CN103046024A - 一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种防回流的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；气路部件包括第一管道和第二管道，第一管道和第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道与沉积室相连；第一管道和第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，反应气体源瓶设置在第一管道和第二管道上靠近沉积室的一端。本发明还提供一种防回流的原子层沉积设备的使用方法。本发明提高了原子层沉积设备化学试剂的利用率，降低残留试剂对气体试剂的污染，减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象，同时减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，降低沉积反应周期时间。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法。
背景技术
原子层沉积设备工作时，一个沉积周期往往包括四个阶段：第一化学反应气体进入沉积室反应、第一清理气体清洗沉积室、第二化学反应气体进入沉积室反应、第二清理气体清洗沉积室，在这四个阶段，都会涉及到通入气体及抽取气体的过程。现有的原子层沉积设备包含使用了多个阀的同步致动的化学试剂输送支管，即第一化学反应气体、第一清理气体、第二化学反应气体和第二清理气体都位于同一气路通道上，每个气体源瓶由相应的阀门控制，在这样的***中，由于阀本身不可能实现完全的同步致动，因此，不可能真正做到消除流量偏移，且这些不可避免的流量偏移会发生回流，产生对沉积产品质量不利的化学试剂混合，影响器件的沉积效果。现有结构如图1所示。
为了提高原子层沉积设备的产品性能，消除流量偏移，尽可能减少气体回流，避免化学试剂的污染对沉积带来的不良影响，需要对传统的原子层沉积设备的反应气体的输送结构进行重新设计，满足待加工器件对沉积效果越来越高的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防回流的原子层沉积设备，降低残留试剂对气体试剂的污染，减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象。
本发明的另一目的在于提供一种防回流的原子层沉积设备的使用方法。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种防回流的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；所述气路部件包括第一管道和第二管道，所述第一管道和所述第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道，所述公共管道与所述沉积室相连；所述第一管道和所述第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，所述清理气体源瓶设置在所述第一管道和所述第二管道上靠近所述沉积室的一端。
上述方案中，所述反应气体源瓶和所述清理气体源瓶分别设有直接控制相应源瓶的阀门，所述反应气体源瓶与所述清理气体源瓶之间的管道上设有阀门，所述第一管道与所述第二管道与所述公共管道的交接处分别设有阀门。
上述方案中，所述控制部件包括计算机和数据处理模块；所述计算机与所述数据处理模块连接，所述数据处理模块分别与所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接；
其中，所述计算机，用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析；所述数据处理模块，用于对所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。
上述方案中，所述加热部件中的温控器通过RS232串口与所述数据处理模块连接。
上述方案中，所述真空部件中的压力传感器和真空计分别通过RS232和RS485串口与所述数据处理模块连接。
上述方案中，所述数据处理模块和所述真空部件中的电压电流放大模块连接，所述电压电流放大模块和继电器连接，所述继电器下端为泵组电源。
上述方案中，所述数据处理模块与所述等离子体产生部件中的射频电源连接。
上述方案中，所述数据处理模块与所述气路部件中的质量流量控制器以及各个电磁阀相连。
一种防回流的原子层沉积设备的使用方法，包括如下步骤：
打开气路部件第一管道上气体反应源瓶的控制阀门、所述第一管道上气体反应源瓶与气体清理源瓶之间的阀门以及所述第一管道与公共管道交接处的阀门，在向沉积室输送化学反应气体至预先设置量后，关闭上述阀门；
当所述沉积室内化学反应气体的反应结束后，打开所述第一管道上气体清理源瓶的控制阀门和所述第一管道与公共管道交接处的阀门，在向所述沉积室通入清理气体至预先设置量后，关闭上述阀门；
当所述沉积室内清洗完毕后，打开所述气路部件第二管道上气体反应源瓶的控制阀门、所述第二管道上气体反应源瓶与气体清理源瓶之间的阀门以及所述第二管道与所述公共管道交接处的阀门，在向沉积室输送化学反应气体至预先设置量后，关闭上述阀门；
当所述沉积室内化学反应气体的反应结束后，打开所述第二管道上气体清理源瓶的控制阀门和所述第二管道与公共管道交接处的阀门，在向所述沉积室通入清理气体至预先设置量后，关闭上述阀门。
与现有技术方案相比，本发明采用的技术方案产生的有益效果如下：
本发明通过采用双气体输送通道和双阀门结构，提高了原子层沉积设备的化学试剂的利用率，降低残留试剂对气体试剂的污染，极好的减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象，同时也能够减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，进而降低沉积反应周期时间。
附图说明
图1为现有技术中原子层沉积设备气体输送管道的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的原子层沉积设备的气体输送管道的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的原子层沉积设备的***结构图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明技术方案进行详细描述。
本发明实施例提供一种防回流的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室。如图2所示，气路部件包括第一管道101和第二管道201，第一管道101和第二管道201的末端结合处延伸出一段公共管道301，公共管道301与沉积室15相连。第一管道101上设有第一反应气体源瓶102和第一清理气体源瓶103，第二管道201上设有第二反应气体源瓶202和第二清理气体源瓶203。第一清理气体源瓶103和第二清理气体源瓶203分别设置在第一管道101和第二管道201上靠近沉积室15的一端。
第一反应气体源瓶102、第一清理气体源瓶103、第二反应气体源瓶202和第二清理气体源瓶203分别设有直接控制相应源瓶的阀门104、阀门106、阀门204和阀门206；第一反应气体源瓶102与第一清理气体源瓶103之间的管道上设有阀门105，第二反应气体源瓶202与第二清理气体源瓶203之间的管道上设有阀门205，第一管道101与第二管道201与公共管道301的交接处分别设有阀门107和阀门207。
本发明采用双通道输送反应气体，有效避免了两种反应气体的混合，减少化学试剂的污染，降低化学试剂的使用量，使产品品质和生产效率都得到提高。本发明在双通道的基础上，每个源瓶采用了双阀门，在相应化学反应试剂输送完毕后，关闭气体的双阀门，避免管道中残余的气体进入公共输送管道，并跟随别的化学试剂进入沉积室，造成试剂的污染。
如图3所示，控制部件包括计算机21和数据处理模块22，计算机21与数据处理模块22连接，数据处理模块22分别与真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接。其中，计算机21，用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析；数据处理模块22，用于对真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。
计算机21作为原子层沉积设备中的控制中枢，对原子层沉积设备的真空部件、加热部件、气路部件 、等离子体产生部件进行控制操作，控制设备各个部件之间的信息交流，是整个设备的调度中心，负责设备中涉及的数据处理的主要部分，完成设备中指令分析和发送、接收和处理其它部件的请求，实现控制功能，保证设备良好运行。
数据处理模块22作为原子层沉积设备中的辅助数据处理中心，负责对原子层设备的真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理，数据处理模块22中固化了具体的数据处理程序，通过分析各个部件的请求，启用相应的处理程序，实时快速的返回处理结果。
本发明中计算机21和数据处理模块22连接，计算机21用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块22发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块22接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析，协调和控制整个原子层沉积设备运行在正常工作状态。加热部件中的温控器20通过RS232串口与数据处理模块22连接，真空部件中的压力传感器和真空计23分别通过RS232和RS485串口与数据处理模块22连接，数据处理模块22作为射频电源12、质量流量控制器1、质量流量控制器19、电压电流放大模块25和数据处理模块22的数据信息交流处理通道，使得整个控制部件结构清晰，便于生产。数据处理模块22和电压电流放大模块25连接，电压电流放大模块25和继电器24连接，继电器24下端为泵组电源18。数据处理模块22和气路部件中的电磁阀2至电磁阀7相连。
本发明实施例还提供一种防回流的原子层沉积设备的使用方法，包括如下步骤：
（1）启动计算机21，进入原子层沉积设备控制***界面，设置预计沉积反应时间和设备其它工作参数；
（2）计算机21通过数据处理模块22发送开启命令，电源电流放大模块25输出高电压，控制继电器24的接通，进而开启控制泵组电源18，启动机械泵17和分子泵16；数据处理模块22和气路部件中的电磁阀2至电磁阀7相连，对电磁阀2至电磁阀5的控制是为了调节气路通断，对电磁阀6和电磁阀7的控制分别是为了调节气路部件中的源瓶8和源瓶9的通断；数据处理模块22将计算机21的指令、数据传送到质量流量控制器和电磁阀中，打开手动阀门10和手动阀门11，对沉积室15和管路进行抽气，抽本底真空（约到5×10-4torr）；数据处理模块22对温控器20、热电偶提供的温度信息进行分析处理，将结果返回给计算机21，计算机21监控加热盘、源瓶、管路、腔壁的温度，决定各个待加热部件继续加热或停止加热，使它们工作在设置的温度状态，完成对气路部件、加热部件的控制；
（3）通过计算机21设置流量计大小，并保存该值，打开质量流量控制器1、质量流量控制器19、电磁阀2、电磁阀3，气体26、气体27将进入气路，对气路部件进行充气，计算机21对***压强实时监控，当***达到所需工作压强时，关闭上述质量流量控制器和电磁阀，停止充气；
（4）设置沉积工作所需要的参数，计算机21将参数加入控制命令中，发送到数据处理模块22，数据处理模块22作为信息通道，将计算机21的指令发送到射频电源12的接收部件中，控制射频电源12的开启以及对输出功率的设定，同时，射频电源匹配器13保证射频电源12为等离子体产生***14提供稳定的功率。射频电源12的输出功率作为数据处理模块22的接收量反馈给计算机21，计算机21对该功率进行分析，以使等离子体产生部件中的等离子体产生***14工作在稳定的状态，从而完成对等离子体产生部件的控制并进行沉积；
（5）打开控制第一化学反应气体的阀门104和阀门105，同时第一清理气体靠近沉积室15的阀门107亦处于打开状态，向沉积室15输送化学试剂，至预先设置量后，控制第一化学反应气体双阀门关闭，同时关闭第一清理气体的近沉积室15的阀门107；待第一化学反应气体反应结束后，打开控制第一清理气体的阀门106和阀门107，向沉积室15通入清理气体至预先设置量，关闭控制第一清理气体的双阀门；清洗工作完毕，打开控制第二化学反应气体的阀门204和阀门205，同时开启第二清理气体靠近沉积室15的阀门201，向沉积室15输送第二化学反应气体，至预先设置量，控制第二反应气体的双阀门关闭，同时关闭第二清理气体的近沉积室15的阀门207；待第二化学反应气体结束后，打开控制第二清理气体的阀门206和阀门207，向沉积室15输送清理气体至预设量，关闭控制第二清理气体的双阀门；
（6）清理工作完毕，一个沉积反应周期结束，继续进行上述步骤（5）的工作，直至沉积工作完成；
（7）沉积结束后，计算机21控制整个设备空运行n个周期，对原子层沉积设备进行吹扫净化，发送指令，打开电磁阀6和电磁阀7，开启源瓶8和源瓶9，对沉积室15进行净化。
（8）吹扫结束后，关闭程序，完成原子层沉积的全部工作。
本发明从沉积室的容积出发，设计了在沉积周期四个阶段中可以改变容积的腔室，有效的改变影响气体停留时间的因素容积V，虽然V的变化会导致腔室压力P的改变，但相较容积改变对停留时间的影响，压力的改变对时间的影响较小，因而总体上可以只考虑容积改变带来的结果。
本发明通过采用双气体输送通道和双阀门结构，在进行原子层沉积时，可确保原子层沉积设备有效减少化学试剂回流问题，降低流量偏移，防止化学试剂污染，提高化学试剂的利用率，减少试剂浪费和尾气污染，进而降低沉积反应周期时间，从而提高沉积性能，得到高质量的产品。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种防回流的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室，其特征在于：所述气路部件包括第一管道和第二管道，所述第一管道和所述第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道，所述公共管道与所述沉积室相连；所述第一管道和所述第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，所述清理气体源瓶设置在所述第一管道和所述第二管道上靠近所述沉积室的一端。
2.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述反应气体源瓶和所述清理气体源瓶分别设有直接控制相应源瓶的阀门，所述反应气体源瓶与所述清理气体源瓶之间的管道上设有阀门，所述第一管道与所述第二管道与所述公共管道的交接处分别设有阀门。
3.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述控制部件包括计算机和数据处理模块；所述计算机与所述数据处理模块连接，所述数据处理模块分别与所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接；
其中，所述计算机，用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析；所述数据处理模块，用于对所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。
4.如权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述加热部件中的温控器通过RS232串口与所述数据处理模块连接。
5.如权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述真空部件中的压力传感器和真空计分别通过RS232和RS485串口与所述数据处理模块连接。
6.如权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述数据处理模块和所述真空部件中的电压电流放大模块连接，所述电压电流放大模块和继电器连接，所述继电器下端为泵组电源。
7.如权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述数据处理模块与所述等离子体产生部件中的射频电源连接。
8.如权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于：所述数据处理模块与所述气路部件中的质量流量控制器以及各个电磁阀相连。
9.一种防回流的原子层沉积设备的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：
打开气路部件第一管道上气体反应源瓶的控制阀门、所述第一管道上气体反应源瓶与气体清理源瓶之间的阀门以及所述第一管道与公共管道交接处的阀门，在向沉积室输送化学反应气体至预先设置量后，关闭上述阀门；
当所述沉积室内化学反应气体的反应结束后，打开所述第一管道上气体清理源瓶的控制阀门和所述第一管道与公共管道交接处的阀门，在向所述沉积室通入清理气体至预先设置量后，关闭上述阀门；
当所述沉积室内清洗完毕后，打开所述气路部件第二管道上气体反应源瓶的控制阀门、所述第二管道上气体反应源瓶与气体清理源瓶之间的阀门以及所述第二管道与所述公共管道交接处的阀门，在向沉积室输送化学反应气体至预先设置量后，关闭上述阀门；
当所述沉积室内化学反应气体的反应结束后，打开所述第二管道上气体清理源瓶的控制阀门和所述第二管道与公共管道交接处的阀门，在向所述沉积室通入清理气体至预先设置量后，关闭上述阀门。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |