CN103076475B - 抗干扰的锰铜分流器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够有效减小外界磁场干扰的锰铜分流器,包括两侧的导电片和锰铜采样片,锰铜采样片的两端分别设有用于连接采样线的接线柱,锰铜采样片的两端分别与两侧的导电片相连接,锰铜采样片具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面,锰铜采样片两端呈以一个基准面为中心的两侧对称分布,锰铜采样片在该中心基准面上的投影面积大于锰铜采样片在另两个基准面上的投影面积。

Description

抗干扰的锰铜分流器
技术领域
 本发明涉及分流器,尤其是涉及与继电器一起用于智能电表中的锰铜分流器。
背景技术
锰铜是一种温度系数很小的金属(即锰铜的阻值随温度的变化基本可以忽略不计,例如紫铜温度每上升一度阻值上升千分之四)。根据U=I*R,锰铜的R恒定,那么就可以把锰铜串联到电路中,测量锰铜两端的电压值来反馈电流的大小。继电器动片和静片引出端上接的电流最大可以到80A、220V交流,这种大电流大电压不能直接被计量电路(智能电表的计电费电路)和测量电路使用,我们一般设计锰铜的阻值为100微欧到1000微欧左右,这样锰铜分流器两端的电压就只有8微伏到80微伏,这个微伏级的信号就可以用到计量和测量电路中。
现有结构的锰铜分流器包括两侧的导电片和锰铜采样片,锰铜采样片的两端分别设有用于连接采样线的接线柱,锰铜采样片的两端分别与两侧的导电片相连接,一侧的导电片连接到继电器的引出端上,锰铜采样片为一整片的板材结构,这种结构的产品在外界有磁场干扰的时候,锰铜的采样到微伏信号就不准确,甚至在没电流时,如果外界有磁场干扰,采样线的两端都有信号,导致电表的计量不准确。
发明内容
为了克服上述现有锰铜分流器易被干扰的缺陷,本发明提供能够有效减小外界磁场干扰的锰铜分流器。
本发明所提供抗干扰的锰铜分流器,包括两侧的导电片和锰铜采样片,锰铜采样片的两端分别设有用于连接采样线的接线柱,锰铜采样片的两端分别与两侧的导电片相连接,锰铜采样片具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面,锰铜采样片两端呈以一个基准面为中心的两侧对称分布,锰铜采样片在该中心基准面上的投影面积大于锰铜采样片在另两个基准面上的投影面积。
本发明提供降低磁场干扰的技术构思,其空间中的三个基准面是虚拟的概念,意在表达在空间中存在的三个两两之间都垂直的虚拟的平面,而这三个平面都分别与来自于三个方向的变化的磁场相互垂直,这样通过在正对着最大的变化磁场方向设置一个垂直于它的基准面,并且将锰铜采样片以该基准面为中心设置其对称两端,并且该对称两端的每端相对锰铜采样片而言在空间中延伸面积是最大的,那么最大变化磁场在其两端产生的感应电动势可以相互抵消,从而降低最大变化磁场方向上带来的磁干扰,进而降低对其整体的干扰程度,相比现有的锰铜采样片而言,在截面积、体积以及电阻值等基本参数不变的前提下,只通过对其整体形态进行变化,便能降低对锰铜分流器整体的干扰,得到精确的锰铜采样片的测量数值。
本发明优选抗干扰的锰铜分流器,是锰铜采样片的三个基准面分别是侧基准面、横基准面以及纵基准面,锰铜采样片两端呈以侧基准面为中心的两侧对称分布,锰铜采样片在侧基准面上的投影面积大于锰铜采样片在横基准面上的投影面积,锰铜采样片在横基准面上的投影面积大于在纵基准面上的投影面积。由于在智能电表内部检测出来自侧向上的变化磁场最大,通过将锰铜采样片调整为两端相对侧基准面为中心对称,便能将来自侧向的磁干扰大幅度降低。
本发明抗干扰的锰铜分流器特别设置为两侧的导电片呈以侧基准面为中心的两侧对称分布。这样可方便制造,提高生产速度,并将生产成本降至最低。
本发明进一步优选抗干扰的锰铜分流器,是锰铜采样片具有位于两端的端部,每个端部均具有内侧面、外侧面、前侧面、后侧面,每个端部的内侧面和外侧面相互平行,两个端部的内侧面相互平行,两个端部的外侧面相互平行,每个端部的前侧面和后侧面相互平行并分别垂直于内外侧面。这样锰铜采样片两端呈相对称的两块平行的厚度均匀的板状,并且其两端都与侧基准面相平行,能最大限度地抵消来自侧向的磁干扰。
本发明再进一步优选抗干扰的锰铜分流器,其具有位于两个端部之间的中间部,该中间部具有两个相平行的前后端面,前端面与前侧面呈同一平面,后端面与后侧面呈同一平面。这样的设计使得中间部在横基准面上的投影面积受限于两端部的两外侧面之间间距以及两端部的前后侧面之间间距,也即是说
能降低中间部的横向面积,从而减小垂直于中间部方向的变化磁场在中间部所产生的感应电动势的干扰。                                                                                      
本发明再再进一步优选抗干扰的锰铜分流器,其锰铜采样片的纵向截面呈U字型结构,具有易加工的优点,锰铜采样片只需一次冲压即可成型。
本发明更进一步优选抗干扰的锰铜分流器,其端部的前后侧面之间间距等于两个外侧面之间间距的2倍,两个外侧面之间间距等于两个内侧面之间间距的2倍。此比例制成的锰铜采样片是在使用冲压工艺前提下,在三个变化磁场方向上所能达到的最合理的抗干扰效果。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
附图说明
图1为本发明抗干扰的锰铜分流器实施例一的结构图之一。
图2为本发明抗干扰的锰铜分流器实施例一的结构图之二。
图3为本发明抗干扰的锰铜分流器实施例一的装配图。
图4为本发明抗干扰的锰铜分流器实施例一的展开图。
图5为本发明抗干扰的锰铜分流器实施例二的结构图。
具体实施方式
如图1、图2所示,本发明的抗干扰的锰铜分流器实施例一,包括两侧的导电片2和锰铜采样片1,锰铜采样片1的两端分别设有用于连接采样线的接线柱19,锰铜采样片1的两端分别与两侧的导电片2相连接,并且可通过超声波焊接将它们相固定在一起,如图3所示,将本实施例装配到继电器使用时,一侧的导电片2连接到继电器的引出端。
如图1、图2所示,实施例一中的锰铜采样片1具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面a、b、c,三个基准面是存在于空间中的虚拟的平面,本实施例中的三个基准面以与继电器配合时的方位为准,分别为侧基准面a、横基准面b以及纵基准面c,三个基准面a、b、c上分别具有垂直于它们的三个变化磁场。
如图1、图2所示,实施例一的锰铜采样片1的纵向截面呈U字型结构,是通过将与原来相同体积、截面积以及电阻值、并且是厚度均匀的如图4所示的锰铜采样片一次冲压形成,冲压后的锰铜采样片1具有位于两端的端部11以及位于两个端部11之间的中间部12,每个端部11均具有内侧面11a、外侧面11b、前侧面11c、后侧面11d,每个端部11的内侧面11a和外侧面11b相互平行,两个端部11的内侧面11a相互平行,两个端部11的外侧面11b相互平行,每个端部11的前侧面11c和后侧面11d相互平行并分别垂直于内外侧面11a、11b,而中间部12具有两个相平行的前后端面12a、12b,前端面12a与前侧面11c呈同一平面,后端面12b与后侧面11d呈同一平面,实施例一的中间部12的表面可视为中间的平面和两侧的弧面组成,两侧弧面分别与锰铜采样片1的两端部11连接,本实施例中端部11的前后侧面11c、11d之间间距等于两个外侧面11b之间间距的2倍,两个外侧面11b之间间距等于两个内侧面11a之间间距的2倍,也即是说中间部12的前后方向的长度是其内外方向宽度的2倍,而锰铜采样片1的内外方向的宽度是其厚度的2倍。
如图1、图2所示,实施例一由于是如前面所描述的,纵向截面为U字型的结构,锰铜采样片1呈以侧基准面a为中心的两侧对称分布,其两端部11在侧基准面a的两侧呈两平行板状,锰铜采样片1在该侧基准面a上的投影面积大于锰铜采样片1在另两个基准面b、c上的投影面积,并且锰铜采样片1在横基准面b上的投影面积,即相当于中间部12在横基准面b上的投影面积大于在纵基准面c上的投影面积。因此使用本实施例时是如图3所示的装配使用,是因为垂直于侧基准面a的变化磁场的干扰最强,而垂直于横基准面b和纵基准面c上的变化磁场干扰相对较弱,所以锰铜采样片1的两端部11因产生了感应电动势而相互抵消,从而使得来自侧向的干扰抵消,而在横基准面b和纵基准面c上由于受到干扰较小,因此就能将整体所受到的影响减小,起到抗干扰的效果。
如图5所示,为本发明的抗干扰的锰铜分流器实施例二,其与实施例一的不同之处仅仅在于其两侧的导电片2形状相同,并且是呈以侧基准面a为中心的两侧对称分布,除了加工方便以外,还可以与相应的继电器配合适用在某些智能电表之中。
本发明的保护范围不局限于上述实施例,允许锰铜采样片1可以有相当多的变化,但是要满足以下条件:锰铜采样片1具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面,锰铜采样片1两端呈以其中一个基准面为中心的两侧对称分布,锰铜采样片在该中心基准面上的投影面积大于锰铜采样片在另两个基准面上的投影面积。因为只要确定干扰最强的变化磁场方向,即可确定与之垂直的基准面,再将锰铜采样片1设置为两端在该基准面两侧对称分布,并且满足在该中心基准面上的投影面积是三个基准面中最大的前提条件,即可实现抵消来自最强的变化磁场方向的干扰的目的,因此本发明的保护范围是由权利要求所界定的。

Claims (6)

1.一种抗干扰的锰铜分流器,包括两侧的导电片(2)和锰铜采样片(1),锰铜采样片(1)的两端分别设有用于连接采样线的接线柱(19),锰铜采样片(1)的两端分别与两侧的导电片(2)相连接,其特征在于:锰铜采样片(1)具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面,所述三个基准面分别是侧基准面(a)、横基准面(b)以及纵基准面(c),锰铜采样片(1)两端呈以侧基准面(a)为中心的两侧对称分布,锰铜采样片(1)在侧基准面(a)上的投影面积大于锰铜采样片(1)在横基准面(b)上的投影面积,锰铜采样片(1)在横基准面(b)上的投影面积大于在纵基准面(c)上的投影面积。
2.根据权利要求1所述的抗干扰的锰铜分流器,其特征在于:两侧的导电片(2)呈以侧基准面(a)为中心的两侧对称分布。
3.根据权利要求1或2所述的抗干扰的锰铜分流器,其特征在于:锰铜采样片(1)具有位于两端的端部(11),每个端部(11)均具有内侧面(11a)、外侧面(11b)、前侧面(11c)、后侧面(11d),每个端部(11)的内侧面(11a)和外侧面(11b)相互平行,两个端部(11)的内侧面(11a)相互平行,两个端部(11)的外侧面(11b)相互平行,每个端部(11)的前侧面(11c)和后侧面(11d)相互平行并分别垂直于内外侧面(11a)(11b)。
4.根据权利要求3所述的抗干扰的锰铜分流器,其特征在于:锰铜采样片(1)具有位于两个端部(11)之间的中间部(12),该中间部(12)具有两个相平行的前后端面(12a)(12b),前端面(12a)与前侧面(11c)呈同一平面,后端面(12b)与后侧面(11d)呈同一平面。
5.根据权利要求4所述的抗干扰的锰铜分流器,其特征在于:锰铜采样片(1)的纵向截面呈U字型结构。
6.根据权利要求5所述的抗干扰的锰铜分流器,其特征在于:端部(11)的前后侧面(11c)(11d)之间间距等于两个外侧面(11b)之间间距的2倍,两个外侧面(11b)之间间距等于两个内侧面(11a)之间间距的2倍。
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