CN103109385A - 发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，本发明的发光二极管封装件的结构包括：基板，发光二极管芯片，其安装在上述基板上，用于发出光，反射部，其形成于上述发光二极管芯片的周围，上述反射部形成为上方开口，且越往上方剖面越大，透明树脂，其填充上述反射部的内部，以保护上述发光二极管芯片，以及荧光物质，其使得从上述发光二极管芯片发出的光的颜色发生变化；上述荧光物质涂敷于在以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部或以上述发光二极管芯片的上端两侧边缘及上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部。

Description

发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法，更详细地，涉及发光二极管封装件的发光效率高且能够批量生产的发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法。
背景技术
目前，发光二极管封装件的使用领域持续在扩大。不仅包括显示元件的各种设备的背光用元件或如荧光灯的电气设备用元件，还有很多种信号元件也在使用发光二极管元件，尤其使用白色发光二极管元件。
上述白色发光二极管元件是将从蓝色或紫外线发光二极管芯片发出的光通过荧光物质来变换为更长的波长来呈现白光的元件。即，将从上述发光二极管元件发出的光通过荧光物质来变换为长波长，并与波长未变的剩余的光进行结合，结果，制造出白光。
而且，通常就发光二极管封装件而言，由发光二极管芯片、荧光物质及安装树脂的封装件等的组合来形成。这些发光二极管封装件维持稳定的光输出，保护光源元件，在各种环境长时间使用时能够确保可靠性，从而在很多领域使用。
并且，目前在全世界积极进行有关制造适合照明用、产业用及农业用等的多色产品的研究，为了制造出这种产品，依据于在一个基板上装设多个红绿蓝（RGB）发光二极管芯片的方法。
但是，如上所述的当前技术存在如下的问题。
为了颜色变换，在发光二极管芯片的上方涂敷荧光物质，以往，在反射部上表面的全区域涂敷荧光物质，因此存在由于增加荧光物质的使用而提高制造费用的问题。
而且，由于荧光物质涂敷于反射部上表面的全区域，而使从发光二极管芯片发出的光和被荧光物质能量转移的光也进行多次再反射，因而存在光效率降低的问题。
并且，在为了制造多种颜色的光使用多个红绿蓝（RGB）发光二极管芯片的情况下，存在由于增加发光二极管芯片的数量而增加发光二极管封装件的制造费用的问题，以及在使用相互不同的发光二极管芯片的情况下，由于各个发光二极管芯片的电流及电压之差而需要附加的电流及电压调节装置的问题。
而且，由于根据增加制造各个光的发光二极管芯片的数量的发热，而存在发光二极管封装件的耐用性下降的问题。
发明内容
所解决的技术问题
因此，本发明的目的在于解决如上所述的以往的技术问题，提供一种更少地使用荧光物质的发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法。
而且，本发明的另一目的在于提供一种能够通过相同种类的多个发光二极管芯片来与使用红绿蓝（RGB）发光二极管芯片的情况相同地制造出多种颜色的光的发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法。
而且，本发明的又一目的在于，提供一种能够使发光二极管芯片的光和被荧光物质能量转移的光不进行多次再反射地发出光的发光二极管封装件的制造方法和一种能够通过发光二极管芯片来制造出多种颜色的光的发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法。
解决技术问题的手段
根据为了达成如上所述的目的的本发明的特征，本发明的发光二极管封装件，其特征在于，包括：基板，发光二极管芯片，其安装在上述基板上，用于发出光，反射部，其形成于上述发光二极管芯片的周围，上述反射部形成为上方开口，且越往上方剖面越大，透明树脂，其填充上述反射部的内部，以保护上述发光二极管芯片，以及荧光物质，其使得从上述发光二极管芯片发出的光的颜色发生变化；上述荧光物质涂敷于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部或以上述发光二极管芯片的上端两侧边缘及上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部。
本发明的特征在于，上述荧光物质凸出或凹陷地形成。
本发明的特征在于，在上述荧光物质的上侧或下侧中的某一侧还形成有散射部。
本发明的特征在于，上述散射部的大小相对大于上述荧光物质的大小。
而且，本发明的其他实施例的发光二极管封装件的制造方法，可包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片；第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂；以及第三步骤，以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部或以发光二极管芯片的上端两侧边缘及上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部的方式在上述透明树脂的上表面涂敷荧光物质。
本发明的特征在于，还包括形成上述荧光物质后在反射部的内部再填充上述透明树脂的第四步骤。
本发明的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，还包括形成上述荧光物质后对上述透明树脂进行干燥的步骤。
本发明的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，还包括在上述透明树脂的上表面粘贴透镜部的第五步骤。
而且，本发明的其他实施例的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，第三步骤，以在上述透明树脂的上表面形成曲率的方式进行干燥，第四步骤，在上述透明树脂的上表面粘贴荧光物质和散射膜，以及第五步骤，粘贴透镜部；以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部的方式在上述透明树脂的上表面涂敷荧光物质。
另一方面，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，第三步骤，在上述透明树脂的上表面粘贴荧光物质和散射膜，第四步骤，以在上述透明树脂的上表面形成曲率的方式进行干燥，以及第五步骤，粘贴透镜部；以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部的方式在上述透明树脂的上表面涂敷荧光物质。
并且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在透镜部粘贴荧光物质和散射膜，以及第三步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷透明树脂，并粘贴上述透镜部；以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部的方式在上述透明树脂的上表面涂敷荧光物质。
而且，本发明的其他实施例的发光二极管封装件的制造方法，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片；第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂；以及第三步骤，在以上述发光二极管芯片的上端两侧边缘及上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部粘贴荧光物质膜或涂敷荧光物质形成荧光物质。
而且，本发明的其他实施例的发光二极管封装件的制造方法的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在透镜部粘贴荧光物质和散射膜，以及第三步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷透明树脂，并粘贴上述透镜部；在以上述发光二极管芯片的上端两侧边缘及上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部涂敷荧光物质。
而且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在膜的上表面设置掩膜，该掩膜形成使膜的上表面的一部分向外部露出的空间，第二步骤，向上述空间注入荧光物质，第三步骤，除去上述掩膜，以及第四步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大；上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
并且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在膜的上表面设置透明树脂材质的掩膜，该掩膜形成使膜的上表面的一部分向外部露出的空间，第二步骤，向上述空间注入荧光物质，以及第三步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大；上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
而且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在膜的上表面进行蚀刻，以形成空间；第二步骤，向上述空间注入荧光物质；以及第三步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大。
而且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在膜的上表面的规定区域涂敷荧光物质；以及第二步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大。
本发明的特征在于，上述荧光物质还混合有微球。
而且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，第三步骤，对上述透明树脂进行干燥，第四步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，第五步骤，在上部粘贴透镜部，以及第六步骤，进行干燥；上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
并且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，第三步骤，对上述透明树脂进行干燥，第四步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，第五步骤，进行干燥，以及第六步骤，在上部粘贴透镜部；上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
而且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，第三步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，第四步骤，在上部粘贴透镜部，以及第五步骤，进行干燥；上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
而且，本发明的发光二极管封装件的制造方法的其他实施例的特征在于，包括以下步骤：第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，第三步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，第四步骤，进行干燥，以及第五步骤，在上部粘贴透镜部；上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
发明的效果
本发明的发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法具有如下的效果。
在反射部的上表面中只在透射光的最小的区域涂敷有荧光物质，结果，更少地使用荧光物质，从而具有降低整个制造费用的效果。
而且，由于覆盖有荧光物质的反射部上表面的一部分开放，而没有从发光二极管芯片发出的光全部接触荧光物质；能量转移为其他波长的光和经反射的余光的一部分再反射在反射部上后，又再反射在荧光物质上的现象，能够顺利地向外部发出光，从而具有提高光效率的效果。
并且，在一个发光二极管芯片上面的规定部分的区域涂敷致使变换为白光的荧光物质，在剩余区域使发光二极管芯片自身的光向外部发出，从而具有通过调整两种以上的颜色的光亮来呈现多种颜色的优点。
并且，具有不需要其他调节装置，仅以同一种类的多个发光二极管芯片，就能够呈现多种颜色的优点。
附图说明
图1是表示本发明的发光二极管封装件的第1实施例的结构的侧面剖视图。
图2是表示本发明的发光二极管封装件的第2实施例的结构的侧面剖视图。
图3是表示本发明的发光二极管封装件的第3实施例的结构的侧面剖视图。
图4是表示本发明的发光二极管封装件的第4实施例的结构的侧面剖视图。
图5是表示本发明的发光二极管封装件的第5实施例的结构的侧面剖视图。
图6是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第1实施例的流程图。
图7是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第2实施例的流程图。
图8是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第3实施例的流程图。
图9是表示本发明的发光二极管封装件的第6实施例的结构的侧面剖视图。
图10是表示本发明的发光二极管封装件的第7实施例的结构的侧面剖视图。
图11是表示本发明的发光二极管封装件的第8实施例的结构的侧面剖视图。
图12是表示本发明的发光二极管封装件的第9实施例的结构的侧面剖视图。
图13是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第4实施例的流程图。
图14是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第5实施例的流程图。
图15是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第6实施例的流程图。
图16是表示在本发明的发光二极管封装件上涂敷有荧光物质的状态的例示图。
图17是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第7实施例的流程图。
图18是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第8实施例的流程图。
图19是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第9实施例的流程图。
图20是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第10实施例的流程图。
图21是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第11实施例的流程图。
图22是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第12实施例的流程图。
图23是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第13实施例的流程图。
图24a及图24b是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第14实施例的流程图。
图25是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第15实施例的流程图。
图26是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第16实施例的流程图。
图27是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第17实施例的流程图。
图28是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第18实施例的流程图。
图29是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第19实施例的流程图。
图30是表示本发明的发光二极管封装件的制造方法的第20实施例的流程图。
图31是表示本发明的发光二极管封装件的其他结构的实施例的侧面剖视图。
附图标记的说明
10:基板
20:发光二极管芯片
30:反射部
40:透明树脂
50:荧光物质
60:透镜部
70:散射部
具体实施方式
参照附有如上所述的本发明的发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法的优选的实施例的图来进行详细说明。
首先，如图1所示，查看本发明的发光二极管封装件的结构，可以包括：基板10；发光二极管芯片20，其安装在上述基板10上，用于发出光；反射部30，其安排在上述发光二极管芯片20的周围，上述反射部形成为上方开口，且越往上方剖面越大；透明树脂40，其填充上述反射部30内部，以保护上述发光二极管芯片20；以及荧光物质50，其使得从上述发光二极管芯片20发出的光的颜色发生变化。
首先，在发光二极管封装件中安排有基板10。上述基板10，例如可由***有引线框架的印刷线路基板组成。当然，如图1所示，上述基板10也可以与下面将要说明的反射部30形成一体来组成。
在上述发光二极管封装件中安排有发光二极管芯片20。上述发光二极管芯片20起到在从外部通电时，产生向上方散发的光的作用。上述发光二极管芯片20可具有多种组成，例如，可以举出一根线的情况、两根线的情况及没有线的情况。
而且，在上述发光二极管芯片20的周围安排有反射部30。如图1所示，在从下面将要说明的发光二极管芯片的上面发出的光向下方向或向侧面方向进行反射时，上述反射部30起到指引这些反射光向前方，即，向上方集中的作用。
上述反射部30可形成为垂直直立于基板10的墙，还可形成为如图1所示的越往上方，剖面越变大的结构。
而且，安排有保护上述发光二极管芯片20的透明树脂40。如图1所示，上述透明树脂40覆盖上述发光二极管芯片20，以保护上述发光二极管芯片20，同时，由于由透明材质组成，还起到透射从上述发光二极管芯片20发出的光的作用和防止因氧气的腐蚀的作用。
上述透明树脂40可由多种树脂来组成，例如，可由硅树脂或环氧树脂来组成。
而且，在上述发光二极管封装件中安排有荧光物质50。上述荧光物质50起到将从上述发光二极管芯片20发出的光变换为使用者想要的光的作用。即，从上述发光二极管芯片20的上面发出的光通过与上述荧光物质50起反应来变换为具有其他波长的光。
上述荧光物质50可以以多种方式来位于上述发光二极管芯片20的上面，在本发明中，可形成为如图1所示。
上述荧光物质50，优选地，其边缘位于以上述发光二极管芯片20的上端边缘（a）、上述反射部30的上端（b）及上述发光二极管芯片20的上端水平延伸，并与上述反射部30相交的点（c）为顶点的三角形的内部。
这是因为，从上述发光二极管芯片20发出的光的向上述反射部30外部散发出的指向角小于150°。因此，在上述荧光物质50的边缘位于上述区域时，从上述发光二极管芯片20发出的所有光作为第一次与荧光物质50进行接触。
这与以往一样，在荧光物质50覆盖上述反射部30上面的的整个面的情况下，从上述发光二极管芯片20放出的光作为第一次反射在荧光物质50上，再反射在反射部30或发光二极管芯片20上后，作为第二次碰撞荧光物质50，因而降低光效率。
因此，根据本发明的荧光物质50，从上述发光二极管芯片20发出的光反射在上述荧光物质50上后，30%至40%左右会反射在反射部30上后立即透射到外部，结果，带来增加20%至30%的光效率的效果。
如图2及图3所示，上述荧光物质50可形成为凹陷或凸出的曲面。
而且，在上述反射部30的上面还可安排有透镜部60。上述透镜部60由透明材质来组成，从而起到指引从上述发光二极管芯片20发出，并通过上述荧光物质50来变换颜色的光到外部的作用。上述透镜部60根据需要，可由平面和曲面镜片来组成。
而且，如图4所示，在上述荧光物质50的上侧或下侧中的某一侧，还可安排有散射部70。这是为了更加有效地散射从上述荧光物质50中反射光。
而且，上述散射部70可相对大于上述荧光物质50，还可形成为薄的膜。
并且，如图5所示，可利用反射部30来组成制作利用芯片座的发光二极管封装件。
下面，详细说明具有如上所述的结构的本发明的发光二极管封装件及发光二极管封装件的制造方法的作用。
首先，说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第1实施例。
如图6所示，在基板10上安装发光二极管芯片20（S10）。然后，在发光二极管芯片20的周围设置反射部30，并在上述反射部30内部涂敷透明树脂40（S11）。此时，在上述反射部30内部只填充规定量的上述透明树脂40，以能够在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50。
涂敷上述透明树脂40后进行干燥（S12）。此时，对上述透明树脂40进行干燥，以使上述透明树脂40的上表面形成如图2或图3所示的曲面。
在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50和散射部70（S13）。然后，在上部粘贴透镜部60（S14）。此时，在上述透镜部60和上述荧光物质50之间可以再填充透明树脂40。
接下来，说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第2实施例。
如图7所示，在基板10上安装发光二极管芯片20（S20）。然后，在发光二极管芯片20的周围设置反射部30，并在上述反射部30内部涂敷透明树脂40（S21）。此时，在上述反射部30内部只填充规定量的上述透明树脂40，以能够在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50。
在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50和散射部70（S22）。然后，涂敷上述透明树脂40后进行干燥（S23）。此时，对上述透明树脂40进行干燥，以使上述透明树脂40的上表面形成如图2或图3所示的曲面。
而且，在上部粘贴透镜部70（S24）。此时，在上述透镜部70和上述荧光物质50之间可以再填充透明树脂40。
接下来，说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第3实施例。
如图8所示，在基板10上安装发光二极管芯片20（S30）。然后，在透镜部60粘贴荧光物质50和散射部70（S31）。
而且，在发光二极管芯片20的周围设置反射部30，并在上述反射部30内部涂敷透明树脂40。此时，在上述反射部30内部只填充规定量的上述透明树脂40，以能够在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50。
在上述反射部30设置粘贴有上述荧光物质50和上述散射部70的透镜部60（S32）。
在上述的各个制造方法的实施例中，通过涂敷荧光物质50，使上述荧光物质50的边缘位于以上述发光二极管芯片20的上端边缘（a）、上述反射部30的上端（b）及从上述发光二极管芯片20的上端水平延伸，并与上述反射部30相交的点（c）为顶点的三角形的内部来形成上述荧光物质50。
而且，可水平设置上述荧光物质50，还可将上述荧光物质50做成膜的形式来粘贴。
接下来，图9是表示本发明的发光二极管封装件的第6实施例的结构的侧面剖视图。如图9所示，本发明的发光二极管封装件的结构与上述的图1的说明相同；上述荧光物质50可以以多种方式来位于上述发光二极管芯片20的上面，在本发明中可形成如图9所示的结构。上述荧光物质50起到将从上述发光二极管芯片20发出的光变换为使用者想要的光的作用。即，从上述发光二极管芯片20的上面产生的光通过与上述荧光物质50进行接触来变换为具有其他波长的光。
上述荧光物质50可由一个种类的荧光物质来组成，并可涂敷于以上述发光二极管芯片20的上端边缘（a,b）、上述反射部30的上端（c,d）为顶点的梯形的内部。
在此，如果在连接上述发光二极管芯片20的上端边缘（b）和上述反射部30的上端（d）的边位（L）上涂敷上述荧光物质50，从上述发光二极管芯片20发出的光就会通过上述荧光物质50，因此，优选地，上述荧光物质50的形成小于连接上述发光二极管芯片20的上端边缘（a）和上述反射部30的上端（b）的边位（L）。
如图10及图11所示，上述荧光物质50可形成为凹陷或凸出的曲面。而且，如图12所示，上述荧光物质50的上侧和下侧中的某一侧还形成有散射部70。这是为了更有效地散射从上述荧光物质50发出的光。
另一方面，如图16所示，本发明的其他实施例的发光二极管封装件的上述荧光物质50可由两个种类来组成。即，上述荧光物质50区分为第一荧光物质52和第二荧光物质54，从而能够使从上述发光二极管芯片20发出的光的通过上述第一荧光物质52来变换的颜色与通过上述第二荧光物质54来变换的颜色不相同。
例如，如果上述发光二极管芯片20发出蓝光，上述第一荧光物质52可由将上述蓝光变换为白光的荧光物质来组成；上述第二荧光物质54可由将上述蓝光变换为红光的荧光物质来组成。
而且，上述第一荧光物质52和上述第二荧光物质54可由形成为同一层。这是因为在上述第一荧光物质52和上述第二荧光物质54形成为不同层的不同厚度的情况下，分别通过上述第一荧光物质52和上述第二荧光物质54来发出的光的效率会不同。
当然，如果不将光的效率不同作为问题，上述第一荧光物质52和上述第二荧光物质54可形成为不同层。而且，上述散射部70可相对大于上述荧光物质50，还可形成为薄的膜。
下面，详细说明具有如上所述的第6实施例至第9实施例的结构的本发明的发光二极管封装件的制造方法。
首先，如图13所示，说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第4实施例。
在基板10上安装发光二极管芯片20（S10）。然后，在发光二极管芯片20的周围设置反射部30，并在上述反射部30内部涂敷透明树脂40（S11）。此时，在上述反射部30内部只填充规定量的上述透明树脂40，以能够在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50。
涂敷上述透明树脂40后进行干燥（S12）。此时，对上述透明树脂进行干燥40，此时，上述透明树脂40的上表面形成为曲面。
而且，在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50和散射部70（S13）。粘贴上述荧光物质50和上述散射部70后粘贴透镜部60（S14）。此时，在粘贴上述透镜部60之前，可以在上述散射部70和上述透镜部60之间再填充透明树脂40。
接下来，如图14所示，说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第5实施例。
在基板10上安装发光二极管芯片20（S20）。然后，在发光二极管芯片20的周围设置反射部30，并在上述反射部30内部涂敷透明树脂40（S21）。此时，在上述反射部30内部只填充规定量的上述透明树脂40，以能够在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50。
在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50和散射部70（S22）。然后，涂敷上述透明树脂40后进行干燥（S23）。在对上述透明树脂进行干燥40时，上述透明树脂40的上表面形成为曲面。
而且，在上部粘贴透镜部70（S24）。此时，在上述透镜部70和上述荧光物质50之间可以再填充透明树脂40。
接下来，如图15所示，说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第6实施例。
首先，在基板10上安装发光二极管芯片20（S30）。然后，在透镜部60粘贴荧光物质50和散射部70（S31）。
而且，在发光二极管芯片20的周围设置反射部30，并在上述反射部30内部涂敷透明树脂40。此时，在上述反射部30内部只填充规定量的上述透明树脂40，以能够在上述透明树脂40的上表面设置荧光物质50。
在上述反射部30设置粘贴有上述荧光物质50和上述散射部70的透镜部60（S32）。
而且，上述荧光物质50可制作成膜的形式来粘贴。
本发明的权利并不局限于上面所说明的实施例，而是根据权利要求书的记载来进行定义，明显地，在本发明所述领域具有普遍技术的人员就能够在权利要求书所记载的权利范围内进行多种变形和改良。
另一方面，在上述荧光物质50涂敷在以上述发光二极管芯片20的上端边缘（a,b）及上述反射部30的上端（c,d）为顶点的梯形的内部的情况下，向外部露出的光为两个，但还可根据上述反射部30的倾斜角来形成白光。
而且，在从本发明的发光二极管封装件上面看上述荧光物质50时，如图16所示，可以以多种模式来涂敷。
另一方面，根据图4所示的本发明的第4实施例的发光二极管封装件，能够还包括如下的结构。
而且，从上述发光二极管芯片20发出的光的向上述反射部30外部散发出的指向角小于150°。因此，在上述荧光物质50的边缘位于上述区域时，从上述发光二极管芯片20发出的几乎所有的光作为第一次与荧光物质50进行接触。
这与以往一样，在荧光物质50覆盖上述反射部30上面的整个面的情况下，从上述发光二极管芯片20发出的光作为第一次在荧光物质50中进行后方散射，再反射在反射部30或发光二极管芯片20上后，作为第二次碰撞荧光物质50，因而降低光效率。
因此，根据本发明的荧光物质50，由于从上述发光二极管芯片20发出的光散射在上述荧光物质50上后，根据荧光物质50的开放面积来从反射部30反射后透射到外部，具有通过减少多次反射的次数来增加光效率的效果。
上述荧光物质50可形成为凹陷或凸出的曲面。而且，如图4所示，在上述荧光物质50的上侧或下侧中的某一侧可安排有散射部70。这是为了让从上述荧光物质50发射的光进行更加有效的散射和透射。
而且，上述散射部70可相对大于上述荧光物质50，还可形成为薄的膜。上述荧光物质50的厚度小于10μm至200μm，更有选地，能够具有10μm至60μm的厚度。
而且，如图31所示，在安装有多个发光二极管芯片20的情况下，上述荧光物质（50）,优选地，其边缘位于以上述两侧的发光二极管芯片20的上端边缘（a）、上述反射部30的上端（b）及从上述发光二极管芯片20的上端水平延伸，并与上述反射部30相交的点（c）为顶点的三角形的区域。
同时，根据图4所示的本发明的第4实施例的发光二极管封装件，能够根据下面的图17至图30的发光二极管封装件的制造方法来进行制造。
下面，详细说明具有如上所述的结构的本发明的发光二极管封装件的制造方法。
首先，说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第7实施例。
如图17所示，首先，在膜100的上表面设置掩膜120，该掩膜120形成使膜100的上表面的一部分向外部露出的空间110（S40）。上述膜（110）可由多种来组成，优选地，由耐热性膜组成。例如，可由碱石灰玻璃、石英玻璃、透明树脂膜及透明散射树脂膜等来组成。
上述掩膜120中形成空间，下面将要说明的荧光物质130安顿在上述空间110中，迨后上述空间110起到决定荧光物质130的面积的作用。即，上述空间110的大小，优选地，使上述荧光物质130的边缘位于以发光二极管芯片20的上端边缘（a）、上述反射部30的上端（b）及从上述发光二极管芯片20的上端水平延伸，并与上述反射部30相交的点（c）为顶点的三角形的内部。
而且，向上述掩膜120的空间110注入荧光物质130后进行干燥（S41）。接下来，除去上述掩膜120（S42）。除去上述掩膜120后，对上述荧光物质进行干燥后切削（S43）。
另一方面，在上述过程中，除去上述掩膜120后，可在涂敷有上述荧光物质130的在膜100的上表面再涂敷透明树脂140。
根据如上所述的方式来制造，就能完成如图4所示的发光二极管封装件。
接下来，参照图18来说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第8实施例。
图18所示的发光二极管封装件的制造方法的过程与上述的第7实施例相同，但作为掩膜120的材质使用了透明树脂，以迨后不用除去掩膜120。
即，在上述的第7实施例中，先设置掩膜120，并固定荧光物质130后，再除去掩膜120，但在第2实施例中，由透明树脂材质来组成掩膜120（S50）,以迨后不用除去掩膜120，直接涂敷透明树脂140，从而能够制造出如图4所示的发光二极管封装件的结构。
接下来，参照图19来说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第9实施例。
图19所示的发光二极管封装件的制造方法与上述的第8实施例均相同，但在涂敷荧光物质130后进行干燥时（S61）,使上述荧光物质130通过表面张力来形成向上方凸出的形状。这是为了使从上述发光二极管芯片10发出的光的散射容易地形成均匀的光分布。
接下来，参照图20来说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第9实施例。
图20所示的发光二极管封装件的制造方法的过程与上述的第8实施例均相同，但在涂敷荧光物质130后进行干燥时（S71）,使上述荧光物质130向上凹陷地形成。这是为了使从上述发光二极管芯片20发出的光容易地进行散射。
接下来，参照图21来说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第11实施例。
图21所示的发光二极管封装件的制造方法的过程与上述的第7实施例均相同，但在制造膜100时（S80）,未使用掩膜120，而是通过在在膜100的上表面进行蚀刻来一体形成设置上述荧光物质130的空间。
即，与上述的第7实施例不同，由于不需要掩膜120的设置及除去工序，而使整个工序简单。
接下来，参照图22说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第12实施例。
图22所示的发光二极管封装件的制造方法的过程与上述的第11实施例均相同，但通过向荧光物质130还注入微球150来形成（S91）。即，为的是使从上述发光二极管芯片20发出的光通过上述微球150来形成均匀的光分布。
接下来，参照图23来说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第13实施例。
图23所示的发光二极管封装件的制造方法为，首先，只在膜100上标面的有需要的部分涂敷荧光物质130（S101）。然后，对此进行干燥，并切断（S102），由此制造发光二极管封装件。
接下来，参照图24a及图24b说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第14实施例。
图24a所示的发光二极管封装件的制造方法的所有过程与上述第13实施例相同，存在差别的只是，通过将上述荧光物质130做成膜粘贴在上述膜100上（S111）来制造而成。当然，如图24所示，还可以通过在上述荧光物质130的膜的下方中介透明树脂140来更容易地进行粘贴。此时，上述透明树脂140可组成与填充反射部的内部的透明树脂不同的曲折率。并且，上述荧光物质130的膜还可以由玻璃荧光体膜来组成。
接下来，参照图25说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第15实施例。
图25所示的发光二极管封装件的制造方法的所有过程与上述的第12实施例相同，存在的差别只是，在上述膜100的底面形成有曲面（S121）。这是为了提高集光及光分布。
接下来，参照图26说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第16实施例。
图26所示的发光二极管封装件的制造方法的所有过程与上述的第14实施例相同，存在差别的只是，在上述膜100的底面形成有曲面（S131）。如上所述，这是为了提高集光及均匀的光分布。当然，还可以通过在上述荧光物质130的膜的下方中介透明树脂140来更容易地进行粘贴。此时，上述透明树脂140可组成与填充反射部的内部的透明树脂不同的曲折率。
接下来，参照图27说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第17实施例。
图27所述的发光二极管封装件的制造方法为,首先，在基板10上安装发光二极管芯片20。而且，在安装有上述发光二极管芯片20的基板10上设置反射部30，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂（S140）。
涂敷上述透明树脂后，对上述透明树脂进行干燥（S141）。然后，在上述透明树脂的上表面粘贴涂敷有根据如上所述的过程来制造的荧光物质130的膜120（S142）。
而且，在上部粘贴透明树脂或透镜部（S143）。只是，在此情况下，也使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。然后，进行干燥（S144）。
接下来，参照图28说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第18实施例。
图28所示的发光一极管封装件的制造方法为，首先，在基板10上安装发光一极管芯片20。然后，在安装有上述发光一极管芯片20的基板10上设置反射部30，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂(S150)。
涂敷上述透明树脂后，对上述透明树脂进行干燥(S151)。然后，在上述透明树脂的上表面粘贴涂敷有根据如上所述的过程来制造的荧光物质130的膜120(S152)。然后，进行干燥(S153)。
而且，在上部粘贴透明树脂或透镜部
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粘贴(S154)。只是，在此情况下，也使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光一极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光一极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
接下来，参照图29说明本发明的发光一极管封装件的制造方法的第l9实施例。
图29所示的发光一极管封装件的制造方法为，首先，在基板l0上安装发光一极管芯片20。然后，在安装有上述发光一极管芯片20的基板10上设置反射部30，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂(S160)。
涂敷上述透明树脂后，在上述透明树脂的上表面粘贴涂敷有根据如上所述的过程来制造的荧光物质130的膜120(S161)。
而且，在上部粘贴透明树脂或透镜部(S162)。只是，在此情况下，也使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光一极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光一极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。然后，进行干燥(S163)。
接下来，参照图30说明本发明的发光二极管封装件的制造方法的第20实施例。
图30所示的发光二极管封装件的制造方法为，首先，在基板10上安装发光二极管芯片20。然后，在安装有上述发光二极管芯片20的基板10上设置反射部30，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂（S170）。
涂敷上述透明树脂后，在上述透明树脂的上表面粘贴涂敷有根据如上所述的过程来制造的荧光物质130的膜120（S171）。然后，进行干燥（S172）。
而且，在上部粘贴透明树脂或透镜部（S173）。只是，在此情况下，也使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
另一方面，在上述的各个实施例中，荧光物质可凹陷或凸出地形成，在膜的下方有曲面，从而可提高散射率。
并且，为了提高散射率，如图1所示，可在膜的下方再粘贴散射部。
并且，为了提高散射率，可向各个荧光物质再注入微球。
并且，在多次填充透明树脂时，各个层的透明树脂的曲折率可不同。
并且，涂敷于耐热性膜或荧光物质上的透明树脂膜的曲折率可不同。
本发明的权利并不局限于上面所说明的实施例，而是根据请求保护的范围的记载来进行定义，明显地，在本发明所述领域具有普遍技术的人员就能够在请求保护的范围所记载的权利范围内进行多种变形和改良。

Claims (23)

1.一种发光二极管封装件，其特征在于，
包括：
基板，
发光二极管芯片，其安装在上述基板上，用于发出光，
反射部，其形成于上述发光二极管芯片的周围，上述反射部形成为上方开口，且越往上方剖面越大，
透明树脂，其填充上述反射部的内部，以保护上述发光二极管芯片，以及
荧光物质，其使得从上述发光二极管芯片发出的光的颜色发生变化；
上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
2.一种发光二极管封装件，其特征在于，
包括：
基板，
发光二极管芯片，其安装在上述基板上，用于发出光，
反射部，其形成于上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大，
透明树脂，其填充上述反射部的内部，以保护上述发光二极管芯片，以及
荧光物质，其使得从上述发光二极管芯片发出的光的颜色发生变化；
上述荧光物质涂敷于以上述发光二极管芯片的上端两侧边缘及上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管封装件，其特征在于，上述荧光物质凸出或凹陷地形成。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管封装件，其特征在于，上述荧光物质的上侧或下侧中的某一侧还形成有散射部。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装件，其特征在于，上述散射部的大小相对大于上述荧光物质的大小。
6.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片；
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂；以及
第三步骤，以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部的方式在上述透明树脂的上表面涂敷荧光物质或粘贴荧光物质膜来形成荧光物质。
7.根据权利要求6所述的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，还包括形成上述荧光物质后在反射部的内部再填充上述透明树脂的第四步骤。
8.根据权利要求7所述的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，还包括形成上述荧光物质后对上述透明树脂进行干燥的步骤。
9.根据权利要求7所述的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，还包括在上述透明树脂上粘贴透镜部的第五步骤。
10.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，
第三步骤，以在上述透明树脂的上表面形成曲率的方式进行干燥，
第四步骤，在上述透明树脂的上表面粘贴荧光物质和散射膜，以及
第五步骤，粘贴透镜部；
以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部的方式在上述透明树脂的上表面涂敷荧光物质。
11.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，
第三步骤，在上述透明树脂的上表面粘贴荧光物质和散射膜，
第四步骤，以在上述透明树脂的上表面形成曲率的方式进行干燥，以及
第五步骤，粘贴透镜部；
以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部的方式在上述透明树脂上表面涂敷荧光物质。
12.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，
第二步骤，在透镜部粘贴荧光物质和散射膜，以及
第三步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷透明树脂，并粘贴上述透镜部；
以使得上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部的方式在上述透明树脂的上表面涂敷荧光物质。
13.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片；
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷规定量的透明树脂；以及
第三步骤，在以上述发光二极管芯片的上端两侧边缘及上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部粘贴荧光物质膜或者涂敷荧光物质来形成荧光物质。
14.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，
第二步骤，在透镜部粘贴荧光物质和散射膜，以及
第三步骤，在安装有上述发光二极管芯片的反射部的内部涂敷透明树脂，并粘贴上述透镜部；
在以上述发光二极管芯片的上端两侧边缘、上述反射部的上端两侧为顶点的梯形的内部涂敷荧光物质。
15.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在膜的上表面设置掩膜，该掩膜形成使膜的上表面的一部分向外部露出的空间，
第二步骤，向上述空间注入荧光物质，
第三步骤，除去上述掩膜，以及
第四步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大；
上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
16.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在膜的上表面设置透明树脂材质的掩膜，该掩膜形成使膜的上表面的一部分向外部露出的空间，
第二步骤，向上述空间注入荧光物质，以及
第三步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大；
上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
17.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步骤，在膜的上表面进行蚀刻，以形成空间；
第二步骤，向上述空间注入荧光物质；以及
第三步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大。
18.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步骤，在膜的上表面的规定区域涂敷荧光物质；以及
第二步骤，与反射部的上表面相对应地切断上述膜，上述反射部形成于安装有发光二极管芯片的基板上的上述发光二极管芯片的周围，并形成为上方开口，且越往上方剖面越大。
19.根据权利要求15至18中任一项所述的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，上述荧光物质还混合有微球。
20.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，
第三步骤，对上述透明树脂进行干燥，
第四步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，
第五步骤，在上部粘贴透镜部，以及
第六步骤，进行干燥；
上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
21.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片。
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，
第三步骤，对上述透明树脂进行干燥，
第四步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，
第五步骤，进行干燥，以及
第六步骤，在上部粘贴透镜部；
上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
22.一种发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，
第三步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，
第四步骤，在上部粘贴透镜部，以及
第五步骤，进行干燥；
上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
23.本发明的发光二极管封装件的制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一步骤，在基板上安装发光二极管芯片，
第二步骤，在安装有上述发光二极管芯片的基板设置反射部，并在反射部的内部涂敷规定量的透明树脂，
第三步骤，粘贴涂敷有荧光物质的膜，
第四步骤，进行干燥，以及
第五步骤，在上部粘贴透镜部；
上述荧光物质的边缘位于以上述发光二极管芯片的上端边缘、上述反射部的上端及从上述发光二极管芯片的上端水平延伸并与上述反射部相交的点为顶点的三角形的内部。
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