CN103093962A - 电解电容器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种电解电容器（10），包括：金属壳（12）；设置于所述金属壳内的多孔片状阳极（18）；设置于所述金属壳内的电解质（16）；以及设置于所述金属壳内并围绕所述阳极的由均匀厚度的电泳沉积的金属或金属氧化物的粉末形成的阴极元件（14）。一种制造电解电容器的方法，包括：提供金属壳（12）；在所述金属罐子上电泳沉积难熔金属的氧化物以形成阴极元件（14）；以及将多孔片状阳极（18）和电解质（16）放置在所述罐子内，使得所述阴极元件（14）和所述阳极元件（18）由所述电解质（16）分开。

Description

电解电容器及其制造方法
本申请是申请日为2008年3月20日、发明名称为“电泳沉积的阴极电容器”的专利申请200880128221.X的分案申请。
技术领域
本发明涉及湿电解电容器。
背景技术
使用碳作为阴极的湿电解电容器具有如下局限，诸如非常受限的反向电压和低的电容。使用电化学阴极的湿电解电容器不具有反向电压能力。基于钽的电容器的电和物理性质解决这些局限。相对于任何物质，钽提供每体积最大的电容。湿钽电容器当前使用衬套、圆柱或套管作为阴极。制造和处理薄的钽圆柱是既困难又昂贵的。
所需的是一种工艺和得到的湿电解电容器，湿电解电容器具有先前技术的所有优点和对阳极可用空间的非常受限的侵入，先前技术的优点诸如是高电容、反向电压能力，对阳极可用空间的非常受限的侵入容许较高的完成电容。
因此，本发明的主要目的、特征、或优点是改进现有技术。
本发明的另一目的、特征、或优点是提供一种工艺和湿电解电容器，该湿电解电容器具有高电容、反向电压能力和对阳极可用空间的非常受限的侵入，对阳极可用空间的非常受限的侵入容许较高的完成电容。
本发明的另一目的、特征、或优点是提供用于电解电容器的制造工艺，该工艺是高效的并使用较少的钽或其它阴极材料。
本发明的另一目的、特征、或优点是提供用于电解电容器的制造工艺，其中，阴极材料易于处理。
根据以下公开，本发明的一个或更多这些和/或其它目的、特征、或优点将变得明显。
发明内容
根据本专利的一方面，提供了电解电容器。所述电解电容器包括：金属壳；设置于所述金属壳内的多孔片状阳极；以及设置于所述金属壳内的电解质。所述电解电容器还包括阴极元件，其设置于所述金属壳内并围绕所述阳极，由均匀厚度的电泳沉积的难熔金属或金属氧化物的粉末形成。所述电解电容器还包括连接至所述多孔片状阳极的第一引线电极；以及电连接至所述阴极元件的第二引线。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造电解电容器的方法。所述方法包括：提供金属壳；在所述金属罐子上电泳沉积难熔金属的氧化物以形成阴极元件；以及将多孔片状阳极和电解质放置在所述罐子内，使得所述阴极元件和所述阳极元件由所述电解质分开。
根据本发明的另一方面，提供了一种电解电容器。所述电解电容器包括：金属壳；设置于所述金属壳内的多孔片状阳极；设置于所述金属壳内的电解质；以及由厚度小于20mil（508μm）涂层形成的阴极元件。所述电容器还包括：连接至所述多孔片状阳极的第一引线电极；以及电连接至所述阴极元件的第二引线。
根据本发明的另一方面，提供了一种电解电容器。所述电解电容器包括：具有第一侧和第二相对的第二侧的基底；设置于所述第一侧上的由具有厚度的电泳沉积的金属或金属氧化物的粉末形成的阴极元件；设置于所述阴极元件上的阳极；以及所述阳极和所述阴极元件之间的电解质。
附图说明
图1描绘本发明的电容器的一个实施例；
图2是示出施加于一侧的阴极的横截面视图；
图3是示出施加于两侧的阴极的横截面视图；
图4是电容器的一个实施例的局部透视图。
具体实施方式
本发明提供一种电解电容器，其中，钽涂层（或其它类型的难熔金属或难熔金属的氧化物）用作阴极。
图1提供了本发明的电容器的一个实施例的视图。图1中，电容器10具有基底12，其可以是，但不必须是，预形成的基本圆柱形状的壳或罐子的形式。第一引线30从预形成的罐子12延伸，且相对的第二引线32从预形成的罐子12延伸。图1仅仅是封装的一个范例，并且本发明不限于所示的具体封装，因为本发明具有较宽的适用性。
电容器10具有电泳沉积的阴极。阴极的厚度能够变化，诸如从3mil（0.003英寸或76.2μm）到20mil（0.020英寸或508μm），或者厚得多，诸如数百mil。使用的厚度取决于期望的阴极电容。认识到利用电泳沉积阴极可获得的厚度比利用其它已知技术所需的厚度小也是重要的。所沉积的材料优选地具有大于0.01西门子/cm的电导率。所沉积的材料可以是金属或金属氧化物，优选地是难熔金属或难熔金属的氧化物。将电解质引入电容器的区域中。阳极可以***到罐子12中。使用常规材料和方法将有源区与环境相密封。
参照图2，其是本发明的一个实施例的具有钽阴极的电容器的横截面视图。示出了具有施加的钽阴极14的基底12。虽然钽是一种优选的材料，但是可以使用其它金属和金属氧化物，由其是难熔金属和它们的氧化物。阴极厚度能够从3mil（0.003英寸或76.2微米）到数百mil变化。厚度完全取决于期望的阴极电容。将电解质引入到区域16中。将阳极18***到壳中。
图3是示出施加于基底12两侧的钽阴极14的横截面视图。在两个区域16中均存在电解质，然后在横截面的两侧均形成阳极18。
图4是电容器的一个实施例的局部透视图。
本发明还提供制造电解电容器的方法。制造电解电容器的方法包括：提供金属壳；在金属壳上电泳沉积难熔金属的氧化物以形成阴极元件；以及在壳内放置多孔片状（pellet）阳极和电解质，使得阴极元件和阳极元件由电解质分开。
电泳沉积容许施加均匀涂层以形成阴极元件。可以使用任何数量的电泳沉积（EPD）技术。如先前解释的，可以使用不同类型的材料，由其是难熔金属和它们的氧化物。可以取决于期望的电容器的特性来使用不同的材料，钽是特别有益的。
与现有技术电容器相比，本发明提供多个潜在的优点。例如，在使用钽作为阴极材料时，需要较少的钽，因为阴极不必那么厚。这是从制造角度来说的优点，因为钽相对昂贵。从而，在电泳沉积诸如钽的阴极材料的地方，能够实现潜在的成本节省。另外，一些类型的阴极可能难以处理，但不是电泳沉积阴极的地方。另外，因为阴极是电泳沉积的，所以相对于其它方法，可以减小阴极的厚度。这给阳极提供了更大的空间。
从而，公开了电泳沉积的钽阴极电容器。本发明预期有许多变形和替代，诸如沉积的特定的难熔金属或难熔金属的氧化物、电容器的电容、所使用的电解质，以及其它变形、选择和替代。

Claims (15)

1.一种电解电容器，包括：
金属壳；
设置于所述金属壳内的多孔片状阳极；
设置于所述金属壳内的电解质；
设置于所述金属壳内的阴极元件，所述阴极元件由电泳沉积层形成，所述电泳沉积层仅由电导率大于0.01西门子/cm的金属形成；
连接至所述多孔片状阳极的第一引线电极；以及
电连接至所述阴极元件的第二引线。
2.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属的厚度小于200mil（5080μm）。
3.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属的厚度小于20mil（508μm）。
4.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属的厚度小于10mil（254μm）。
5.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属包括难熔金属。
6.如权利要求1所述的电解电容器，其中，所沉积的金属包括钽或钌。
7.一种制造电解电容器的方法，包括：
提供金属壳；
在所述金属壳上形成阴极元件，所述阴极元件由电泳沉积层形成，所述电泳沉积层仅由电导率大于0.01西门子/cm的难熔金属形成；
将多孔片状阳极和电解质放置在罐子内，使得所述阴极元件和所述阳极元件由所述电解质分开。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述难熔金属包括钽。
9.如权利要求7所述的方法，其中，所述难熔金属包括钌。
10.如权利要求7所述的方法，其中，所述阴极元件具有小于200mil（5080μm）的均匀厚度。
11.如权利要求7所述的方法，其中，所述阴极元件具有小于20mil（508μm）的均匀厚度。
12.如权利要求7所述的方法，其中，所述阴极元件具有小于10mil（254μm）的均匀厚度。
13.一种电解电容器，包括：
具有第一侧和相对的第二侧的基底；
第一阴极元件，所述第一阴极元件由电泳沉积层形成，所述电泳沉积层仅由电导率大于0.01西门子/cm的金属形成；
邻近所述阴极元件设置的阳极；
所述阳极和所述阴极元件之间的电解质。
14.如权利要求13所述的电解电容器，还包括位于所述第二侧的第二阴极元件，所述第二阴极元件由电泳沉积层形成，所述电泳沉积层仅由电导率大于0.01西门子/cm的金属形成。
15.如权利要求13所述的电解电容器，其中，所述基底是预先形成的金属罐子。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8385052B2 (en) * 2008-12-10 2013-02-26 Avx Corporation Electrochemical capacitor containing ruthenium oxide electrodes
CN102426929A (zh) * 2012-01-08 2012-04-25 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 超级电容器氧化钌电极的制备方法
US9053861B2 (en) * 2012-03-16 2015-06-09 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing a conductive coating formed anodic electrochemical polymerization of a colloidal suspension
CN103325574A (zh) * 2013-07-05 2013-09-25 电子科技大学 一种制造全钽电解电容器阴极的方法
US9183991B2 (en) 2013-09-16 2015-11-10 Avx Corporation Electro-polymerized coating for a wet electrolytic capacitor
US9165718B2 (en) 2013-09-16 2015-10-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a hydrogen protection layer
US10403444B2 (en) 2013-09-16 2019-09-03 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a composite coating
US9947479B2 (en) 2015-11-16 2018-04-17 Vishay Sprague, Inc. Volumetric efficiency wet electrolyte capacitor having a fill port and terminations for surface mounting
US11189431B2 (en) 2018-07-16 2021-11-30 Vishay Sprague, Inc. Low profile wet electrolytic tantalum capacitor
US11024464B2 (en) 2018-08-28 2021-06-01 Vishay Israel Ltd. Hermetically sealed surface mount polymer capacitor
US11742149B2 (en) 2021-11-17 2023-08-29 Vishay Israel Ltd. Hermetically sealed high energy electrolytic capacitor and capacitor assemblies with improved shock and vibration performance

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB794631A (en) * 1956-04-20 1958-05-07 Fansteel Metallurgical Corp Hermetically sealed electrical apparatus containing liquids
EP0455353A2 (en) * 1990-04-17 1991-11-06 Tansitor Electronics, Inc. Cathode element with simultaneously codeposited noble metal/base metal and method for making the same
US5469325A (en) * 1993-03-22 1995-11-21 Evans Findings Co. Capacitor
US5894403A (en) * 1997-05-01 1999-04-13 Wilson Greatbatch Ltd. Ultrasonically coated substrate for use in a capacitor
CN1369887A (zh) * 2001-02-12 2002-09-18 友昕科技股份有限公司 电化学电容器的制造
WO2006127663A2 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
CN1963966A (zh) * 2006-11-29 2007-05-16 大连理工大学 混合型超级电容器
US20070211412A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4019A (en) * 1845-05-01 Pianoforte
US2871425A (en) * 1954-09-16 1959-01-27 Fansteel Metallurgical Corp Capacitor
US2834926A (en) * 1954-11-16 1958-05-13 Mallory & Co Inc P R Tantalum electrolytic capacitor with iron chloride depolarizer
US2908849A (en) * 1958-03-21 1959-10-13 Bell Telephone Labor Inc Electrolytic capacitors
US3531693A (en) * 1968-06-11 1970-09-29 Gen Electric Electrolytic capacitor with ruthenium metal cathode surface
GB1317494A (en) * 1970-12-31 1973-05-16 Plessey Co Ltd Electrolytic capacitor
DE2730189C3 (de) * 1977-07-04 1981-03-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Tantalelektrolytkondensator für eine Nennspannung bis 125 V
US4245275A (en) * 1978-06-23 1981-01-13 Mepco/Electra, Inc. Refractory metal alloy case capacitor
US4377404A (en) * 1980-07-19 1983-03-22 Matsuo Electric Company Limited Hermetic glass-to-metal seal and method for making same
US4523255A (en) * 1983-09-19 1985-06-11 Sprague Electric Company Cathode for an electrolytic capacitor
US4942500A (en) * 1988-07-13 1990-07-17 Tansitor Electronics, Inc. Capacitor tantalum surface for use as a counterelectrode device and method
JPH04127411A (ja) * 1987-12-16 1992-04-28 Tansitor Electron Inc 電極素子用キャパシタタンタル表面
US4780797A (en) * 1987-12-16 1988-10-25 Tansitor Electronic, Inc. Capacitor tantalum surface for use as a counterelectrode device and method
US5001607A (en) * 1989-11-13 1991-03-19 Tansistor Electronics, Inc. Tantalum capacitor with non-contiguous cathode elements and method for making
JPH03175607A (ja) * 1989-12-04 1991-07-30 Nec Corp 電気二重層コンデンサ
US5105341A (en) * 1991-06-03 1992-04-14 Yosemite Investment, Inc. Wet tantalum capacitor with liner
US5982609A (en) * 1993-03-22 1999-11-09 Evans Capacitor Co., Inc. Capacitor
US5369547A (en) * 1993-03-22 1994-11-29 The Evans Findings Co., Ltd. Capacitor
US5437941A (en) * 1993-09-24 1995-08-01 Motorola, Inc. Thin film electrical energy storage device
DE69400568T2 (de) * 1993-11-26 1997-02-20 Nec Corp Herstellungsverfahren von einem Festelektrolytkondensator
US5926362A (en) 1997-05-01 1999-07-20 Wilson Greatbatch Ltd. Hermetically sealed capacitor
AU2001231291A1 (en) 2000-02-03 2001-08-14 Case Western Reserve University High power capacitors from thin layers of metal powder or metal sponge particles
US6875318B1 (en) * 2000-04-11 2005-04-05 Metalbond Technologies, Llc Method for leveling and coating a substrate and an article formed thereby
IL143780A (en) * 2001-06-14 2007-06-03 Cerel Ceramic Technologies Ltd Process for manufacturing electrode
JP2003224036A (ja) 2002-01-31 2003-08-08 Japan Carlit Co Ltd:The 電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔及びその製造方法
US7209850B2 (en) * 2004-08-03 2007-04-24 Snap-On Incorporated Active tester for vehicle circuit evaluation
US7705110B2 (en) 2004-12-06 2010-04-27 Ppg Industries Ohio, Inc. Non-gelled curable compositions containing imide functional compounds
US7283350B2 (en) * 2005-12-02 2007-10-16 Vishay Sprague, Inc. Surface mount chip capacitor
US7072171B1 (en) * 2006-02-13 2006-07-04 Wilson Greatbatch Technologies, Inc. Electrolytic capacitor capable of insertion into the vasculature of a patient
US7511943B2 (en) * 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
US7483260B2 (en) * 2006-12-22 2009-01-27 Greatbatch Ltd. Dual anode capacitor with internally connected anodes
US7649730B2 (en) * 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB794631A (en) * 1956-04-20 1958-05-07 Fansteel Metallurgical Corp Hermetically sealed electrical apparatus containing liquids
EP0455353A2 (en) * 1990-04-17 1991-11-06 Tansitor Electronics, Inc. Cathode element with simultaneously codeposited noble metal/base metal and method for making the same
US5469325A (en) * 1993-03-22 1995-11-21 Evans Findings Co. Capacitor
US5894403A (en) * 1997-05-01 1999-04-13 Wilson Greatbatch Ltd. Ultrasonically coated substrate for use in a capacitor
CN1369887A (zh) * 2001-02-12 2002-09-18 友昕科技股份有限公司 电化学电容器的制造
WO2006127663A2 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
US20070211412A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
CN1963966A (zh) * 2006-11-29 2007-05-16 大连理工大学 混合型超级电容器

Also Published As

Publication number Publication date
JP5665730B2 (ja) 2015-02-04
CN103093962B (zh) 2017-04-26
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US20090237863A1 (en) 2009-09-24
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US9070512B2 (en) 2015-06-30
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JP2014112702A (ja) 2014-06-19
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