CN102938431A - 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种太阳电池的清洗制绒方法，包括：对硅片的预清洗、碱性溶液下去损伤层、表面氧化层刻蚀、干燥工序、预清洗、制绒形成金字塔绒面结构、清洗去除有机物、表面抛光圆滑绒面、清洗去除金属杂质、表面氧化层刻蚀、干燥工序。本发明的清洗制绒方法操作简单，成本低廉，适用于大面积太阳电池的批量生产；运用本发明的清洗制绒方法，可以使硅片表面清洗得更干净，同时形成的金字塔绒面的顶部带有一定的圆滑面，有利于解决在后续的等离子体沉积中由于尖端放电等不利因素导致的非晶硅薄膜沉积不均匀的问题。
Description
技术领域
本发明属于硅片清洗制绒领域，特别涉及一种太阳电池的硅片清洗制绒方法。
背景技术
太阳能被认为是最有发展前途的一种可再生能源，一方面是因为太阳无所不在，太阳照到的地方就有太阳能，另一方面太阳能是取之不尽用之不竭的。将太阳光转换成电能的太阳电池制造方法在近几年发展非常迅速，产生了各种各样的电池。目前，大规模开发利用太阳能光伏发电的核心在于提升太阳电池的光电转换效率和降低太阳电池的生产成本。带有本征薄层的非晶硅/单晶硅异质结太阳电池，即HIT太阳电池，可以用200°C以下的低温非晶硅沉积技术来替代传统晶硅电池生产工艺中的高温过程，因而有望成为另一种形式的单晶硅电池，在实现低价高效太阳电池方面具有非常重要的应用前景。目前，日本的松下公司在2011年研发的HIT太阳电池已经实现23.7%的转换效率，而世界上其他研究组均无法达到20%以上。因此，为了能研发出转换效率超过20%的高效HIT电池，改进太阳电池制造技术，优化生产工艺，具有十分重要的意义。
经对现有HIT太阳电池制造工艺研究调查发现，HIT太阳电池是利用晶体硅做衬底材料，在其上沉积非晶硅薄膜。其中非晶硅薄层的均匀性和薄膜质量，是影响太阳电池效率的关键因素之一。但是由于非晶硅薄层的厚度仅有5-15纳米，因此非晶硅薄膜的沉积受到硅片表面形貌的严重影响。目前的HIT太阳电池制造工艺中，为了获得硅片表面较好的减反射效果，往往利用硅本身晶面腐蚀速度的不同做成表面为（111）晶面的四面方锥体结构，即金字塔结构。但是该结构因其尖峰锐利，易于在非晶硅薄膜沉积过程中引起等离子体放电等不利因素，使得难于获得沉积均匀的非晶硅薄膜，造成薄膜质量较差和低电池转换效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种太阳电池的硅片清洗制绒方法，该方法简单高效，适用于异质结太阳电池的清洗制绒，也适用于大面积太阳电池的生产，这将为大规模生产高效异质结电池提供重要参考，应用前景广阔。
本发明的一种太阳电池的清洗制绒方法，包括如下步骤：
（1）预清洗：将硅片进行预清洗，然后用去离子水漂洗2-5分钟，得到预清洗后的硅片；
（2）碱性溶液下去损伤层：将上述预清洗后的硅片放入碱性溶液中进行去损伤层刻蚀处理，去损伤层后用去离子水漂洗2-5分钟；
（3）表面氧化层刻蚀并干燥：将步骤（2）得到的去损伤层后的硅片用氢氟酸水溶液进行表面氧化层刻蚀腐蚀处理，然后用去离子水漂洗2-5分钟后干燥；
（4）预清洗：将步骤（3）得到硅片进行预清洗，然后用去离子水漂洗2-5分钟；
（5）制绒形成金字塔绒面结构：将经过步骤（4）处理后的硅片放入制绒液中进行制绒，以形成金字塔绒面结构，制绒后用去离子水漂洗2-5分钟；
（6）清洗以去除有机物：将步骤（5）得到的制绒后的硅片进行清洗以去除有机物，然后用去离子水漂洗2-5分钟；
（7）表面抛光圆滑绒面：将步骤（6）清洗后的硅片置于含有HF和HNO3的去离子水溶液中进行表面抛光圆滑绒面处理，处理的温度5-30°C，处理的时间是1-15分钟；处理后用去离子水漂洗1-5分钟；其中含有HF和HNO3的去离子水溶液中HF的质量百分数为0.1-2%，HNO3的质量百分数为40-60%，去离子水的质量百分数为38-59.9%；
（8）清洗去除金属杂质离子：将经过步骤（7）处理后的硅片进行清洗以去除金属杂质离子，然后用去离子水漂洗1-5分钟；
（9）表面氧化层刻蚀并干燥：将经过步骤（8）处理后的硅片用氢氟酸水溶液进行表面氧化层刻蚀腐蚀处理，最后干燥即可。
步骤（1）和（4）中所述的预清洗中所用的清洗液为含有NH4OH和H2O2的去离子水溶液，其中NH4OH的质量百分数为2-5%，H2O2的质量百分数为3-6%，去离子水的质量百分数为89-95%，预清洗的温度是50-90°C，预清洗的时间为2-12分钟。
步骤（2）中所述的碱性溶液为质量百分数为1-10%的NaOH或KOH水溶液，所述的去损伤层刻蚀处理的处理温度为50-90°C，处理时间是1-6分钟。
步骤（3）和（9）中所述的氢氟酸水溶液中氢氟酸的质量百分数为1-10%，所述的腐蚀处理中腐蚀温度为10-30°C，腐蚀时间为1-6分钟。
步骤（3）和（9）中所述的干燥为用热风干燥，干燥温度为60-80°C，干燥时间为15-40分钟。
步骤（5）中所述的制绒液的成分为NaOH（KOH）、添加剂和去离子水，其中NaOH（KOH）、添加剂和去离子水所占的质量分数分别为1-10%、0.1-1.0%和89-98.9%；所述的制绒的温度为50-90°C，制绒的时间为15-40分钟。
上述的添加剂为含有表面活性剂的甲醇/乙醇/水的混合液。
步骤（6）中所述的清洗中所用的清洗液为含有NH4OH和H2O2的去离子水溶液，其中NH4OH的质量百分数为2-5%，H2O2的质量百分数为3-6%，去离子水的质量百分数为89-95%，清洗的温度是50-90°C，清洗的时间为2-8分钟。
步骤（8）所述的清洗中所用的清洗液为含有HCl和H2O2的去离子水溶液，其中HCl的质量百分数为1-10%，H2O2的质量百分数为1-5%，去离子水的质量百分数为85-98%；所述清洗的温度为50-90°C，清洗的时间为1-10分钟。
在制绒硅片上沉积非晶硅薄膜时，由于等离子体尖端放电等不利因素导致的非晶硅薄膜沉积不均匀，本发明提供一种太阳电池，特别是晶体硅/薄膜硅异质结的太阳电池硅片清洗制绒方法，将硅片的清洗制绒分解为损伤层刻蚀和制绒两个工艺步骤，其中制绒步骤中含有表面抛光圆滑绒面工序的清洗制绒方法。
本发明通过将一种太阳电池的硅片清洗制绒方法分解为损伤层刻蚀和制绒两个工艺步骤。所述的损伤层刻蚀包括通过对高质量硅片的预清洗、碱性溶液下去损伤层、表面氧化层刻蚀、干燥工序。所述的制绒工艺包括预清洗、制绒形成金字塔绒面结构、清洗去除有机物、表面抛光圆滑绒面、清洗去除金属杂质离子、表面氧化层刻蚀、干燥工序。通过在制绒工艺中增加表面抛光圆滑绒面处理，将硅片表面尖锐金字塔结构刻蚀成圆整光滑绒面，以此解决了在后续的等离子体沉积工艺中由于等离子体尖端放电等不利因素导致的非晶硅薄膜沉积不均匀，从而使非晶硅成膜质量大大上升，解决了异质结硅太阳电池制造工艺上的一大难题。对于获得高效率的晶体硅/薄膜硅异质结电池提供了重要参考。
有益效果：
（1）本发明的清洗制绒方法操作简单，成本低廉，适用于大面积太阳电池的批量生产；
（2）运用本发明的清洗制绒方法，可以使硅片表面清洗得更干净，同时形成的金字塔绒面的顶部带有一定的圆滑面，有利于解决在后续的等离子体沉积中由于尖端放电等不利因素导致的非晶硅薄膜沉积不均匀的问题。
（3）本发明的方法为大规模生产高效异质结电池提供了重要参考，在光伏制造领域意义重大。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
以N型硅片为衬底的异质结太阳电池为例，选用的硅片厚度为160-200微米，按照如下的具体实施步骤进行清洗制绒，以下的溶度表述均为质量百分数：
实施例1
（1）将合格的硅片放NH4OH和H2O2的水溶液中进行预清洗，NH4OH和H2O2的溶度分别为2%和3%；预清洗的溶液温度控制在85°C，预清洗的时间为12分钟，预清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（2）将预清洗后的硅片放入溶度为2%的NaOH水溶液进行去损伤层刻蚀处理，处理温度为85°C，处理时间是5分钟，去损伤层后用去离子水漂洗5分钟；
（3）将去损伤层后的硅片置于溶度为10%的HF水溶液，进行表面氧化层刻蚀腐蚀处理以去除氧化硅层，腐蚀温度为25°C，腐蚀时间为5分钟，腐蚀后用去离子水漂洗5分钟；
（4）将表面氧化层刻蚀腐蚀后的硅片用热风干燥，干燥温度为60-80°C，干燥时间为40分钟，确保硅片得到充分的干燥，干燥后的硅片待用；
（5）将上述待用的硅片置于NH4OH和H2O2的水溶液中再次进行清洗，NH4OH和H2O2的溶度分别为2%的和3%；清洗的溶液温度控制在80°C，清洗的时间为6分钟；清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（6）将经过上述步骤（5）处理的硅片置于NaOH和添加剂（具体为表面活性剂溶解在甲醇/乙醇/水的混合液中）的混合溶液中进行制绒处理；NaOH的溶度为2%，添加剂的溶度为0.1%；控制制绒处理的温度为80°C，制绒时间为30分钟；制绒后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（7）制绒后的硅片再次置于NH4OH和H2O2的水溶液中进行清洗以去除有机物，NH4OH和H2O2的溶度分别为2%和3%；清洗的溶液温度控制在80°C，清洗的时间为6分钟；清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（8）将上述清洗后的硅片置于HF和HNO3的水溶液进行表面抛光圆滑绒面处理；HF的溶度为1%，HNO3的溶度为60%，处理的温度为25°C，处理的时间是5分钟；处理后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（9）将上述表面抛光后的硅片置于HCl和H2O2的水溶液中进行清洗以去除金属杂质离子。HCl的溶度为10%，H2O2的溶度为3%，处理温度为80°C，处理时间为6分钟；处理后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（10）将经过上述步骤（9）处理的硅片再次置于溶度为10%的HF水溶液，再次进行表面氧化层去除处理以去除氧化硅层，腐蚀温度为25°C，腐蚀时间为5分钟；腐蚀后用去离子水漂洗5分钟；
（11）将经过上述氧化层去除的硅片再次用热风干燥，热风温度为60－80°C，干燥时间为40分钟，确保硅片得到充分的干燥；干燥后的硅片待用。
通过精确优化的合适的清洗制绒步骤，可以使得硅片表面态缺陷密度进一步的下降。硅片经过步骤（1）-（4）处理后单面减薄10微米左右，经过步骤（5）-（11）处理后单面减薄20微米以上。经过上述清洗制绒工艺后，一方面硅片清洗更为干净，另一方面形成合适的绒面结构，利于后续的等离子增加化学气相沉积非晶硅薄膜，从而有利于提高异质结太阳电池的转换效率。
实施例2
（1）将合格的硅片放NH4OH和H2O2的水溶液中进行预清洗，NH4OH和H2O2的溶度分别为4%和5%；预清洗的溶液温度控制在60°C，预清洗的时间为10分钟，预清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（2）将预清洗后的硅片放入溶度为5%的NaOH水溶液进行去损伤层刻蚀处理，处理温度为50°C，处理时间是6分钟，去损伤层后用去离子水漂洗5分钟；
（3）将去损伤层后的硅片置于溶度为5%的HF水溶液，进行表面氧化层刻蚀腐蚀处理以去除氧化硅层，腐蚀温度为25°C，腐蚀时间为5分钟，腐蚀后用去离子水漂洗5分钟；
（4）将表面氧化层刻蚀腐蚀后的硅片用热风干燥，干燥温度为60-80°C，干燥时间为40分钟，确保硅片得到充分的干燥，干燥后的硅片待用；
（5）将上述待用的硅片置于NH4OH和H2O2的水溶液中再次进行清洗，NH4OH和H2O2的溶度分别为4%和5%；清洗的溶液温度控制在80°C，清洗的时间为6分钟；清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（6）将经过上述步骤（5）处理的硅片置于NaOH和添加剂（具体为表面活性剂溶解在甲醇/乙醇/水的混合液中）的混合溶液中进行制绒处理；NaOH的溶度为5%，添加剂的溶度为0.5%；控制制绒处理的温度为80°C，制绒时间为30分钟；制绒后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（7）制绒后的硅片再次置于NH4OH和H2O2的水溶液中进行清洗以去除有机物，NH4OH和H2O2的溶度分别为4%和5%；清洗的溶液温度控制在80°C，清洗的时间为6分钟；清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（8）将上述清洗后的硅片置于HF和HNO3的水溶液进行表面抛光圆滑绒面处理；HF的溶度为2%，HNO3的溶度为40%，处理的温度为15°C，处理的时间是5分钟；处理后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（9）将上述表面抛光后的硅片置于HCl和H2O2的水溶液中进行清洗以去除金属杂质离子。HCl的溶度为2%，H2O2的溶度为5%，处理温度为80°C，处理时间为6分钟；处理后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（10）将经过上述步骤（9）处理的硅片再次置于溶度为3%的HF水溶液，再次进行表面氧化层去除处理以去除氧化硅层，腐蚀温度为25°C，腐蚀时间为5分钟；腐蚀后用去离子水漂洗5分钟；
（11）将经过上述氧化层去除的硅片再次用热风干燥，热风温度为60－80°C，干燥时间为40分钟，确保硅片得到充分的干燥；干燥后的硅片待用。
通过精确优化的合适的清洗制绒步骤，可以使得硅片表面态缺陷密度进一步的下降。硅片经过步骤（1）-（4）处理后单面减薄10微米左右，经过步骤（5）-（11）处理后单面减薄20微米以上。经过上述清洗制绒工艺后，一方面硅片清洗更为干净，另一方面形成合适的绒面结构，利于后续的等离子增加化学气相沉积非晶硅薄膜，从而有利于提高异质结太阳电池的转换效率。
实施例3
（1）将合格的硅片放NH4OH和H2O2的水溶液中进行预清洗，NH4OH和H2O2的溶度分别为5%和6%；预清洗的溶液温度控制在70°C，预清洗的时间为8分钟，预清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（2）将预清洗后的硅片放入溶度为10%的KOH水溶液进行去损伤层刻蚀处理，处理温度为90°C，处理时间是2分钟，去损伤层后用去离子水漂洗5分钟；
（3）将去损伤层后的硅片置于溶度为1%的HF水溶液，进行表面氧化层刻蚀腐蚀处理以去除氧化硅层，腐蚀温度为25°C，腐蚀时间为5分钟，腐蚀后用去离子水漂洗5分钟；
（4）将表面氧化层刻蚀腐蚀后的硅片用热风干燥，干燥温度为60-80°C，干燥时间为20分钟，确保硅片得到充分的干燥，干燥后的硅片待用；
（5）将上述待用的硅片置于NH4OH和H2O2的水溶液中再次进行清洗，NH4OH和H2O2的溶度分别为5%和6%；清洗的溶液温度控制在80°C，清洗的时间为6分钟；清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（6）将经过上述步骤（5）处理的硅片置于NaOH和添加剂（具体为表面活性剂溶解在甲醇/乙醇/水的混合液中）的混合溶液中进行制绒处理；NaOH的溶度为9%，添加剂的溶度为0.8%；控制制绒处理的温度为80°C，制绒时间为30分钟；制绒后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（7）制绒后的硅片再次置于NH4OH和H2O2的水溶液中进行清洗以去除有机物，NH4OH和H2O2的溶度分别为3%和4%；清洗的溶液温度控制在80°C，清洗的时间为6分钟；清洗后用去离子水漂洗5分钟；
（8）将上述清洗后的硅片置于HF和HNO3的水溶液进行表面抛光圆滑绒面处理；HF的溶度为0.5%，HNO3的溶度为50%，处理的温度为10°C，处理的时间是5分钟；处理后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（9）将上述表面抛光后的硅片置于HCl和H2O2的水溶液中进行清洗以去除金属杂质离子。HCl的溶度为8%，H2O2的溶度为1%，处理温度为80°C，处理时间为6分钟；处理后的硅片用去离子水漂洗5分钟；
（10）将经过上述步骤（9）处理的硅片再次置于溶度为8%的HF水溶液，再次进行表面氧化层去除处理以去除氧化硅层，腐蚀温度为25°C，腐蚀时间为5分钟；腐蚀后用去离子水漂洗5分钟；
（11）将经过上述氧化层去除的硅片再次用热风干燥，热风温度为60－80°C，干燥时间为40分钟，确保硅片得到充分的干燥；干燥后的硅片待用。
通过精确优化的合适的清洗制绒步骤，可以使得硅片表面态缺陷密度进一步的下降。硅片经过步骤（1）-（4）处理后单面减薄10微米左右，经过步骤（5）-（11）处理后单面减薄20微米以上。经过上述清洗制绒工艺后，一方面硅片清洗更为干净，另一方面形成合适的绒面结构，利于后续的等离子增加化学气相沉积非晶硅薄膜，从而有利于提高异质结太阳电池的转换效率。
Claims (9)
1.一种太阳电池的清洗制绒方法，包括如下步骤：
（1）将硅片进行预清洗，然后用去离子水漂洗，得到预清洗后的硅片；
（2）将上述预清洗后的硅片放入碱性溶液中进行去损伤层刻蚀处理，然后用去离子水漂洗；
（3）将步骤（2）得到的去损伤层后的硅片用氢氟酸水溶液进行表面氧化层刻蚀腐蚀处理，然后用去离子水漂洗后干燥；
（4）将步骤（3）得到硅片进行预清洗，然后用去离子水漂洗；
（5）将经过步骤（4）处理后的硅片放入制绒液中进行制绒，制绒后用去离子水漂洗；
（6）将步骤（5）得到的制绒后的硅片进行清洗以去除有机物，然后用去离子水漂洗；
（7）将步骤（6）清洗后的硅片置于含有HF和HNO3的去离子水溶液中进行表面抛光圆滑绒面处理，处理的温度5-30°C，处理的时间是1-15分钟，处理后用去离子水漂洗；其中含有HF和HNO3的去离子水溶液中HF的质量百分数为0.1-2%，HNO3的质量百分数为40-60%，去离子水的质量百分数为38-59.9%；
（8）将经过步骤（7）处理后的硅片进行清洗以去除金属杂质离子，然后用去离子水漂洗；
（9）将经过步骤（8）处理后的硅片用氢氟酸水溶液进行表面氧化层刻蚀腐蚀处理，最后干燥即可。
2.根据权利要求1所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：步骤（1）和（4）中所述的预清洗中所用的清洗液为含有NH4OH和H2O2的去离子水溶液，其中NH4OH的质量百分数为2-5%，H2O2的质量百分数为3-6%，去离子水的质量百分数为89-95%，预清洗的温度是50-90°C，预清洗的时间为2-12分钟。
3.根据权利要求1所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：步骤（2）中所述的碱性溶液为质量百分数为1-10%的NaOH或KOH水溶液，所述的去损伤层刻蚀处理的处理温度为50-90°C，处理时间是1-6分钟。
4.根据权利要求1所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：步骤（3）和（9）中所述的氢氟酸水溶液中氢氟酸的质量百分数为1-10%，所述的腐蚀处理中腐蚀温度为10-30°C，腐蚀时间为1-6分钟。
5.根据权利要求1所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：步骤（3）和（9）中所述的干燥为用热风干燥，干燥温度为60-80°C，干燥时间为15-40分钟。
6.根据权利要求1所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：步骤（5）中所述的制绒液的成分为NaOH/KOH、添加剂和去离子水，其中NaOH/KOH、添加剂和去离子水所占的质量分数分别为1-10%、0.1-1.0%和89-98.9%；所述的制绒的温度为50-90°C，制绒的时间为15-40分钟。
7.根据权利要求6所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：所述的添加剂为含有表面活性剂的甲醇/乙醇/水的混合液。
8.根据权利要求1所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：步骤（6）中所述的清洗中所用的清洗液为含有NH4OH和H2O2的去离子水溶液，其中NH4OH的质量百分数为2-5%，H2O2的质量百分数为3-6%，去离子水的质量百分数为89-95%，清洗的温度是50-90°C，清洗的时间为2-8分钟。
9.根据权利要求1所述的一种太阳电池的清洗制绒方法，其特征在于：步骤（8）所述的清洗中所用的清洗液为含有HCl和H2O2的去离子水溶液，其中HCl的质量百分数为1-10%，H2O2的质量百分数为1-5%，去离子水的质量百分数为85-98%；所述清洗的温度为50-90°C，清洗的时间为1-10分钟。
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Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103357633A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-10-23 | 北京四方继保自动化股份有限公司 | 一种薄膜太阳能电池玻璃基底的清洗方法 |
| CN103394484A (zh) * | 2013-08-02 | 2013-11-20 | 常州时创能源科技有限公司 | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 |
| CN103426736A (zh) * | 2013-06-30 | 2013-12-04 | 北京工业大学 | 单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法 |
| CN103426972A (zh) * | 2013-08-28 | 2013-12-04 | 中电投西安太阳能电力有限公司 | 一种硅片制绒的清洗方法 |
| CN103441182A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-12-11 | 新奥光伏能源有限公司 | 太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 |
| CN103903960A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-07-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种hit电池前清洗的方法 |
| CN104078567A (zh) * | 2014-07-16 | 2014-10-01 | 中国科学院物理研究所 | 混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法 |
| CN104157735A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-11-19 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种太阳能电池制绒工艺 |
| CN104393094A (zh) * | 2014-09-26 | 2015-03-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法 |
| CN104630900A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-20 | 江苏天宇光伏科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池表面制绒处理方法 |
| CN106373862A (zh) * | 2015-07-24 | 2017-02-01 | 钧石(中国)能源有限公司 | 适于异质结电池片湿法清洗的处理方法 |
| CN106449373A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-02-22 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种异质结电池的制绒清洗方法 |
| CN108655089A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-10-16 | 上海申和热磁电子有限公司 | 半导体12英寸单晶硅托盘表面氮化铝薄膜的清洗去除方法 |
| CN108831936A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-16 | 华侨大学 | 陷光结构胶与光滑绒面晶体硅复合电池及其加工方法 |
| CN109087853A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-12-25 | 昆明理工大学 | 一种铜催化刻蚀制绒硅片表面圆滑处理的方法 |
| CN109675858A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-04-26 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种硅片减薄后的清洗工艺 |
| CN110165018A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-23 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺 |
| CN110931348A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-27 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸硅片碱腐清洗装置及清洗工艺 |
| CN111403561A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-10 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种硅片制绒方法 |
| CN112053936A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-12-08 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法 |
| CN113808933A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-17 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片 |
| CN113823709A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-12-21 | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) | 一种太阳能电池的制绒清洗方法 |
| CN113990981A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-28 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种单晶绒面光滑圆整处理工艺 |
| CN115207154A (zh) * | 2021-04-12 | 2022-10-18 | 福建金石能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池制绒清洗方法 |
| WO2024098977A1 (zh) * | 2022-11-09 | 2024-05-16 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池及其制备方法和电池组件 |
| CN112053936B (zh) * | 2020-09-22 | 2024-06-11 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009030299A2 (de) * | 2007-08-31 | 2009-03-12 | Q-Cells Ag | Verfahren zum fertigen einer solarzelle mit einer doppellagigen dielektrikumschicht |
| CN101735903A (zh) * | 2008-11-04 | 2010-06-16 | 江阴市润玛电子材料有限公司 | 一种太阳能光伏专用电子清洗剂 |
| CN102593268A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-18 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法 |
-
2012
- 2012-10-19 CN CN201210402361.XA patent/CN102938431B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009030299A2 (de) * | 2007-08-31 | 2009-03-12 | Q-Cells Ag | Verfahren zum fertigen einer solarzelle mit einer doppellagigen dielektrikumschicht |
| CN101735903A (zh) * | 2008-11-04 | 2010-06-16 | 江阴市润玛电子材料有限公司 | 一种太阳能光伏专用电子清洗剂 |
| CN102593268A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-18 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| KYUNGHAE KIM, S.K. DHUNGEL.ET AL: "Texturing of large area multi-crystalline silicon wafers through different chemical approaches for solar cell fabrication", 《SOLAR ENERGY MATERIALS & SOLAR CELLS》, vol. 92, no. 8, 14 April 2008 (2008-04-14), pages 960 - 968, XP022691926, DOI: 10.1016/j.solmat.2008.02.036 * |
| 郭连贵主编: "《太阳能光伏学》", 30 September 2012, 化学工业出版社, article "硅片的清洗", pages: 26-27 * |
| 阙端麟主编: "《硅材料科学与技术》", 31 December 2000, 浙江大学出版社, article "硅表面清洗及其原理", pages: 254-267 * |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103426736A (zh) * | 2013-06-30 | 2013-12-04 | 北京工业大学 | 单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法 |
| CN103357633A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-10-23 | 北京四方继保自动化股份有限公司 | 一种薄膜太阳能电池玻璃基底的清洗方法 |
| CN103441182A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-12-11 | 新奥光伏能源有限公司 | 太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 |
| CN103441182B (zh) * | 2013-07-23 | 2016-03-02 | 新奥光伏能源有限公司 | 太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 |
| CN103394484A (zh) * | 2013-08-02 | 2013-11-20 | 常州时创能源科技有限公司 | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 |
| CN103394484B (zh) * | 2013-08-02 | 2016-08-10 | 常州时创能源科技有限公司 | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 |
| CN103426972A (zh) * | 2013-08-28 | 2013-12-04 | 中电投西安太阳能电力有限公司 | 一种硅片制绒的清洗方法 |
| CN104630900A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-20 | 江苏天宇光伏科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池表面制绒处理方法 |
| CN103903960A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-07-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种hit电池前清洗的方法 |
| CN104078567B (zh) * | 2014-07-16 | 2017-02-15 | 深圳市石金科技股份有限公司 | 混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法 |
| CN104078567A (zh) * | 2014-07-16 | 2014-10-01 | 中国科学院物理研究所 | 混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法 |
| CN104157735A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-11-19 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种太阳能电池制绒工艺 |
| CN104393094A (zh) * | 2014-09-26 | 2015-03-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法 |
| CN106373862A (zh) * | 2015-07-24 | 2017-02-01 | 钧石(中国)能源有限公司 | 适于异质结电池片湿法清洗的处理方法 |
| CN106449373A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-02-22 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种异质结电池的制绒清洗方法 |
| CN108655089A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-10-16 | 上海申和热磁电子有限公司 | 半导体12英寸单晶硅托盘表面氮化铝薄膜的清洗去除方法 |
| CN108831936A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-16 | 华侨大学 | 陷光结构胶与光滑绒面晶体硅复合电池及其加工方法 |
| CN109087853A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-12-25 | 昆明理工大学 | 一种铜催化刻蚀制绒硅片表面圆滑处理的方法 |
| CN109087853B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-07-31 | 昆明理工大学 | 一种铜催化刻蚀制绒硅片表面圆滑处理的方法 |
| CN109675858A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-04-26 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种硅片减薄后的清洗工艺 |
| CN110165018A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-23 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺 |
| CN110931348A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-27 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸硅片碱腐清洗装置及清洗工艺 |
| CN111403561A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-10 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种硅片制绒方法 |
| CN112053936A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-12-08 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法 |
| CN112053936B (zh) * | 2020-09-22 | 2024-06-11 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法 |
| CN113823709A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-12-21 | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) | 一种太阳能电池的制绒清洗方法 |
| CN115207154A (zh) * | 2021-04-12 | 2022-10-18 | 福建金石能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池制绒清洗方法 |
| CN113808933A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-17 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片 |
| CN113808933B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-12-01 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片 |
| CN113990981A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-28 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种单晶绒面光滑圆整处理工艺 |
| CN113990981B (zh) * | 2021-10-18 | 2022-10-28 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种单晶绒面光滑圆整处理工艺 |
| WO2024098977A1 (zh) * | 2022-11-09 | 2024-05-16 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池及其制备方法和电池组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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