CN102969355B - 一种soi基pmosfet功率器件 - Google Patents
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Abstract
一种SOI基PMOSFET功率器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的SOI基PMOSFET功率器件采用N型SOI基,便于和N沟道功率器件相集成;同时,其漂移区是在SOI基的N型SOI半导体层表面注入P型阱区所形成,在反向阻断状态下,接高电位的N型SOI半导体层对P型漂移区二维耗尽而产生RESURF效应,这有效地提高了器件的击穿电压和漂移区浓度,且大大降低了导通电阻;再有,该SOI基PMOSFET功率器件利用介质槽来承担横向压降,使得在很小的器件横向尺寸下就能获得高的击穿电压,从而能够有效地缩小器件的横向尺寸。
Description
技术领域
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及SOI(Semiconductor On Insulator,绝缘层上的半导体)基P沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效应晶体管)功率器件。
背景技术
P沟道MOSFET(以下简称PMOSFET)是一种以空穴为导电载流子的场效应晶体管。由于在硅半导体中,空穴的迁移率远小于电子的迁移率,因而在同样掺杂浓度和结构尺寸的条件下,PMOSFET的导通电阻远大于N沟道MOSFET(以下简称NMOSFET)的导通电阻,这使得NMOSFET的应用更加广泛且倍受人们青睐。然而,由于PMOSFET在CMOS集成电路中的应用能大大地简化电路,PMOSFET仍是不可替代、不可或缺的器件。
为提高电路的集成度并使器件之间更好的隔离,人们将体硅器件转移到了SOI硅片上。SOI是在顶层半导体(称为SOI半导体层)和衬底层(可以为半导体或绝缘介质)之间引入介质埋层,将半导体器件或电路制作在SOI半导体层中,如图1所示。由于SOI介质埋层的引入,使得SOI基功率器件与纯体硅功率器件相比具有寄生效应小,泄漏电流小,集成度高、抗辐射能力强以及无可控硅自锁效应等优点。为了提高功率器件的击穿电压和降低正向导通电阻,对于横向功率器件,RESURF(Reduce SURface Field)原理是最常用的一种方法。RESURF技术也用于SOI器件中。在器件处于阻断状态下,SOI基NMOSFET中的RESURF是一种利用纵向MIS(SOI衬底层-SOI介质埋层-SOI半导体层所形成的MIS结构)电容的纵向耗尽来减小表面电场峰值,从而提高器件击穿电压和漂移区掺杂浓度的方法。
然而对于制作在SOI硅片上的PMOSFET器件,在其反向阻断状态下,由于源极(S)接高电位、漏极(D)和SOI衬底均与地电位相接,这使得漏极下方的P型漂移区与SOI的衬底电位更为接近,从而使得SOI衬底层-SOI介质埋层-SOI半导体层所形成的MIS结构对P型漂移区的纵向耗尽极其微弱,因而没有形成RESURF效应。SOI基PMOSFET器件这种无RESURF效应的现象,一方面导致器件的击穿电压很低,且击穿往往发生于器件表面;另一方面导致漂移区的优化浓度很低,导通电阻过大。
针对SOI基PMOSFET器件所存在的上述问题,许多业内研究者都进行了相关的研究。文献Tobias Florian,Thilo Stephan,Michael Graf,Volker Dudek,【Analysis and Optimization of theBack-Gate Effect on Lateral High-Voltage SOI Devices】IEEE Trans on Electron Device 2005,1649-1655根据不同厚度的介质埋层对SOI半导体层的影响,提出了一种具有阶梯埋氧层的SOI基PMOSFET,其结构如图2所示。该器件的结构特点是将P型漂移区和N型阱区下方的SOI介质埋层增厚,从而减少衬底电位对较高浓度的N型阱区耗尽电荷的引入,进而使得P型漂移区和N型阱区的PN结处电场不致于过高而避免了提前击穿。在该器件结构中,场板对击穿电压的影响也极为敏感;采用的解决方法是将场氧层增厚以防止场板末端引入高电场。但是,该结构并没有从根本上解决SOI基PMOSFET器件中没有RESURF效应的现象。
如图3所示,文献Vincenzo Palumbo,Mirko Venturato,Michele Gallo【High doped draindouble-Resurf 100V P-channel MOS on SOI 0.35μm BCD technology】ISPSD and IC’s,2008,283-286在P型阱区下方的P型漂移区表面注入N型埋层。在阻断状态下时,该N型埋层对P型阱区纵向辅助耗尽,与横向的PN结联合而产生RESURF效应,不仅避免了器件提前在表面击穿,还使得P型阱区的优化浓度大大提高,进而正向导通时的比导通电阻下降;同时,N型埋层的引入,使得器件在纵向上引入了两个反偏的PN结(一个是P型阱区和N型埋层所形成的PN结,另一个是P型SOI半导体层和N型埋层所形成的PN结),从而器件的纵向击穿电压大大提高,因而器件的击穿电压也增加。该器件结构利用RESUEF原理获得了击穿电压为138V、比导通电阻为12mΩ·cm2的电学性能;与相同结构并尺寸但未注入N型埋层的SOI基PMOSFET(击穿电压为142V、比导通电阻为23mΩ·cm2)相比,该器件的比导通电阻大有改善。然而对于该器件结构,N型埋层的位置对器件击穿电压的影响却是非常敏感;且比导通电阻仍然较大。同时,该器件结构的SOI半导体层采用的是P型半导体,这使得在集成NMOSFET器件时必须注入P型阱。由于在用BCD工艺制造的SOI功率集成电路中,NMOSFET的应用较PMOSFET更为普遍,因而SOI半导体层采用N型半导体更有利于简化制造工艺。文献Ming Qiao,Lingli Jiang,Meng Wang,Yong Huang,Hong Liao,Tao Liang【High-Voltage Thick Layer SOI Technology for PDP Scan Driver IC】ISPSD and IC’s,2011,180-183将pLDMOS、nLDMOS、nLIGBT等功率器件集成在N型的SOI半导体上,如图4所示。由于SOI层采用N型半导体,这更有利于与N型功率器件兼容。
发明内容
为了进一步提高SOI基PMOSFET功率器件的反向耐压和降低导通电阻,本发明提供一种新型结构的SOI基PMOSFET功率器件。该SOI基PMOSFET功率器件采用N型SOI基,便于和N沟道功率器件相集成;同时,其漂移区是在SOI基的N型SOI半导体层表面注入P型阱区所形成,在反向阻断状态下,接高电位的N型SOI半导体层对P型漂移区二维耗尽而产生RESURF效应,这有效地提高了器件的击穿电压和漂移区浓度,且大大降低了导通电阻;再有,该SOI基PMOSFET功率器件利用介质槽来承担横向压降,使得在很小的器件横向尺寸下就能获得高的击穿电压,从而能够有效地缩小器件的横向尺寸。
本发明解决所述技术问题,采用的技术方案是:
一种SOI基PMOSFET功率器件,如图5所示,包括由纵向自下而上的衬底层1、介质埋层2和N型SOI半导体层3成所形成的N型SOI基;所述N型SOI半导体层3为轻掺杂的N型半导体层(N型高阻区),其中具有P型阱区4;所述P型阱区4除上表面外的其它面均与N型SOI半导体层3接触;所述P型阱区中具有介质槽6,介质槽内填充绝缘介质9;介质槽6横向(图5所示x方向)一侧的P型阱区4表面具有P型重掺杂(P+)的漏区14,P型重掺杂的漏区14表面通过漏极金属引出漏电极(D);介质槽6横向另一侧的P型阱区4的顶部具有N型体区5,N型体区5内具有P型重掺杂源区11和N型重掺杂体接触区12,其中P型重掺杂源区11靠近介质槽6而N型重掺杂体接触区12远离介质槽6;N型SOI半导体层3中靠近N型体区5的顶部具有N型重掺杂的低阻区13;P型重掺杂源区11、N型重掺杂体接触区12和N型重掺杂的低阻区13三者的表面通过源极金属引出源电极(S);介质槽6内靠近P型重掺杂源区11的绝缘介质9中具有导电材料形成的沟槽栅10,沟槽栅10的纵向(图5所示y方向)尺寸大于N型体区5的纵向尺寸,沟槽栅10的表面通过栅极金属引出栅电极(G)。
本发明提供的SOI基PMOSFET功率器件还可具有如下变形结构:
如图6所示,所述N型体区5横向延伸入N型SOI半导体层3的顶部,所述N型重掺杂的低阻区13并入N型重掺杂体接触区12形成同一个N型重掺杂体接触区12。
如图7所示,所述N型体区5中还具有第二P型重掺杂源区11b,所述N型重掺杂体接触区12夹于P型重掺杂源区11和第二P型重掺杂源区11b之间,第二P型重掺杂源区11b的引出端与源电极电气相连;所述第二P型重掺杂源区11b和所述N型重掺杂的低阻区13之间的P型阱区4和N型体区5的表面具有平面栅结构8,平面栅结构8的引出端与栅电极电气相连。这样使得N型体区5与N型高阻区13在横向上存在一定的间距,用以提供导电电流通道。
如图8所示,所述N型体区5中还具有第二P型重掺杂源区11b,所述N型重掺杂体接触区12夹于P型重掺杂源区11和第二P型重掺杂源区11b之间,第二P型重掺杂源区11b的引出端与源电极电气相连;所述第二P型重掺杂源区11b和所述N型重掺杂的低阻区13之间的区域具有由沟槽内导电材料10b和沟槽壁绝缘介质9b所形成的第二沟槽栅结构7,第二沟槽栅结构7的纵向尺寸与沟槽栅10的纵向尺寸相当,第二沟槽栅结构7的引出端与栅电极电气相连。
如图9所示,去掉图5中沟槽栅10和P型重掺杂源区11,介质槽6直接与N型重掺杂体接触区12相连;保留第二沟槽栅结构7,第二沟槽栅结构7的纵向尺寸与沟槽栅10的纵向尺寸相当,第二沟槽栅结构7的引出端作为栅电极。
上述各种技术方案中:
所述沟槽栅10或第二沟槽栅结构7的导电材料为金属、多晶硅或重掺杂半导体。
所述SOI基中的SOI半导体层3材料包括但不限于Si、SiC、SiGe、GaAs或GaN。
所述SOI基中的介质埋层2材料为SiO2;或介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si临界击穿电场3倍的介质材料(包括但不限于SiOF、CDO或SiCOF)。SOI介质埋层2采用介电系数较低的介质,可以增强介质埋层的电场,有利于器件耐压的提高。
所述SOI基中的衬底层1材料可以为N型或P型掺杂的半导体,也可为绝缘介质。
与现有技术相比,本发明提供的SOI基PMOSFET器件所达到的有益效果如下:
一、从性能上来看:①在阻断状态下,由于N型高阻区13与高电位连接,对漂移区(即P型阱区4)二维耗尽而产生RESURF效应,有效地提高了器件的击穿电压和漂移区浓度,漂移区浓度的提高进而使得导通电阻也大大降低;②在横向引入介质槽6,由于所引入的介质槽介电系数小于硅的介电系数,于是在反向阻断状态下,介质槽内的电场远大于在硅中的电场,因此介质槽承担绝大部分的横向压降;③由于介质槽6内绝缘材料9的介电系数小,这使得器件的栅极-漏极间的电容也减小,因而提高了器件的开关速度;④介质槽6使漂移区(即P型阱区4)沿纵向折叠,缩小器件横向尺寸,进而降低比导通电阻和芯片成本。
二、从集成兼容上来看:在本发明提供的PMOSFET器件直接在N型的SOI硅片上注入P阱后形成,这样便于和NMOS器件和其它低压器件或低压电路相集成,从而使得本发明在工艺上与CMOS集成电路完全兼容并使得低成本生产成为可能。
附图说明
图1是SOI的结构图。
图2是带有阶梯介质埋层的SOI基PMOSFET器件的元胞结构剖视图。
图3是带有N型埋层的SOI基LDPMOS器件的元胞结构剖视图。
图4是PLDMOS、NLDMOS和NIGBT的集成示意图。
图5是本发明提出的SOI基PMOS功率器件的结构剖视图之一(介质槽内槽栅结构之一)。
图6是本发明提出的SOI基PMOS功率器件的结构剖视图之二(介质槽内槽栅结构之二)。
图7是本发明提出的SOI基PMOS功率器件的结构剖视图之三(介质槽内槽栅+平面栅结构)。
图8是本发明提出的SOI基PMOS功率器件的结构剖视图之四(双槽栅结构)。
图9是本发明提出的SOI基PMOS功率器件的结构剖视图之五(介质槽+槽栅结构)。
图10是本发明提出的SOI基PMOS功率器件在反向阻断状态下的二维等势线分布比较示意图。
图11是本发明提出的SOI基PMOS功率器件在正向导通状态下的二维电流线分布比较示意图。
图12是本发明提出的SOI基PMOS功率器件N沟道LDMOS器件以及低压电路的集成示意图。
附图标记:
1、SOI衬底层;2、SOI介质埋层;3、SOI半导体层;4、P型阱区;5、N型体区;6、介质槽;7、第二沟槽栅结构;8、平面栅结构;9、绝缘介质;9b、沟槽壁绝缘介质;10、介质槽中的导电材料;10b、第二沟槽栅结构中的导电材料;11、P型重掺杂源区;11b、第二P型重掺杂源区;12、N型重掺杂体接触区;13、N型重掺杂的低阻区;14、P型重掺杂的漏区;S为源电极;D为漏电极;G为栅电极。
具体实施方式
下面结合附图及实施例,详细描述本发明的技术方案。
本发明的技术方案,利用P型阱区与N型高阻区所形成的二维反偏PN结的反向二维耗尽产生RESURF效应而提高器件击穿电压和降低导通电阻;同时,充分利用介质槽来承担横向压降而缩小横向尺寸,器件的电气性能进行了综合改进和提高。
实施例1
一种SOI基PMOSFET功率器件,如图5所示,包括由纵向自下而上的衬底层1、介质埋层2和N型SOI半导体层3成所形成的N型SOI基;所述N型SOI半导体层3为轻掺杂的N型半导体层(N型高阻区),其中具有P型阱区4;所述P型阱区4除上表面外的其它面均与N型SOI半导体层3接触;所述P型阱区中具有介质槽6,介质槽内填充绝缘介质9;介质槽6横向(图5所示x方向)一侧的P型阱区4表面具有P型重掺杂(P+)的漏区14,P型重掺杂的漏区14表面通过漏极金属引出漏电极(D);介质槽6横向另一侧的P型阱区4的顶部具有N型体区5,N型体区5内具有P型重掺杂源区11和N型重掺杂体接触区12,其中P型重掺杂源区11靠近介质槽6而N型重掺杂体接触区12远离介质槽6;N型SOI半导体层3中靠近N型体区5的顶部具有N型重掺杂的低阻区13;P型重掺杂源区11、N型重掺杂体接触区12和N型重掺杂的低阻区13三者的表面通过源极金属引出源电极(S);介质槽6内靠近P型重掺杂源区11的绝缘介质9中具有导电材料形成的沟槽栅10,沟槽栅10的纵向(图5所示y方向)尺寸大于N型体区5的纵向尺寸,沟槽栅10的表面通过栅极金属引出栅电极(G)。
实施例2
如图6所示,在实施例1基础上,所述N型体区5延伸入N型SOI半导体层3的顶部,所述N型重掺杂的低阻区13并入N型重掺杂体接触区12形成同一个N型重掺杂体接触区12。
实施例3
如图7所示,在实施例1基础上,所述N型体区5中还具有第二P型重掺杂源区11b,所述N型重掺杂体接触区12夹于P型重掺杂源区11和第二P型重掺杂源区11b之间,第二P型重掺杂源区11b的引出端与源电极电气相连;所述第二P型重掺杂源区11b和所述N型重掺杂的低阻区13之间的P型阱区4和N型体区5的表面具有平面栅结构8,平面栅结构8的引出端与栅电极电气相连。这样使得N型体区5与N型高阻区13在横向上存在一定的间距,用以提供导电电流通道。与实施例1、2的结构相比,本例中器件导通电阻有所下降,但横向尺寸将增大;同时,在正向导通状态下,N型体区5与N型低阻区13以及它们之间的P型阱区会产生JFET效应,使得比导通电阻(导通电阻×面积)增大。
实施例4
如图8所示,在实施例1基础上,所述N型体区5中还具有第二P型重掺杂源区11b,所述N型重掺杂体接触区12夹于P型重掺杂源区11和第二P型重掺杂源区11b之间,第二P型重掺杂源区11b的引出端与源电极电气相连;所述第二P型重掺杂源区11b和所述N型重掺杂的低阻区13之间的区域具有由沟槽内导电材料10b和沟槽壁绝缘介质9b所形成的第二沟槽栅结构7,第二沟槽栅结构7的纵向尺寸与沟槽栅10的纵向尺寸相当,第二沟槽栅结构7的引出端与栅电极电气相连。
与实施例1、2相比,双栅结构形成双导电通道,使得导通电阻大大下降;但槽栅电极阻碍了对N型低阻区下方的N型高阻区的耗尽,从而耐压略有下降。本例结构与实施例3结构相比,槽栅结构较平面栅结构更有利于高密度的集成,这使得器件的横向尺寸可以很小;同时,槽栅结构也消除了正向导通时由N型体区5、P型阱区4以及N型SOI半导体层3所带来的JFET效应;此外,槽栅结构使得流经第二P型重掺杂源区11b的电流的路径大大缩短。这些因素都导致本例结构有着非常低的比导通电阻。与实施例1和例2相比,本实施例结构有着更明显的低阻优势。
实施例5
如图9所示,去掉图5中沟槽栅10和P型重掺杂源区11,介质槽6直接与N型重掺杂体接触区12相连;保留第二沟槽栅结构7,第二沟槽栅结构7的纵向尺寸与沟槽栅10的纵向尺寸相当,第二沟槽栅结构7的引出端作为栅电极。与实施例4的双栅结构相比,本例器件的击穿电压有一定的提高,但导通电阻增大;同时,该结构的横向尺寸还可进一步缩小。
本发明提供的SOI基PMOSFET器件,如果SOI半导体层3材料采用Si,推荐的介质槽6和槽栅7中的导电材料10和10b为多晶硅。
作为业界常用的介质,介质槽6中的绝缘介质9为SiO2,也可采用其他临界击穿电场较高(高于Si的临界击穿电场)的介质。若采用介电常数更低的介质,由高斯定理可知,在反向阻断状态时介质槽6中将有更高的电场,从而提高了器件的击穿电压;因此,选用介电常数低于SiO2且临界击穿电场高于Si临界击穿电场3倍的介质更有利于提高耐压。同时,介质槽6采用更低介电常数的介质,还有利于降低器件栅-漏电容,提高器件开关速度。
对于SOI介质埋层2的材料,SiO2是业界最常用的,或采用介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si临界击穿电场3倍的介质,如SiOF、CDO或SiCOF等。采用介电系数较低的介质,可以增强介质埋层2的电场,有利于器件耐压的提高。
本发明提供的SOI基PMOSFET器件,对SOI衬底层1的材料几乎没有要求,可以是N型或P型半导体材料,甚至可以是绝缘介质材料,或与SOI介质埋层2为同一种介质材料。
图10是本发明提供的SOI基PMOSFET器件在反向阻断状态下的二维等势线分布比较图。a代表常规平面栅的LDPMOS(无槽栅、埋栅和介质槽);b代表本发明中具有单个栅(无第二槽栅和平面栅)的SOI基PMOSFET器件;c代表本发明提供的具有双栅结构的SOI基PMOSFET器件。图中两根相邻等势线的电压差为5V,三种结构在器件横向尺寸均为7.5μm的条件下,击穿电压分别为99V,172V,161V(SOI半导体层材料为Si,绝缘介质材料为SiO2)。由图10(a)可知,由于衬底端与漏极同接地电位,使得漂移区不满足RESURF条件,器件的击穿电压和漂移区浓度都很低,器件的漂移区优化掺杂浓度仅1.5×1015cm-3。相比之下,图10(b)中P型阱区与N型高阻区二维反向PN结的引入,使得该PMOS器件产生RESURF效应,从而大幅提高了器件的击穿电压;同时介质槽承担了绝大部分横向压降,使得器件在较小的横向尺寸下获得高的击穿电压成为可能。在相同横向和纵向的元胞尺寸下,本发明所提出的结构的击穿电压从常规SOI基PMOSFET器件的99V提高到172V(击穿电压提高了73.7%),同时漂移区的优化掺杂浓度达2.2×1016cm-3。
图11是本发明提供的SOI基PMOSFET器件在正向导通状态下的二维电流线分布比较图(两根相邻电流线的电流强度差为5×10-7A/μm)。a代表常规平面栅的LDPMOS(无槽栅、埋栅和介质槽);b代表本发明中具有单个栅(无第二槽栅和平面栅)的SOI基PMOSFET器件;c代表本发明提供的具有双栅结构的SOI基PMOSFET器件。对比图11(a)和11(b)可知,本发明提供的SOI基PMOSFET器件由于RESURF效应的产生,使得P型阱区的掺杂浓度大幅提高,从而大大降低了正向导通电阻。器件的比导通电阻从图11(a)器件的15.4mΩ·cm2降低为6.3mΩ·cm2(比导通电阻下降了59.1%)。对比图11(b)和11(c)可知,双槽栅的引入使得器件的沟道密度增加,从而在正向导通时沟道电阻下降,总的导通电阻也下降。本发明技术在相同的器件大小的情况下比导通电阻降低为5.7mΩ·cm2(较常规PMOS下降了63%)。
图12为本发明提供的SOI基PMOSFET器件与N沟道LDMOS器件以及低压电路的集成示意图。该SOI基PMOSFET器件与N沟道LDMOS器件以及低压电路采用相同的SOI基这与其他功率器件以及低压CMOS集成电路完全兼容,且工艺相对简单。
综上,本发明提供的SOI基PMOSFET器件由于引入了P型阱区4和SOI半导体层3(N型高阻区)二维反向PN结和介质槽6,一方面二维反向PN结产生RESURF效应,使器件击穿电压和漂移区(即P型阱区)的掺杂浓度大大提高,正向导通电阻也大大降低;另一方面,介质槽6承担了器件绝大部分的横向压降,使器件在维持高的击穿电压时,横向尺寸大大缩小,进而降低了比导通电阻;同时,介质槽所填充的低介电常数的绝缘介质,使栅-漏电容降低,提高了器件的频率和输出功率;此外,本发明在工艺上与CMOS集成电路完全兼容性。
Claims (10)
1.一种SOI基PMOSFET功率器件,包括由纵向自下而上的衬底层(1)、介质埋层(2)和N型SOI半导体层(3)成所形成的N型SOI基;所述N型SOI半导体层(3)为轻掺杂的N型半导体层,其中具有P型阱区(4);所述P型阱区(4)除上表面外的其它面均与N型SOI半导体层(3)接触;所述P型阱区中具有介质槽(6),介质槽内填充绝缘介质(9);介质槽(6)横向一侧的P型阱区(4)表面具有P型重掺杂的漏区(14),P型重掺杂的漏区(14)表面通过漏极金属引出漏电极;介质槽(6)横向另一侧的P型阱区(4)的顶部具有N型体区(5),N型体区(5)内具有P型重掺杂源区(11)和N型重掺杂体接触区(12),其中P型重掺杂源区(11)靠近介质槽(6)而N型重掺杂体接触区(12)远离介质槽(6);N型SOI半导体层(3)中靠近N型体区(5)的顶部具有N型重掺杂的低阻区(13);P型重掺杂源区(11)、N型重掺杂体接触区(12)和N型重掺杂的低阻区(13)三者的表面通过源极金属引出源电极;介质槽(6)内靠近P型重掺杂源区(11)的绝缘介质(9)中具有导电材料形成的沟槽栅(10),沟槽栅(10)的纵向尺寸大于N型体区(5)的纵向尺寸,沟槽栅(10)的表面通过栅极金属引出栅电极。
2.根据权利要求1所述的SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述N型体区(5)横向延伸入N型SOI半导体层(3)的顶部,所述N型重掺杂的低阻区(13)并入N型重掺杂体接触区(12)形成同一个N型重掺杂体接触区(12)。
3.根据权利要求1所述的SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述N型体区(5)中还具有第二P型重掺杂源区(11b),所述N型重掺杂体接触区(12)夹于P型重掺杂源区(11)和第二P型重掺杂源区(11b)之间,第二P型重掺杂源区(11b)的引出端与源电极电气相连;所述第二P型重掺杂源区(11b)和所述N型重掺杂的低阻区(13)之间的P型阱区(4)和N型体区(5)的表面具有平面栅结构(8),平面栅结构(8)的引出端与栅电极电气相连。
4.根据权利要求1所述的SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述N型体区(5)中还具有第二P型重掺杂源区(11b),所述N型重掺杂体接触区(12)夹于P型重掺杂源区(11)和第二P型重掺杂源区(11b)之间,第二P型重掺杂源区(11b)的引出端与源电极电气相连;所述第二P型重掺杂源区(11b)和所述N型重掺杂的低阻区(13)之间的区域具有由沟槽内导电材料(10b)和沟槽壁绝缘介质(9b)所形成的第二沟槽栅结构(7),第二沟槽栅结构(7)的纵向尺寸与沟槽栅(10)的纵向尺寸相当,第二沟槽栅结构(7)的引出端与栅电极电气相连。
5.一种SOI基PMOSFET功率器件,包括由纵向自下而上的衬底层(1)、介质埋层(2)和N型SOI半导体层(3)成所形成的N型SOI基;所述N型SOI半导体层(3)为轻掺杂的N型半导体层,其中具有P型阱区(4);所述P型阱区(4)除上表面外的其它面均与N型SOI半导体层(3)接触;所述P型阱区中具有介质槽(6),介质槽内填充绝缘介质(9);介质槽(6)横向一侧的P型阱区(4)表面具有P型重掺杂的漏区(14),P型重掺杂的漏区(14)表面通过漏极金属引出漏电极;介质槽(6)横向另一侧的P型阱区(4)的顶部具有N型体区(5),N型体区(5)内具有第二P型重掺杂源区(11b)和N型重掺杂体接触区(12),其中第二P型重掺杂源区(11b)远离介质槽(6)而N型重掺杂体接触区(12)与介质槽(6)相连;N型SOI半导体层(3)中靠近N型体区(5)的顶部具有N型重掺杂的低阻区(13);第二P型重掺杂源区(11b)、N型重掺杂体接触区(12)和N型重掺杂的低阻区(13)三者的表面通过源极金属引出源电极;第二P型重掺杂源区(11b)和N型重掺杂的低阻区(13)之间的区域具有由沟槽内导电材料(10b)和沟槽壁绝缘介质(9b)所形成的第二沟槽栅结构(7),第二沟槽栅结构(7)的纵向尺寸大于N型体区(5)的纵向尺寸,第二沟槽栅结构(7)的表面通过栅极金属引出栅电极。
6.根据权利要求1至5所述任一项SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述沟槽栅(10)或第二沟槽栅结构(7)的导电材料为金属、多晶硅或重掺杂半导体。
7.根据权利要求1至5所述任一项SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述SOI基中的SOI半导体层(3)材料包括但不限于Si、SiC、SiGe、GaAs或GaN。
8.根据权利要求1至5所述任一项SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述SOI基中的介质埋层(2)材料为SiO2或介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si临界击穿电场3倍的介质材料。
9.根据权利要求8所述的SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si临界击穿电场3倍的介质材料包括但不限于SiOF、CDO或SiCOF。
10.根据权利要求1至5所述任一项SOI基PMOSFET功率器件,其特征在于,所述SOI基中的衬底层(1)材料为N型或P型掺杂的半导体,也可为绝缘介质。
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EP1363332A1 (en) * | 2001-02-21 | 2003-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7427800B2 (en) * | 2004-02-02 | 2008-09-23 | Hamza Yilmaz | Semiconductor device containing dielectrically isolated PN junction for enhanced breakdown characteristics |
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