发明内容
通过提供用于终结高压直流电缆(用于处于例如50kV及以上的电压的DC电缆)的直流电缆终端装置来实现本发明的上述目的,该装置包括:
载流设备,其包括该直流电缆的端子部分,该电缆至少包括电导体、位于该电导体外部的圆周电绝缘层以及位于该电绝缘层和该电导体外部的圆周导电屏蔽体,
外罩,其包括具有内部***的管状外壳,该外壳定义纵轴并且由电绝缘和含聚合体的材料形成,
该载流设备被适配为在该外壳的轴向方向中延伸,
该外壳沿该载流设备的轴向延伸的至少一部分伴随着该外壳的内部***与该载流设备之间具有空间地轴向延伸,
该外罩被适配为将该空间与该外壳外部的大气分隔,并且用电绝缘流体填充该空间,
该外壳具有第一末端部分和第二末端部分,其中:
该导电屏蔽体在该外壳内部终结,
在该外壳内部提供由电绝缘和含聚合体的材料形成的几何场控制主体,
该几何场控制主***于该载流设备周围并且沿该载流设备的轴向延伸的至少一部分轴向延伸,
该几何场控制主体邻接该导电屏蔽体的该终端且有助于将该导电屏蔽体的该终与该空间分隔,并且
该外壳沿该几何场控制主体的该轴向延伸的至少一部分伴随着该外壳的内部***与该几何场控制主体之间具有间隙地轴向延伸。
通常,该第一末端部分可以与高压侧(例如架空线)或者该电缆将要被连接到的电力设备相邻,并且该电缆经由该第二末端部分进入该终端装置。
又被称为外部半导体或屏蔽体的该圆周导电屏蔽体终结在该外壳内部并且形成圆周边缘(又被称为半导体边缘)形式的终端。本发明的发明人认识到通常保持地电势的又被称为外部半导体的该圆周导电屏蔽体的终端是主要的问题区域,其中在该区域中发现最高电场和电场应力。因此,根据本发明,几何场控制主***于该导电屏蔽体的该终端的周围。通过将该导电屏蔽体的该终端与延伸到该外壳的第一末端部分的流体填充空间分隔,第一末端部分邻接高压侧,获得电场的有效控制和电场应力的降低,并且根据本发明的电缆终端更加有弹性并且可以用有效的方式适应各种DC终端应用。参考上文,提供了用于高压的改进的电缆终端,其经受高压电平并且其中改进了电绝缘属性和机械性能。
绝缘流体可以具有例如油或凝胶体的液体、气体或气体混合物等等的形式。
外壳的电绝缘并且含聚合体的材料可以包括一个聚合体或多个聚合体。该材料可以是复合材料、强化环氧树脂或树脂。该聚合体可以是热塑聚合体例如聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)或聚酯,或者是热硬化聚合体例如热硬化树脂。该外壳可以是环氧强化结构。根据本发明的装置的一个有利的实施方式,由聚合体或多个聚合体形成该外壳。该外壳可以具备硅外层例如以裙或翼的形式。
DC电缆可以包括其他层例如圆周地围绕导电屏蔽体的外电缆套,其对本领域技术人员是已知的并且因此在下文不更详细地讨论。
根据本发明的装置的一个进一步有利的实施方式,载流设备包括高压直流HVDC电缆的端子部分。通常,该导电屏蔽体保持地电势。
根据本发明的装置对于终结用于高于200kV电压的DC电缆特别有利。
根据本发明的装置的一个有利的实施方式,该流体包括电绝缘气体。该绝缘气体可以是气体混合物。绝缘气体例如SF6、CO2或N2易于现场处置,具有低的重量并且具有有利的对流冷却效应。通过将该导电屏蔽体的该终端与气体填充的空间分隔,还将导电屏蔽体终端形式的问题区域与跟高压侧相邻的气体填充空间分隔。因此,减小了该空间的电绝缘气体中的电击穿的风险,并且提供了改进的电场控制。通过该实施方式,提供改进的HVDC电缆终端,其中改进了电绝缘属性和机械性能。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该电绝缘气体包括SF6即六氟化硫、CO2和/或N2。通过该实施方式,进一步改进HVDC电缆终端的绝缘特性和电场控制,提供进一步改进的HVDC电缆终端。该电绝缘气体还可以包括空气例如压缩空气。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该外壳沿该几何场控制主体的整个轴向,伴随着该外壳的内部***与该几何场控制主体之间具有间隙地轴向延伸。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,将该几何场控制主体装配在该电缆的该端子部分的周围。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体从该导电屏蔽体的该终端在朝向该外壳的该第一末端部分的方向中,沿该载流设备的该轴向延伸的至少一部分延伸。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该电缆的该端子部分的第一部分具有圆周导电屏蔽体,而该电缆的端子部分的剩余部分被去除该导电屏蔽体,该第一部分位于该外壳的第二末端部分与该导电屏蔽体的该终端之间,并且该电缆的该端子部分的该剩余部分从该导电屏蔽体的该终端延伸到该外壳的该第一末端部分。通过该实施方式,实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,将该电缆的该端子部分的该电导体终结在该外壳外部。通过该实施方式,进一步改进电场控制。
可选择地,该载流设备可以包括位于该外壳之中的连接主体并且在该连接主体中终结该电导体,该连接主体被适配为将终结电导体电连接到导电器件。该导电器件又被适配为从该连接主体轴向延伸到该外壳的该第一末端部分以形成该载流设备的一部分。该连接主体可以包括用于将该终端电导体连接到该导电器件的连接元件并且可以包括螺丝和静态导电屏蔽体/屏。该导电器件可以具有例如由铝或铜制造的棒的形式。在该外壳的例如利用SF6来气体填充的该空间中具有裸露导电器件,对于DC电缆终端的热性能是有益的。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,将该电缆的该端子部分的该电绝缘层终结在该外壳外部。通过该实施方式,进一步改进电场控制。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,由聚合体或多个聚合体制造该几何场控制主体。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,由橡胶材料制造该几何场控制主体。通过该实施方式,提供改进的电场控制,因而实现改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,由三元乙丙橡胶EPDM材料或交联聚乙烯XLPE材料制造该几何场控制主体。通过该实施方式,提供改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。但是也可以使用其他合适的材料。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体包括具有电阻率的非线性电阻式场分级材料,该电阻率是该电场的函数。通过该实施方式,提供改进的电场控制,因而实现改进的HVDC电缆终端。场分级材料是被适配为分级或引导电场的材料。可用于根据本发明的装置的多个实施方式的所谓的场分级材料FGM的多个实例是例如WO-A1-2008/076058和EP-A1-1 736 998中所述的材料。但是也可以使用其他合适的FGM。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体朝向该外壳的该第一末端部分逐渐变小。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体朝向该外壳的该第二末端部分逐渐变小。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体在朝向该外壳的该第二末端部分的方向中形成末端部分,该几何场控制主体的该末端部分被装配到由导电材料制造的管状偏转器外壳中。通过该实施方式,提供改进的电场控制,因而实现改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,由该几何场控制主体、该管状偏转器外壳和该电缆的该端子部分的电绝缘层包围该导电屏蔽体的该终端。通过该实施方式,提供改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,由该几何场控制主体和该电缆的该端子部分的该电绝缘层包围该导电屏蔽体的该终端。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现进一步改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体沿该载流设备的该轴向延伸的至少一部分具有至少是该电缆的该端子部分的该绝缘层的径向延伸两倍大的径向延伸。通过该实施方式,提供改进的电场控制,因而实现改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体沿该载流设备的该轴向延伸的至少一部分具有比该电缆的该端子部分的径向延伸更大的径向延伸。通过该实施方式,提供进一步改进的电场控制,因而实现改进的HVDC电缆终端。
根据本发明的装置的另一个有利的实施方式,该几何场控制主体在该外壳内部沿该载流设备的轴向延伸的至少1/3延伸。通过该实施方式,提供改进的电场控制,因而实现改进的HVDC电缆终端。有利地,该几何场控制主体在该外壳内部沿该载流设备的轴向延伸的至少2/5延伸,提供进一步改进的电场控制。有利地,该几何场控制主体在该外壳内部沿该载流设备的轴向延伸的至少1/2延伸,提供进一步改进的电场控制。
此外,通过提供电力设施来实现本发明的上述目的,该电力设施包括高压直流电缆并且包括用于终结该电缆的直流电缆终端装置,该高压直流电缆至少包括电导体、位于该电导体的外部的圆周绝缘层以及位于该绝缘层和该电导体的外部的圆周导电屏蔽体,其中,该装置包括如权利要求1到20中的任意一个所述的特征和/或该装置的任意一个以上所述实施方式的特征。根据本发明及其实施方式的电力设施的积极的技术效果对应于以上所述的根据本发明及其实施方式的装置相关联的技术效果。
直流电缆终端装置和电力设施的上述实施方式和特征可以以各种可能的方式分别地组合,而提供进一步的有利实施方式。
分别根据本发明的直流电缆终端装置和电力设施的其他有利的实施方式以及利用本发明的进一步优点从实施方式的详细描述中显现。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的用于终结用于高压(例如10kV和以上,特别是50kV和以上)的HVDC电缆的直流电缆终端装置的实施方式和方面。参考图1,该装置的实施方式包括载流设备102或载压设备,其包括HVDC电缆的端子部分104,该电缆至少包括通常由合适的金属例如铜或铝制造的中央带电导体106、圆周地围绕电导体106并且位于电导体106外部的圆周电绝缘层108、以及圆周地围绕绝缘层108和电导体106并且位于绝缘层108和电导体106外部的也被称为外部半导体的圆周导电屏蔽体110或层/屏。圆周导电屏蔽体110可以由导电聚合体制造。可以包括其他层的HVDC电缆及其部件的结构对本领域的技术人员是公知的并且因此在这里不更详细地讨论。HVDC电缆可以包括例如所谓的内部半导体,其是圆周地围绕该电导体并且位于该绝缘层内部的层/屏。该内部半导体可以由导电聚合体制造。
此外,该装置包括外罩111,其包括管状外壳112,该外壳112具有内部***114。外壳112定义纵轴x-x并且由电绝缘和含聚合体的材料,例如复合材料形成。该装置基本上围绕轴x-x旋转对称。外壳112的***具备例如由硅制造的裙116或唇/翼。该载流设备102被适配为在外壳112的轴向方向中延伸。该外壳112沿该载流设备102的轴向延伸的至少一部分,伴随着它的内部***114与该载流设备102的***之间具有一空间118地轴向延伸。外罩111被适配为将空间118与外壳112外部的大气120分隔。用例如SF6或N2或它们的混合物的电绝缘气体形式的电绝缘流体125填充空间118。导电屏蔽体110终结在外壳112内部。将导电屏蔽体110终结并且形成圆周边缘(又被称为半导体边缘)形式的终端109。该装置包括几何场控制主体128,该几何场控制主体128由电绝缘和含聚合体的材料形成并且在在外壳112内在导电屏蔽体110的终端109附近。几何场控制主体128位于载流设备102周围,更准确而言位于DC电缆的端子部分104周围,并且沿载流设备102的轴向延伸的至少一部分轴向延伸。几何场控制主体128具有面对空间118的外部***和面对载流设备102的内部***130。几何场控制主体128邻接导电屏蔽体110的终端109并且可以将导电屏蔽体110的终端109与空间118分隔或者可以助于将导电屏蔽体110的终端109与空间118分隔。外壳112沿几何场控制主体128的轴向延伸的至少一部分或者甚至整个轴向延伸,伴随着它的内部***114与几何场控制主体128的***129之间具有间隙131地轴向延伸。可以通过在载流设备102更准确而言HVDC电缆的端子部分104上拉伸或者推,将几何场控制主体128装配在电缆的端子部分104周围。可选择地,可以将几何场控制主体128铸模或浇铸在载流设备102更准确而言HVDC电缆的端子部分104上。电场控制器件128可以由三元乙丙橡胶EPDM材料或交联聚乙烯XLPE材料制造。几何场控制主体128可以由与电缆的端子部分104的绝缘层108相同的材料制造。
外壳112具有与高压侧相邻的第一末端部分132,其中在该第一末端部分132该装置连接到例如架空线或母线等等。外壳112具有第二末端部分134,其中,HVDC电缆经由第二末端部分134进入外壳112。外罩111可以包括在外壳112的第二末端部分134处的由例如金属制造的第一法兰138,以及在外壳112的第一末端部分132处的例如由金属制造的第二法兰158。电缆经由通过第一法兰138定义的第一开口136进入外壳112。电绝缘层108和电缆的端子部分104的电导体106经由通过第二法兰158定义的第二开口157离开外壳112,并且终结在外壳112的外部,以便电导体106到高压侧的电力设备的连接。用本领域技术人员已知的方式实现电导体106到电力设备的连接。电缆的端子部分104的第一部分142具有圆周导电屏蔽体110,而电缆的端子部分104的剩余部分144被去除导电屏蔽体110,因而暴露绝缘层108。第一部分142可以被称为半导体末端并且剩余部分144可以被称为剥离电缆。电缆的端子部分104的剩余部分144从导电屏蔽体110的终端109延伸到外壳112的第一末端部分132。存在导电屏蔽体110的第一部分142处于第二末端部分134与导电屏蔽体110的终端109之间。几何场控制主体128可以位于距外壳112的第一末端部分132第一轴向范围146并且位于距外壳112的第二末端部分134第二轴向范围148。可选择地,几何场控制主体128可以延伸到外壳112的第一末端部分132。
几何场控制主体128可以从该导电屏蔽体110的该终端109在朝向该外壳112的第一末端部分132的方向中,沿该载流设备102的该轴向延伸的至少一部分延伸。在可选择的实施方式中,几何场控制主体128可以从该导电屏蔽体110的该终端109在朝向该外壳112的第二末端部分134的方向中,沿该载流设备102的该轴向延伸的至少一部分延伸。几何场控制主体128可以朝向外壳112的第一末端部分132逐渐变小,并且几何场控制主体128可以朝向外壳112的第二末端部分134逐渐变小。几何场控制主体128在朝向外壳112的第二末端部分134的方向中形成末端部分160。将几何场控制主体128的末端部分160组装到由导电材料制造的圆周管状偏转器外壳162中。
在所示实施方式中,将该导电屏蔽体110的该终端109电连接到偏转器外壳162,并且由几何场控制主体128、管状偏转器外壳162和电缆的端子部分104的电绝缘层108包围该导电屏蔽体110的该终端109。在所示实施方式中,沿导电屏蔽体110的轴向延伸的至少一部分,将管状偏转器外壳162位于导电屏蔽体110的周围和外部。因此,管状偏转器外壳162与导电屏蔽体110的一部分重叠。可选择地,该导电屏蔽体110的该终端109可以位于几何场控制主体的内部***130与电缆的端子部分104的电绝缘层108之间,并且因此可以由几何场控制主体128和电缆的端子部分104的电绝缘层108包围该导电屏蔽体110的该终端109。可选择地,可以与导电屏蔽体110的一部分不重叠地放置管状导向装置外壳162。
沿载流设备102的轴向延伸的至少一部分,几何场控制主体128可以具有大于电缆的端子部分104的径向延伸的径向延伸。几何场控制主体128可以在外壳112内部沿载流设备102的轴向延伸的至少1/2延伸。几何场控制主体128的尺寸可以适应所讨论的具体HVDC终端并且适应终结DC电缆将要被连接到的电力设备。
本发明不应该被视为限于所示实施方式,相反,本领域的熟练技术人员在不脱离所附权利要求的范围内可以用多种方式修改并且改变该实施方式。例如可以用多种方式改变几何场控制主体的形状、外壳的形状和几何场控制主体的相对于外壳大小的大小。