CN103098139A - 用以在移动装置处起始内务操作的***及方法 - Google Patents

用以在移动装置处起始内务操作的***及方法 Download PDF

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Abstract

本发明揭示一种用以在移动装置处起始内务操作的***及方法。在特定实施例中，一种在移动装置处的方法包括响应于确定所述移动装置处于充电模式中而修改经调度的内务操作。

Description

用以在移动装置处起始内务操作的***及方法
技术领域
本发明大体上涉及在移动装置处起始内务操作。
背景技术
技术的进步已产生较小且较强大的计算装置。举例来说，当前存在多种便携式个人计算装置，包括无线计算装置，例如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)及寻呼装置，其体积小、重量轻且易于由用户携带。更具体来说，便携式无线电话(例如，蜂窝式电话及因特网协议(IP)电话)可经由无线网络传递语音及数据包。另外，许多此类无线电话包括并入于其中的其它类型的装置。举例来说，无线电话还可包括数码照相机、数码摄影机、数字记录器及音频文件播放器。而且，此类无线电话可处理可执行指令，包括可用以接入因特网的软件应用程序(例如，网站浏览器应用程序)。因而，这些无线电话可包括相当大的计算及数据存储能力。
移动装置的计算及数据存储能力的可靠性部分地取决于移动装置处的内务操作的执行。举例来说，移动装置的存储器可周期性地执行错误校正内务操作或自刷新内务操作以维持存储于存储器处的数据的完整性。然而，在移动装置处执行内务操作会消耗电力资源，此可负面地影响移动装置继续执行其它功能的能力。
发明内容
本发明描述一种控制内务操作的起始的方法。当移动装置处于非充电模式中时，所述方法包含通过延迟内务操作直到所述移动装置转变到充电模式为止来节省所述移动装置的电池寿命。通过将所述内务操作的执行重新调度到所述移动装置的性能不取决于电池寿命的时间，可延长在非充电模式期间移动装置的操作。
在特定实施例中，揭示一种方法，所述方法包括在移动装置处响应于确定所述移动装置处于充电模式中来修改经调度的内务操作。
在另一特定实施例中，揭示一种内务操作的基于策略的卸载方法。所述方法包括检测移动装置处于充电模式中。所述方法还包括响应于检测到所述移动装置处于所述充电模式中，根据***层级策略在所述移动装置处起始内务操作。
在另一特定实施例中，揭示一种设备，所述设备包括经配置以执行内务操作的第一装置。所述设备还包括电力管理集成电路，其经配置以确定是否在所述内务操作的经调度的起始时间之前在所述第一装置处起始所述内务操作。所述确定至少部分地基于所述设备是否正在充电。
在另一特定实施例中，一种方法包括基于在装置外部控制的可调整***层级策略来放宽所述装置的物理设计要求。所述可调整的***层级策略控制内务操作的执行。
所揭示的实施例中的至少一者所提供的一个特定优点为，可在非充电模式期间通过延迟内务操作的执行直到移动装置正在充电为止来节省对移动装置的电池的电力消耗以避免耗用电池。
基于可调整的***层级策略在装置处执行内务操作的所揭示实施例中的至少一者所提供的另一特定优点为，可通过放宽装置的设计要求来减小装置的成本及复杂性。举例来说，移动装置的存储器可经设计以通过产生比工业标准所指定者更频繁地调度并起始内务操作(例如，错误校正及自刷新)的可调整***层级策略来具有比工业标准低的数据留存。在此情况下，可通过在电池正在充电时执行内务操作来减小执行较多内务操作对电池性能的影响。
本发明的其它方面、优点及特征将在审阅包括以下章节的整个申请案之后变得显而易见：附图说明、具体实施方式及权利要求书。
附图说明
图1为基于移动装置是否正在充电来起始内务操作的移动装置的特定说明性实施例的框图；
图2为图1的移动装置的第二说明性实施例的框图；
图3为图1的移动装置的第三说明性实施例的框图；
图4为描绘可如何调整装置的内务操作的执行速率以补偿装置的物理设计参数的放宽的曲线图；
图5为基于移动装置是否正在充电来在移动装置处起始内务操作的方法的特定说明性实施例的流程图；
图6为基于移动装置是否正在充电来在移动装置处起始内务操作的方法的第二说明性实施例的流程图；
图7为内务操作的基于策略的卸载方法的特定实施例的流程图；
图8为设计基于移动装置是否正在充电来起始内务操作的移动装置的方法的特定说明性实施例的流程图；
图9为包括电力管理集成电路的无线通信装置的特定实施例的框图，所述电力管理集成电路基于所述无线通信装置是否正在充电来起始内务操作；及
图10为说明用于与基于移动装置是否正在充电来起始内务操作的移动装置一起使用的制造过程的数据流程图。
具体实施方式
参看图1，揭示移动装置100的特定实施例，所述移动装置100基于移动装置100是否正在充电来起始内务操作。移动装置100包括电力管理集成电路(PMIC)102及第一装置104。第一装置104可为非易失性存储器、易失性存储器或移动装置100内的任何其它组件或装置。第一装置104可执行内务操作以维持第一装置104的性能。举例来说，存储器装置可周期性地执行自刷新内务操作或错误校正码(ECC)内务操作以维持存储于存储器装置处的数据的完整性。
PMIC102可经配置以至少部分地基于移动装置100是在充电模式中(例如，移动装置100被***到外部电源中)还是在非充电模式中(例如，移动装置100未***电且依靠内部电池工作)来控制是否执行内务操作。举例来说，PMIC102可延迟在非充电模式中的移动装置100处的内务操作直到移动装置100***上电源为止。在此情况下，PMIC102可响应于移动装置100处于充电模式中的确定130来将用以起始内务操作的命令120传输到第一装置104。
PMIC102还可在移动装置100处于非充电模式中时将用以起始内务操作的命令120传输到第一装置104。举例来说，PMIC102可包括内务定时器110，所述内务定时器110指示从内务操作的周期性循环的开始所经过的时间172。阈值170可表示内务操作的经调度起始。当内务定时器110超过阈值170时，PMIC102可将用以起始经调度的内务操作的命令120传输到第一装置104。举例来说，为了维持存储器的性能，可在阈值170被超过之前执行自刷新内务操作。
在第一装置104起始内务操作之后，移动装置100可能从充电模式改变到非充电模式，从而使得内务操作的执行成为对移动装置100的有限电力资源(例如，电池)的耗用。举例来说，可从外部电源拔掉移动装置100且移动装置100可开始依靠内部电池工作。响应于移动装置100正从充电模式转变到非充电模式或已从充电模式转变到非充电模式的确定150，第一装置104可从PMIC102接收用以暂停内务操作的命令152。PMIC102可响应于移动装置100正从非充电模式转变到充电模式或已从非充电模式转变到充电模式的确定154来将用以恢复内务操作的命令156传输到第一装置104。PMIC102可响应于接收到内务操作已完成的指示158来复位内务定时器110。通过基于移动装置100是否正在充电来控制内务操作，可在非充电模式期间节省移动装置100的电力资源。
参看图2，描绘图1的具有电力管理集成电路(PMIC)102的移动装置100的特定实施例。如图2中所描绘的移动装置100包括非易失性存储器210及包括易失性存储器214的芯片上***(SoC)212。移动装置100还可包括一个或一个以上额外装置216。PMIC102可基于移动装置100是否正在充电而在非易失性存储器210、SoC212及一个或一个以上额外装置216处延迟内务操作的执行。
PMIC102可包括一个或一个以上定时器，其中每一者专用于跟踪用以执行内务操作的周期性循环的所经过时间。举例来说，如果PMIC102调度错误校正码(ECC)内务操作的周期性执行，则ECC定时器202可经设定以跟踪从ECC内务操作循环开始的第一所经过的时间280。刷新定时器204可指示从非易失性存储器210处的自刷新内务循环的开始的第二所经过的时间282。作为另一实例，PMIC102可包括传送定时器206，所述传送定时器206指示从传送内务操作循环开始的第三所经过的时间284。
PMIC102还可包括一个或一个以上***层级策略208，所述一个或一个以上***层级策略208控制调度内务操作且控制是否在内务操作的经调度起始时间之前起始所述内务操作。举例来说，***层级策略208可包括ECC内务操作策略218，所述ECC内务操作策略218控制在非易失性存储器210处延迟还是执行ECC内务操作。为了说明，根据ECC内务操作策略218，PMIC102可在移动装置100正在充电时将用以起始ECC内务操作的命令259传输到非易失性存储器210。ECC内务操作策略218还可指定PMIC102响应于ECC定时器202的第一所经过的时间280超过ECC阈值290(例如，24小时)而传输用以起始ECC内务操作的命令259。
作为另一实例，***层级策略208可包括自刷新内务操作策略220，所述自刷新内务操作策略220控制非易失性存储器210是否执行自刷新内务操作。为了说明，根据自刷新内务操作策略220，PMIC102可在移动装置100正在充电时将用以起始自刷新内务操作的命令252传输到非易失性存储器210。自刷新策略220还可指定PMIC102响应于刷新定时器204的第二所经过的时间282超过刷新阈值292来传输用以起始自刷新内务操作的命令252。
***层级策略208可包括传送到非易失性存储器策略222，其指示是否可将存储于易失性存储器214处的数据传送到非易失性存储器210。举例来说，根据传送策略222，PMIC102可在移动装置100正在充电时将用以起始所述传送内务操作的命令254传输到SoC212。传送策略222还可指定PMIC102响应于传送定时器206的第三所经过的时间284超过传送阈值294而传输用以起始传送内务操作的命令254。
***层级策略208还可包括控制一个或一个以上额外装置216处的内务操作的任何额外策略224。举例来说，PMIC102可至少部分地基于额外策略224中的一者或一者以上且基于移动装置100处于充电模式中的确定130来将用以起始额外内务操作的命令256传输到一个或一个以上额外装置216。另外，PMIC102可基于其它***状态信息228(例如，与电力资源有关的信息，例如电池的电力电平)来起始一个或一个以上内务操作。通过基于移动装置100是否正在充电来控制内务操作，可在非充电模式期间节省移动装置100的电力资源。
参看图3，描绘图1的具有电力管理集成电路(PMIC)102的移动装置100的特定实施例。移动装置100包括字线332，所述字线332耦合到用以存储数据的代表性位单元306且耦合到用以存储对应于存储在位单元306中的数据的错误校正数据(例如，奇偶校验位)的代表性错误校正码(ECC)单元308。移动装置100可包括用以读取及处理来自位单元306的数据及来自ECC单元308的错误校正数据的电路，例如读取感测放大器310、第一ECC树状结构模块312、ECC校正子位计算及错误校正模块314以及数据输出缓冲器316。移动装置100还可包括用以将数据及错误校正数据分别写入到位单元306中及写入到ECC单元308中的电路，例如写入驱动器电路320、第二ECC树状结构模块322以及数据输入缓冲器324。
在操作期间，PMIC102可控制是否对位单元306执行自刷新内务操作。举例来说，PMIC102可将用以起始自刷新内务操作的命令252传输到内部刷新计数器302。响应于接收到用以起始自刷新内务操作的命令252，内部刷新计数器302可产生刷新地址342并将其传输到地址解码器304。地址解码器304可转变字线332的电压电平，此使得数据能够被写入在位单元306处。举例来说，位单元306可包括电阻性存储器元件330，所述电阻性存储器元件330可接收经由位线324存储且经由感测线326读取的数据。晶体管328可基于字线332的电压来控制对电阻性存储器元件330的存取。为了说明，位单元306可为自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)的存储器单元，且电阻性存储器元件330可包括磁性隧道结(MTJ)装置。
读取感测放大器310可读取存储于位单元306中的数据及存储于ECC单元308处的错误校正数据。可将从位单元306读取的数据连同对应于ECC字的其它数据(例如，沿字线332的在读取操作期间存取的多个位单元)提供到第一ECC树状结构模块312，以产生被提供到ECC校正子位计算及错误校正模块314的奇偶校验位计算。ECC校正子位计算及错误校正模块314可接收ECC树状结构模块312的输出及ECC位(例如，从ECC单元308读取的ECC位)。ECC校正子位计算及错误校正模块314可产生校正子位且使用校正子位来校正对应于ECC字的数据中的错误。可将经校正的数据输出到数据输出缓冲器316。
在校正之后，所述数据可经重新编码且被存储回到所述单元(例如，数据位被存储于位单元306中且奇偶校验位被存储于ECC单元308中)。可将所述数据提供到基于经校正数据来计算一个或一个以上奇偶校验位的第二ECC树状结构模块322。写入驱动器电路320将所述经校正数据及奇偶校验写入到包括位单元306及ECC单元308的存储器阵列。
因此，从存储器读取的数据可经校正、重新编码且被写入回到存储器。通过基于PMIC102来在ECC内务操作期间控制针对位单元306的读取及写入，可在不耗用移动装置100的电池的时间执行ECC内务操作。然而，可依据如何定义ECC策略来在电池模式期间执行ECC内务。
尽管相对于ECC校正进行了描述，但在其它实施例中，图3中所描绘的***可替代性地或额外地用以在无错误校正的情况下执行非易失性自刷新。举例来说，响应于移动装置100进入充电模式，PMIC102可产生针对非易失性存储器的一系列刷新命令。内部刷新计数器302可产生刷新地址以执行自刷新命令。
如图3中所说明，可将ECC/刷新管理移动到非关键路径以减小或移除对***性能的影响，且可频繁地检测并校正位错误以防止可最终使得ECC失效的位错误的累积。另外，图3的***通过放宽数据留存准则来实现存储器单元的较低应力/能量。举例来说，因为根据基于***的策略来控制ECC/刷新，所以与可经历长的不活动周期且因此必须使用较高能量来写入数据以实现较长的数据留存以便减小数据损毁的***相比，可使用较少能量来存储数据。
参看图4，曲线图400描绘可如何调整装置的内务操作的执行的速率402以补偿装置的物理设计参数404(例如，数据留存能力、写入电力、设计大小)的放宽。
工业设计参数标准406可需要工业内务执行速率408以维持图1的移动装置100的适当性能470。当基于图2的***层级策略208中的一者来控制移动装置的装置(例如，非易失性存储器)的内务操作的执行时，可放宽设计参数404。举例来说，通过增大内务执行速率，可减小移动装置100的非易失性存储器的数据留存能力，因此减小了非易失性存储器的成本且提供了相对于工业设计参数标准406的有竞争力的改进。为了说明，***层级策略可指定第一内务执行速率414以维持第一经放宽的设计参数410的适当性能470。第一内务执行速率414可高于工业内务执行速率408，从而使得能够设计第一经放宽的设计参数410而具有与工业设计参数标准406相比较低的数据留存能力。作为另一实例，可设计第二经放宽的设计参数412以通过在***层级策略中指定具有较高内务执行速率(相对于工业内务执行速率408及第一内务执行速率414)的第二内务执行速率416来具有相对于工业标准的另外的有竞争力的改进480。
可由于根据***层级刷新策略的周期性刷新而放宽其它物理设计参数。举例来说，在非易失性存储器中，可通过另外的电路优化(例如，通过将写入驱动器小型化)来节省电力。作为另一实例，可通过降低存储器单元所经历的应力(例如，通过降低电压)来改进可靠性。作为又一实例，可将单元滞后要求与对较低应力/能量的留存进行取舍。放宽设计参数可使得能够以经减小的成本或用较简单的组件构建移动装置。
参看图5，揭示基于移动装置的充电模式在移动装置处起始错误校正码(ECC)内务操作的方法500的特定实施例。方法500在框502处开始，其中移动装置在502处基于ECC***层级策略决定是否执行ECC内务操作，所述ECC***层级策略例如为指示何时开始ECC内务操作的开始策略、指示何时停止ECC内务操作的退出策略、指示是否在活动模式中执行ECC内务操作的活动/待机策略、指示是否在电池模式中执行ECC内务操作的电池模式策略、指示是否可延迟ECC内务操作的定时器策略、指示是否准许与ECC内务操作有关的中断的中断策略，及指示是否可响应于异常(例如，移动装置的重新启动或关机)来执行ECC内务操作的异常策略。
在框504处，芯片上***(SoC)电力控制可指示ECC异常是否已发生。如果在框506处ECC异常已发生，则移动装置决定是执行ECC内务操作还是以其它方式处置ECC异常，例如根据ECC异常策略。如果在506处ECC异常尚未发生，则在框508处复位ECC定时器且在框510处起始隐藏的ECC内务操作。在框512处，进行移动装置是否处于待机模式中的确定。如果移动装置不在待机模式中，则所述方法经由框546进行到框530。如果移动装置处于待机中，则所述方法进行到框514，在框514处进行移动装置是否处于充电模式中的确定。如果移动装置不正在充电，则在框516处进行是否可以耗用移动装置的电池的确定。举例来说，ECC电池模式策略可指示可耗用电池的条件。如果可耗用电池，则所述方法进行到框522以调度ECC内务操作。如果不可耗用电池，则可在框518处进行ECC定时器是否已期满的确定。响应于确定ECC定时器尚未期满，所述方法返回到框514。如果ECC定时器已期满，则在520处产生ECC异常且经由框544将其传输到框504。
返回到框514，响应于确定移动装置正在充电，可在框522处起始ECC内务操作的执行(即，调度ECC内务操作)。在起始ECC内务操作之后，在框524处进行移动装置是否正从待机模式转变到活动模式或已从待机模式转变到活动模式的确定。如果移动装置转变到活动模式，则可在框526处暂停ECC内务操作。在此情况下，在框528处进行移动装置是否从活动模式转变到待机模式的确定。响应于移动装置转变到待机模式，可在框536处恢复ECC内务操作。返回到框528，如果移动装置不正在转变到待机模式，则进行ECC定时器是否已期满(例如，所经过的时间超过了阈值)的确定。如果ECC定时器尚未期满，则所述方法返回到框528。如果ECC定时器已期满，则可在框532处产生低优先级中断。在框538处，进行是否准许中断的确定。如果准许中断，则所述方法进行到框536。如果不准许中断，则产生ECC异常且经由框544将其传输到框504。
返回到框536，所述方法进行到框534，在框534处进行ECC内务操作是否完成的确定。如果ECC内务操作未完成，则所述方法返回到框524。如果ECC内务操作已完成，则所述方法在框542处确定ECC定时器是否已期满。如果ECC定时器尚未期满，则所述方法返回到框542。如果ECC定时器已期满，则在框508处复位ECC定时器。
参看图6，揭示基于移动装置是否正在充电而在移动装置处起始内务操作的方法600的特定实施例。方法600包括在602处在移动装置处响应于确定移动装置处于充电模式中来修改经调度的内务操作。所述内务操作可经调度以在内务定时器(例如，图1的内务定时器110)超过阈值时起始。在图1的实例中，响应于移动装置100正在充电的确定130，电力管理集成电路102可传输在移动装置100处起始内务操作的命令120。所述内务操作可包括错误校正操作、存储器自刷新操作、从易失性存储器到非易失性存储器的传送操作或其任何组合。
方法600还可包括在604处响应于检测到移动装置正从充电模式转变到非充电模式来暂停内务操作。举例来说，在图1中，响应于移动装置100正从充电模式转变到非充电模式的确定150，电力管理集成电路102传输暂停内务操作的命令152。
方法600还可包括在606处响应于检测到移动装置正从非充电模式转变到充电模式来恢复内务操作。举例来说，在图1中，响应于移动装置100正从非充电模式转变到充电模式的确定154，电力管理集成电路102传输恢复内务操作的命令156。
方法600还可包括在608处响应于内务操作的完成来复位内务定时器。举例来说，在图1中，电力管理集成电路102可响应于内务操作已完成的指示158来复位内务定时器110。
参看图7，揭示内务操作的基于策略的卸载方法700的特定实施例。方法700包括在702处检测移动装置处于充电模式中。举例来说，在图2中，电力管理集成电路102进行移动装置100处于充电模式中的确定130。
在704处，响应于检测到移动装置处于充电模式中，根据***层级策略在移动装置处起始内务操作。所述内务操作可应用于移动装置内的第一装置。举例来说，第一装置可为芯片上***及存储器中的一者。可在第一装置外部控制所述***层级策略。举例来说，在图2中，响应于移动装置100处于充电模式中的确定130，电力管理集成电路102根据相关联的***层级策略218到224经由命令250到256来起始在非易失性存储器210、SoC212及额外装置216处的内务操作。所述***层级策略可为用户可编程的。
***层级策略可包括在移动装置处于充电模式中时在经调度的时间之前起始内务操作。另外，***层级策略可包括响应于确定内务定时器超过阈值而在移动装置处于非充电模式中时起始内务操作。所述内务定时器跟踪自从内务操作的先前完成以来所经过的时间。举例来说，图5的ECC定时器跟踪自从在框508处复位ECC定时器且在框510处开始ECC内务操作以来所经过的时间。
参看图8，揭示设计基于移动装置是否正在充电来起始内务操作的移动装置的方法800的特定实施例。方法800包括在802处选择***层级策略。举例来说，在图2中，移动装置100选择***层级策略(例如，ECC内务操作策略218、自刷新内务操作策略220、传送到非易失性存储器策略222或额外策略224)。作为另一实例，在图4中，说明基于***层级策略对内务执行速率402的选择。
方法800还包括在804处基于在装置外部控制的可调整***层级策略来放宽装置(例如，非易失性存储器210、芯片上***212及额外装置216)的物理设计要求，其中所述可调整的***层级策略控制内务操作的执行。举例来说，在图2中，电力管理集成电路102可控制指定何时在装置处执行内务操作的***层级策略(例如，错误内务操作策略218、自刷新策略220、传送到非易失性存储器策略222或额外策略224)。作为另一实例，在图4中，基于如在***层级策略中所选择的内务执行速率402来放宽设计参数404。
作为实例，放宽物理设计要求可包括减小针对装置的数据写入操作的数据写入电流的写入电流。作为另一实例，放宽设计要求可包括基于***层级策略选择装置的数据留存特性。选择数据留存特性可包括减小移动装置中的存储器的留存能力。可响应于在***层级策略中选择存储器的刷新速率的增大来减小存储器的留存能力。举例来说，在图4中，响应于选择存储器的经增大的刷新速率(内务执行速率402从工业最小要求408增大到第一内务执行速率414)而减小装置中的存储器的留存能力404(从工业标准406减小到第一经放宽的设计参数410)。
图9为包括图1的电力管理集成电路102的无线通信装置900的实施例的框图。所述无线通信装置900可实施为便携式无线电子装置，所述便携式无线电子装置包括耦合到存储器932的处理器910(例如，数字信号处理器(DSP))。
电力管理集成电路(PMIC)102可基于无线通信装置900是否正在充电的确定而控制无线通信装置900内的装置中的一者或一者以上的内务操作。PMIC102可监视电池964及电力供应器944以确定无线通信装置900是否正在充电。电力管理集成电路102可包括图1到3中所描述的一个或一个以上组件、存储器或电路，且根据图5到8的方法或其任何组合操作。
在特定实施例中，显示器控制器926耦合到处理器910且耦合到显示装置928。编码器/解码器(编解码器)934也可耦合到处理器910。扬声器936及麦克风938可耦合到编解码器934。无线控制器940可耦合到处理器910且耦合到无线天线942。
存储器932可包括存储可由处理器(例如，处理器910)执行的指令(例如，软件935)的计算机可读媒体。举例来说，软件935可包括可由处理器910或PMIC102中的处理器执行以检测移动装置(例如，图1的移动装置)处于充电模式中的指令。软件935还可包括可由处理器执行以响应于检测到移动装置(例如，图1的移动装置100)处于充电模式中而根据***层级策略在移动装置处起始内务操作的指令。
在特定实施例中，PMIC102、信号处理器910、显示器控制器926、存储器932、编解码器934及无线控制器940包括于***级封装装置922中。在特定实施例中，输入装置930及电力供应器944耦合到***级封装装置922。此外，在特定实施例中，如图9中所说明，显示装置928、输入装置930、扬声器936、麦克风938、无线天线942及电力供应器944在***级封装装置922外部。然而，显示装置928、输入装置930、扬声器936、麦克风938、无线天线942及电力供应器944中的每一者均可耦合到***级封装装置922的组件，例如接口或控制器。
前文所揭示的装置及功能性可经设计且经配置成存储于计算机可读媒体上的计算机文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)。可将一些或所有此类文件提供到基于所述文件来制造装置的制造处置器。所得产品包括半导体晶片，所述半导体晶片接着被切割为半导体裸片且被封装为半导体芯片。接着将所述芯片用于以上所描述的装置中。
图10描绘电子装置制造过程1000的特定说明性实施例。在制造过程1000处(例如，在研究计算机1006处)接收物理装置信息1002。物理装置信息1002可包括表示半导体装置的至少一个物理性质的设计信息，所述半导体装置例如为图1到3的电力管理集成电路102、图2的非易失性存储器210或易失性存储器214、图3的存取晶体管328或电阻性存储器元件330，或其任何组合。举例来说，物理装置信息1002可包括物理参数、材料特性，及经由耦合到研究计算机1006的用户接口1004所输入的结构信息。研究计算机1006包括耦合到计算机可读媒体(例如，存储器1010)的处理器1008(例如，一个或一个以上处理核心)。存储器1010可存储计算机可读指令，所述计算机可读指令可执行以使处理器1008变换物理装置信息1002以符合文件格式且产生库文件1012。
在特定实施例中，库文件1012包括至少一个数据文件，所述至少一个数据文件包括经变换的设计信息。举例来说，库文件1012可包括半导体装置的库，所述半导体装置包括包含图1到3的电力管理集成电路102或其任何组合的装置，所述库经提供以与电子设计自动化(EDA)工具1020一起使用。
可在设计计算机1014处结合EDA工具1020来使用库文件1012，所述设计计算机1014包括耦合到存储器1018的处理器1016(例如，一个或一个以上处理核心)。可将EDA工具1020存储为存储器1018处的处理器可执行指令，以使得设计计算机1014的用户能够设计库文件1012的电路，所述电路包括包含图1到3的电力管理集成电路102或其任何组合的装置。举例来说，设计计算机1014的用户可经由耦合到设计计算机1014的用户接口1024输入电路设计信息1022。电路设计信息1022可包括表示半导体装置(例如，包括图1到3的电力管理集成电路102或其任何组合的装置)的至少一个物理性质的设计信息。为了说明，电路设计性质可包括特定电路的识别及与电路设计中的其它元件的关系、定位信息、特征大小信息、互连信息，或表示半导体装置的物理性质的其它信息。
设计计算机1014可经配置以使得设计者能够基于可调整***层级策略来放宽装置的物理设计要求，所述可调整***层级策略是在所述装置外部被控制且控制内务操作的执行。举例来说，设计计算机1014可执行存储器1018处的可执行指令，所述可执行指令可由设计计算机1014的处理器执行以选择***层级策略或接收用户对***层级策略的选择且放宽设计要求或接收放宽所述设计要求的用户输入。举例来说，放宽设计要求可包括基于***层级策略选择装置的数据留存特性。设计计算机1014可实现关于图8所描述的方法的执行。
设计计算机1014可经配置以变换设计信息(包括电路设计信息1022)以符合文件格式。为了说明，所述文件形成可包括数据库二进制文件格式，所述数据库二进制文件格式表示平面几何形状、文本标签及呈阶层格式(例如，图形数据***(GDSII)文件格式)的关于电路布局的其它信息。设计计算机1014可经配置以产生包括经变换的设计信息的数据文件(例如，GDSII文件1026)，除了其它电路或信息之外，所述数据文件还包括描述图1到3的电力管理集成电路102、具有经放宽的物理设计要求的装置(例如，图2的非易失性存储器210、图2的易失性存储器214或图3的位单元306)或其任何组合的信息。为了说明，所述数据文件可包括对应于芯片上***(SOC)的信息，所述芯片上***(SOC)包括图1到3的电力管理集成电路102且还包括SOC内的额外电子电路及组件(例如，具有经放宽的物理设计要求的装置，例如图2的非易失性存储器210、图2的易失性存储器214或图3的位单元306)。
可在制造过程1028处接收GDSII文件1026，以根据GDSII文件1026中的经变换的信息制造图1到3的电力管理集成电路102、具有经放宽的物理设计要求的装置(例如，图2的非易失性存储器210、图2的易失性存储器214或图3的位单元306)或其任何组合。举例来说，装置制造过程可包括将GDSII文件1026提供到掩模制造者1030以产生一个或一个以上掩模，例如用于光刻处理的掩模(被说明为代表性掩模1032)。可在制造过程期间使用掩模1032以产生一个或一个以上晶片1034，所述一个或一个以上晶片1034可经测试并被分离为裸片，例如代表性裸片1036。裸片1036包括电路，所述电路包括包含图1到3的电力管理集成电路102的装置、具有经放宽的物理设计要求的装置(例如，图2的非易失性存储器210、图2的易失性存储器214，或图3的位单元306)，或其任何组合。
可将裸片1036提供到封装过程1038，在封装过程1038处将裸片1036并入到代表性封装1040中。举例来说，封装1040可包括单一裸片1036或多个裸片(例如，***级封装(SiP)布置)。封装1040可经配置以符合一种或一种以上标准或规范，例如联合电子装置工程设计协会(Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC)标准。
可(例如)经由存储于计算机1046处的组件库将关于封装1040的信息分配给各个产品设计者。计算机1046可包括耦合到存储器1050的处理器1048(例如，一个或一个以上处理核心)。可将印刷电路板(PCB)工具存储为存储器1050处的处理器可执行指令，以处理经由用户接口1044从计算机1046的用户所接收的PCB设计信息1042。PCB设计信息1042可包括电路板上的经封装半导体装置的物理定位信息，所述经封装半导体装置对应于封装1040，其包括图1到3的电力管理集成电路102、具有经放宽的物理设计要求的装置(例如，图2的非易失性存储器210、图2的易失性存储器214，或图3的位单元306)，或其任何组合。
计算机1046可经配置以变换PCB设计信息1042以产生数据文件，例如GERBER文件1052，其具有包括电路板上的经封装半导体装置的物理定位信息以及电连接(例如，迹线及通孔)的布局的数据，其中经封装半导体装置对应于封装1040，其包括图1到3的电力管理集成电路102、具有经放宽的物理设计要求的装置(例如，图2的非易失性存储器210、图2的易失性存储器214，或图3的位单元306)或其任何组合。在其它实施例中，通过经变换的PCB设计信息所产生的数据文件可具有不同于GERBER格式的格式。
可在板组装过程1054处接收GERBER文件1052，且将GERBER文件1052用以产生根据存储于GERBER文件1052内的设计信息而制造的PCB(例如，代表性PCB1056)。举例来说，可将GERBER文件1052上载到用以执行PCB生产过程的各个步骤的一个或一个以上机器。PCB1056可填入有包括封装1040的电子组件以形成代表性印刷电路组装件(PCA)1058。
可在产品制造过程1060处接收PCA1058且将其集成到一个或一个以上电子装置中，例如第一代表性电子装置1062及第二代表性电子装置1064。作为说明性的非限制实例，第一代表性电子装置1062、第二代表性电子装置1064或所述两者可选自以下各者的群组：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元及计算机，电力管理集成电路102被集成到所述装置中。作为另一说明性的非限制实例，电子装置1062及1064中的一者或一者以上可为远程单元，例如移动电话、手持式个人通信***(PCS)单元、例如个人数据助理等便携式数据单元、具备全球定位***(GPS)功能的装置、导航装置、例如仪表读取设备等固定位置数据单元，或者存储或检索数据或计算机指令的任何其它装置，或其任何组合。尽管图10说明根据本发明的教示的远程单元，但本发明并不限于这些示范性的经说明单元。本发明的实施例可合适地用于包括有源集成电路(包括存储器及芯片上电路)的任何装置中。
如在说明性过程1000中所描述，包括或配置有经放宽的物理设计要求以与图1到3的电力管理集成电路102或其任何组合一起使用的装置可经制造、处理并被并入到电子装置中。关于图1到9所揭示的实施例的一个或一个以上方面可包括于各个处理阶段中(例如，包括于库文件1012、GDSII文件1026及GERBER文件1052内)以及存储于研究计算机1006的存储器1010、设计计算机1014的存储器1018、计算机1046的存储器1050、在各个阶段中(例如，在板组装过程1054处)使用的一个或一个以上其它计算机或处理器(未图示)的存储器处，且还并入到一个或一个以上其它物理实施例(例如，掩模1032、裸片1036、封装1040、PCA1058、例如原型电路或装置(未图示)等其它产品或其任何组合)中。虽然描绘了从物理装置设计到最终产品的各个代表性生产阶段，但在其它实施例中，可使用较少阶段或可包括额外阶段。类似地，过程1000可由单一实体或由执行过程1000的各个阶段的一个或一个以上实体执行。
所属领域的技术人员将进一步了解，结合本文中所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、配置、模块、电路及算法步骤可实施为电子硬件、由处理器执行的计算机软件或两者的组合。上文已大体上在其功能性方面描述了各种说明性组件、块、配置、模块、电路及步骤。将所述功能性实施为硬件还是处理器可执行指令视特定应用及强加于整个***的设计约束而定。对于每一特定应用，熟练的技术人员可以变化的方式实施所描述的功能性，但不应将所述实施方案决策解释为导致脱离本发明的范围。
结合本文中所揭示的实施例所描述的方法或算法的步骤可直接体现于硬件中、由处理器执行的软件模块中或所述两者的组合中。软件模块可驻存于随机存取存储器(RAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、自旋力矩转移磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)、快闪存储器、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸式磁盘、压缩光盘只读存储器(CD-ROM)或此项技术中已知的任一其它形式的非暂时存储媒体中。示范性存储媒体耦合到处理器，使得处理器可从存储媒体读取信息及将信息写入到存储媒体。在替代方案中，存储媒体可与处理器成一体式。处理器及存储媒体可驻存于专用集成电路(ASIC)中。ASIC可驻存于计算装置或用户终端中。在替代方案中，处理器及存储媒体可作为离散组件驻存于计算装置或用户终端中。
提供所揭示的实施例的先前描述以使所属领域的技术人员能够制作或使用所揭示的实施例。对于所属领域的技术人员来说，这些实施例的各种修改将易于显而易见，且本文中所定义的原理可在不脱离本发明的范围的情况下应用于其它实施例。因此，本发明不希望限于本文中所展示的实施例，而是应被赋予可能与如所附权利要求书所定义的原理及新颖特征相一致的最广泛范围。

Claims (36)

1.一种方法，其包含：
在移动装置处响应于确定所述移动装置处于充电模式中来修改经调度的内务操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述内务操作包含错误校正操作、存储器自刷新操作、从易失性存储器到非易失性存储器的传送操作或其任何组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含响应于检测到所述移动装置正从所述充电模式转变到非充电模式而暂停所述内务操作。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含响应于检测到所述移动装置正从所述非充电模式转变到所述充电模式而恢复所述内务操作。
5.根据权利要求1所述的方法，其中调度所述内务操作以在内务定时器超过阈值时起始。
6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含响应于所述内务操作的完成来复位所述内务定时器。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在集成到电子装置中的处理器处执行修改所述经调度的内务操作。
8.一种内务操作的基于策略的卸载方法，所述方法包含：
检测移动装置处于充电模式中；及
响应于检测到所述移动装置处于所述充电模式中，根据***层级策略在所述移动装置处起始内务操作。
9.根据权利要求8所述的方法，其中将所述内务操作应用于所述移动装置内的第一装置，且其中在所述第一装置外部控制所述***层级策略。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一装置为芯片上***及存储器中的一者。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述***层级策略包含在所述移动装置处于所述充电模式中时在经调度的时间之前起始所述内务操作。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述***层级策略包含响应于确定内务定时器超过阈值而在所述移动装置处于非充电模式中时起始所述内务操作。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述***层级策略为用户可编程的。
14.根据权利要求8所述的方法，其中在集成到电子装置中的处理器处执行所述充电模式的所述检测及所述内务操作的所述起始。
15.一种方法，其包含：
基于在装置外部控制的可调整***层级策略来放宽所述装置的物理设计要求，其中所述可调整的***层级策略控制内务操作的执行。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述装置包含存储器，且所述方法进一步包含：选择所述***层级策略；且
其中放宽所述设计要求包含基于所述***层级策略选择所述装置的数据留存特性。
17.根据权利要求16所述的方法，其中选择所述数据留存特性包含响应于在所述***层级策略中选择所述装置中的存储器的刷新速率的增大而减小所述存储器的留存能力。
18.根据权利要求15所述的方法，其中放宽所述物理设计要求包含减小用于所述装置处的数据写入操作的写入电流。
19.根据权利要求16所述的方法，其中在集成到电子装置中的处理器处执行所述设计要求的所述放宽。
20.一种设备，其包含：
第一装置，其经配置以执行内务操作；及
电力管理集成电路，其经配置以确定是否在所述内务操作的经调度的起始时间之前在所述第一装置处起始所述内务操作，其中所述确定至少部分地基于所述设备是否正在充电。
21.根据权利要求20所述的设备，其中所述电力管理集成电路实施***层级策略以控制所述内务操作的起始。
22.根据权利要求20所述的设备，其中所述电力管理集成电路进一步经配置以响应于内务定时器超过阈值而指令所述第一装置起始所述内务操作。
23.根据权利要求20所述的设备，其中所述第一装置为存储器。
24.根据权利要求23所述的设备，其中所述内务操作包含在所述存储器处执行错误校正操作。
25.根据权利要求20所述的设备，其集成在至少一个半导体裸片中。
26.根据权利要求20所述的设备，其进一步包含选自由以下各者组成的群组的装置：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机，所述设备被集成到所述装置中。
27.一种设备，其包含：
用于执行内务操作的装置；及
用于至少部分地基于所述设备是否正在充电的确定来确定是否在所述内务操作的经调度的起始时间之前起始所述内务操作的装置。
28.根据权利要求27所述的设备，其集成在至少一个半导体裸片中。
29.根据权利要求27所述的设备，其进一步包含选自由以下各者组成的群组的装置：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机，所述设备被集成到所述装置中。
30.一种方法，其包含：
用于检测移动装置处于充电模式中的第一步骤；及
用于响应于检测到所述移动装置处于所述充电模式中而根据***层级策略在所述移动装置处起始内务操作的第二步骤。
31.根据权利要求30所述的方法，其中由集成到电子装置中的处理器执行所述第一步骤及所述第二步骤。
32.一种存储可由处理器执行的指令的计算机可读有形媒体，所述指令包含：
可由所述处理器执行以检测移动装置处于充电模式中的指令；及
可由计算机执行以响应于检测到所述移动装置处于所述充电模式中而根据***层级策略在所述移动装置处起始内务操作的指令。
33.根据权利要求32所述的计算机可读有形媒体，其中所述指令可由集成在选自由以下各者组成的群组的装置中的处理器执行：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机。
34.一种方法，其包含：
接收包括对应于半导体装置的设计信息的数据文件；及
根据所述设计信息来制造所述半导体装置，
其中所述半导体装置包括：
第一装置，其经配置以执行内务操作；及
电力管理集成电路，其经配置以确定何时在所述第一装置处起始所述内务操作，其中所述确定至少部分地基于设备是否正在充电。
35.根据权利要求34所述的方法，其中所述数据文件包含GDSII格式。
36.根据权利要求34所述的方法，其中所述数据文件包含GERBER格式。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105389225A (zh) * 2015-11-25 2016-03-09 小米科技有限责任公司 触摸屏报点的处理方法及装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101824647B1 (ko) * 2010-10-12 2018-02-02 삼성전자주식회사 디바이스간 동기화 방법, 유저 디바이스, 및 컴퓨터로 읽을 수 있는 저장 매체
US9152202B2 (en) * 2011-06-16 2015-10-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Mobile device operations with battery optimization
WO2014024917A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 京セラ株式会社 携帯端末装置および携帯端末装置の制御方法
KR101369430B1 (ko) * 2012-09-06 2014-03-06 주식회사 팬택 행 현상 관리 장치 및 방법
WO2016073645A1 (en) * 2014-11-04 2016-05-12 Progranalog Corp. Configurable power management integrated circuit
US10282105B2 (en) * 2017-01-20 2019-05-07 International Business Machines Corporation Extending shelf life of non-volatile memory devices

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6018477A (en) * 1998-10-08 2000-01-25 Information Storage Devices, Inc. Intelligent refreshing method and apparatus for increasing multi-level non-volatile memory charge retention reliability
US6249690B1 (en) * 1998-07-10 2001-06-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Portable information equipment system
US20020039916A1 (en) * 2000-10-04 2002-04-04 Nec Corporation Portable telephone apparatus
CN1381126A (zh) * 2000-03-31 2002-11-20 青山真二 一种用于便携式电话的数据备份设备和一种用于便携式电话的备份数据的方法
US20050253554A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 Interdigital Technology Corporation Apparatus for backing up data stored in a portable device
CN1710519A (zh) * 2004-06-18 2005-12-21 乐金电子(中国)研究开发中心有限公司 通过数据备份节省sdram的自刷新消耗电量的方法
CN1728796A (zh) * 2004-07-27 2006-02-01 三洋电机株式会社 便携终端记录***
CN101004634A (zh) * 2006-01-20 2007-07-25 三星电子株式会社 收集非易失性存储器的垃圾块的装置及收集方法
US20070183196A1 (en) * 2006-01-20 2007-08-09 Stmicroelectronics S.A. Non-volatile memory device with periodic refresh and method of programming such a device
CN101326534A (zh) * 2005-12-09 2008-12-17 松下电器产业株式会社 信息通信终端装置和包含该装置的自动备份***
US20090312046A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 International Business Machines Corporation Intelligent wireless power charging system

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5572110A (en) 1994-12-15 1996-11-05 Intel Corporation Smart battery charger system
GB2346291B (en) * 1999-01-26 2004-01-21 Ericsson Telefon Ab L M Handling menu information
JP3709338B2 (ja) 2000-11-22 2005-10-26 日本電気株式会社 携帯電話のユーザー設定情報管理方法とユーザー設定情報管理システム
JP2003109293A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Toshiba Corp ディスク装置を含むシステムにおける環境仕様違反時処理方法及びシステム
US6664760B2 (en) * 2001-11-23 2003-12-16 God Co., Ltd. Cellular phone charger with data backup function and cellular phone data backup device
US7200711B2 (en) 2002-08-15 2007-04-03 Network Appliance, Inc. Apparatus and method for placing memory into self-refresh state
FI20031894A (fi) * 2003-12-22 2005-06-23 Nokia Corp Menetelmä tiedon siirtämiseksi radiojärjestelmässä, radiojärjestelmä ja päätelaite
JP2005189969A (ja) 2003-12-24 2005-07-14 Kureo:Kk データバックアッププログラム、データバックアップ方法、携帯端末およびデータバックアップ装置
US7610057B2 (en) * 2004-04-23 2009-10-27 Microsoft Corporation Selecting a wireless networking technology on a device capable of carrying out wireless network communications via multiple wireless technologies
JP3908760B2 (ja) 2004-10-26 2007-04-25 株式会社東芝 情報端末装置とそのプログラム
US20060158154A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Maurilus Jean R Method and apparatus for backing up data from cell phones and other hand-held devices
US7177222B2 (en) 2005-03-04 2007-02-13 Seagate Technology Llc Reducing power consumption in a data storage system
JP2007148684A (ja) 2005-11-25 2007-06-14 Nec Saitama Ltd メモリチェック装置、携帯端末、携帯電話機およびそのメモリチェック方法
JP5019792B2 (ja) 2006-06-07 2012-09-05 株式会社Ａｃｃｅｓｓ 携帯端末装置
JP4679528B2 (ja) 2007-01-30 2011-04-27 株式会社東芝 リフレッシュトリガー付き半導体記憶装置
US8042022B2 (en) 2007-03-08 2011-10-18 Micron Technology, Inc. Method, system, and apparatus for distributed decoding during prolonged refresh
JP2009054016A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Ricoh Co Ltd 画像形成装置、画像形成方法およびプログラム
US8193573B2 (en) 2007-09-05 2012-06-05 Rambus Inc. Repairing defects in a nonvolatile semiconductor memory device utilizing a heating element
JP2009070325A (ja) 2007-09-18 2009-04-02 Seiko Epson Corp 半導体集積回路装置の設計プログラム、半導体集積回路装置の設計支援システム、半導体集積回路装置の設計方法、半導体集積回路装置及び電子機器
US8223567B2 (en) 2007-12-15 2012-07-17 Qualcomm Incorporated Memory read stability using selective precharge
JP4803536B2 (ja) 2008-01-08 2011-10-26 Ｎｅｃカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 端末装置および端末装置の処理プログラム
US8117519B2 (en) 2008-01-15 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Memory apparatus and method using erasure error correction to reduce power consumption
JP5258021B2 (ja) 2008-01-30 2013-08-07 Ｎｅｃカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 端末装置及びプログラム
US8565729B2 (en) * 2008-01-30 2013-10-22 Motorola Mobility Llc Devices and methods for data transfer during charging of a portable device
JP2010067098A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Sony Corp 情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラム
JP4439578B1 (ja) 2008-12-24 2010-03-24 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリドライブ装置および不揮発性半導体メモリドライブ装置のデータ管理方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6249690B1 (en) * 1998-07-10 2001-06-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Portable information equipment system
US6018477A (en) * 1998-10-08 2000-01-25 Information Storage Devices, Inc. Intelligent refreshing method and apparatus for increasing multi-level non-volatile memory charge retention reliability
CN1381126A (zh) * 2000-03-31 2002-11-20 青山真二 一种用于便携式电话的数据备份设备和一种用于便携式电话的备份数据的方法
US20020039916A1 (en) * 2000-10-04 2002-04-04 Nec Corporation Portable telephone apparatus
US20050253554A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 Interdigital Technology Corporation Apparatus for backing up data stored in a portable device
CN1710519A (zh) * 2004-06-18 2005-12-21 乐金电子(中国)研究开发中心有限公司 通过数据备份节省sdram的自刷新消耗电量的方法
CN1728796A (zh) * 2004-07-27 2006-02-01 三洋电机株式会社 便携终端记录***
CN101326534A (zh) * 2005-12-09 2008-12-17 松下电器产业株式会社 信息通信终端装置和包含该装置的自动备份***
CN101004634A (zh) * 2006-01-20 2007-07-25 三星电子株式会社 收集非易失性存储器的垃圾块的装置及收集方法
US20070183196A1 (en) * 2006-01-20 2007-08-09 Stmicroelectronics S.A. Non-volatile memory device with periodic refresh and method of programming such a device
US20090312046A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 International Business Machines Corporation Intelligent wireless power charging system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105389225A (zh) * 2015-11-25 2016-03-09 小米科技有限责任公司 触摸屏报点的处理方法及装置

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