CN103107086B - 一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明属于芯片生产制备的技术领域，具体的涉及一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片。一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：（1）选取P型原硅片；（2）硼杂质扩散前预处理；（3）硼杂质扩散；（4）晶分/清洗；（5）磷杂质扩散；（6）晶分/清洗；（7）台面加工；（8）钝化前清洗；（9）钠离子的清洗；（10）玻璃钝化；（11）成品制作。该工艺简单易操作，由该工艺所制备的低压芯片漏电值低，满足低漏电的要求。
Description
技术领域
本发明属于芯片生产制备的技术领域，具体的涉及一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片。
背景技术
目前低压芯片的漏电大，很难满足目前客户对这一参数越来越严格的要求，例如6.8V电压的瞬态抑止二极管用芯片的漏电流用其工作电压去测无法做到20μA以内。为了满足低漏电的要求，有的采用浅结扩散的方法，但这样做造成在金属与硅合金的过程中容易与PN结导通，造成产品失效。现有的低压芯片生产采用低温氧化工艺不能满足氧化层的厚度，无法起到钝化的目的，更无法在封装工艺中应运自如。低压扩散不能做到结深在23μm以上又可以达到浪涌和VC的要求。台面工艺PN结处的清洁与保护是至关重要，受到环境与工艺条件的限制，现有工艺的清洁度很难达到技术要求。
发明内容
本发明的目的在于针对上述存在的缺陷而提供一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片，该工艺简单易操作，由该工艺所制备的低压芯片漏电值低，满足低漏电的要求。
本发明的技术方案为：一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：
(1)选取P型原硅片：选用电阻率为0.002～0.0037欧姆/厘米，厚度为290～340微米的P型原硅片；
(2)硼杂质扩散前预处理：首先将步骤(1)所选取的P型原硅片在1～3℃温度条件下在由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸内进行化学腐蚀30秒，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后将P型原硅片在纯水内冲洗干净后放置于由双氧水、氨水和水配比而成的Ⅰ号液中加热升温，使P型原硅片在80～95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：氨水：水为1:1:6；在Ⅰ号液中清洗完毕后用水冲洗干净，再将P型原硅片置于由双氧水、盐酸和水配比而成的Ⅱ号液中加热升温，使P型原硅片在80～95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：盐酸：水为1:1:6；最后冲水清洗干净并烘干；
(3)硼杂质扩散：将预处理后的P型原硅片放置于炉内，加热升温，在1200～1300℃条件下进行硼杂质的扩散，然后降温至500～600℃出炉，在P型原硅片的上下表面上形成P+扩散层；
(4)晶分/清洗：将步骤(3)完成硼杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再放置于纯水内冲水清洗1小时，所述的氢氟酸为电子级；
(5)磷杂质扩散：在200～400℃条件下进炉，加热升温至900℃进行第一段磷杂质扩散；再加热升温至1200～1300℃条件下进行第二段磷杂质扩散，完成整个磷杂质扩散，形成磷杂质扩散层，最后降温至500～600℃出炉，P+扩散层与磷杂质扩散层之间形成U型PN结；
(6)晶分/清洗：将步骤(5)完成磷杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再在纯水内冲水清洗1小时；所述的氢氟酸为电子级；
(7)台面加工：喷砂；去砂清洗；氧化退火；一刻；台面腐蚀；
(8)钝化前清洗：首先将完成步骤(7)的晶片用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸清洗一分钟后，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后冲水清洗10分钟后，再放入由氢氟酸和水配比而成的溶液中除去氧化层，其中按体积比氢氟酸：水为1:1；最后在80～95℃下加热清洗10分钟；
(9)钠离子的清洗：将完成步骤(8)的晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，其中按体积比氯气：氧气为1:4；进行U型PN结处钠离子的清洗，清洗时间为30～60分钟；
(10)玻璃钝化：玻璃保护；二刻；玻璃腐蚀；
(11)成品制作：镀镍前清洗；镀镍/合金；划片；测试；包装。
所述步骤(3)中硼杂质扩散的温度为1200～1240℃。
所述步骤(5)中第二段磷杂质扩散的温度为1220～1260℃。
所述步骤(5)中U型PN结的扩散结深大于23微米。
所述生产工艺制备的低压芯片，包括P型原硅片，该P型原硅片的上表面与下表面均覆有P+扩散层；P+扩散层通过U型PN结结构与磷杂质扩散层相连接；磷杂质扩散层位于U型PN结结构的凹槽内，磷杂质扩散层的上表面覆有合金层；在U型PN结结构的两个直立端端部上均有掺氯氧化层，在掺氯氧化层上覆有玻璃钝化层。
本发明的有益效果为：(1)在P型原硅片上扩散硼杂质，使P型原硅片增加P+扩散层，在P+扩散层上加扩磷杂质，得到磷杂质扩散层，使P+扩散层与磷杂质扩散层形成U型PN结。P型原硅片上扩散硼杂质，通过高浓度的硼杂质来抑止磷杂质扩散的梯度，达到缓变向突变结转型的目的，这样扩散梯度陡，提高了扩散梯度，使得扩散接近于PN结的浓度分布，并且也缩小耗尽层，达到降低漏电的目的，可以充分降低漏电值。
(2)磷杂质的扩散采用两段式的阶段性扩散方式，将扩散杂质的分解、堆积、再分布的过程控制在尽可能小的线型扩散内，选用磷杂质最佳的分布温度作为扩散温度，结合磷杂质的再分布所需要的时间，将扩散结深控制在23μm以上，保证足够的电场宽度，也保证了足够的空间来完成金属与硅的合金达到键合的目的，利于合金的顺利进行，并且避免产品因扩散结深过浅而产生的失效。
(3)在进行钠离子的清洗时，将晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，采用高温长时间氧化工艺，吸咐U型PN结处的钠离子污染，高温氯气束缚钠离子，控制钠离子在U型PN结处的可移动性，将U型PN结处的钠离子吸附在由硅与氧化层在高温下所产生的二氧化硅层内，阻止钠离子移动所造成的漏电。可以进一步降低漏电值。
(4)使用玻璃保护的钝化方式将U型PN结的外露部分保护起来，提高产品的稳定性和可靠性，消除了产品可能存在的隐患。采用玻璃钝化保护的方式来保护U型PN结，使用产品的可靠性及稳定性都有一个明显的提升。
产品技术指标如下：(1)产品电压偏压值在+/-3％左右；(2)产品在工作电压下测漏电值在30μA以下；(3)产品可以承受规定值的110％浪涌的冲击；(4)产品能够完成表格1所示的可靠性试验零失效的目标。
表格1
| 序号 | 实验项目 | 实验条件 | 实验数量 | 失效数量 |
| 1 | 可悍性 | 5秒 | 22 | 0 |
| 2 | 引线拉力 | 10秒 | 70 | 0 |
| 3 | 引线抗疲劳 | 3次 | 35 | 0 |
| 4 | 工作寿命 | 1000小时 | 22 | 0 |
| 5 | 高温反偏 | 1000小时 | 40 | 0 |
| 6 | 间歇工作寿命 | 1000周期 | 22 | 0 |
| 7 | 反向流涌电流 | 10/1000 | 所有 | 0 |
| 8 | 高温贮存寿命 | 1000小时 | 22 | 0 |
| 9 | 耐潮湿 | 100小时 | 22 | 0 |
| 10 | 高压蒸煮 | 4小时 | 22 | 0 |
| 11 | 热冲击 | 10周期 | 22 | 0 |
| 12 | 温度循环 | 10周期 | 22 | 0 |
| 13 | 耐焊接热 | 10秒 | 125 | 0 |
附图说明
图1为本发明具体实施方式中平面低压芯片的结构示意图。
其中，1为P型原硅片，2为P+扩散层，3为磷杂质扩散层，4为合金层，5为U型PN结结构，6为掺氯氧化层，7为玻璃钝化层。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明进行详细描述。
实施例1
一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：
(1)选取P型原硅片：选用电阻率为0.002欧姆/厘米，厚度为290微米的P型原硅片；
(2)硼杂质扩散前预处理：首先将步骤(1)所选取的P型原硅片在1～3℃温度条件下在由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸内进行化学腐蚀30秒，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后将P型原硅片在纯水内冲洗干净后放置于由双氧水、氨水和水配比而成的Ⅰ号液中加热升温，使P型原硅片在80℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：氨水：水为1:1:6；在Ⅰ号液中清洗完毕后用水冲洗干净，再将P型原硅片置于由双氧水、盐酸和水配比而成的Ⅱ号液中加热升温，使P型原硅片在80℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：盐酸：水为1:1:6；最后冲水清洗干净并烘干；
(3)硼杂质扩散：将预处理后的P型原硅片放置于炉内，加热升温，在1200℃条件下进行硼杂质的扩散，然后降温至500℃出炉，在P型原硅片的上下表面上形成P+扩散层；
(4)晶分/清洗：将步骤(3)完成硼杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再放置于纯水内冲水清洗1小时，所述的氢氟酸为电子级；
(5)磷杂质扩散：在200℃条件下进炉，加热升温至900℃进行第一段磷杂质扩散；再加热升温至1200℃条件下进行第二段磷杂质扩散，完成整个磷杂质扩散，形成磷杂质扩散层，最后降温至500℃出炉，P+扩散层与磷杂质扩散层之间形成U型PN结；
(6)晶分/清洗：将步骤(5)完成磷杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再在纯水内冲水清洗1小时；所述的氢氟酸为电子级；
(7)台面加工：喷砂；去砂清洗；氧化退火；一刻；台面腐蚀；
(8)钝化前清洗：首先将完成步骤(7)的晶片用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸清洗一分钟后，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后冲水清洗10分钟后，再放入由氢氟酸和水配比而成的溶液中除去氧化层，其中按体积比氢氟酸：水为1:1；最后在80℃下加热清洗10分钟；
(9)钠离子的清洗：将完成步骤(8)的晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，其中按体积比氯气：氧气为1:4；进行U型PN结处钠离子的清洗，清洗时间为30分钟；
(10)玻璃钝化：玻璃保护；二刻；玻璃腐蚀；
(11)成品制作：镀镍前清洗；镀镍/合金；划片；测试；包装。
所述步骤(5)中U型PN结的扩散结深大于23微米。
所述生产工艺制备的低压芯片，包括P型原硅片1，该P型原硅片1的上表面与下表面均覆有P+扩散层2；P+扩散层2通过U型PN结结构5与磷杂质扩散层3相连接；磷杂质扩散层3位于U型PN结结构5的凹槽内，磷杂质扩散层3的上表面覆有合金层4；在U型PN结结构5的两个直立端端部上均有掺氯氧化层6，在掺氯氧化层6上覆有玻璃钝化层7。
实施例2
一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：
(1)选取P型原硅片：选用电阻率为0.0037欧姆/厘米，厚度为340微米的P型原硅片；
(2)硼杂质扩散前预处理：首先将步骤(1)所选取的P型原硅片在1～3℃温度条件下在由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸内进行化学腐蚀30秒，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后将P型原硅片在纯水内冲洗干净后放置于由双氧水、氨水和水配比而成的Ⅰ号液中加热升温，使P型原硅片在95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：氨水：水为1:1:6；在Ⅰ号液中清洗完毕后用水冲洗干净，再将P型原硅片置于由双氧水、盐酸和水配比而成的Ⅱ号液中加热升温，使P型原硅片在95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：盐酸：水为1:1:6；最后冲水清洗干净并烘干；
(3)硼杂质扩散：将预处理后的P型原硅片放置于炉内，加热升温，在1300℃条件下进行硼杂质的扩散，然后降温至600℃出炉，在P型原硅片的上下表面上形成P+扩散层；
(4)晶分/清洗：将步骤(3)完成硼杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再放置于纯水内冲水清洗1小时，所述的氢氟酸为电子级；
(5)磷杂质扩散：在400℃条件下进炉，加热升温至900℃进行第一段磷杂质扩散；再加热升温至1300℃条件下进行第二段磷杂质扩散，完成整个磷杂质扩散，形成磷杂质扩散层，最后降温至600℃出炉，P+扩散层与磷杂质扩散层之间形成U型PN结；
(6)晶分/清洗：将步骤(5)完成磷杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再在纯水内冲水清洗1小时；所述的氢氟酸为电子级；
(7)台面加工：喷砂；去砂清洗；氧化退火；一刻；台面腐蚀；
(8)钝化前清洗：首先将完成步骤(7)的晶片用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸清洗一分钟后，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后冲水清洗10分钟后，再放入由氢氟酸和水配比而成的溶液中除去氧化层，其中按体积比氢氟酸：水为1:1；最后在95℃下加热清洗10分钟；
(9)钠离子的清洗：将完成步骤(8)的晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，其中按体积比氯气：氧气为1:4；进行U型PN结处钠离子的清洗，清洗时间为60分钟；
(10)玻璃钝化：玻璃保护；二刻；玻璃腐蚀；
(11)成品制作：镀镍前清洗；镀镍/合金；划片；测试；包装。
所述步骤(5)中U型PN结的扩散结深大于23微米。
所述生产工艺制备的低压芯片，包括P型原硅片1，该P型原硅片1的上表面与下表面均覆有P+扩散层2；P+扩散层2通过U型PN结结构5与磷杂质扩散层3相连接；磷杂质扩散层3位于U型PN结结构5的凹槽内，磷杂质扩散层3的上表面覆有合金层4；在U型PN结结构5的两个直立端端部上均有掺氯氧化层6，在掺氯氧化层6上覆有玻璃钝化层7。
实施例3
一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：
(1)选取P型原硅片：选用电阻率为0.0035欧姆/厘米，厚度为310微米的P型原硅片；
(2)硼杂质扩散前预处理：首先将步骤(1)所选取的P型原硅片在1～3℃温度条件下在由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸内进行化学腐蚀30秒，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后将P型原硅片在纯水内冲洗干净后放置于由双氧水、氨水和水配比而成的Ⅰ号液中加热升温，使P型原硅片在90℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：氨水：水为1:1:6；在Ⅰ号液中清洗完毕后用水冲洗干净，再将P型原硅片置于由双氧水、盐酸和水配比而成的Ⅱ号液中加热升温，使P型原硅片在90℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：盐酸：水为1:1:6；最后冲水清洗干净并烘干；
(3)硼杂质扩散：将预处理后的P型原硅片放置于炉内，加热升温，在1240℃条件下进行硼杂质的扩散，然后降温至550℃出炉，在P型原硅片的上下表面上形成P+扩散层；
(4)晶分/清洗：将步骤(3)完成硼杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再放置于纯水内冲水清洗1小时，所述的氢氟酸为电子级；
(5)磷杂质扩散：在300℃条件下进炉，加热升温至900℃进行第一段磷杂质扩散；再加热升温至1220℃条件下进行第二段磷杂质扩散，完成整个磷杂质扩散，形成磷杂质扩散层，最后降温至550℃出炉，P+扩散层与磷杂质扩散层之间形成U型PN结；
(6)晶分/清洗：将步骤(5)完成磷杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再在纯水内冲水清洗1小时；所述的氢氟酸为电子级；
(7)台面加工：喷砂；去砂清洗；氧化退火；一刻；台面腐蚀；
(8)钝化前清洗：首先将完成步骤(7)的晶片用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸清洗一分钟后，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后冲水清洗10分钟后，再放入由氢氟酸和水配比而成的溶液中除去氧化层，其中按体积比氢氟酸：水为1:1；最后在90℃下加热清洗10分钟；
(9)钠离子的清洗：将完成步骤(8)的晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，其中按体积比氯气：氧气为1:4；进行U型PN结处钠离子的清洗，清洗时间为50分钟；
(10)玻璃钝化：玻璃保护；二刻；玻璃腐蚀；
(11)成品制作：镀镍前清洗；镀镍/合金；划片；测试；包装。
所述步骤(5)中U型PN结的扩散结深大于23微米。
所述生产工艺制备的低压芯片，包括P型原硅片1，该P型原硅片1的上表面与下表面均覆有P+扩散层2；P+扩散层2通过U型PN结结构5与磷杂质扩散层3相连接；磷杂质扩散层3位于U型PN结结构5的凹槽内，磷杂质扩散层3的上表面覆有合金层4；在U型PN结结构5的两个直立端端部上均有掺氯氧化层6，在掺氯氧化层6上覆有玻璃钝化层7。
实施例4
一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：
(1)选取P型原硅片：选用电阻率为0.0025欧姆/厘米，厚度为320微米的P型原硅片；
(2)硼杂质扩散前预处理：首先将步骤(1)所选取的P型原硅片在1～3℃温度条件下在由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸内进行化学腐蚀30秒，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后将P型原硅片在纯水内冲洗干净后放置于由双氧水、氨水和水配比而成的Ⅰ号液中加热升温，使P型原硅片在85℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：氨水：水为1:1:6；在Ⅰ号液中清洗完毕后用水冲洗干净，再将P型原硅片置于由双氧水、盐酸和水配比而成的Ⅱ号液中加热升温，使P型原硅片在85℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：盐酸：水为1:1:6；最后冲水清洗干净并烘干；
(3)硼杂质扩散：将预处理后的P型原硅片放置于炉内，加热升温，在1230℃条件下进行硼杂质的扩散，然后降温至570℃出炉，在P型原硅片的上下表面上形成P+扩散层；
(4)晶分/清洗：将步骤(3)完成硼杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再放置于纯水内冲水清洗1小时，所述的氢氟酸为电子级；
(5)磷杂质扩散：在350℃条件下进炉，加热升温至900℃进行第一段磷杂质扩散；再加热升温至1260℃条件下进行第二段磷杂质扩散，完成整个磷杂质扩散，形成磷杂质扩散层，最后降温至570℃出炉，P+扩散层与磷杂质扩散层之间形成U型PN结；
(6)晶分/清洗：将步骤(5)完成磷杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再在纯水内冲水清洗1小时；所述的氢氟酸为电子级；
(7)台面加工：喷砂；去砂清洗；氧化退火；一刻；台面腐蚀；
(8)钝化前清洗：首先将完成步骤(7)的晶片用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸清洗一分钟后，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后冲水清洗10分钟后，再放入由氢氟酸和水配比而成的溶液中除去氧化层，其中按体积比氢氟酸：水为1:1；最后在85℃下加热清洗10分钟；
(9)钠离子的清洗：将完成步骤(8)的晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，其中按体积比氯气：氧气为1:4；进行U型PN结处钠离子的清洗，清洗时间为55分钟；
(10)玻璃钝化：玻璃保护；二刻；玻璃腐蚀；
(11)成品制作：镀镍前清洗；镀镍/合金；划片；测试；包装。
所述步骤(5)中U型PN结的扩散结深大于23微米。
所述生产工艺制备的低压芯片，包括P型原硅片1，该P型原硅片1的上表面与下表面均覆有P+扩散层2；P+扩散层2通过U型PN结结构5与磷杂质扩散层3相连接；磷杂质扩散层3位于U型PN结结构5的凹槽内，磷杂质扩散层3的上表面覆有合金层4；在U型PN结结构5的两个直立端端部上均有掺氯氧化层6，在掺氯氧化层6上覆有玻璃钝化层7。
Claims (5)
1.一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：
（1）选取P型原硅片：选用电阻率为0.002～0.0037欧姆/厘米，厚度为290～340微米的P型原硅片；
（2）硼杂质扩散前预处理：首先将步骤（1）所选取的P型原硅片在1～3℃温度条件下在由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸内进行化学腐蚀30秒，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后将P型原硅片在纯水内冲洗干净后放置于由双氧水、氨水和水配比而成的Ⅰ号液中加热升温，使P型原硅片在80～95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：氨水：水为1:1:6；在Ⅰ号液中清洗完毕后用水冲洗干净，再将P型原硅片置于由双氧水、盐酸和水配比而成的Ⅱ号液中加热升温，使P型原硅片在80～95℃下进行清洗10分钟，其中按体积比双氧水：盐酸：水为1:1:6；最后冲水清洗干净并烘干；
（3）硼杂质扩散：将预处理后的P型原硅片放置于炉内，加热升温，在1200～1300℃条件下进行硼杂质的扩散，然后降温至500～600℃出炉，在P型原硅片的上下表面上形成P+扩散层；
（4）晶分/清洗：将步骤（3）完成硼杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再放置于纯水内冲水清洗1小时，所述的氢氟酸为电子级；
（5）磷杂质扩散：在200～400℃条件下进炉，加热升温至900℃进行第一段磷杂质扩散；再加热升温至1200～1300℃条件下进行第二段磷杂质扩散，完成整个磷杂质扩散，形成磷杂质扩散层，最后降温至500～600℃出炉，P+扩散层与磷杂质扩散层之间形成U型PN结；
（6）晶分/清洗：将步骤（5）完成磷杂质扩散的P型原硅片放置于氢氟酸内浸泡分开，再在纯水内冲水清洗1小时；所述的氢氟酸为电子级；
（7）台面加工：喷砂；去砂清洗；氧化退火；一刻；台面腐蚀；
（8）钝化前清洗：首先将完成步骤（7）的晶片用由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配比而成的混合酸清洗一分钟后，其中按体积比硝酸：氢氟酸：冰乙酸为18:1:1；然后冲水清洗10分钟后，再放入由氢氟酸和水配比而成的溶液中除去氧化层，其中按体积比氢氟酸：水为1:1；最后在80～95℃下加热清洗10分钟；
（9） 钠离子的清洗：将完成步骤（8）的晶片放入石英管中加热至1200℃并注入氯气和氧气，其中按体积比氯气：氧气为1:4；进行U型PN结处钠离子的清洗，清洗时间为30～60分钟；
（10）玻璃钝化：玻璃保护；二刻；玻璃腐蚀；
（11）成品制作：镀镍前清洗；镀镍/合金；划片；测试；包装。
2.根据权利要求1所述的低压芯片的生产工艺，其特征在于，所述步骤（3）中硼杂质扩散的温度为1200～1240℃。
3.根据权利要求1所述的低压芯片的生产工艺，其特征在于，所述步骤（5）中第二段磷杂质扩散的温度为1220～1260℃。
4.根据权利要求1所述的低压芯片的生产工艺，其特征在于，所述步骤（5）中U型PN结的扩散结深大于23微米。
5.根据权利要求1所述生产工艺制备的低压芯片，其特征在于，包括P型原硅片，该P型原硅片的上表面与下表面均覆有P+扩散层；P+扩散层通过U型PN结结构与磷杂质扩散层相连接；磷杂质扩散层位于U型PN结结构的凹槽内，磷杂质扩散层的上表面覆有合金层；在U型PN结结构的两个直立端端部上均有掺氯氧化层，在掺氯氧化层上覆有玻璃钝化层。
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