CN102944970A - 基板掩膜对位方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于对位方法技术领域，公开了一种基板掩膜对位方法，首先在一掩膜版上形成多组对位标记图案，并选取若干个大尺寸基板作为样本基板，通过该掩膜版分别在每块样本基板上形成多组对位标记图案，将样本基板分为多个子基板区域，然后对样本基板实施掩膜工艺，通过样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个子基板区域的对位，且至少通过两组对位标记图案可对位一个子基板区域，在对位过程中记录并存储每组对位标记图案的位置，根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺，保证了非样本基板上同层图案间的缝合度和不同层图案间的重合度，能够实现良好品质大尺寸基板的大量生产。

Description

基板掩膜对位方法
技术领域
本发明涉及对位方法技术领域，特别是涉及一种基板掩膜对位方法。
背景技术
光刻是薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,简称为“TFT-LCD”）生产中的必须环节，曝光机进行曝光时为了实现各层之间图形的重合度符合要求，必须保证对位精确，但大尺寸（即基板的尺寸大于掩膜版的尺寸）的基板内部是像素区域，不能设置对位标记，如果曝光直接采用基板周边的对位标记（如图1所示），就大大降低了对位的精度，很难保证曝光的缝合度和各层之间图形的重合度符合要求，导致制作的基板次品率很高。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明提供一种基板掩膜对位方法，用以解决如何在大尺寸基板掩膜工艺中实现曝光精确对位的问题。
（二）技术方案
为了解决上述技术问题，本发明提供一种基板掩膜对位方法，包括：
S1、在一掩膜版上形成至少一组对位标记图案；
S2、选取一定数量的基板作为样本基板，利用所述掩膜版，分别在每块所述样本基板上形成多组对位标记图案，所述多组对位标记图案将所述样本基板分为多个子基板区域；
S3、对多个所述样本基板实施掩膜工艺，通过所述样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个子基板区域的对位，且至少通过两组所述对位标记图案可对位一个所述子基板区域，在对位过程中记录并存储所述样本基板上每组对位标记图案的位置，然后根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺。
如上所述的基板掩膜对位方法，优选的是，步骤S1具体为：在所述非样本基板掩膜工艺中使用的掩膜版上形成至少一组对位标记图案。
如上所述的基板掩膜对位方法，优选的是，步骤S1具体为：每组所述对位标记图案位于所述非样本基板掩膜工艺中使用的掩膜版上的图案区域间形成。
如上所述的基板掩膜对位方法，优选的是，所述基板的尺寸大于其掩膜工艺中掩膜版的尺寸。
如上所述的基板掩膜对位方法，优选的是，选取3个所述基板作为样本基板。
（三）有益效果
本发明所提供的基板掩膜对位方法首先在一掩膜版上形成多组对位标记图案，并选取若干个大尺寸基板作为样本基板，通过该掩膜版分别在每块样本基板上形成多组对位标记图案，多组对位标记图案将样本基板分为多个子基板区域，然后对样本基板实施掩膜工艺，通过样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个子基板区域的精确对位，且至少通过两组对位标记图案可精确对位一个子基板区域，在对位过程中记录并存储每组对位标记图案的位置，根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺，保证了非样本基板上同层图案间的缝合度和不同层图案间的重合度，能够实现良好品质大尺寸基板的大量生产。其中，选取的样本基板数量越多，对位的精度越高。
附图说明
图1为现有技术中基板上对应标记分布示意图；
图2为本发明实施例中在掩膜版上形成对位标记的过程示意图；
图3为本发明实施例中样本基板上对位标记分布示意图；
其中，1：基板；2：子基板区域；3：对位标记区域；4、5：一组对位标记图案。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
对于大尺寸基板1的掩膜工艺，由于基板1的尺寸大于其掩膜工艺中使用的掩膜版的尺寸，所以必须通过多次掩膜工艺才能形成大尺寸基板的每层图案，如图1所示，由于大尺寸基板1的对位标记图案所在的对位标记区域3位于其周边边缘上，仅通过这些对位标记图案很难实现掩膜工艺的精确对位，尤其是基板1中间部分掩膜工艺的精确对位，保证不了基板1上同层图案间的良好缝合度和不同层图案间的良好重合度。
为实现大尺寸基板1掩膜工艺的精确对位，本发明实施例中的基板掩膜对位方法包括：
S1、在一掩膜版上形成至少一组对位标记图案；
基板1制作工艺中各层图案的形成是利用掩膜版掩膜工艺来实现的，通常在掩膜版上包括不同区域的图案，如图2中的纵向区域L区、M区和R区以及各纵向区域中的横向区域A区、B区和C区，可以通过遮光板的遮蔽进行不同区域的掩膜曝光，来形成基板1上各层的图案。
本实施例中优选在非样本基板1掩膜工艺中的掩膜版上形成多组对位标记图案4，不需要单独的掩膜版，可以节约大量成本，其中，每组对位标记图案4可以位于掩膜版上的图案区域间，如图2所示。需要说明的是，每组对位标记图案4的组成形状有很多种方式，如：十字交叉状，并不局限于图2中的排列状。而且多组对位标记图案4并不局限于形成在纵向区域图案之间，也可以形成在横向区域图案之间，或是既有形成在纵向区域图案之间的，也有形成在横向区域图案之间的。
S2、选取一定数量的基板作为样本基板，利用所述掩膜版，分别在每块所述样本基板上形成多组对位标记图案，所述多组对位标记图案将所述样本基板分为多个子基板区域；
在对基板1进行掩膜工艺前，首先选取一定数量的基板1作为样本基板，利用步骤S1中制得的掩膜版分别在每块样本基板1是形成多组对位标记图案5，其中，多组对位标记图案5将样本基板1分为多个子基板区域2，如图3所示。具体可以为，利用上述掩膜板对每块样本基板1进行曝光，在曝光工艺中可以利用遮光板遮蔽样本基板1上的图案区域，从而将掩膜版上的图案区域错开对位标记区域3，使上述掩膜板上的对位标记图案4曝光在样本基板1的周边边缘，并在位于样本基板1中间的子基板区域2的周边边缘上形成至少两组对位标记图案5，以在掩膜工艺中精确对位该子基板区域2，如图2和图3所示。
需要说明的是，图3所示的只是示例多组对位标记图案5的一种布局方式，并不是一种限定。
选取的样本基板数量越多，非样本基板掩膜工艺中的对位精度就越高，但却会提高产品的生产成本，本实施例中可以选取3张基板1作为样本基板，既可以保证足够的对位精度，又可以节约生产成本。
S3、对多个所述样本基板实施掩膜工艺，通过所述样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个所述子基板区域的对位，且至少通过两组所述对位标记图案可对位一个所述子基板区域，在对位过程中记录并存储每组对位标记图案的位置，然后根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺。
在对样本基板1各层实施掩膜工艺时，以Nikon FX-86S曝光机为例，首先选用C-EGA曝光模式，将样本基板1数量设置为3，先对步骤2中制得的3个样本基板1依次进行掩膜工艺，其中，3个样本基板1的曝光模式为EGA，并利用样本基板1每个子基板区域2周边边缘的至少两组对位标记图案5实现对该子基板区域2的精确对位，保证了样本基板1不同层之间图案的重合度及同层图案之间的缝合度。其中，通过多组对位标记图案5可实现对每个子基板区域2的精确对位，且至少通过两组对位标记图案5可精确对位一个子基板区域2。
在所有样本基板1的曝光过程中曝光机会通过记忆功能记录并存储各组对位标记图案5的位置，通过各组对位标记图案5的位置参数曝光机可以对每组对位标记图案5的位置进行自动识别，而不需要在非样本基板1上形成对应位置的对位标记图案。之后曝光机就可以在C-EGA曝光模式下对大批量非样本基板进行曝光工艺，而且能保证良好的缝合度和重合度。
本领域所属技术人员很容易想到只需曝光机具有上述两种曝光模式，即C-EGA曝光模式和EGA曝光模式，就能够实现本发明实施例中对于大尺寸基板1掩膜工艺中的精确对位，而曝光机的型号并不局限于Nikon FX-86S。
由以上实施例可以看出，本发明所提供的基板掩膜对位方法首先在一掩膜版上形成多组对位标记图案，并选取若干个大尺寸基板作为样本基板，通过该掩膜版分别在每块样本基板上形成多组对位标记图案，多组对位标记图案将样本基板分为多个子基板区域，然后对样本基板实施掩膜工艺，通过样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个子基板区域的精确对位，且至少通过两组对位标记图案可精确对位一个子基板区域，在对位过程中记录并存储每组对位标记图案的位置，根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺，保证了非样本基板上同层图案间的缝合度和不同层图案间的重合度，能够实现良好品质大尺寸基板的大量生产。其中，选取的样本基板数量越多，对位的精度越高。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种基板掩膜对位方法，其特征在于，包括：
S1、在一掩膜版上形成至少一组对位标记图案；
S2、选取一定数量的基板作为样本基板，利用所述掩膜版，分别在每块所述样本基板上形成多组对位标记图案，所述多组对位标记图案将所述样本基板分为多个子基板区域；
S3、对多个所述样本基板实施掩膜工艺，通过所述样本基板上的多组对位标记图案可实现对每个所述子基板区域的对位，且至少通过两组所述对位标记图案可对位一个所述子基板区域，在对位过程中记录并存储所述样本基板上每组对位标记图案的位置，然后根据存储的多组对位标记图案的位置参数对非样本基板实施掩膜工艺。
2.根据权利要求1所述的基板掩膜对位方法，其特征在于，步骤S1具体为：在所述非样本基板掩膜工艺中使用的掩膜版上形成至少一组对位标记图案。
3.根据权利要求2所述的基板掩膜对位方法，其特征在于，每组所述对位标记图案位于所述非样本基板掩膜工艺中使用的掩膜版上的图案区域间。
4.根据权利要求1所述的基板掩膜对位方法，其特征在于，所述基板的尺寸大于其掩膜工艺中使用的掩膜版的尺寸。
5.根据权利要求1所述的基板掩膜对位方法，其特征在于，选取3个所述基板作为样本基板。
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