CN103092417A - 一种单层多点ito布线结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种单层多点ITO布线结构,所述单层ITO布线结构分为有效感应区域,驱动走线盲区,匹配间隔盲区组成,有效感应区域是由多组重复电极单元组成,重复电极单元按列状重复排列,并形成多个列;每个重复电极单元由驱动电极和与驱动电极形状互补但是相互隔离的无电连接的感应电极组成。位于同一列的重复电极单元中的感应电极直接相连,从而形成多个列感应电极;每个重复电极单元中的驱动电极都具有一条引出线,位于同一行的重复电极单元中的驱动电极通过引出线在柔性电路板或印刷电路板上连接,从而形成多个行驱动电极。感应电极和驱动电极之间填充悬浮块,以增加电容补偿,有利于侦测碰触点的位置。感应电极、驱动电极、走线均呈波浪状排布,有效改善TP和LCD之间的干涉产生的底影问题,减少消影工序,从而降低成本。
Description
技术领域:
本发明涉及一种单层多点ITO布线结构。
背景技术:近年来在行动装置掀起的触控风潮,如大火燎原般的一发不可收拾,触控已成为生活的一部分,朝未来看去趋势更是无法抵挡,由小尺寸的手机,中尺寸的平板计算机,NB,到大尺寸的电视,家电等,都将为触控所渗透,触控产业的规模越来越大,人们对其使用的触屏要求也越来越高,不但要求外观美观,也要求价格低廉。为了降低成本,很多设计公司采用单层ITO取代双层或者桥接的ITO组成的触摸屏。
现在触控市场上主流的产品为OGS和G1F,OGS是Lens与sensor集成在一起,通常是先强化,然后镀膜,蚀刻,最后切割。在强化玻璃上切割成本高,良率低,并且造成玻璃边沿形成一些毛细裂缝,这些裂缝降低了玻璃的强度。同时OGS方案采用的大多是互电容的桥接工艺,桥接工艺比较复杂,成本高,成品良率低,金属桥接底影比较明显,影响外观。G1F一般采用三角形或矩形图案,大多采用丝印工艺,虽然成本略微降低,但是丝印GAP为0.2~0.3mm,如果不做消影处理,底影会非常明显,且无法满足窄边框要求,最主要的是结构多为自电容,单点加手势,难于克服LCD的干扰问题无法实现四寸以上TP的多点触控要求。为了降低成本,在单层ITO上实现互容多点的触摸功能,同时也为了改善TP和LCD干涉产生的底影问题,提供一种新的单层ITO布线结构来实现上述目标。
发明内容:
本发明实际上要解决的技术问题是提供一种可实现互容多点手势触摸功能的ITO布线结构。
为了实现上述目的,本发明提供了一种单层多点ITO布线结构,所述结构是由有效感应盲区、驱动走线盲区、匹配间隔盲区组成,有效感应盲区由多组重复电极单元组成,重复电极单元按列状重复排列,并形成多个列。每两个重复电极单元面对面排列。驱动走线盲区位于两个重复电极单元之间,由每个重复电极单元中的驱动电极的引出线组成,每条引出线都引向触摸屏的上方-Bonding pad,同时走线之外的空隙均填充悬浮块,悬浮块的为平行四边形,三角形或者不规则的形状。匹配间隔盲区由隔离地线或者驱动走线组成,走线之外的空隙悬浮块,悬浮块的为平行四边形,三角形或者不规则的形状。位于同一列的重复电极单元中的感应电极直接相连,从而形成多个列感应电极;将位于同一行的重复电极单元中的驱动电极通过Bonding pad在柔性电路板(FPC)或印刷电路板(PCB)上连接(未在图中示出),从而形成多个行驱动电极。
本发明所述单层多点ITO布线结构,结构简单,每个重复电极单元由感应(RX)和驱动(TX)电极构成,感应电极是由多个上方连接起来的第一条状电极组成,而每个第一条状电极的外形如同多个“山”字上下连接起来的。驱动电极是由与多个第一条状电极形状互补的多个第二条状电极下方连接在一起。两个电极上下交叉形成均匀的耦合电场,两个电极之间填充若干悬浮块,以增加电容补偿。
本发明所述单层多点ITO布线结构,ITO图案呈波浪状排列,弯曲角度为竖直方向左偏10°~20°之间,减少LCD干涉产生的底影,同时也减少了消影这道工序,降低了成本。
附图说明:
图1为单层“山”字形结构重复电极的结构图;
图2为“山”字形驱动电极以及感应电极的结构图;
图3为sensorAA区外走线图;
具体实施例:
下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。本申请中使用单层多点互电容ITO电极层,可以有效减小投射式电容触摸屏的厚度,而且本申请中的单层ITO电极层不是传统的单层电极搭桥工艺制成的,而是以下列方式构成的
本发明所述的单层ITO布线结构,如图1和图2所示,是由有效感应盲区11、驱动走线盲区12、匹配间隔盲区13组成,有效感应盲区11由多组重复电极单元13组成,重复电极单元按列状重复排列,并形成多个列。每两个重复电极单元面对面排列。驱动走线盲区12位于两个重复电极单元之间,由每个重复电极单元中的驱动电极的引出线组成,每条引出线都引向触摸屏的上方-Bonding pad14,同时走线之外的空隙均填充悬浮块15,悬浮块的为平行四边形,三角形或者不规则的形状。匹配间隔盲区由隔离地线17或者驱动走线组成,走线之外的空隙悬浮块,悬浮块的为平行四边形,三角形或者不规则的形状。位于同一列的重复电极单元中的感应电极直接相连,从而形成多个列感应电极;将位于同一行的重复电极单元中的驱动电极通过Bonding pad在柔性电路板(FPC)或印刷电路板(PCB)上连接(未在图中示出),从而形成多个行驱动电极。
图2显示了一个完整的重复电极单元13。其中21为感应电极,22为驱动电极。每个重复电极单元中的感应电极21,是由多个上方连接起来的第一条状电极组成,而每个第一条状电极的外形如同多个“山”字上下连接起来的。而每个重复电极单元中的驱动电极22,是由与多个第一条状电极形状互补的多个第二条状电极下方连接在一起。每个重复电极单元中的驱动电极22在下方具有一条引出线,每条引出线都引向触摸屏的上方-Bonding pad。感应电极和驱动电极之间需留0.2mm间隙,此间隙填充悬浮块,增加电容补偿,以免出现划线断线。
设计参数要求L1为驱动Pitch宽度为3-4mm。L2为感应Pitch长度,为TP VA区长度和感应通道个数的比值。L3为驱动走线宽度,也称为死区,此处理论上不提供触摸信息,一般小于等于2.2mm,此距离越小越接近传统互容,触摸性能越好,TX位置不同,走线长度也不同,为了满足通道阻抗不超过极限值,部分通道需要适当增加引出线宽度,走线越长,宽度越宽。如果ITO方阻越小,走线就可以越细,死区面积就可以减小。L4为匹配间隔盲区的宽度,与驱动盲区宽度保持一致,此处通常可以走两根驱动线,需要用地线隔离。
图3显示了图案在TP SENSORAA***走线要求,其中图3A中31为sensor边缘线,32为***地线,33为悬浮块,图3B中31为sensor边缘线,32为***地线,33为驱动走线或者按键走线,34为悬浮块,35为隔离地线。
由于TP和LCD之间的夹缝干涉,当背光源发光时,可以很明显的看见ITO图案,本发明所述ITO图案整体呈波浪状排列,弯曲角度为竖直方向左偏10°~20°之间。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种单层多点ITO布线结构,所述单层多点ITO布线结构由有效感应盲区、驱动走线盲区、匹配间隔盲区组成,有效感应盲区由多组重复电极单元组成,重复电极单元按列状重复排列,并形成多个列。每两个重复电极单元面对面排列。驱动走线盲区位于两个重复电极单元之间,由每个重复电极单元中的驱动电极的引出线组成,每条引出线都引向触摸屏的上方-Bonding pad,同时走线之外的空隙均填充悬浮块,悬浮块的为平行四边形,三角形或者不规则的形状。匹配间隔盲区由隔离地线或者驱动走线组成,走线之外的空隙悬浮块,悬浮块的为平行四边形,三角形或者不规则的形状。
2.根据权利要求1所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,每个重复电极单元由感应(RX)和驱动(TX)电极构成,感应电极是由多个上方连接起来的第一条状电极组成,而每个第一条状电极的外形如同多个“山”字上下连接起来的。驱动电极是由与多个第一条状电极形状互补的多个第二条状电极下方连接在一起。两个电极上下交叉形成均匀的耦合电场,两个电极之间填充若干悬浮块,以增加电容补偿。
3.根据权利要求2所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,RX或TX分别有三个分支,RX和TX间隙为0.2mm。
4.根据权利要求1和2所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,感应(RX)是一条竖直的连续ITO通道,驱动(TX)被打散,分布在AA的各个区域,通过引出线将通道引出AA区至Bonding PAD。
5.根据权利要求4所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,TX虽然被打散分布,但同一行的分散块属于一个TX。
6.根据权利要求1和4所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,驱动引出线和隔离地线构成走线盲区。
7.根据权利要求1或4所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,驱动走线盲区位于AA区内,不提供触摸信号,称为“死区”。
8.根据权利要求5所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,死区宽度为0.5~2.2mm,死区宽度越小,性能越接近传统互容。
9.根据权利要求5所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,TX位置不同,引出走线长度不同,为满足通道阻抗不超过极限值,部分引出线宽度需要加大,走线越长,宽度越宽。
10.根据权利要求1或8所述单层多点ITO布线结构,其特征在于,驱动走线呈波浪形走线,至少包含3个波峰,弯折斜边角度为10°~20°。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100088 Beijing city Haidian District North Third Ring Road No. 31, No. 4 Building 13 layer (Taisite building) Applicant after: BEIJING CHIPONE NORTH TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 100088 Beijing city Haidian District North Third Ring Road No. 31, No. 4 Building 13 layer (Taisite building) Applicant before: Beijing Jichuang Northern Technology Co.,Ltd. |
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COR | Change of bibliographic data | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |