CN103065944B - 一种便携式器件晶圆的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及一种便携式器件晶圆的制造方法，包括：首先减薄器件晶圆外延层，采用热处理的工艺对晶圆基底进行处理，使掺杂剂从浓度高的基底向掺杂浓度低的外延层进行扩散；然后在晶圆上制作功能器件；接着将载有功能器件的晶圆与载片相键合；最后对键合后的晶圆衬底进行减薄处理。在第一步中，通过控制热处理的温度和时间来控制掺杂剂从浓度高的基底扩散到掺杂浓度低的外延层的深度。通过控制热处理的温度和时间来控制掺杂剂从浓度高的基底扩散到掺杂浓度低的外延层的深度；外延层与基底的界面可以由热处理精确调整而不影响期间性能，而且调整精度高，同时外延层减薄的厚度的一致性也得以保障。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶圆的制造方法，具体的涉及一种便携式器件晶圆的制造方法。
背景技术
在半导体便携式设备的制造过程中，往往需要对便携式设备器件晶圆的外延层进行减薄，而现有技术采用的是刻蚀的方法，第一步，用强酸刻蚀外延层，第二步用选择比较高的酸选择性刻蚀，停在外延层（此酸对外延层的刻蚀速率低），传统的抛光或化学刻蚀在上两步完成后，可以用作继续的减薄工艺，采用这些方法，器件晶圆外延层的最终深度只能由化学刻蚀的界面确定，并且其减薄后外延层的厚度的一致性难以得到保证。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供使用热处理工艺促使掺杂剂从掺杂浓度高的基底区域扩散到掺杂浓度低的外延层，使外延层减薄，通过控制热处理的温度和时间来控制掺杂剂从浓度高的基底扩散到参杂浓度低的外延层的深度。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种便携式器件晶圆外延层减薄的方法包括：
步骤一，减薄器件晶圆外延层：采用热处理的工艺对晶圆基底进行加热，掺杂剂在加热的过程中产生运动，从而使掺杂剂从浓度高的基底相参杂浓度低的外延层进行扩散；
步骤二，在晶圆上制作功能器件，此功能器件为实际使用过程中为实现一定的功能而所需的器件：在经过热处理的晶圆上制作移动设备和金属电路，所述移动设备为可移植在晶圆上的功能器件，所述金属电路为金属连线，将各移动设备连接起来从而形成具有一定功能的电路，获得便携式器件晶圆；
步骤三：将载有功能器件的晶圆与载片相键合，将载有功能器件的倒装器件便携式器件晶圆与载片相键合；
步骤四：对键合后的晶圆衬底进行减薄处理。
在步骤一中，通过控制热处理的温度和时间来控制掺杂剂从浓度高的基底扩散到参杂浓度低的外延层的深度，调节热处理器对晶圆热处理的温度和时间，所述热处理的温度越高，掺杂剂的扩散速率越大，热处理的时间越长，掺杂剂的扩散深度越大。
本发明的有益效果是：在使用热处理工艺促使掺杂剂从掺杂浓度高的基底区域扩散到掺杂浓度低的外延层，使外延层减薄，通过控制热处理的温度和时间来控制掺杂剂从浓度高的基底扩散到参杂浓度低的外延层的深度，外延层与基底的界面可以由热处理精确调整而不影响期间性能，而且调整精度高，同时外延层减薄的厚度的一致性也得以保障。
附图说明
图1为本发明一种便携式器件晶圆的外延层减薄方法流程图；
图2为本发明一种便携式器件晶圆的结构示意图。
附图中，各标号所代表的步骤或部件列表如下：
101、减薄器件晶圆外延层，102、在晶圆上制作功能器件，103、将载有功能器件的便携式器件晶圆与载片相键合，104、对键合后的晶圆衬底进行减薄处理，1、基底，2、外延层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1、2所示，一种便携式器件晶圆外延层减薄的方法包括：
步骤101：减薄外延层，采用热处理的工艺对晶圆基底1进行处理，使掺杂剂从浓度高的基底1相参杂浓度低的外延层2进行扩散，外延层2与基底1之间的界面处的掺杂剂浓度变高，使得外延层2的厚度减小；通过控制热处理的温度和时间来控制掺杂剂从浓度高的基底1扩散到参杂浓度低的外延层2的深度。
步骤102：在晶圆上制作功能器件，在外延层2上添加移动设备或制作功能器件；
步骤103：将载有功能器件的晶圆与载片相键合，将载有功能器件的倒装器件晶圆与载片相键合；
步骤104：对键合后的晶圆衬底进行减薄处理。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种便携式器件晶圆的制造方法，其特征在于：包括，
步骤一，减薄器件晶圆外延层：采用热处理的工艺，对晶圆基底进行处理，通过控制热处理的温度和时间来控制掺杂剂从浓度高的基底向掺杂浓度低的外延层进行扩散，并控制掺杂剂从浓度高的基底扩散到掺杂浓度低的外延层的深度；
步骤二，在晶圆上制作功能器件：在经过热处理过的晶圆上制作移动设备和金属电路，获得载有功能器件的便携式器件晶圆；
步骤三，将载有功能器件的便携式器件晶圆与载片相键合：将载有功能器件倒装后与载片键合；
步骤四：对键合后的晶圆衬底进行减薄处理。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310011850.7A CN103065944B (zh) | 2013-01-14 | 2013-01-14 | 一种便携式器件晶圆的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310011850.7A CN103065944B (zh) | 2013-01-14 | 2013-01-14 | 一种便携式器件晶圆的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103065944A CN103065944A (zh) | 2013-04-24 |
| CN103065944B true CN103065944B (zh) | 2015-06-24 |
Family
ID=48108516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310011850.7A Active CN103065944B (zh) | 2013-01-14 | 2013-01-14 | 一种便携式器件晶圆的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103065944B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112038224B (zh) * | 2020-09-11 | 2022-12-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种退火方法及装置 |
| CN114378712B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-05-09 | 青岛嘉展力拓半导体有限责任公司 | 一种碳化硅减薄加工使弯曲度集中的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101521199A (zh) * | 2008-02-29 | 2009-09-02 | 胜高股份有限公司 | 硅衬底及其制造方法 |
| TW201119025A (en) * | 2009-08-31 | 2011-06-01 | Sumco Corp | Film-thinning control method of a semiconductor wafer for a solid photographing element |
| CN102543665A (zh) * | 2010-12-07 | 2012-07-04 | 中国科学院微电子研究所 | 砷化镓衬底改进的快速减薄方法 |
-
2013
- 2013-01-14 CN CN201310011850.7A patent/CN103065944B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101521199A (zh) * | 2008-02-29 | 2009-09-02 | 胜高股份有限公司 | 硅衬底及其制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103065944A (zh) | 2013-04-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: WUHAN XINXIN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: LU WEI Effective date: 20130712 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200124 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 430205 WUHAN, HUBEI PROVINCE |
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| TA01 | Transfer of patent application right |
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|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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