CN103091885B - 一种液晶显示面板及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示面板及制备方法，用以解决液晶显示面板中布线占用空间大的问题，实现液晶显示面板的窄边化。本发明提供的一种液晶显示面板，包括上基板、下基板、驱动电路IC、以及位于上基板与下基板之间的液晶层，其中，上基板包括彩膜层和黑矩阵，下基板包括薄膜晶体管TFT阵列层、TFT阵列的控制线、导电层，以及位于TFT阵列的控制线与导电层之间的绝缘层，该显示面板还包括：多条导线，位于上基板上所述黑矩阵的下方，且每条导线连接驱动电路IC的布线和TFT阵列的控制线。

Description

一种液晶显示面板及制备方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板及制备方法。

背景技术

目前显示器在逐步向高分辨率发展，其市场份额逐年增大。同时，由于高分辨率导致周边布线空间占用较大，即使使用将栅极驱动电路整合于液晶面板(GateonArray,GOA)技术仍不能完全解决边框太宽的弊端，成为影响对屏幕的应用和窄边化的顽疾。为了适应窄边框，栅线往往细线化，这样栅线电阻会增加，对信号有很大的延迟，带来很多显示问题，而且细线化的栅线容易开路，导致最终屏幕异常显示。

目前手机的栅线分布多采用信号线从驱动电路（IntegratedCircuit，IC）两侧分别引出，从屏幕周边两侧按照奇偶行分开，从两侧分别引入信号至显示区域（ActiveArea，AA），如图1所示，而普通的布线方式细节则如图2所示，对应图1中虚线圈内所示的结构。奇数行栅线驱动奇数行的薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT），而在进入AA区之前，由于数据线本身的宽度以及数据线之间由于工艺要求需要保留的间距的总和较大，导致在AA区两侧需要占用较大的空间用来放置栅线，使得边框很大，总的利用率不高。

发明内容

本发明实施例提供了一种液晶显示面板，用以解决液晶显示面板中布线占用空间大的问题，实现液晶显示面板的窄边化。

本发明实施例提供的一种液晶显示面板，包括上基板、下基板、驱动电路IC以及位于上基板与下基板之间的液晶层，其中，上基板包括彩膜层和黑矩阵，下基板包括薄膜晶体管TFT阵列层、TFT阵列的控制线、导电层，以及位于TFT阵列的控制线与导电层之间的绝缘层，该显示面板还包括：

多条导线，位于上基板上所述黑矩阵的下方，且每条导线连接驱动电路IC的布线和TFT阵列的控制线。

本发明实施例提供的一种液晶显示面板的制备方法，包括在上基板上制备彩膜层和黑矩阵，在下基板上制备薄膜晶体管TFT阵列层、TFT阵列的控制线、导电层和绝缘层，制备驱动电路IC，以及将液晶对盒，该制备方法还包括：在制备出的黑矩阵的下表面制备多条导线，其中，每条导线连接驱动电路IC的布线和TFT阵列的控制线。

本发明实施例提供的一种液晶显示面板及制备方法，通过在黑矩阵的下表面设置用于传输TFT阵列控制信号的导线，解决了液晶显示面板中布线占用空间大的问题，实现液晶显示面板的窄边化。

附图说明

图1为现有普通显示器周边布线图；

图2为图1所示的示意图中虚线内的详细布线图；

图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的俯视图；

图4为本发明较佳实施例提供的彩膜侧的显示区域周边的详细布线图；

图5为本发明较佳实施例提供的导线的走线剖面图；

图6为本发明较佳实施例提供的接触点的剖面结构图；

图7为本发明较佳实施例中所述的IC端的TFT控制线连接接触点的示意图；

图8为本发明较佳实施例中所述的CF侧的导线连接接触点的示意图；

图9为本发明较佳实施例中所述的CF侧的导线走线和接触点的详细分布图；

图10为本发明较佳实施例中所述的TFT侧的控制线走线和接触点的详细分布图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种液晶显示面板及制备方法，用以解决液晶显示面板中布线占用空间大的问题，实现液晶显示面板的窄边化。

本发明实施例提供的一种液晶显示面板，包括上基板、下基板、驱动电路IC以及位于上基板与下基板之间的液晶层，其中，参见图3，上基板包括彩膜层CF和黑矩阵BM，下基板包括薄膜晶体管TFT阵列层、TFT阵列的控制线103、导电层，以及位于TFT阵列的控制线与导电层之间的绝缘层，该显示面板还包括：

多条导线102，位于上基板上所述黑矩阵的下方，且每条导线连接驱动电路IC的布线101和TFT阵列的控制线103。本发明中以栅线为例进行说明，但并不限制于栅线，例如还可以为数据线等其他TFT阵列的信号线。

如图3中所示，位于TFT侧的IC布线101连接位于CF侧的导线102，其中，导线102贯穿整个CF侧，从IC端的非显示区域走线，经过显示区域，再到CF侧的非显示区域，在CF侧的非显示区域内，与位于TFT侧的TFT阵列的控制线103相连，从而将IC的控制信号输出到各个TFT。

较佳地，在透光方向上，所述导线的投影位于黑矩阵的投影内，如此，导线的设置不会影响面板本身的开口率。

较佳地，所述导线的线宽为5~6μm，现有技术中一般的导线宽度为3~4μm，因此将导线的设置采用本技术方案时，增加了线宽，进而减小了电阻，保证了信号的准确性，也降低了能耗。

较佳地，该显示面板还包括：

第一接触区域和第二接触区域，其中

所述第一接触区域位于所述显示面板的一侧的非显示区域，用于连接所述导线和所述驱动电路IC的布线，

所述第二接触区域位于所述显示面板的另一侧的非显示区域，用于连接所述导线和所述TFT阵列的控制线。

较佳地，所述第一接触区域和所述第二接触区域分别位于所述显示面板的相邻两侧，即相邻的两个边，例如，显示面板为长方形，则两个接触区域分别位于的长边一侧和宽边一侧，以此实现窄边框。

较佳地，所述IC布线位于非显示区域，用于连接所述驱动电路IC和所述第一接触区域；

其中，所述第一接触区域包括多个接触点，所述第二接触区域包括多个接触点，

每一所述导线的第一端在所述第一接触区域通过所述每个接触点与每一相应的所述IC布线的末端连接，

每一所述导线的第二端在所述第二接触区域通过所述每个接触点与每一相应的所述TFT阵列的控制线的信号输入端连接，所述TFT阵列的控制线用于给各TFT提供开启或断开信号。

较佳地，所述接触点包括第一部分和第二部分，

其中，所述第一部分包括覆盖在非显示区域的黑矩阵的表面的导线层；所述非显示区域的黑矩阵具有凸起结构；

所述第二部分包括与所述黑矩阵的凸起结构相对应位置的下基板的导电层。

较佳地，所述第一接触区域和第二接触区域均包括多个过孔，所述每个过孔内覆盖导电层，所述黑矩阵的凸起结构位于所述过孔内，其中，所述过孔位于所述TFT阵列控制线和所述IC布线上方。

较佳地，所述IC布线与所述显示区域的TFT阵列的控制线在同一构图工艺形成，其中，所述IC布线与所述TFT阵列的控制线不连接。

下面结合附图和较佳实施例，对本发明进行详细说明。在本实施例中，所述的TFT阵列的控制线，以TFT的栅线为例进行说明。需要说明的是，本实施例为了说明本发明，但不限于本发明。本发明提供的技术方案，同样适用于改进现有技术中布线分布于非显示区域的信号线。

参见图4，本较佳实施例提供的液晶显示面板，包括上基板和下基板，以及位于上基板和下基板之间的液晶层，其中

下基板侧，包括IC侧布线101、TFT阵列的栅线103、绝缘层（图中未示出）和TFT阵列层（图中未示出），上基板侧包括彩膜层CF和黑矩阵（图中未示出），多条与IC和TFT阵列的栅线连接的导线102，和位于上基板和下基板之间的液晶层（图中未示出），以及第一接触区域1（图示中AA区下方）和第二接触区域2（图示中AA区的左右两侧），多个位于第一接触区域的接触点11，多个位于第二接触区域的接触点12；

其中，多条导线102，位于黑矩阵的下方，每条导线102连接IC侧的布线101和TFT阵列的栅线103，在本实施例中，所述IC侧布线101传输的信号包括对应栅线的扫描信号，如图中所示。同时，在显示区域内，每条导线的线宽小于黑矩阵的线宽，其投影位于黑矩阵的投影内，如图5所示的剖面结构，在彩膜20的两块色胶（R和G）中间的宽度小于黑矩阵21宽度的金属导线102，在黑矩阵的遮挡下走线不会影响开口率，导线沿着黑矩阵的覆盖区域走线到非显示区域的接触点，即显示区域AA区的两侧的接触点；同时，导线的线宽可以为5~6μm，电阻相对较小，有利于信号的传输。

具体地，每条导线102的第一端在所述第一接触区域1通过所述每个接触点11与每一相应的所述IC布线101的末端连接；第二端在所述第二接触区域2通过所述每个接触点12与每一相应的所述TFT阵列的控制线103的第一端即信号输入端连接，TFT阵列的控制线的第二端连接各TFT阵列，从而将IC输出的扫描信号输出到各TFT的栅极，控制TFT的开启或断开。

下面以第二接触区域的接触点为例进行详细说明。

参见图6，接触点12包括上下两个部分，其中第一部分121位于CF侧，位于上玻璃基板010下表面的黑矩阵21之下的导线层中，水平方向上位于导线的两端，并且，在此处的黑矩阵具有凸起结构，导线层102位于黑矩阵的下表面，并且对应黑矩阵凸起位置的导线层形成接触点12的第一部分121；第二部分122包括与所述黑矩阵的凸起结构相对应位置的下基板的导电层30中，此处，在下玻璃基板011之上依次为栅线103、栅绝缘层40，钝化层50，导电层30位于钝化层50之上。通过将栅绝缘层和钝化层刻蚀形成过孔，使得本来覆盖在钝化层之上的导电层30与栅线103形成过孔连接，且同时，过孔位置处的导电层形成接触点12的第二部分122，该第二部分122与周围形成凹字型，而第一部分与周围形成凸字型，如此，因黑矩阵的凸起结构形成的接触点12的第一部分121位于因过孔形成的接触点第二部分122内。

以上是以第二接触区域的结构为例进行说明的，第一接触区域的结构相对第二接触区域的结构所不同的是，将TFT阵列的控制线改换成IC布线。在具体实施过程中，IC布线与TFT阵列的控制线通过同一构图工艺形成，例如用GATE金属层或DATE金属层制作，但是并不会相互连接。

下面结合附图对信号的传输过程进行说明。参见图7至图10，在图7中，IC侧布线101，与现有技术相同。但是在各布线的末端连接一个位于第一接触区域的接触点11，在此处IC侧布线连接接触点的第二部分112，接触点的第二部分112与CF侧的连接有导线的接触点的第一部分111的对应连接，如图8所示。这样IC输出的扫描信号经过接触点传输到导线102上，第一接触区域的连接作用到此结束；

进一步，参见图9，导线102在CF侧走线，经过显示区域AA区，延伸到非显示区域，末端连接位于第二接触区域2的接触点的第一部分121，而接触点的第一部分121与在TFT侧的接触点的第二部分122对应接触连接，如图10所示，接触点第二部分122的另一端连接TFT阵列的栅线，每条栅线均对应TFT阵列，从而完成了IC信号从IC端到TFT的传输。

本发明实施例提供的一种液晶显示设备的制备方法，包括：

在上基板上制备彩膜层CF和黑矩阵21，在下基板上制备TFT阵列、TFT阵列的控制线103、导电层30和绝缘层，制备驱动电路IC，以及将液晶对盒，其中，在制备出的黑矩阵的表面制备多条导线102，其中，每条导线连接驱动电路IC布线101和TFT阵列的控制线103；具体实施过程中，绝缘层包括栅绝缘层40和钝化层50；

较佳地，在制备的黑矩阵的表面沉积的导线102层，其中，所述导线102的宽度小于所述黑矩阵21的宽度，具体实施过程中，导线的线宽可以为5~6μm；

较佳地，在所述显示面板的相邻两侧分别制备第一接触区域1和第二接触区域2；

其中，在所述显示面板的一侧的非显示区域制备第一接触区域，用于连接所述导线102和所述驱动电路IC布线101；

在所述显示面板的另一侧的非显示区域制备第二接触区域，用于连接所述导线102和所述TFT阵列的控制线103。

较佳地，所述IC布线101与所述显示区域的TFT阵列的控制线103在同一构图工艺形成，所述IC布线与所述TFT阵列的控制线不连接；具体实施过程中，可以通过GATE金属层或DATE金属层来制作。

较佳地，该制备方法还包括：制备多个所述接触点11和12，其中，所述接触点11位于非显示区域的黑矩阵和IC布线之间，所述接触点12位于非显示区域的黑矩阵和TFT阵列的控制线之间。

较佳地，在所述接触点，在上基板制备对应的黑矩阵，其中，黑矩阵具有凸起结构，凸起结构的表面沉积导线层；在下基板上制备与黑矩阵对应的过孔，其中，在TFT控制线的上方形成过孔，在过孔上方形成导电层，所述黑矩阵的凸起结构的导线层与TFT控制线的导电层通过过孔连接；相同的，在IC端也形成与黑矩阵凸起结构的导线层对应的过孔和IC布线层，并通过过孔连接。

综上所述，本发明实施例提供的一种液晶显示面板及制备方法，通过接触点的接触将TFT控制线走线引入到上基板侧黑矩阵的下方，使得用于栅线的导线从屏幕两侧转移到屏幕中间，这样省去了两侧的宽度，实现了极窄边框。同时导线由于在上基板上走线，和黑矩阵重叠，既不会影响开口率，也为布线提供了充足的空间，线宽能够达到5um~6um，相比较现在普遍采用的3~4um的设计，电阻大大减小，保证了信号的准确性，也降低了能耗。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种液晶显示面板，包括上基板、下基板、驱动电路IC以及位于上基板与下基板之间的液晶层，其中，上基板包括彩膜层和黑矩阵，下基板包括TFT阵列、TFT阵列的控制线、导电层，以及位于TFT阵列的控制线与导电层之间的绝缘层，其特征在于，该显示面板还包括：

多条导线，位于上基板上所述黑矩阵的下方，且每条导线连接驱动电路IC的布线和TFT阵列的控制线；

第一接触区域，位于所述显示面板的一侧的非显示区域，用于连接所述导线和所述驱动电路IC的布线，其中，所述第一接触区域包括多个接触点，每一所述导线的第一端在所述第一接触区域通过每个接触点与每一相应的IC布线的末端连接；

第二接触区域，位于所述显示面板的另一侧的非显示区域，用于连接所述导线和所述TFT阵列的控制线，其中，所述第二接触区域包括多个接触点，每一所述导线的第二端在所述第二接触区域通过所述每个接触点与每一相应的所述TFT阵列的控制线的信号输入端连接，所述TFT阵列的控制线用于给各TFT提供开启或断开信号；

其中，所述接触点包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括覆盖在非显示区域的黑矩阵的表面的导线层，所述非显示区域的黑矩阵具有凸起结构，所述第二部分包括与所述黑矩阵的凸起结构相对应位置的下基板的导电层；

所述第一接触区域和第二接触区域均包括多个过孔，每个过孔内覆盖导电层，所述黑矩阵的凸起结构位于所述过孔内，其中，所述过孔位于所述TFT阵列控制线和所述IC布线上方。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，在透光方向上，所述导线的投影位于黑矩阵的投影内。

3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导线的线宽为5～6μm。

4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一接触区域和所述第二接触区域分别位于所述显示面板的相邻两侧。

5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述IC布线与所述显示区域的TFT阵列的控制线在同一构图工艺形成，其中，所述IC布线与所述TFT阵列的控制线不连接。

6.一种液晶显示面板的制备方法，包括在上基板上制备彩膜层和黑矩阵，在下基板上制备TFT阵列、TFT阵列的控制线、导电层和绝缘层，制备驱动电路IC，以及将液晶对盒，其特征在于，该制备方法还包括：在制备出的黑矩阵的表面以沉积导线层的方式制备多条导线，其中，每条导线连接驱动电路IC布线和TFT阵列的控制线，所述导线的宽度小于所述黑矩阵的宽度；

制备多个接触点，其中，所述接触点位于非显示区域的黑矩阵和TFT阵列的控制线之间，或者所述接触点位于非显示区域的黑矩阵和IC布线之间；

在上基板制备对应的黑矩阵，其中，黑矩阵具有凸起结构，凸起结构的表面沉积导线层；在下基板上制备与黑矩阵对应的过孔，其中，在TFT控制线的上方形成过孔，在过孔上方形成导电层，所述黑矩阵的凸起结构的导线层与TFT控制线的导电层通过过孔连接；相同的，在IC端也形成与黑矩阵凸起结构的导线层对应的过孔和IC布线层，并通过过孔连接。

7.根据权利要求6所述的液晶显示面板的制备方法，其特征在于，在所述显示面板的相邻两侧分别制备第一接触区域和第二接触区域，

其中，在所述显示面板的一侧的非显示区域制备第一接触区域，用于连接所述导线和所述驱动电路IC的布线，

在所述显示面板的另一侧的非显示区域制备第二接触区域，用于连接所述导线和所述TFT阵列的控制线。

8.根据权利要求7所述的液晶显示面板的制备方法，其特征在于，多条IC布线，用于连接所述驱动电路IC和所述第一接触区域，其中，所述IC布线与所述显示区域的TFT阵列的控制线在同一构图工艺形成，且所述IC布线与所述TFT阵列的控制线不连接。