CN102891105A - 一种薄膜晶体管阵列的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列的制造方法。本发明所述制造方法包括以下步骤：在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；根据所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；根据需要将所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列。本发明提高了较大面积而生产数量较少的薄膜晶体管阵列的生产效率，降低了较大面积薄膜晶体管阵列面板的不良率，并可使用较小面积薄膜晶体管阵列面板工艺、材料制造较大面积薄膜晶体管阵列面板，由此减低大面积面板成本。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管（Thin Film Transistor, TFT）阵列的制造方法，尤其是涉及用于液晶面板TFT阵列的制造方法。
背景技术
一个TFT阵列通常包括纵横交叉的行（栅极）扫描线和列（数据）扫描线、行扫描线引脚和列扫描线引脚，以及与行扫描线和列扫描线连接的TFT。目前液晶面板TFT阵列制造方法是：首先制作出一套TFT阵列所需的掩模板，所述的TFT阵列从阵列互相垂直的二边引出扫描线引脚；然后，通过多次沉积、掩模板套准后曝光和光刻步骤制造出所需的TFT阵列。虽然，一套掩模板有多个曝光区，可以同时制造多个TFT阵列，但所制造的TFT阵列的规格和面积相同。此方法的不足之处就是一套掩模板只能制造一种规格、面积的TFT阵列。如需制造数量较少，面积较大的TFT阵列则成本非常高。并且由于一些不可预知因素，如灰尘未清洗干净等，可以导致TFT阵列出现不可修复的坏点，而一个坏点的存在可能导致整个TFT阵列报废。由于TFT阵列越大，出现坏点的机会越高，因此，目前TFT面板面积越大，良率越低，成本就越高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列的制造方法，采用一套掩模板就能方便地制造出多种规格和尺寸的TFT阵列。
本发明所述的一种薄膜晶体管阵列的制造方法，所述的薄膜晶体管阵列包括：纵横交叉的行扫描线和列扫描线、行扫描线引脚、列扫描线引脚，以及与行扫描线和列扫描线连接的薄膜晶体管，所述制造方法包括以下步骤：A．在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；B. 根据步骤A所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；C. 根据需要将步骤B所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列。
本发明所述的一种薄膜晶体管阵列的制造方法，所述的薄膜晶体管阵列包括：纵横交叉的行扫描线和列扫描线、行扫描线引脚、列扫描线引脚，以及与行扫描线和列扫描线连接的薄膜晶体管，所述制造方法包括以下步骤：A. 在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；B. 根据步骤A所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；C. 根据阵列中是否有坏点的检测结果，将步骤B所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列。
根据本发明所述的薄膜晶体管阵列的制造方法的进一步特征，所述扫描线引脚具有多层排列方式，以致选择不同引脚组合与驱动电路配合。
根据本发明所述的薄膜晶体管阵列的制造方法的进一步特征，步骤A所采用的掩模板是具有灰度的掩模板，步骤B中用一种曝光强度制造一种规格和面积的薄膜晶体管阵列，用另一种曝光强度制造另一种规格和面积的薄膜晶体管阵列。
根据本发明所述的薄膜晶体管阵列的制造方法的进一步特征，在步骤B中，对一个薄膜晶体管阵列掩模板作条形遮光，遮光后制造出规格和面积不同于遮光前的薄膜晶体管阵列。
根据本发明所述的薄膜晶体管阵列的制造方法的进一步特征，薄膜晶体管阵列四边扫描线引脚都接有驱动电路。
本发明还提供了一种液晶面板的制造方法，包括了如本发明所述的薄膜晶体管阵列的制造方法。
与现行TFT阵列制造方法相比，本发明所述TFT阵列的制造方法有以下优点：
（1）较大面积而生产数量较少的TFT阵列可以与较小面积而生产数量大的TFT阵列共用生产线进行不间断生产，提高了较大面积而生产数量较少的TFT阵列的生产效率。
（2）当一个较大面积TFT阵列中有不可修复的坏点时，可以将较大面积TFT阵列切割成小面积TFT阵列，从而降低了较大面积TFT阵列面板的不良率。
（3）从TFT阵列的四边引出行、列扫描线的引脚线，可以通过双侧接入驱动电路的方法使扫描线电阻下降一半。因此，可使用较小面积TFT阵列面板工艺、材料制造较大面积TFT阵列面板，由此减低大面积面板成本。
（4）行、列扫描线的引脚可具有多层排列方式，通过切割或蚀刻方法选择引脚排列方式，方便面板使用。
附图说明
图1是本发明制造原理说明的TFT阵列结构示意图。
图2是本发明制造原理所述8 × 8 × 4 TFT阵列制造示意图。
图3是本发明所述有灰度掩模板TFT阵列示意图。
其中：1为外层列扫描线引脚；2为内层列扫描线引脚；3为行扫描线引脚；4为TFT；5为切割线；6掩模板灰度/遮光区。
具体实施方式
图1用于本发明制造原理说明的TFT阵列结构示意图，阵列中共有18 × 18个薄膜晶体管，阵列的4边有行和列扫描线引脚。该TFT阵列的制造方法包括以下步骤：A．在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；B. 根据步骤A所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；C. 根据需要将步骤B所制造的薄膜晶体管阵列切割为不同规格和面积的产品，例如，如果使用内侧引脚，可得到一个18 × 18 TFT阵列；如果使用外侧引脚，可得到一个16 × 16 TFT阵列；又例如，沿图2所示切割线切开18 × 18 TFT阵列，可得到4片8 × 8 TFT阵列。
在此基础上，可采用一套有灰度的掩模板，套准后在玻璃表面的曝光图案如图3所示，因此，用强光曝光可制造一个较大面积的TFT阵列；用弱光曝光制造四个较小面积的TFT阵列。
可替代地，对一套掩模板做条形遮光，套准后在玻璃表面的曝光图案也如图3所示，因此，遮光前可制造一个较大面积的TFT阵列；遮光后可制造四个较小面积的TFT阵列。
实施例一：制造32吋和65吋液晶电视面板
目前，第6代液晶面板生产线可在一片玻璃基板上制造8片32吋面板，每一片面板包括一个3 × 1366 × 768 个TFT的阵列。采用本发明所述的TFT阵列制造方法，在一套掩模板绘制两个3 × 2772 × 1560 个TFT的阵列且四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案。按常规工序完成面板制造过程后，如面板无坏点，即可得到两片65吋面板。如面板有坏点，可将面板按图2样式封装，此时，一片65吋面板被封装成4个32吋面板。如果一个32吋面板区域出现坏点，切割后还可得到3个32吋面板。一片65吋面板按图2样式封装成4个32吋面板后，如果无坏点，切割后还可得到4个32吋面板，因此，本发明所述的制造方法可以显著提高65吋面板的良率。
市面上32吋液晶面板每条生产线年产量超过数百万片，单价不高于1,000元人民币，65吋液晶面板年需求量<10万片，单价不低于10,000元人民币。采用本发明制造65吋面板，由于65吋面板不必单独开机生产，且良率不低于32吋面板良率，故所得到的65吋面板的单价接近4片32吋液晶面板价格之和，远低于目前市面价格。
实施例二：制造55吋和111吋液晶电视面板：
目前，第8.5代液晶面板生产线可在一片玻璃基板上制造8片55吋面板，每一片面板包括一个3 × 1920 × 1080个TFT的阵列。采用本发明所述的TFT阵列制造方法，在一套掩模板绘制2个3 × 3880 × 2184个TFT的阵列，四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案，按常规工序完成面板制造过程后，如面板无坏点，即可得到两片111吋面板。如面板有坏点，可将面板按图2样式封装，此时，一片111吋面板被封装成4个55吋面板，如果一个55吋面板区域出现坏点，切割后还可得到3个55吋面板。一片111吋面板按图2样式封装成4个55吋面板，如果无坏点，切割后还可得到4个55吋面板，因此，本发明可以大为提高111吋面板的良率。由于111吋面板中行列扫描线过长，用55吋面板工艺、材料制造，单侧输入扫描信号将出现信号延迟。二双侧输入扫描信号可使扫描线电阻下降一半，正好满足用55吋工艺、材料制造111吋面板要求。
市面上55吋液晶面板市场年需求量近百万片，面板单价不高于5,000元人民币。111吋液晶面市场年需求量不到一万片，单价不低于100,000元人民币。采用本发明制造111吋面板，由于111吋面板面板不必单独开机生产，生产效率提高且良率不低于55吋面板的良率，又可以采用55吋面板的工艺、材料制造，故所得到的111吋面板的单价接近4片55吋液晶面板价格之和，远低于目前市面价格。
Claims (7)
1.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，所述的薄膜晶体管阵列包括：纵横交叉的行扫描线和列扫描线、行扫描线引脚、列扫描线引脚，以及与行扫描线和列扫描线连接的薄膜晶体管，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：
A．在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；
B. 根据步骤A所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；
C. 根据需要将步骤B所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列。
2.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，所述的薄膜晶体管阵列包括：纵横交叉的行扫描线和列扫描线、行扫描线引脚、列扫描线引脚，以及与行扫描线和列扫描线连接的薄膜晶体管，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：
A. 在一套掩模板绘制能在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列图案；
B. 根据步骤A所绘制图案在平板玻璃表面制造阵列四边都有扫描线引脚的薄膜晶体管阵列；
C. 根据阵列中是否有坏点的检测结果，将步骤B所制造的薄膜晶体管阵列切割成一个面积较大的薄膜晶体管阵列或者分割为若干个面积较小的薄膜晶体管阵列。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于：所述扫描线引脚具有多层排列方式，以致选择不同引脚组合与驱动电路配合。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于：所述步骤A所采用的掩模板是具有灰度的掩模板，所述步骤B中用一种曝光强度制造一种规格和面积的薄膜晶体管阵列，用另一种曝光强度制造另一种规格和面积的薄膜晶体管阵列。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于：在步骤B中，对一个薄膜晶体管阵列掩模板作条形遮光，遮光后制造出规格和面积不同于遮光前的薄膜晶体管阵列。
6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列的制造方法，其特征在于：薄膜晶体管阵列四边扫描线引脚都接有驱动电路。
7.一种液晶面板的制造方法，其特征是包括了如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列的制造方法。
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