CN102943251B - 一种用于提升pecvd镀膜均匀性的装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳电池的生产技术领域，具体涉及一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气***，还包括设置于沉积腔下方的真空***，沉积腔为管式真空腔体，进气***采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置。本发明的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气，出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式，这样既提升了薄膜的性能，还有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。

Description

一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置
技术领域
本发明涉及太阳能电池的生产技术领域，具体涉及一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置。 
背景技术
太阳能电池作为一种可以将太阳辐射能直接转化为电能的器件，已经得到人们的认可和关注，并在世界范围内迅速推广和应用。
在晶体硅太阳能电池的生产过程中，需要在电池表面制作能够减少光在硅片表面反射率的减反射膜，可以显著提高晶体硅太阳能电池的转化效率。目前的晶体硅太阳能电池生产中制作减反射膜的设备一般采用管式PECVD镀膜设备，在制作减反射膜的过程中，工艺气体均采用沉积腔一端进气，另一端抽气的输送方式。这样，当工艺气体由进气端运动到抽气端时，成分发生变化，浓度也随之下降，影响沉积效果。主要表现为：一、薄膜的厚度均匀性差；二、薄膜的折射率会随气流的方向呈递减趋势。这样在一定程度上增加了电池不良品的产生几率，同时增大了太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间。目前，其改善方案是提供足够多的反应气体以保证薄膜的性能，这样势必造成了气体的浪费。 
发明内容
本发明的目的就是针对上述存在的缺陷而提供一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置。本发明的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气，出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式，这样既提升了薄膜的性能，还有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。
本发明的一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置技术方案为，包括沉积腔、射频电极和进气***，还包括设置于沉积腔下方的真空***，沉积腔为管式真空腔体，进气***采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置。
进气装置连接位于沉积腔内部上方的喷气管。
喷气管设置有一个以上。
本发明的有益效果为：本发明的一种用于提升PECVD设备的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气，出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式，这样对设备进行改进，保证了沉积腔内气场的均匀性、稳定性，不仅提升了薄膜厚度的均匀性，还有效的改善了薄膜折射率的一致性，使太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间相对集中，同时减少了不良片的产生几率；另外，本沉积方法有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率
附图说明：
图1所示为本发明的结构示意图；
图2所示为现有技术的结构示意图。
图中，1.沉积腔，2.进气***，3. 真空***，4.射频电极，5.石墨舟，6.电源***。
具体实施方式：
为了更好地理解本发明，下面结合附图来详细说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。
实施例1
本发明的一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔1、射频电极4和进气***2，还包括设置于沉积腔1下方的真空***3，沉积腔1为管式真空腔体，进气***2采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔1一侧的进气装置。沉积腔1内设有石墨舟5，射频电极4连接电源***6。
实施例2
本发明的一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔1、射频电极4和进气***2，还包括设置于沉积腔1下方的真空***3，沉积腔1为管式真空腔体，进气***2采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔1一侧的进气装置，进气装置连接位于沉积腔1内部上方的喷气管。沉积腔1内设有石墨舟5，射频电极4连接电源***6。 

Claims (1)

1.一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气***，其特征在于，还包括设置于沉积腔下方的真空***，沉积腔为管式真空腔体，进气***采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置；进气装置连接位于沉积腔内部上方的喷气管，喷气管设置有一个以上。
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