CN103092725A - 一种实现存储器中数据备份的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种实现存储器中数据备份的方法及装置,涉及存储技术领域,用以减少成本、降低设计复杂度。本发明提供的方法包括:获取跨平面数据备份命令;跨平面数据备份命令包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,源存储平面和目的存储平面为不同平面;控制存储器从第一存储页中读取待备份数据至源存储平面对应的源内部寄存器,并控制待备份数据中的第一字节向存储器的I/O接口传输;控制存储器在源内部寄存器向I/O接口传输待备份数据中的第二字节之前,从I/O接口向目的存储平面对应的目的内部寄存器传输第一字节,并将目的内部寄存器中的数据写入第二存储页中,直至待备份数据全部写入第二存储页。
Description
技术领域
本发明涉及存储技术领域,尤其涉及一种实现存储器中数据备份的方法及装置。
背景技术
与非型闪存(NAND Flash)是一种非易失性随机访问存储器,适合存储大容量数据,可以分为单阶储存单元(Single Level Cell,简称SLC)以及多阶储存单元(Multi Level Cell,简称MLC)两种类型。NAND Flash主要包括:内部寄存器和存储矩阵。存储矩阵由若干个存储平面(Plane)组成,每个Plane由若干个存储块(Block)组成,每个Block由若干个存储页(Page)组成,每个Page由若干个字节(Bytes)组成。每个Plane对应一个内部寄存器。
目前,当需要实现不同Plane中源Page到目的Page的数据备份时,在控制器的控制下,存储器先将源Page中的待备份数据经源Page对应的源内部寄存器传输至存储器的I/O接口,并存储在外部存储器中,再通过I/O接口经目的Page对应的目的内部寄存器将该待备份数据写入目的Page中。
在实现上述不同Plane中源Page到目的Page的数据备份时,发明人发现现有技术中至少存在如下问题:通过外部存储器增加了成本以及设计复杂性。
发明内容
本发明的实施例提供一种实现NAND Flash中数据传输的方法及装置,用以减少成本、降低设计复杂度。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种实现存储器中数据备份的方法,所述存储器包括:存储阵列以及内部寄存器;其中,所述存储阵列包括:至少两个存储平面,每一所述存储平面由多个存储块组成,每一所述存储块由多个存储页组成;所述存储平面与所述内部寄存器一一对应;该方法包括:
获取跨平面数据备份命令;所述跨平面数据备份命令包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面;
控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,所述待备份数据包括多个字节;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输;
控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述第一字节为所述待备份数据中的任一字节,所述第二字节为所述第一字节的下一个字节。
在第一种可能的实现方式中,根据第一方面,所述控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输,包括:
向所述存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号,所述第一地址命令包括所述第一存储页的地址;以使得所述存储器根据所述读命令和所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,并将所述源内部寄存器中的数据向所述存储器的I/O接口传输,其中,当所述读控制信号一次有效时,所述源内部寄存器向所述存储器的I/O接口传输一个第一字节。
在第二种可能的实现方式中,根据第一方面,所述控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页,包括:
在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令,所述第二地址命令包括所述第二存储页的地址;以使得所述存储器根据所述写命令以及所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输待备份数据;
向所述存储器发送写控制信号,以使得所述存储器根据所述写命令、所述第二地址命令以及所述写控制信号将将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页;其中,当所述写控制信号一次有效时,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输一个所述第一字节,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述写控制信号一次有效的时刻在所述存储器从所述源寄存器向所述I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前。
在第三种可能的实现方式中,根据第二种可能的实现方式,所述在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令包括:
在所述待备份数据从所述第一存储页传输至所述源内部寄存器的过程中,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令。
在第四种可能的实现方式中,结合第一方面以及第一种可能的实现方式至第三种可能的实现方式任一种,所述跨平面数据备份命令包括:Copyback命令,该方法还包括:
确定所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面。
第二方面,提供一种实现存储器中数据备份的装置,所述存储器包括:存储阵列以及内部寄存器;其中,所述存储阵列包括:至少两个存储平面,每一所述存储平面由多个存储块组成,每一所述存储块由多个存储页组成;所述存储平面与所述内部寄存器一一对应;该装置包括:
获取单元,用于获取跨平面数据备份命令;所述跨平面数据备份命令包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面;
第一控制单元,用于控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,所述待备份数据包括多个字节;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输;
第二控制单元,用于控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述第一字节为所述待备份数据中的任一字节,所述第二字节为所述第一字节的下一个字节。
在第一种可能的实现方式中,根据第二方面,
所述第一控制单元具体用于,向所述存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号,所述第一地址命令包括所述第一存储页的地址;以使得所述存储器根据所述读命令和所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,并将所述源内部寄存器中的数据向所述存储器的I/O接口传输,其中,当所述读控制信号一次有效时,所述源内部寄存器向所述存储器的I/O接口传输一个第一字节。
在第二种可能的实现方式中,根据第二方面,
所述第二控制单元具体用于,在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令,所述第二地址命令包括所述第二存储页的地址;以使得所述存储器根据所述写命令以及所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输待备份数据;
向所述存储器发送写控制信号,以使得所述存储器根据所述写命令、所述第二地址命令以及所述写控制信号将将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页;其中,当所述写控制信号一次有效时,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输一个所述第一字节,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述写控制信号一次有效的时刻在所述存储器从所述源寄存器向所述I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前。
在第三种可能的实现方式中,根据第二种可能的实现方式,
所述第二控制单元具体用于,在所述待备份数据从所述第一存储页传输至所述源内部寄存器的过程中,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令。
在第四种可能的实现方式中,结合第二方面以及第一种可能的实现方式至第三种可能的实现方式任一种,所述跨平面数据备份命令包括:Copyback命令,该装置还包括:
确定单元,用于确定所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面。
本发明实施例提供的实现存储器中数据备份的方法及装置,通过控制存储器从源存储平面的第一存储页中读取待备份数据至源内部寄存器,并在源内部寄存器向I/O接口传输待备份数据中的第二字节之前,从I/O接口向目的内部寄存器传输第一字节,并将第一字节写入第二存储页中,实现了不同存储平面中的存储页之间的数据备份,解决了现有技术中通过外部存储器实现不同存储平面中的存储页之间的数据备份导致的成本增加,设计复杂的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种实现存储器中数据备份的方法;
图2为本发明实施例提供的一种存储器的存储阵列的示意图;
图3为本发明实施例提供的一种实现跨平面间的Copyback的示意图;
图4为本发明实施例提供的一种实现存储器中数据备份的装置;
图5为本发明实施例提供的另一种实现存储器中数据备份的装置。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一方面,本发明实施例提供一种实现存储器中数据备份的方法,其中,所述存储器包括:存储阵列以及内部寄存器;其中,所述存储阵列包括:至少两个存储平面,每一所述存储平面由多个存储块组成,每一所述存储块由多个存储页组成;所述存储平面与所述内部寄存器一一对应;参见图1,该方法包括:
101:获取跨平面数据备份命令;所述跨平面数据备份命令包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,所述源存储平面和目的存储平面为不同平面;
示例性的,本发明实施例提供的实现存储器中数据备份的方法可以应用于固态硬盘(Solid State Disk,简称SSD)中,尤其适用于NANDFlash存储器,本发明实施例以NAND Flash存储器为例对该方法进行说明。
NAND Flash存储器一般包括:存储阵列以及内部寄存器,存储阵列一般包括2、4、8或16个存储平面;每一存储平面由多个编号全奇数或者全偶数的存储块组成,一个存储阵列中的每个存储块可以对应唯一的编号;每一存储块由多个存储页组成,一个存储块中的每个存储页可以对应唯一的编号,一个阵列中的每个存储页对应唯一的地址;每个存储页由多个字节组成;以上的“多个”均表示至少两个。存储平面与内部寄存器一一对应,内部存储器用于暂存数据。
不同类型的NAND Flash存储器的存储阵列大小不同,参见图2,为一种NAND Flash存储器存储阵列,该存储阵列由4个存储平面组成,每个存储平面由2048个存储块组成,每个存储块由128个存储页组成,每个存储页由4096个字节组成。
NAND Flash存储器的读写均是以存储页为单位的,即每次读出一个存储页的数据或者写入一个存储页的数据。
当控制器接收到用户指示的实现跨平面数据备份的指示信息时,该控制器可以根据该指示信息获取跨平面数据备份命令,以使得控制器根据获取的跨平面数据备份命令对存储器进行控制;该指示信息可以包括:操作命令、源存储页和目的存储页的标识信息,例如,该源存储页的标识信息可以为“存储块的编号+存储页的编号”、源存储页的地址等。需要说明的是,如果使用除源存储页的地址之外的信息作为该源存储页的标识信息,则需要预设该标识信息与源存储页的地址的对应关系,以便于控制器可以根据该标识信息获取源存储页的地址。
示例性的,跨平面数据备份命令可以包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,所述源存储平面和目的存储平面为不同平面;第一存储页即为上述的源存储页,第二存储页即为上述的目的存储页。该跨平面数据备份命令,用于实现将第一存储页中的数据备份到第二存储页中,即先读出第一存储页中的待备份数据,并将读出的待备份数据写入第二存储页中。
可选的,该跨平面数据备份命令可以为一种新的命令,也可以采用现有技术中的某种命令,例如可以为Copyback命令(数据备份命令),以下实施例中均以该跨平面数据备份命令为Copyback命令为例进行说明。由于现有技术中的Copyback命令只可以实现同一个存储平面中不同存储页之间的数据备份,因此本发明提供的方法扩展了Copyback命令的使用范围。需要说明的是,当用Copyback命令时,需要首先确定第一存储页与第二存储页为不同存储平面,再使用本发明实施例提供的方法实现存储器中第一存储页到第二存储页的数据备份。
102:控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,所述待备份数据包括多个字节;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输;
示例性的,NAND Flash存储器的主要引脚如表1:
表1
引脚 | 有效电平 | 功能 |
I/O 0-7(15) | 高/低 | 数据输入/输出 |
/CE | 低 | 片选使能 |
CLE | 高 | 命令锁存使能 |
ALE | 高 | 地址锁存使能 |
/RE | 低 | 读允许 |
/WE | 低 | 写允许 |
R/B | 高/低 | 准备好/忙输出 |
NAND Flash存储器Copyback命令集如表2:
表2
功能 | 1st Set | 2nd Set |
读命令 | 00H | 35H |
写命令 | 85H | 10H |
查询命令 | 70H |
进一步地,步骤102可以包括:
向所述存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号,所述第一地址命令包括所述第一存储页的地址;以使得所述存储器根据所述读命令和所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,并将所述源内部寄存器中的数据向所述存储器的I/O接口传输,其中,当所述读控制信号一次有效时,所述源内部寄存器向所述存储器的I/O接口传输一个第一字节。
示例性的,控制器向存储器发送一次“读命令以及地址命令”,存储器可以将一个存储页中的数据传输至该存储页对应的内部寄存器中;读控制信号一次有效是指该存储器在控制器的控制下,将一个字节从该内部寄存器读出至存储器的I/O接口。
参见表2,向存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号,可以包括:向存储器发送一个时钟周期的读命令00H、五个时钟周期的地址命令、一个时钟周期的读命令35H以及至少一个时钟周期的读控制命令,其中,地址命令包括第一存储页的地址,时钟周期的大小由控制器配置。
一个时钟周期的读控制信号可以将一个字节或者两个字节从内部寄存器传输至存储器的I/O接口,例如,若存储器在读控制信号的每个时钟周期的其中一个下降沿来临的时刻,将一个字节从内部存储器传输至I/O接口,则一个时钟周期的读控制信号可以将一个字节从内部寄存器传输至存储器的I/O接口,也就是说,在每个时钟周期中该读控制信号一次有效;若存储器在每个时钟周期的一个上升沿来临的时刻和一个下降沿来临的时刻分别将一个字节从内部寄存器传输至存储器的I/O接口,则一个时钟周期的读控制信号可以将两个字节从内部寄存器传输至存储器的I/O接口,也就是说,在每个时钟周期中该读控制信号两次有效。
103:控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述第一字节为所述待备份数据中的任一字节,所述第二字节为所述第一字节的下一个字节。
进一步地,步骤103可以包括:
在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令,所述第二地址命令包括所述第二存储页的地址;以使得所述存储器根据所述写命令以及所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输待备份数据;
向所述存储器发送写控制信号,以使得所述存储器根据所述写命令、所述第二地址命令以及所述写控制信号将将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页;其中,当所述写控制信号一次有效时,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输一个所述第一字节,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述写控制信号一次有效的时刻在所述存储器从所述源寄存器向所述I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前。
示例性的,当存储器将源内部寄存器中的数据传输至存储器的I/O接口之后,若没有及时将该数据写入目的存储页中,传输至存储器的I/O接口的数据可能丢失。为了保证传输至存储器的I/O接口的数据不丢失,存储器需要在控制信号一次有效时,从I/O接口向目的内部寄存器传输一个第一字节,直至待备份数据全部写入第二存储页。即在第二字节从源内部寄存器传输至I/O接口时,第一字节已经从I/O接口传输至目的内部寄存器。该过程可以通过控制器确定发送写命令、第二地址命令以及写控制信号的时间来实现,第二地址命令包括第二存储页的地址。
控制器向存储器发送一次“写命令以及地址命令”,存储器可以将一个存储页中的数据从I/O接口传输至另一存储页对应的内部寄存器中。写控制信号一次有效的时刻是指在存储器从源寄存器向I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前,且WE引脚有效的时刻。
与读控制信号类似,一个时钟周期的写控制信号可以将一个字节或者两个字节从存储器的I/O接口传输至内部寄存器。读控制信号的时钟周期和写控制信号的时钟周期可以相等也可以不相等,且均由控制器设置。
示例性的,参见表2,向存储器发送写命令以及第二地址命令,可以包括:向存储器发送一个时钟周期的写命令85H、五个时钟周期的地址命令、一个时钟周期的读命令10H,其中,地址命令包括第二存储页的地址,时钟周期的大小由控制器配置。
优选的,在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令包括:
在所述待备份数据从所述第一存储页传输至所述源内部寄存器的过程中,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令。
示例性的,控制器可以通过检测存储器的R/B引脚的状态或者通过查询命令查出存储器的R/B引脚状态确定待备份数据从第一存储页传输至源内部寄存器的时间。参见表1,控制器可以在检测到R/B引脚为低电平的过程中向存储器发送写命令以及第二地址命令。
进一步地,为了保证存储器在将第一字节从源寄存器传输至I/O接口之后,第二字节从源内部寄存器向I/O接口传输之前,将第一字节从I/O接口传输至目的内部寄存器,写控制信号的时钟周期的大小或者写控制信号的发送时间动态可调。
进一步地,为了提高该方法的可靠性,在步骤103之后,该方法还可以包括:查询所述待备份数据是否全部写入所述第二存储页中;
若是,则结束;
若否,则重新将所述待备份数据备份至所述第二存储页中;或者,重新为所述待备份数据分配第二存储页,并重新将所述待备份数据备份至所述重新分配的第二存储页中。
可选的,参见表2,控制器可以通过向存储器发送查询信息70H查询待备份数据是否写入第二存储页中。若是,则说明已经实现第一存储页至第二存储页中的数据备份;若否,则控制器重新执行步骤102-103,即控制存储器重新将所述待备份数据写入第二存储页中;或者控制器重新为所述待备份数据分配第二存储页,并重新执行步骤101-103,即重新将所述待备份数据备份至所述重新分配的第二存储页中。
进一步地,本领域技术人员应当理解,在实现存储器中数据备份的过程中,控制器不止向存储器发送上述“读命令、第一地址命令以及读控制信号”、“写命令、第二地址命令”以及“写控制信号”,还需要同时向存储器发送控制其他引脚的信号,例如,在数据读取的过程中,需要控制ALE与CLE引脚均为低电平。
具体的,参见图3,为实现跨平面间的Copyback的示意图。
其中,RD spage表示一个时钟周期的读命令00H、五个时钟周期的地址指令(该地址指令包括第一存储页的地址)以及一个时钟周期的读命令35H;WD spage表示一个时钟周期的写命令85H、五个时钟周期的地址指令(该地址指令包括第二存储页的地址)以及一个时钟周期的写命令10H;tR为第一存储页中的待备份数据从第一存储页传输至源内部寄存器所用的时间;tPROG为第一存储页中的待备份数据从目的内部寄存器传输到第二存储页中所用的时间;data表示待备份数据。
R/B#_rd、R/B#_wr分别表示存储器的R/B引脚在读取待备份数据和写入待备份数据过程中的时序图,R/B#_rd的信号时序图与R/B#_wr的信号时序图叠加构成的信号时序图,即为在实现跨平面间的Copyback的过程中的存储器的R/B引脚的信号时序图;RE#_spage、WR#_dpage分别表示存储器的RE引脚在第一存储页中读取待备份数据和WR引脚在第二存储页中写入待备份数据的过程中的时序图,RE#_spage的信号时序图即为实现跨平面间的Copyback的过程中的存储器的RE引脚的信号时序图,的WR#_dpage信号时序图即为实现跨平面间的Copyback的过程中的存储器的WR引脚的信号时序图;I/O_rd、I/O_wr分别表示存储器的I/O引脚在读取待备份数据和写入待备份数据的过程中的时序图,I/O_rd的信号时序图与I/O_wr的信号时序图叠加构成的信号时序图,即为在实现跨平面间的Copyback的过程中的存储器的I/O端口的信号时序图。
本发明实施例提供的实现存储器中数据备份的方法,通过控制存储器从源存储平面的第一存储页中读取待备份数据至源内部寄存器,并在源内部寄存器向I/O接口传输待备份数据中的第二字节之前,从I/O接口向目的内部寄存器传输第一字节,并将第一字节写入第二存储页中,实现了不同存储平面中的存储页之间的数据备份,解决了现有技术中通过外部存储器实现不同存储平面中的存储页之间的数据备份导致的成本增加,设计复杂的问题。
一方面,本发明实施例提供一种实现存储器中数据备份的装置40,用以执行图1所示的实现存储器中数据备份的方法。所述存储器包括:存储阵列以及内部寄存器;其中,所述存储阵列包括:至少两个存储平面,每一所述存储平面由多个存储块组成,每一所述存储块由多个存储页组成;所述存储平面与所述内部寄存器一一对应;其特征在于,参见图4,包括:
获取单元401,用于获取跨平面数据备份命令;所述跨平面数据备份命令包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面;
第一控制单元402,用于控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,所述待备份数据包括多个字节;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输;
第二控制单元403,用于控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述第一字节为所述待备份数据中的任一字节,所述第二字节为所述第一字节的下一个字节。
进一步地,所述第一控制单元402可以具体用于,向所述存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号,所述第一地址命令包括所述第一存储页的地址;以使得所述存储器根据所述读命令和所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,并将所述源内部寄存器中的数据向所述存储器的I/O接口传输,其中,当所述读控制信号一次有效时,所述源内部寄存器向所述存储器的I/O接口传输一个第一字节。
所述第二控制单元403可以具体用于,在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令,所述第二地址命令包括所述第二存储页的地址;以使得所述存储器根据所述写命令以及所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输待备份数据;
向所述存储器发送写控制信号,以使得所述存储器根据所述写命令、所述第二地址命令以及所述写控制信号将将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页;其中,当所述写控制信号一次有效时,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输一个所述第一字节,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述写控制信号一次有效的时刻在所述存储器从所述源寄存器向所述I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前。
优选的,所述第二控制单元403可以具体用于,在所述待备份数据从所述第一存储页传输至所述源内部寄存器的过程中,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令。
可选的,所述跨平面数据备份命令包括:Copyback命令,参见图4,所述装置40还包括:确定单元404,用于确定所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面。
具体的,参见图3,为实现跨平面间的Copyback的示意图。
本发明实施例提供的实现存储器中数据备份的装置,通过控制存储器从源存储平面的第一存储页中读取待备份数据至源内部寄存器,并在源内部寄存器向I/O接口传输待备份数据中的第二字节之前,从I/O接口向目的内部寄存器传输第一字节,并将第一字节写入第二存储页中,实现了不同存储平面中的存储页之间的数据备份,解决了现有技术中通过外部存储器实现不同存储平面中的存储页之间的数据备份导致的成本增加,设计复杂的问题。
本发明实施例还提供了一种处理器,该处理器通过控制存储器从源存储平面的第一存储页中读取待备份数据至源内部寄存器,并在源内部寄存器向I/O接口传输待备份数据中的第二字节之前,从I/O接口向目的内部寄存器传输第一字节,并将第一字节写入第二存储页中,实现了不同存储平面中的存储页之间的数据备份,解决了现有技术中通过外部存储器实现不同存储平面中的存储页之间的数据备份导致的成本增加,设计复杂的问题。该处理器也可以称作控制器,该处理器执行的动作可以参照上述实施例提供的实现存储器中数据备份的方法中的内容,在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种芯片,该芯片用于实现存储器中数据备份,该芯片可以包括上述的处理器。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理包括,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory,简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种实现存储器中数据备份的方法,其特征在于,所述存储器包括:存储阵列以及内部寄存器;其中,所述存储阵列包括:至少两个存储平面,每一所述存储平面由多个存储块组成,每一所述存储块由多个存储页组成;所述存储平面与所述内部寄存器一一对应;所述方法包括:
获取跨平面数据备份命令;所述跨平面数据备份命令包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面;
控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,所述待备份数据包括多个字节;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输;
控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述第一字节为所述待备份数据中的任一字节,所述第二字节为所述第一字节的下一个字节。
2.根据权利要求1所述的实现存储器中数据备份方法,其特征在于,所述控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输,包括:
向所述存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号,所述第一地址命令包括所述第一存储页的地址;以使得所述存储器根据所述读命令和所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,并将所述源内部寄存器中的数据向所述存储器的I/O接口传输,其中,当所述读控制信号一次有效时,所述源内部寄存器向所述存储器的I/O接口传输一个第一字节。
3.根据权利要求1所述的实现存储器中数据备份方法,其特征在于,所述控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页,包括:
在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令,所述第二地址命令包括所述第二存储页的地址;以使得所述存储器根据所述写命令以及所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输待备份数据;
向所述存储器发送写控制信号,以使得所述存储器根据所述写命令、所述第二地址命令以及所述写控制信号将将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页;其中,当所述写控制信号一次有效时,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输一个所述第一字节,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述写控制信号一次有效的时刻在所述存储器从所述源寄存器向所述I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前。
4.根据权利要求3所述的实现存储器中数据备份方法,其特征在于,所述在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令,包括:
在所述待备份数据从所述第一存储页传输至所述源内部寄存器的过程中,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令。
5.根据权利要求1-4任一项所述的实现存储器中数据备份方法,其特征在于,所述跨平面数据备份命令包括:Copyback命令,所述方法还包括:
确定所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面。
6.一种实现存储器中数据备份的装置,所述存储器包括:存储阵列以及内部寄存器;其中,所述存储阵列包括:至少两个存储平面,每一所述存储平面由多个存储块组成,每一所述存储块由多个存储页组成;所述存储平面与所述内部寄存器一一对应;其特征在于,包括:
获取单元,用于获取跨平面数据备份命令;所述跨平面数据备份命令包括:源存储平面中第一存储页的地址以及目的存储平面中第二存储页的地址,所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面;
第一控制单元,用于控制所述存储器根据所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,所述待备份数据包括多个字节;并控制所述待备份数据中的第一字节向所述存储器的I/O接口传输;
第二控制单元,用于控制所述存储器在所述源内部寄存器向所述I/O接口传输所述待备份数据中的第二字节之前,根据所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的存储平面对应的目的内部寄存器传输所述第一字节;并将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页中,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述第一字节为所述待备份数据中的任一字节,所述第二字节为所述第一字节的下一个字节。
7.根据权利要求6所述的实现存储器中数据备份的装置,其特征在于,
所述第一控制单元具体用于,向所述存储器发送读命令、第一地址命令以及读控制信号,所述第一地址命令包括所述第一存储页的地址;以使得所述存储器根据所述读命令和所述第一存储页的地址,从所述第一存储页中读取待备份数据至所述源存储平面对应的源内部寄存器,并将所述源内部寄存器中的数据向所述存储器的I/O接口传输,其中,当所述读控制信号一次有效时,所述源内部寄存器向所述存储器的I/O接口传输一个第一字节。
8.根据权利要求6所述的实现存储器中数据备份的装置,其特征在于,
所述第二控制单元具体用于,在所述源内部寄存器中的所述待备份数据的第一个字节输出至所述存储器的I/O接口之前,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令,所述第二地址命令包括所述第二存储页的地址;以使得所述存储器根据所述写命令以及所述第二存储页的地址,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输待备份数据;
向所述存储器发送写控制信号,以使得所述存储器根据所述写命令、所述第二地址命令以及所述写控制信号将将所述目的内部寄存器中的数据写入所述第二存储页;其中,当所述写控制信号一次有效时,从所述I/O接口向所述目的内部寄存器传输一个所述第一字节,直至所述待备份数据全部写入所述第二存储页;所述写控制信号一次有效的时刻在所述存储器从所述源寄存器向所述I/O接口传输第一字节之后、传输第二字节之前。
9.根据权利要求8所述的实现存储器中数据备份的装置,其特征在于,
所述第二控制单元具体用于,在所述待备份数据从所述第一存储页传输至所述源内部寄存器的过程中,向所述存储器发送写命令以及第二地址命令。
10.根据权利要6-9任一项所述的实现存储器中数据备份的装置,其特征在于,所述跨平面数据备份命令包括:Copyback命令,所述装置还包括:
确定单元,用于确定所述源存储平面和所述目的存储平面为不同平面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104346238A (zh) * | 2013-08-06 | 2015-02-11 | 联想(北京)有限公司 | 一种数据备份方法、装置及终端 |
CN108121680A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 三星电子株式会社 | 存储装置、电子***以及操作电子装置的方法 |
CN108829613A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-16 | 中山市江波龙电子有限公司 | 数据存储方法及存储设备 |
CN111462795A (zh) * | 2019-01-22 | 2020-07-28 | 华邦电子股份有限公司 | 高效数据移动的方法以及易失性存储器装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6366987B1 (en) * | 1998-08-13 | 2002-04-02 | Emc Corporation | Computer data storage physical backup and logical restore |
CN101281493A (zh) * | 2008-05-26 | 2008-10-08 | 中兴通讯股份有限公司 | 与非闪存器及其管理方法 |
CN101320596A (zh) * | 2008-06-10 | 2008-12-10 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种面向大容量flash固存的坏块管理方法 |
-
2012
- 2012-12-29 CN CN201210590146.7A patent/CN103092725B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6366987B1 (en) * | 1998-08-13 | 2002-04-02 | Emc Corporation | Computer data storage physical backup and logical restore |
CN101281493A (zh) * | 2008-05-26 | 2008-10-08 | 中兴通讯股份有限公司 | 与非闪存器及其管理方法 |
CN101320596A (zh) * | 2008-06-10 | 2008-12-10 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种面向大容量flash固存的坏块管理方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104346238A (zh) * | 2013-08-06 | 2015-02-11 | 联想(北京)有限公司 | 一种数据备份方法、装置及终端 |
CN104346238B (zh) * | 2013-08-06 | 2018-12-14 | 联想(北京)有限公司 | 一种数据备份方法、装置及终端 |
CN108121680A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 三星电子株式会社 | 存储装置、电子***以及操作电子装置的方法 |
CN108121680B (zh) * | 2016-11-30 | 2023-03-10 | 三星电子株式会社 | 存储装置、电子***以及操作电子装置的方法 |
CN108829613A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-16 | 中山市江波龙电子有限公司 | 数据存储方法及存储设备 |
WO2019223187A1 (zh) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 中山市江波龙电子有限公司 | 数据存储方法及存储设备 |
CN108829613B (zh) * | 2018-05-24 | 2020-12-29 | 中山市江波龙电子有限公司 | 数据存储方法及存储设备 |
CN111462795A (zh) * | 2019-01-22 | 2020-07-28 | 华邦电子股份有限公司 | 高效数据移动的方法以及易失性存储器装置 |
CN111462795B (zh) * | 2019-01-22 | 2022-06-07 | 华邦电子股份有限公司 | 高效数据移动的方法以及易失性存储器装置 |
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