CN102877123A - 用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器，其包含：上部环和下部环，它们通过邻接所述下部环的环间隙的回线而导电连接，以使通过环传导的电流的流动方向在所述环中是相反的；以一定距离将所述上部环与下部环固定在一起的连接元件；和引导电流通过所述上部环和下部环的电线。

Description

用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器
技术领域
本发明涉及用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器。
背景技术
生产单晶的一种方法是Czochralski法。其例如用于生产由硅构成的单晶。依据该方法，首先在坩埚中生产熔融体，而后将籽晶与熔融体接触，最后，通过从熔融体的表面提拉籽晶而使得籽晶上悬浮的单晶生长。
如果可以通过环形电阻加热器为生长的单晶供热是有利的，所述环形电阻加热器在下文中也被称为环形加热器。因此，US 2004/0192015描述了一种方法，其中通过环形加热器为生长的单晶的相界提供热，以使沿单晶的半径在相界上的轴向温度梯度均匀。该方法的目的是影响内在点缺陷的形成达到生长的单晶的缺陷性质在径向上尽可能地均匀的效果。
US6,132,507提到，环形加热器也可以用于降低单晶直径的波动以及生长率。
本发明的发明人已经确证，如果同时施加强的外磁场以影响熔融体的流动，那么利用环形加热器为生长的单晶供热是困难的。在这种情况下会发生外磁场和由环形加热器产生的磁场间的电磁相互作用。作用在环形加热器上的Lorentz力可以改变环形加热器的位置、损伤环形加热器，或甚至将其毁坏。
US7,335,864B2描述了如下事实，电阻加热器的固有磁场可以通过以双线形式缠绕加热线圈来降低，这样，电流穿过加热线圈的局部折返以相反方向流动。
然而，尽管使用以所述方式改造的环形加热器，但是所提及的困难不能得到满意的消除，因为磁场间的相互作用仍存在，虽然是以弱化的形式。
因此，本发明的目的是提供用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器，其具有US 2004/0192015 A1中描述的环形加热器的优势，但是在强外磁场下使用期间没有其劣势。
发明内容
通过提供用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器达到所述目的，所述环形电阻加热器包含：
上部环和下部环，它们通过邻接下部环的环间隙的回线（loop）而导电连接，以使通过环传导的电流的流动方向在所述环中是相反的；
以一定距离将所述上部环与下部环固定在一起的连接元件；和
引导电流通过上部环和下部环的电线。
本发明的环形加热器包含两个环形局部线圈，一个在另一个之上排布，在下文中也将所述局部线圈称为上部环和下部环，它们通过回线（loop）连接形成一体组件。当通过回线时，流过局部线圈的电流的流动方向逆转。因而，环形加热器具有以双线形式缠绕的线圈的结构和性质。
优选所述上部环和下部环以及电线基本上由碳，例如碳纤维补强碳（CFC）或石墨构成。特别优选石墨，特别是具有最低可能电阻、最高可能挠曲强度和最高可能导热性的石墨类型。为了使环的截面积尽可能小，电阻应当优选不超过11μΩm。挠曲强度应当优选不低于50MPa，以及导热性应当优选不小于120W/mK。高的导热性防止了加速环状加热器的损耗的过热位置（“热点”）的形成。
连接元件将上部环和下部环固定在一起，并且使其相互间保持一定距离。因而，它们对作用在环上的电磁力进行补偿，并且特别地防止环在作用在熔融体上的磁场影响下相对于彼此位移。环之间的距离优选不小于2mm和不大于150mm。小于2mm的距离是不优选的，因为有发生电子跳火（electrical flashover）的风险，超过150mm的距离也是不优选的，因为这样，环形加热器的双线结构的优势不再得到足够显示。所述连接元件的表现方式可以是在连接位置上部环与下部环是电绝缘的。同样，连接元件的表现方式也可以是将部分流过环的电流导出。所述部分在每种情况下应当不超过总电能的5%。这种类型的构造可以例如通过将上部环和下部环用由碳纤维补强碳（CFC）构成的螺丝直接彼此拧紧而实现。
上部环和下部环由分别固定在上部环和下部环上的电线担载。优选以电绝缘的方式将电线彼此连接，以确保其以这种方式对抗压缩其或牵拉其的力以及由强外磁场产生的力。例如，施加在熔融体上较强的外磁场是水平磁场或勾形磁场。
优选在电线的固定位置的区域内以扩宽的方式呈现上部环和下部环。这强化了环在该区域中的机械稳定性，并降低电流密度，以避免局部过热。
环形加热器用于为生长的单晶供热，优选用于影响生长的单晶的相界上的轴向温度梯度的径向分布以及用于调整生长的单晶的直径。单晶优选是由硅构成的单晶，其直径不小于300mm，特别优选直径为300mm或450mm。
附图说明
以下，本发明将参考附图更详细地解释。附图显示了环形加热器的特别优选的构造特征。
图1显示了不含连接元件并不含电线的环形加热器的透视图。
图2显示了依据图1具有连接元件和电线的环形加热器的透视图。
图3是电线区域中的环形加热器的截面图。
图4是夹具接头（clamping connection）区域中的电线的截面图。
具体实施方式
依据图1的环形加热器包含上部环1和下部环2，其中两个环都通过环间隙隔断，其以支管（offset）形式排布。下部环的环间隙3与回线4邻接，所述回线连接上部环1与下部环2。上部环的环间隙5优选足够宽，以具有固定下部环的电线的空间。优选有用于基底（base）6的空间，其增加基底区域中的下部环的厚度，以使电线的固定位置处于相同的水平。
由于环间隙的支管排布，上部环的末端7和下部环的末端8在基底6和下部环的环间隙3之间的区域中重叠。上部环的边缘和下部环的边缘，特别是环的外周和内周的边缘，是圆形的。使边缘成圆形降低了发生电子跳火的风险。
在环的末端侧上，在圆周上分布孔9，所述孔在厚度方向上一致地穿过上部环和下部环。孔优选中心分布，并在末端侧上等距离分布，以避免不对称。特别地，它们优选还位于环经受特别高的机械负载的位置上。在上部环的末端7和下部环的末端8重叠的位置，孔9在径向上彼此相邻排列，而不是中心排列。用于将环与电线固定的孔位于基底6的末端和上部环1的另一个末端10的末端侧上。
优选扩宽其末端区域中和基底6的区域中的环，以增加机械稳定性并降低那里的电流密度。
图2显示了，孔用于容纳连接元件18，其固定上部环和下部环在精确的特定距离上，并使其彼此间电绝缘，或者固定上部环和下部环使得连接元件形成环间的高阻抗线。在上部环的末端10的末端侧上的孔和在基底6的末端上的孔用于将上部环1固定到上部环的电线11上，以及将下部环2固定到下部环的电线12上。基底6优选以使环在相同的水平的位置上与电线固定的方式增加下部环2的厚度。
在图2所示的环形加热器的情况下，上部环的电线11和下部环的电线12彼此通过夹具接头19在至少一个位置上连接。夹具接头19确保电线对抗强外磁场的电磁力，所述力压缩所述电线。除了夹具接头19之外或代替夹具接头19，还可以提供一个或多个电线接头，其确保电线对抗强外磁场的电磁力，所述力驱使所述电线分离。
依据图3，在每种情况下，连接元件18优选包含环形垫片13、中空圆柱体14、螺丝15和螺母16。中空圆柱体14的直径优选通过轴环（collar）17在一端扩宽。环形垫片13被安排在环之间。中空圆柱体穿过孔***，将孔排成行。穿过中空圆柱体14和垫片13的螺丝15在其一端用螺母拧紧。螺母优选通过盲孔封闭。
在装配期间，首先将环形垫片推入上部环1和下部环2之间，而后将中空圆柱体14穿过上部环的孔***垫片中。而后将另一个中空圆柱体穿过下部环2***垫片中，将该装置用螺丝15和螺母16拧到一起。为了节省结构高度，将中空圆柱体14的轴环17放入上部环1的末端侧和下部环2的末端侧的对侧的埋头孔中。
中空圆柱体14和环形垫片13由耐热的电绝缘材料构成，优选由氮化硼构成。
螺丝15和螺母16由耐拉伸、剪切和扭曲负载的耐热材料构成，优选由碳纤维补强碳（CFC）构成。
环形垫片13吸收在强外磁场作用下压缩环的压缩力，螺丝15吸收在强外磁场的作用下将环拉开的拉伸力。
上部环1的电线11将较高的电流密度导入上部环中。因此，将上部环1与电线11固定的固定装置应当是耐热的并具有较低的电阻率。因此，优选使用由石墨构成的螺丝20将上部环固定到电线11上。而且，为了增大接触面积，将螺丝20形成埋头螺丝是有利的。
下部环2的电线12承载环形加热器的大部分重量。因此，将下部环2与电线12固定的固定装置应当是耐热的并具有较高的机械稳定性。因此，优选使用由碳纤维补强碳（CFC）构成的螺丝21将下部环固定到电线12上。
依据图4，夹具接头19包含栓22，所述拴相对于上部环的电线11和下部环的电线12的纵向方向，而横向排列，绝缘底座23在其上滑动。将底座23与垫圈24放入电线的孔中，并通过螺丝25固定。栓22和垫圈24优选由碳纤维补强碳（CFC）构成，底座23优选由氮化硼构成。
实施例：
例如在US 2004/0192015 A1中描述的方法中出现的条件下测试包含图1-4中描述的特征的环形加热器的机械稳定性。与所述文献中描述的环形加热器相比，在具有相当的性能的情况下，发现本发明的环形加热器较不容易破损和出故障。而且，所述文献中描述的环形加热器可以用本发明的环形加热器替换，而不必改变用于生产单晶的设备上的结构。

Claims (10)

1.用于为生长的单晶供热的环形电阻加热器，其包含：
上部环和下部环，它们通过邻接所述下部环的环间隙的回线而导电连接，以使通过环传导的电流的流动方向在所述环中是相反的；
以一定距离将所述上部环与下部环固定在一起的连接元件；和
引导电流通过所述上部环和下部环的电线。
2.权利要求1所述的电阻加热器，其中所述上部环和下部环以及电线基本上由碳构成。
3.权利要求1或2所述的电阻加热器，其中所述上部环和下部环的边缘是圆形的。
4.权利要求1-3之一所述的电阻加热器，其中所述连接元件包含环形垫片、中空圆柱体、螺丝和螺母，其中所述环形垫片被安排在所述环之间，所述中空圆柱体沿厚度方向穿过环，将孔排成行，以及所述螺丝在其一端用螺母拧紧，并延伸穿过所述中空圆柱体和垫片。
5.权利要求4所述的电阻加热器，其中所述中空圆柱体的轴环被放入上部环和下部环的侧面区域中的埋头孔中。
6.权利要求1-5之一所述的电阻加热器，其中通过在位于所述回线旁和所述下部环的电线旁的位置上的接头元件将所述上部环和下部环固定在一起。
7.权利要求1-6之一所述的电阻加热器，其中通过由石墨构成的螺丝将所述上部环固定到上部环的电线上。
8.权利要求1-7之一所述的电阻加热器，其中通过由CFC构成的螺丝将所述下部环固定到下部环的电线上。
9.权利要求1-8之一所述的电阻加热器，其特征在于，其包含夹具接头，所述夹具接头确保所述电线对抗压缩其的电磁力。
10.权利要求9所述的电阻加热器，其中，所述夹具接头包含栓和螺丝，所述拴相对于电线的纵向方向而横向排列，绝缘底座在其上滑动，以及所述螺丝固定所述底座和栓。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016209008B4 (de) 2016-05-24 2019-10-02 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
DE102016219605A1 (de) 2016-10-10 2018-04-12 Siltronic Ag Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial aus einer Schmelze, die in einem Tiegel enthalten ist
KR101885210B1 (ko) * 2016-11-30 2018-09-11 웅진에너지 주식회사 히팅 유닛 및 이를 포함하는 잉곳 성장 장치
CN112279260A (zh) * 2020-10-30 2021-01-29 广东先导稀材股份有限公司 一种高纯硼晶体和高纯硼粉的制备装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1540042A (zh) * 2003-03-27 2004-10-27 �����ɷ� 硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片
WO2005041278A2 (de) * 2003-10-23 2005-05-06 Crystal Growing Systems Gmbh Kristallzüchtungsanlage
CN101512278A (zh) * 2005-06-01 2009-08-19 Mrl工业公司 减小磁场的电阻式加热元件
DE102009027436A1 (de) * 2009-07-02 2011-01-13 Calisolar Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5698029A (en) * 1995-06-06 1997-12-16 Kabushiki Kaisha Kobe Sekio Sho Vertical furnace for the growth of single crystals
KR0176328B1 (ko) * 1995-12-19 1999-03-20 김은영 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치
JPH09208371A (ja) * 1996-02-02 1997-08-12 Sumitomo Sitix Corp 単結晶引き上げ装置用ヒータ
JPH09227286A (ja) * 1996-02-24 1997-09-02 Komatsu Electron Metals Co Ltd 単結晶製造装置
JPH103982A (ja) * 1996-06-17 1998-01-06 Sharp Corp 発熱体
DE19756613A1 (de) 1997-12-18 1999-07-01 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
US6287382B1 (en) * 1998-10-13 2001-09-11 Memc Electronic Materials, Inc. Electrode assembly for electrical resistance heater used in crystal growing apparatus
KR20020084478A (ko) * 2001-05-02 2002-11-09 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 증착 장치
JP4161655B2 (ja) * 2002-09-13 2008-10-08 信越半導体株式会社 結晶製造用ヒーター及び結晶製造装置並びに結晶製造方法
KR20060066249A (ko) * 2004-12-13 2006-06-16 현대자동차주식회사 피스톤 탑링 구조
DE112006002595B4 (de) * 2005-09-30 2018-03-01 Sumco Techxiv K.K. Herstellungsvorrichtung und Herstellungsverfahren für einen Einkristall-Halbleiter
DE102007020239B4 (de) * 2006-04-24 2009-09-03 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitfähigen Schmelzen
AT9617U1 (de) * 2007-05-14 2007-12-15 Werner Ing Auer Strahlungsminderung und energieeinsparung von elektromagnetischen wechselfeldern bei elektrisch betriebenen geräten und anlagen
DE102007028547B4 (de) * 2007-06-18 2009-10-08 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
DE202007010865U1 (de) * 2007-08-03 2007-10-11 Türk & Hillinger GmbH Elektrische Heizpatrone
DE102008035439B4 (de) * 2008-07-25 2011-06-16 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen
JP5131170B2 (ja) * 2008-12-05 2013-01-30 信越半導体株式会社 単結晶製造用上部ヒーターおよび単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1540042A (zh) * 2003-03-27 2004-10-27 �����ɷ� 硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片
WO2005041278A2 (de) * 2003-10-23 2005-05-06 Crystal Growing Systems Gmbh Kristallzüchtungsanlage
CN101512278A (zh) * 2005-06-01 2009-08-19 Mrl工业公司 减小磁场的电阻式加热元件
DE102009027436A1 (de) * 2009-07-02 2011-01-13 Calisolar Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren

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Publication number Publication date
KR101415374B1 (ko) 2014-07-04
KR20130009636A (ko) 2013-01-23
JP2013023430A (ja) 2013-02-04
JP5579231B2 (ja) 2014-08-27
US20130014695A1 (en) 2013-01-17
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