CN103017948A - 一种压阻式压力传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种压阻式压力传感器,包括:第一半导体电阻应变片组和第二半导体电阻应变片组,第一半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R1、R2、R3和R4,R1、R2、R3和R4组成第一惠斯顿电桥,第二半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R5、R6、R7和R8,R5、R6、R7和R8组成第二惠斯顿电桥;第一惠斯顿电桥和第二惠斯顿电桥分布在所述压力传感器的球型探测外壳的两个半球上,且输入和输出端并联到检测电路。本发明中,使用两组检测电路,每组检测电路包括四个半导体电阻应变片,该两组检测电路分别位于相对的半球上;可以同时检测到不同方向的压力,提高了测量精度。
Description
技术领域
本发明涉及一种压阻式压力传感器。
背景技术
传统的机械量压力传感器是基于金属弹性体受力变形,由机械量弹性变形到电量转换输出,但体积大成本高。相对于传统的机械量传感器,MEMS压力传感器的尺寸更小,最大的不超过一个厘米,相对于传统“机械”制造技术,其性价比大幅度提高。目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器,两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的,具有较高的测量精度、较低的功耗和极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器,如无压力变化,其输出为零,几乎不耗电。现有技术中,四个半导体电阻应变片在传感器本体上呈平面分布,在同一方向上接受压力,而实际工作环境中,各方向压力可能不同,导致测量不准确,亟待改进。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于提出一种压阻式压力传感器,通过本发明的实施,提高压力测量精度。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种压阻式压力传感器,包括:第一半导体电阻应变片组和第二半导体电阻应变片组,第一半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R1、R2、R3和R4,R1、R2、R3和R4组成第一惠斯顿电桥,第二半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R5、R6、R7和R8,R5、R6、R7和R8组成第二惠斯顿电桥;第一惠斯顿电桥和第二惠斯顿电桥分布在所述压力传感器的球型探测外壳的两个半球上,且输入和输出端并联到检测电路。
优选地,半导体电阻应变片为弧面,与所述球型探测外壳匹配。
优选地,半导体电阻应变片为平面,与所述球型探测外壳表面相切。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明中,使用两组检测电路,每组检测电路包括四个半导体电阻应变片,该两组检测电路分别位于相对的半球上;可以同时检测到不同方向的压力,提高了测量精度。
发明附图
图1是本发明实施例1提供的一种压阻式压力传感器的示意图。
具体实施方式
本发明实施例1提供了一种压阻式压力传感器,如图1所示,包括:第一半导体电阻应变片组和第二半导体电阻应变片组,第一半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R1、R2、R3和R4,R1、R2、R3和R4组成第一惠斯顿电桥,第二半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R5、R6、R7和R8,R5、R6、R7和R8组成第二惠斯顿电桥;第一惠斯顿电桥和第二惠斯顿电桥分布在所述压力传感器的球型探测外壳1的两个半球上,且输入和输出端并联到检测电路。其中半导体电阻应变片为弧面,与所述球型探测外壳匹配;或半导体电阻应变片为平面,与所述球型探测外壳表面相切。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种压阻式压力传感器,其特征在于,包括:第一半导体电阻应变片组和第二半导体电阻应变片组,第一半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R1、R2、R3和R4,R1、R2、R3和R4组成第一惠斯顿电桥,第二半导体电阻应变片组包括半导体电阻应变片R5、R6、R7和R8,R5、R6、R7和R8组成第二惠斯顿电桥;第一惠斯顿电桥和第二惠斯顿电桥分布在所述压力传感器的球型探测外壳的两个半球上,且输入和输出端并联到检测电路。
2.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器,其特征在于,半导体电阻应变片为弧面,与所述球型探测外壳匹配。
3.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器,其特征在于,半导体电阻应变片为平面,与所述球型探测外壳表面相切。
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- 2012-11-28 CN CN2012104951543A patent/CN103017948A/zh active Pending
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