domain),第二像素电极122也朝向至少一个方向延伸,例如:四个方向延伸,而形成另外四个区域。在一实施例中,液晶显示器100为聚合物稳定配向的液晶显示器(PSA LCD)。
如图2所示,对向基板130面向主动阵列基板110。液晶层140位于主动阵列基板110与对向基板130之间。对向基板130具有一第三共用电极118,第一和第二像素电极121、122分别与第三共用电极118形成电场,而得以适当地控制液晶层140中液晶分子的向位(orientation)。
请参见图1A,在一实施方式中,主动阵列基板110还包含多个栅极线113、多个数据线114以及多个主动元件115。栅极线113与数据线114交错,而形成像素111的区域。主动元件115可例如为薄膜电晶体,主动元件115的漏极电性耦接至第一像素电极121及/或第二像素电极122。虽然在图1A中,每一个像素111仅绘示一个主动元件115,但在其他实施方式中,每一个像素111可包含两个主动元件115,并且这两个主动元件115分别电性耦接第一像素电极121和第二像素电极122。根据本发明一或多个实施方式,第一像素电极121与第二像素电极122可具有不同的电位。
在另一实施方式中,每一个像素111还包含第一共用电极116以及第二共用电极117,如图1A所示。举例而言,第一及第二共用电极116、117与栅极线113为同一层别,并且第一及第二共用电极116、117分别位于第一和第二像素电极121、122的下方。第一与第二像素电极121、122之间的狭缝120s位在第一和第二共用电极116、117之间。
位置识别图码150配置在主动阵列基板110与对向基板130的至少其中一者上。换言之,位置识别图码150可选择性配置在主动阵列基板110上,或是配置在对向基板130上。或者,某些位置识别图码150配置在主动阵列基板110上,另一些位置识别图码150配置在对向基板130上。位置识别图码150的外观形状及数量并无特殊限制,可为四边形、圆形、三角形、多边形、曲线形或任意形状,且数量可为单一个或多个,在图1A绘示的实施方式中,位置识别图码150为长条形。在图1B绘示的实施方式中,位置识别图码150为圆形,本发明并不以此为限。
根据本发明一实施方式,这些位置识别图码150的位置对应于这些狭缝120s的位置,详细来说:位置识别图码150投影至主动阵列基板110的位置与狭缝120s投影至主动阵列基板110的位置重叠。如图2所示。在一实施方式中,位置识别图码150配置在主动阵列基板110上,并且每一个位置识别图码150位于狭缝120s内。在另一实施方式中,如图3所示,位置识别图码150是配置在主动阵列基板110相对于液晶层140的外侧表面112上,并且位置识别图码150对应于第一像素电极121与第二像素电极122之间的狭缝120s。亦即,位置识别图码150位在狭缝120s的正下方;详细来说:位置识别图码150投影至主动阵列基板110的与狭缝120s投影至主动阵列基板110的位置重叠。在此实施方式中,显示器100还包含第一偏光片160位于主动阵列基板110的外侧表面112上,位置识别图码150夹置在第一偏光片160与主动阵列基板110之间。
虽然在图1A及图1B绘示的实施方式中,位置识别图码150的宽度W小于狭缝120s的宽度G,但是本发明并不限于此。如图1C所示,位置识别图码150的宽度W可实质上等于狭缝120s的宽度G。在图1D绘示的实施方式中,位置识别图码150的宽度W大于狭缝120s的宽度G。位置识别图码150可延伸超过狭缝120s的边缘。例如,位置识别图码150可向第一像素电极121延伸,使位置识别图码150超过狭缝120s的边缘一距离b。或者,位置识别图码150可向第二像素电极122延伸,使位置识别图码150超过狭缝120s的边缘一距离a。距离a及/或距离b可例如为约1μm至约5μm。根据本发明的诸多实施方式,每一位置识别图码150的宽度W对狭缝120s的宽度G的比值(W/G)较佳为约0.5至约1.2。若比值W/G约小于0.5,必须使用较高解析度的影像撷取装置来读取位置识别图码150,可能增加整体装置的成本。若比值W/G约大于1.2,像素的开口率可能下降到无法接受的程度,同时导致面板的亮度降低至无法接受的程度。
在又一实施方式中,如图4A所示,位置识别图码150位于对向基板130上。对向基板130还包含一图案化黑色树脂层134以及一彩色光阻层136,位置识别图码150与图案化黑色树脂层134为同一层别。换言之,位置识别图码150与黑色树脂层134为相同材料,且图案化黑色树脂层134和位置识别图码150是在同一道微影制程中形成,彩色光阻层136覆盖黑色树脂层134及位置识别图码150。位置识别图码150对应于第一像素电极121与第二像素电极122之间的狭缝120s。亦即,位置识别图码150位在狭缝120s的正上方;详细来说:位置识别图码150投影至主动阵列基板110的位置与狭缝120s投影至主动阵列基板110的位置重叠。在其他实施例中,图案化黑色树脂层134和位置识别图码150亦可在不同道微影制程中形成,如图4B及图4C所示。在图4B绘示的实施方式中,对向基板130包含基材130a、图案化黑色树脂层134、彩色光阻层136以及第三共用电极118。图案化黑色树脂层134及彩色光阻层136位于基材130a上,彩色光阻层136覆盖图案化黑色树脂层134的至少一部分。第三共用电极118配置在彩色光阻层136上。位置识别图码150位于彩色光阻层136上,且被第三共用电极覆盖118。图4C绘示的实施方式与图4B相似,不同之处在于,位置识别图码150位于第三共用电极118上。
在其他实施方式中,如图5所示,位置识别图码150配置在对向基板130的相对于液晶层140的外侧表面131上。在此实施方式中,显示器100还包含第二偏光片170,其位于对向基板130的外侧表面131上,位置识别图码150则夹置在第二偏光片170与主动阵列基板110之间。相似地,位置识别图码150位在狭缝120s的正上方;详细来说:位置识别图码150投影至主动阵列基板110的位置与狭缝120s投影至主动阵列基板110的位置重叠。
在一实施方式中,位置识别图码150能够吸收红外光。例如,位置识别图码150可包含诸如碳黑(carbon black)、黑色颜料(pigment)或其它可吸收红外光适合的材料。举例而言,此吸收红外光的材料能够吸收波长为约800nm至约1100nm的红外光。在一具体实例中,如图4A-4C所示,显示器100还包含一红外线光源180,用以发射红外光,红外光穿透主动阵列基板110、液晶层140以及对向基板130。
上述位置识别图码150与狭缝120s的相对关系具有实质的技术意义。在第一像素电极121与第二像素电极122之间的狭缝120s区域中,因电场分布的因素,造成狭缝120s区域中的液晶分子的向位与其他区域不同,而导致狭缝120s区域始终呈现暗态。举例来说,在聚合物稳定配向的液晶显示器(PSALCD)中,液晶分子在未受电场影响的情况下,其向位是垂直于面板的表面。当像素电极120与对向基板130上的第三共用电极118形成电场时,狭缝120s区域内并不存在适当的电场来驱动液晶分子并改变其向位,所以狭缝120s区域始终呈现暗态。但是,本发明的发明人发现,偏光片仅对可见光有偏极化效应,对于红外光并无偏极化效果,所以红外光能够穿透液晶分子及其上下的偏光片。换言之,在驱动像素是其呈现亮态的情况下,在狭缝120s区域内,可见光仍然不能穿透;但是,红外光却能够穿透狭缝120s区域。因此,将位置识别图码150设置在对应于狭缝120s的位置,并不会让液晶显示器的原本亮度降低。另一方面,由于红外光能够穿透狭缝120s区域,当吸收红外线的位置识别图码150设置在此区域时,能够利用诸如红外光电荷耦合元件(CCD)的影像读取装置190(绘示于图4)来识别及判读这些位置识别图码150,从而计算出这些位置识别图码150所对应的位置。关于上述计算及判读位置的详细原理,可参见中国台湾专利号I276986以及I302227。
以下表一汇整本发明一实施方式的位置识别图码的宽度W对开口率的影响程度。表一所举的实施方式的像素结构类似于图1A、1C、1D所示的结构。每一子像素的长度为约744μm,宽度为约248μm,子像素面积为约184512μm2,狭缝120s的宽度G为约7μm,原本设计的透光区域面积为约119933μm2。因此,原本设计的开口率为约65%。位置识别图码150配置在狭缝120s的中间,表一中列举位置识别图码150的宽度W分别为2、4、6、7、8、10、12、14、16、18、20、22及24μm。当位置识别图码150的宽度W小于或约等于狭缝120s的宽度G时(即7μm),可以维持原本像素结构开口率(即65%)。当位置识别图码150的宽度W为约8μm时,开口率下降为约64.87%,因此开口率为原本的约99.79%。当位置识别图码150的宽度W为约10μm时,开口率下降为约64.60%,因此开口率为原本的约99.38%。当位置识别图码150的宽度W为约14μm时,开口率下降为约64.06%,因此开口率为原本的约98.55%。当位置识别图码150的宽度W为20μm时,开口率下降为约63.25%,因此开口率为原本的约97.31%。
表一
图1E绘示本发明一比较例的俯视示意图。在这比较例中,位置识别图码150设置的位置是对应于第二像素电极122的主干122a的上方。由于主干122a的区域是可见光能够穿透的区域,所以会使像素的开口率下降,造成亮度降低。图1F绘示本发明另一个比较例的俯视示意图。在这比较例中,位置识别图码150设置的位置是对应于第二像素电极122的两个枝干122b之间的间隙。由于两个枝干122b之间的间隙的区域仍然是可见光能够穿透的区域,所以仍然会造成开口率下降。相较图1A、1C、1D所示的实施方式,根据本发明的实施方式显然具有较高的开口率。
在中国台湾专利号I276986以及I302227揭露的技术中,是利用反射红外光的原理来识别及读取这些位置识别图码。在此技术中,当红外光发射器倾斜于显示器时,红外光发射器所发射的红外光因镜面反射而无法进入影像读取装置,造成使用者仅能在红外光发射器与显示器互相垂直的方向上使用此装置。因此,本发明其中一特征是利用吸收红外光的材料及原理,使影像读取装置在倾斜显示面板的角度上,也能够识别及判读这些位置识别图码。换言之,本发明的其中一技术功效在于,让具有位置信息的显示器的可识别角度得以提高,而改善现有技术的缺点。
图6A-6E绘示本发明数个实施方式的具有位置信息的液晶显示器100的剖面示意图。液晶显示器100包含主动阵列基板110、对向基板130、液晶层140以及位置识别图码150。图6A-6E的实施方式与前述图2-5的实施方式的不同之处在于,主动阵列基板110还包含有彩色光阻层137。详言之,彩色光阻层137形成在像素区域中,且配置在第一共用电极116和第二共用电极117的上方。第一像素电极121以及第二像素电极122位在彩色光阻层137上,且第一与第二像素电极121、122被狭缝120s间隔开。在图6A绘示的实施方式中,位置识别图码150配置在彩色光阻层137上,且位在狭缝120s中。在图6B绘示的实施方式中,位置识别图码150是配置在主动阵列基板110的外侧表面112上,并且位置识别图码150位在狭缝120s的正下方。在图6C绘示的实施方式中,对向基板130包含图案化黑色树脂层134以及第三共用电极118,第三共用电极118覆盖图案化黑色树脂层134,位置识别图码150位于第三共用电极118上。换言之,位置识别图码150位于对向基板130的内侧表面132上,且位置识别图码150位在狭缝120s的正上方。图6D绘示的实施方式中,图案化黑色树脂层134位于基材130a上,并且接触基材130a。第三共用电极118覆盖图案化黑色树脂层134。位置识别图码150位于基材130a上,且被该第三共用电极覆盖。在图6E绘示的实施方式中,位置识别图码150位于对向基板130的外侧表面131上,且位置识别图码150位在狭缝120s的正上方。详细来说:位置识别图码150投影至主动阵列基板110的位置与些狭缝120s投影至主动阵列基板110的位置重叠;此外,位置识别图码150与图案化黑色树脂层134可为同一层别。换言之,位置识别图码150与黑色树脂层134可为相同材料,且图案化黑色树脂层134和位置识别图码150可依设计选择性在同一道微影制程或不同道微影制程中形成,在其他实施例中,图案化黑色树脂层134和位置识别图码150亦可为不同材料,且也可依设计选择性在同一道微影制程或不同道微影制程中形成,本发明不以此为限。
图7A-7E绘示本发明另外五个实施方式的具有位置信息的液晶显示器100的剖面示意图。图7A-7E的实施方式与前述图2-5的实施方式的不同之处在于,主动阵列基板110还包含有彩色光阻层137以及图案化黑色树脂层138。彩色光阻层137形成在像素区域中,且配置在第一共用电极116和第二共用电极117的上方。图案化黑色树脂层138形成在彩色光阻层137上。图案化黑色树脂层138可围绕像素区域而形成矩阵的图案。诸如第一像素电极121以及第二像素电极122的透明导电层配置在彩色光阻层137上,且第一与第二像素电极121、122被狭缝120s间隔开。详言之,在图7A绘示的实施方式中,位置识别图码150配置在彩色光阻层137上,且位在狭缝120s中。在图7B绘示的实施方式中,位置识别图码150是配置在主动阵列基板110的相对于液晶层140的外侧表面112上,并且位在狭缝120s的正下方。在图7C绘示的实施方式中,对向基板130包含第三共用电极118,位置识别图码150位于第三共用电极118上。换言之,位置识别图码150位于对向基板130的内侧表面132上,且位置识别图码150位在狭缝120s的正上方。在图7D绘示的实施方式中,对向基板130包含基材130a以及第三共用电极118位于基材130a上,位置识别图码150位于基材130a上,且被第三共用电极118覆盖。在图7E绘示的实施方式中,位置识别图码150位于对向基板130的相对液晶层140的外侧表面131上,且位置识别图码150位在狭缝120s的正上方;详细来说:位置识别图码150投影至主动阵列基板110的位置与些狭缝120s投影至主动阵列基板110的位置重叠;此外,位置识别图码150与图案化黑色树脂层134可为同一层别。换言之,位置识别图码150与黑色树脂层134可为相同材料,且图案化黑色树脂层134和位置识别图码150可依设计选择性在同一道微影制程或不同道微影制程中形成,在其他实施例中,图案化黑色树脂层134和位置识别图码150亦可为不同材料,且也可依设计选择性在同一道微影制程或不同道微影制程中形成,本发明不以此为限。
再者,本发明上述实施例中的位置识别图码150是运用于以垂直电场驱动液晶层的像素电极为范例,但不限于此。于其它实施例中,上述实施例中的位置识别图码150亦可运用于水平电场驱动液晶层的像素电极为范例或者是运用于同时有水平与垂直电场驱动液晶层的像素电极。
另外,本发明上述实施例中,皆以液晶层,即非自发光型的显示介质层为范例,但不限于此,只要是非自发光型的显非介质层亦可使用,例如:电泳层、电湿润层、或其它合适的材料。另外,若自发光型的显示介质层可运用于本发明所揭露的特征,亦可使用之。
虽然本发明已以实施方式揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (26)
1.一种具有位置信息的液晶显示器,其特征在于,包含:
一主动阵列基板,包含多个像素,每一该像素包含一透明导电层,且该透明导电层具有一狭缝;
一对向基板,面向该主动阵列基板;
一液晶层,位于该主动阵列基板与该对向基板之间;以及
一位置识别图码,配置于该主动阵列基板或/及该对向基板,且该位置识别图码在垂直投影方向上与该狭缝重叠;
该透明导电层包含一第一像素电极以及一第二像素电极,该第一与该第二像素电极被该狭缝间隔开。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该位置识别图码包含一吸收红外光材料。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器,其特征在于,该吸收红外光材料吸收波长800nm至1100nm的红外光。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该液晶显示器为一聚合物稳定配向的液晶显示器。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该位置识别图码位于该对向基板上,且该对向基板包含一图案化黑色树脂层,所述位置识别图码与该图案化黑色树脂层为同一层别。
6.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该位置识别图码位于该对向基板上,且该对向基板包含:
一基材;
一图案化黑色树脂层,位于该基材上;
一彩色光阻层,位于该基材上,且覆盖该图案化黑色树脂层的至少一部分;以及
一第三共用电极,配置在该彩色光阻层上,
其中该位置识别图码位于该彩色光阻层上,且被该第三共用电极覆盖。
7.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该位置识别图码位于该对向基板上,且该对向基板包含:
一基材;
一图案化黑色树脂层,位于该基材上;
一彩色光阻层,位于该基材上,且覆盖该图案化黑色树脂层的至少一部分;以及
一第三共用电极,配置在该彩色光阻层上,
其中该位置识别图码位于该第三共用电极上。
8.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该位置识别图码配置于该对向基板的相对该液晶层的一外侧表面。
9.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该位置识别图码配置在该主动阵列基板上,且该位置识别图码位于所述狭缝之内。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层,每一该透明导电层形成于该彩色光阻层上,其中该位置识别图码位于该彩色光阻层上,且该位置识别图码位于所述狭缝之内。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该位置识别图码配置在该主动阵列基板的相对该液晶层的一外侧表面。
12.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层,且每一该透明导电层形成于该彩色光阻层上,其中该位置识别图码配置在该主动阵列基板的相对该液晶层的一外侧表面。
13.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层,且每一该透明导电层形成于该彩色光阻层上,且其中该对向基板包含一图案化黑色树脂层以及一第三共用电极覆盖该图案化黑色树脂层,该位置识别图码位于该第三共用电极上。
14.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层,且每一该透明导电层形成于该彩色光阻层上,且其中该对向基板包含:
一基材;
一图案化黑色树脂层,位于且接触该基材上;以及
一第三共用电极,覆盖该图案化黑色树脂层;
其中该位置识别图码位于且接触该基材上,且被该第三共用电极覆盖。
15.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层,且每一该透明导电层形成于该彩色光阻层上,且其中该对向基板包含:
一基材;
一图案化黑色树脂层,位于且接触该基材上;以及
一第三共用电极,覆盖该图案化黑色树脂层;
其中所述位置识别图码配置于该对向基板的相对该液晶层的一外侧表面。
16.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层以及一图案化黑色树脂层,且该图案化黑色树脂层以及每一该透明导电层配置于该彩色光阻层上,且其中该位置识别图码配置于该彩色光阻层上,且位于所述狭缝之内。
17.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层以及一图案化黑色树脂层,且该图案化黑色树脂层以及每一该透明导电层配置于该彩色光阻层上,且其中该位置识别图码配置在该主动阵列基板的相对该液晶层的一外侧表面。
18.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层以及一图案化黑色树脂层,且该图案化黑色树脂层以及每一该透明导电层配置于该彩色光阻层上,且其中该对向基板包含一第三共用电极,该位置识别图码位于该第三共用电极上。
19.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层以及一图案化黑色树脂层,且该图案化黑色树脂层以及每一该透明导电层配置于该彩色光阻层上,且其中该对向基板包含一基材以及一第三共用电极位于该基材上,该位置识别图码位于该基材上,且被该第三共用电极覆盖。
20.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该主动阵列基板更包含一彩色光阻层以及一图案化黑色树脂层,且该图案化黑色树脂层以及每一该透明导电层配置于该彩色光阻层上,且其中该位置识别图码配置于该对向基板的相对该液晶层的一外侧表面。
21.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该狭缝的一宽度为约3μm至约20μm。
22.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该狭缝的一宽度为约5μm至约18μm。
23.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,该狭缝的一宽度为约3μm至约7μm。
24.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,每一该位置识别图码的宽度对该狭缝的宽度的比值为约0.5至约1.2。
25.一种具有位置信息的液晶显示器,其特征在于,包含:
一主动阵列基板,包含多个像素,每一该像素包含一第一像素电极以及一第二像素电极,该第一像素电极与该第二像素电极间隔一狭缝;
一对向基板,面向该主动阵列基板;
一液晶层,位于该主动阵列基板与该对向基板之间;以及
一位置识别图码,配置于该主动阵列基板或/及该对向基板,且该位置识别图码包含一吸收红外光材料,且该位置识别图码与该狭缝在一垂直投影方向上重叠。
26.根据权利要求25所述的液晶显示器,其特征在于,该吸收红外光材料吸收波长800nm至1100nm的红外光。
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