CN102856893B - 动态有源嵌位电路和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种动态有源嵌位电路和电子设备，其中，动态有源嵌位电路包括：有源嵌位电路和旁路电路；其中，有源嵌位电路包括瞬态抑制二极管，用于抑制绝缘栅双极型晶体管的漏极和源极之间的瞬态过压；旁路电路用于根据驱动信号旁路有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管。本发明实施例提供的技术方案有利于更安全有效的保护绝缘栅双极型晶体管工作。

Description

动态有源嵌位电路和电子设备

技术领域

本发明涉及电路技术领域，具体涉及一种动态有源嵌位电路和电子设备。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)作为重要的功率开关器件，其具有功率金属氧化物场效应晶体管和功率晶体管这二者的优点，如具有易于驱动、容量较大、开关频率高等特点。

IGBT关断时漏极电流下降率较高，主电路存在较大杂散电感，可使IGBT漏极和源极间产生很大的浪涌电压，甚至会超过IGBT额定漏源极电压而使IGBT损坏。

目前，多采用有源嵌位电路抑制IGBT关断的浪涌电压，在有源嵌位电路中需设计合适的瞬态抑制二极管(TVS，Transient Voltage Suppressor)的击穿值，太高则起不了保护IGBT的作用，太低则可能会发生误动作。在一些应用场合中，电网电压波动大，母线电压会很高，或者负载能量回馈时母线电压也会升高，若设置的TVS二极管击穿值太低，则母线电压可能会高于有源嵌位动作的电压点，此时有源嵌位电路会误动作导致IGBT误导通，会出现上桥和下桥的IGBT同时导通的情况，未及时保护则可能导致IGBT炸毁，故而存在非常大的风险。

发明内容

本发明实施例提供一种动态有源嵌位电路和电子设备，以期更安全有效的保护IGBT工作。

本发明实施例一方面提供一种动态有源嵌位电路，可包括：

有源嵌位电路和旁路电路；

其中，所述有源嵌位电路包括瞬态抑制二极管，用于抑制绝缘栅双极型晶体管的漏极和源极之间的瞬态过压；

所述旁路电路用于根据驱动信号旁路所述有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管。

可选的，所述旁路电路包括：延时关断电路、隔离驱动电路和开关电路；

其中，所述隔离驱动电路，用于基于驱动信号驱动所述开关电路工作；

所述延时关断电路，用于基于所述驱动信号延时关断开关电路；

所述开关电路，用于旁路所述有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管。

可选的，所述延时关断电路包括：第一二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；其中，所述第一二极管的阳极通过所述第二电阻与驱动信号的输入端连接；所述第一二极管的阴极通过所述第一电阻与所述驱动信号的输入端连接，所述第一二极管的阴极还通过所述第一电容接地，所述第一电容还与所述第三电阻并联；

或者，

所述延时关断电路包括：第一二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；其中，所述第一二极管的阳极与驱动信号的输入端连接；所述第一二极管的阴极通过所述第二电阻和第一电阻，与所述驱动信号的输入端连接，所述第一二极管的阴极还通过所述第二电阻和所述第一电容接地，所述第一电容还与所述第三电阻并联。

可选的，所述第一电阻的阻值为所述第二电阻的阻值的20～30倍。

可选的，所述隔离驱动电路包括：光耦隔离芯片；其中，所述光耦隔离芯片的初级光耦负极引脚接地；所述光耦隔离芯片的初级光耦正极引脚经所述第一电阻与驱动信号的输入端相连。

可选的，所述隔离驱动电路还包括：第二电容；

其中，所述光耦隔离芯片的正驱动电源引脚和负驱动电源引脚通过所述第二电容连接。

可选的，所述开关电路包括：第四电阻、第五电阻和第一三极管；

其中，所述第一三极管的基极通过所述第四电阻与所述光耦隔离芯片的驱动输出引脚连接；所述第一三极管的发射极与所述光耦隔离芯片的负驱动电源引脚连接；所述第一三极管的基极和发射极还通过所述第五电阻连接。

可选的，所述有源嵌位电路包括：第二二极管、第二三极管、第三三极管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管；

其中，所述第二三极管的基极通过所述第九电阻与所述驱动信号的输入端连接，所述第二三极管的集电极接地，所述第二三极管的发射极通过所述第八电阻与绝缘栅双极型晶体管的栅极连接；所述第三三极管的基极与所述第二三极管的基极连接，所述第三三极管的集电极与电源电压输入端连接，所述第三三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接；

所述第二二极管的阴极通过所述第七电阻与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述第二二极管的阴极还通过所述第六电阻与所述第二三极管的基极连接，所述第二二极管的阳极与所述第一瞬态抑制二极管的阳极连接；所述第二二极管的阳极还与所述第一三极管的发射极连接；

所述第一瞬态抑制二极管的阴极与第二瞬态抑制二极管的阳极连接，所述第一三极管的集电极还与所述第一瞬态抑制二极管的阴极连接；所述第二瞬态抑制二极管的阴极与所述绝缘栅双极型晶体管的漏极连接。

可选的，所述第一瞬态抑制二极管的击穿电压小于所述第二瞬态抑制二极管的击穿电压。

本发明实施例另一方面提供一种电子设备，其特在于，所述电子设备中部署有如上述实施例所述的动态有源嵌位电路。

由上可见，本发明实施例提供的动态有源嵌位电路包括：有源嵌位电路和旁路电路；其中，旁路电路用于根据驱动信号旁路有源嵌位电路中部分瞬态抑制二极管；有源嵌位电路用于抑制绝缘栅双极型晶体管的漏极和源极之间的瞬态过压。由于引入了根据驱动信号旁路有源嵌位电路中部分瞬态抑制二极管的旁路电路，这就使得有源嵌位电路的门槛电压可变为动态的。有源嵌位电路的动作电压由瞬态抑制二极管的击穿值决定，旁路电路可旁路有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管，这样可实现绝缘栅双极型晶体管导通和关断状态下有源嵌位电路的动作电压不同，若绝缘栅双极型晶体管导通后有源嵌位电路的动作电压低于绝缘栅双极型晶体管关断时的尖峰电压，则能保证有源嵌位电路在大电流情况下关断绝缘栅双极型晶体管时起作用；此外，由于母线电压存在一定波动性，当绝缘栅双极型晶体管关断后，而现有技术有源嵌位动作的电压点是恒定不变，当波动的母线电压高于有源嵌位动作电压点，则导致绝缘栅双极型晶体管可能误导通；而本发明引入了旁路电路可旁路有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管，这样有源嵌位动作电压点变成了动态的，若在绝缘栅双极型晶体管导通时，旁路电路旁路有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管；在绝缘栅双极型晶体管关断后延迟一段时间关闭旁路功能，关闭旁路功能后有源嵌位动作电压点，将高于绝缘栅双极型晶体管导通时有源嵌位动作电压点，动态的有源嵌位动作电压点有利于在一定程度上克服母线电压波动性，进而有利于更安全有效的保护绝缘栅双极型晶体管工作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明第一实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图；

图2是本发明第二实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图；

图3是本发明第三实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图；

图4是本发明第四实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图；

图5是本发明第五实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图；

图6是本发明实施例提供的一种光耦隔离芯片的引脚分布示意图；

图7是本发明第六实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图；

图8是本发明实施例提供的一种电子设备的示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供一种动态有源嵌位电路和电子设备，以期更安全有效的保护IGBT工作。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

以下通过实施例分别进行详细说明。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

请参见图1，图1是本发明的第一实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图。如图1所示，动态有源嵌位电路100可以包括：有源嵌位电路10和旁路电路20；其中，旁路电路20用于根据驱动信号旁路有源嵌位电路10中部分瞬态抑制二极管；有源嵌位电路10用于抑制绝缘栅双极型晶体管30的漏极和源极之间的瞬态过压。例如，旁路电路20可用于在绝缘栅双极型晶体管30导通后旁路有源嵌位电路10中部分瞬态抑制二极管。

请参见图2，图2是本发明的第二实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图。如图2所示，动态有源嵌位电路100中的旁路电路20可包括：延时关断电路21、隔离驱动电路22和开关电路23。

其中，隔离驱动电路22，用于基于驱动信号驱动开关电路23工作。

延时关断电路21，用于基于驱动信号延时关断开关电路23。

开关电路23，用于旁路有源嵌位电路10中的部分瞬态抑制二极管。

请参见图3，图3是本发明的第三实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图。如图3所示，延时关断电路21也可设置于隔离驱动电路22和开关电路23之间。

请参见图4，图4是本发明的第四实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图。如图4所示，延时关断电路21可包括：

第一二极管D1、

第一电容C1、

第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。

其中，第一二极管D1的阴极通过第一电容C1接地，第一二极管D1的阴极还通过第一电阻R1与驱动信号的输入端P1连接，第一二极管D1的阳极通过第二电阻R2与驱动信号的输入端P1连接，第一电容C1还与第三电阻R3并联。

在本发明一些实施例中，第一电阻R1的阻值大于第二电阻R2的阻值。例如第一电阻R1的阻值为第二电阻R2的阻值的20～30倍，当然第一电阻R1的阻值亦可为第二电阻R2的阻值的其它倍数，以便实现需要的延迟。

请参见图5，图5是本发明的第五实施例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图。如图5所示，延时关断电路21可包括：

第一二极管D1、

第一电容C1、

第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；

其中，第一二极管D1的阳极与驱动信号的输入端P1连接；第一二极管D1的阴极通过第二电阻R2和第一电阻R1与驱动信号的输入端P1连接，第一二极管D1的阴极还通过第二电阻R2和第一电容C1接地，第一电容C1还与第三电阻R3并联。

如图4或5所示，隔离驱动电路22可包括光耦隔离芯片PC1。

请参见图6，图6是本发明实施例提供的一种光耦隔离芯片PC1的引脚分布示意图。如图6所示，光耦隔离芯片PC1的引脚可包括：初级光耦负极引脚CATHODE、初级光耦正极引脚ANODE、正驱动电源引脚VCC，负驱动电源引脚VEE和驱动输出引脚VO。

请一并参见图4和图5，光耦隔离芯片PC1的初级光耦负极引脚CATHODE接地；光耦隔离芯片PC1的初级光耦正极引脚ANODE经第一电阻R1与驱动信号的输入端P1相连。

请参见图7，图7是本发明的第六实施例举例提供的一种动态有源嵌位电路的示意图。如图7所示，隔离驱动电路22还包括：第二电容C2；其中，光耦隔离芯片PC1的正驱动电源引脚VCC和负驱动电源引脚VEE通过第二电容C2连接。

如图4、图5或图7所示，开关电路23可包括：第四电阻R4、第五电阻R5和第一三极管Q1。

其中，第一三极管Q1的基极通过第四电阻R4与光耦隔离芯片PC1的驱动输出引脚VO连接；第一三极管Q1的发射极与光耦隔离芯片PC1的负驱动电源引脚VEE连接；第一三极管Q1的基极和发射极还通过第五电阻R5连接。

可以理解的是，如图4、图5或图7所示的动态有源嵌位电路的延时关断电路21、隔离驱动电路22和开关电路23的电路结构仅为举例，其中的部分元器件是可替换或省略的。例如，可将第一三极管Q1替换为晶体三极管，如MOSFET等，替换后的电路结构此处不再赘述。又例如，还可将光耦隔离芯片PC1替换为等效功能的其它芯片或电路，替换光耦隔离芯片PC1的电路结构此处亦不再赘述，其它变换方式类似。

如图4、图5或图7，有源嵌位电路10可包括：

第二二极管D2、

第二三极管Q2、第三三极管Q3、

第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、

第一瞬态抑制二极管Z1和第二瞬态抑制二极管Z2。

其中，第二三极管Q2的基极通过第九电阻R9与驱动信号的输入端P1连接，第二三极管Q2的集电极接地，第三三极管Q3的发射极通过第八电阻R8与绝缘栅双极型晶体管30的栅极连接；第三三极管Q3的基极与第二三极管Q2的基极连接，第三三极管Q3的集电极与电源电压输入端Vcc连接，第三三极管Q3的发射极与第二三极管Q2的发射极连接。

第二二极管D2的阴极通过第七电阻R7与绝缘栅双极型晶体管30的栅极连接，第二二极管D2的阴极还通过第六电阻R6与第二三极管Q2的基极连接，第二二极管D2的阳极与第一瞬态抑制二极管Z1的阳极连接；第二二极管D2的阳极还与第一三极管Q1的发射极连接；

第一瞬态抑制二极管Z1的阴极与第二瞬态抑制二极管Z2的阳极连接，第一三极管Q1的集电极还与第一瞬态抑制二极管Z1的阴极连接；第二瞬态抑制二极管Z2的阴极与绝缘栅双极型晶体管30的漏极连接。

在本发明的一些实施例中，第一瞬态抑制二极管Z1的击穿电压小于第二瞬态抑制二极管Z2的击穿电压。第一瞬态抑制二极管Z1的击穿电压与第二瞬态抑制二极管Z2的击穿电压的差值关系可根据实际需要进行设定，例如，第一瞬态抑制二极管Z1的击穿电压可为第二瞬态抑制二极管Z2的击穿电压的1/6～1/3左右。在实际应用中，第一瞬态抑制二极管Z1可能为1个瞬态抑制二极管，也可能由多个瞬态抑制二极管同向串联和/或并联形成，以获得需要的第一瞬态抑制二极管Z1的击穿电压；同理，第二瞬态抑制二极管Z2可能为1个瞬态抑制二极管，也可能是由多个瞬态抑制二极管同向串联和/或并联形成的，以获得需要的第二瞬态抑制二极管Z2的击穿电压。

可以理解的是，如图4、图5或图7所示的动态有源嵌位电路中的有源嵌位电路10的电路结构仅为举例，其中的部分元器件是可替换或省略的。例如可将第二三极管Q2和/或第三三极管Q2替换为场效应三极管，替换后的电路结构此处不再赘述，其它变换方式类似。

下面简单介绍如图4、图5或图7所示动态有源嵌位电路的工作原理。

驱动信号(如脉冲宽度调制(PWM，Pulse Width Modulation)信号或其它类型的驱动信号)从驱动信号输入端P1输入，当驱动信号为高电平时绝缘栅双极型晶体管30导通，驱动信号低电平时绝缘栅双极型晶体管30关断。其中有源嵌位电路10中，动作电压值由第一瞬态抑制二极管Z1、第二瞬态抑制二极管Z2的反向击穿值决定，第二二极管D2起到单向导通作用，防止绝缘栅双极型晶体管30栅极为高电平时电流流向绝缘栅双极型晶体管30的漏极，第六电阻R6和第七电阻R7主要起限流作用。旁路电路20中，第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3为限流电阻，限制初级光耦正极引脚ANODE的电流。第一电容C1为滤波储能电容，以增强初级光耦的抗干扰性能。同时，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一二极管D1及第一电容C1组成延时关断电路。光耦隔离驱动芯片PC1起隔离和功率放大作用，光耦隔离驱动芯片PC1可起到隔离强电及第一三极管Q1驱动作用，当初级光耦导通时，驱动输出引脚VO输出高驱动电平，第一三极管Q1导通；当初级光耦不导通时，驱动输出引脚VO输出为低电平，第一三极管Q1关断。其中，第四电阻R4为第一三极管Q1的门极驱动电阻，第五电阻R5为第一三极管Q1的门极电荷泄放电阻。

当绝缘栅双极型晶体管30关断出现浪涌电压时，第二瞬态抑制二极管Z2被击穿并嵌位，同时，第二二极管D2导通。第二二极管D2连接了两个分支电路，其中，一个支路经第七电阻R7直接接栅极，TVS电流流过栅极，栅极电压升高，绝缘栅双极型晶体管30关断过程减慢，从而抑制了浪涌电压；另一个支路经第六电阻R6接到驱动电路前级侧，通过驱动电路的增益，来减小TVS电流和功耗。

其中，当驱动信号为高电平时(此时，绝缘栅双极型晶体管30导通)，光耦驱动芯片PC1中初级光耦导通，光耦驱动芯片PC1的驱动输出引脚VO输出高电平，故第一三极管Q1导通，第一瞬态抑制二极管Z1被旁路(短路)，有源嵌位电路10的动作电压为第二瞬态抑制二极管Z2的反向击穿值。当驱动信号为低电平时(此时，绝缘栅双极型晶体管30关断)，延迟一段时间后，光耦驱动芯片PC1中初级光耦关断，光耦驱动芯片PC1中驱动输出引脚VO管脚输出低电平，故第一三极管Q1断开(此时，旁路功能无效)，有源嵌位电路10的动作电压为第一瞬态抑制二极管Z1加上第二瞬态抑制二极管Z2的反向击穿值，此时的动作电压大于绝缘栅双极型晶体管30导通时的动作电压。进一步的，若延迟关断电路21中的第一电阻R1大于第二电阻R2，使第一C1电容上的充电时间小于放电时间，故光耦导通的时间小于关断的时间，进而可起到延迟关断第一三极管Q1作用。

有源嵌位电路主要是在大电流情况下，关断绝缘栅双极型晶体管时起来作用的，在绝缘栅双极型晶体管完全关断后及绝缘栅双极型晶体管导通时，有源嵌位电路电路不起作用。为了解决有源嵌位电路可能误动作问题，本发明实施例中，将有源嵌位电路的门槛电压设计为动态的。有源嵌位电路的动作电压由瞬态抑制二极管的击穿值决定，将多个瞬态抑制二极管串联后连接在绝缘栅双极型晶体管的栅极和漏极之间，即动作电压等于多个瞬态抑制二极管反向击穿值之和。在本发明实施例中，当绝缘栅双极型晶体管导通后，将部分瞬态抑制二极管旁路(短路)，使动作电压降低；绝缘栅双极型晶体管关断后，延迟一段时间，将该部分瞬态抑制二极管的旁路功能取消，使动作电压升高。这样就能够实现，当绝缘栅双极型晶体管导通后，使有源嵌位电路中的动作电压为V1，绝缘栅双极型晶体管关断后，延迟一段时间，使有源嵌位电路中的动作电压为V2，而V1小于V2。如此，既能保证有源嵌位电路在大电流情况下关断绝缘栅双极型晶体管时起作用，又能有效解决现有技术中绝缘栅双极型晶体管关断后由于母线电压高于有源嵌位动作电压点，导致有源嵌位电路误动作、绝缘栅双极型晶体管误导通的问题。

参见图8，图8是本发明实施例提供的一种电子设备200的示意图。

如图8所示的电子设备200中部署有如上述实施例提供的动态有源嵌位电路100。

可以理解，本实施例的电子设备200中的动态有源嵌位电路100的具体结构可如上述实施例中的动态有源嵌位电路100，举例实现方式参见图1～图7，此处不再赘述。

综上，本发明实施例提供的动态有源嵌位电路包括：有源嵌位电路和旁路电路；其中，旁路电路用于根据驱动信号旁路有源嵌位电路中部分瞬态抑制二极管；有源嵌位电路用于抑制绝缘栅双极型晶体管的漏极和源极之间的瞬态过压。由于引入了根据驱动信号旁路有源嵌位电路中部分瞬态抑制二极管的旁路电路，这就使得有源嵌位电路的门槛电压可变为动态的。有源嵌位电路的动作电压由瞬态抑制二极管的击穿值决定，旁路电路可旁路有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管，这样可实现绝缘栅双极型晶体管导通和关断状态下有源嵌位电路的动作电压不同，若绝缘栅双极型晶体管导通后有源嵌位电路的动作电压低于绝缘栅双极型晶体管关断时的尖峰电压，则能保证有源嵌位电路在大电流情况下关断绝缘栅双极型晶体管时起作用，此外，由于母线电压存在一定波动性，当绝缘栅双极型晶体管关断后，而现有技术有源嵌位动作的电压点是恒定不变，当波动的母线电压高于有源嵌位动作电压点，则导致绝缘栅双极型晶体管可能误导通；而本发明引入了旁路电路可旁路有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管，这样有源嵌位动作电压点变成了动态的，若在绝缘栅双极型晶体管导通时，旁路电路旁路有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管；在绝缘栅双极型晶体管关断后延迟一段时间关闭旁路功能，关闭旁路功能后有源嵌位动作电压点，高于绝缘栅双极型晶体管导通时有源嵌位动作电压点，动态的有源嵌位动作电压点有利于在一定程度上克服母线电压波动性，进而有利于更安全有效的保护绝缘栅双极型晶体管工作。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本发明实施例所提供的动态有源嵌位电路和电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种动态有源嵌位电路，其特征在于，包括：

有源嵌位电路和旁路电路；

其中，所述有源嵌位电路包括瞬态抑制二极管，用于抑制绝缘栅双极型晶体管的漏极和源极之间的瞬态过压；

所述旁路电路用于根据驱动信号旁路所述有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管；

所述旁路电路包括：延时关断电路、隔离驱动电路和开关电路；

其中，所述隔离驱动电路，用于基于驱动信号驱动所述开关电路工作；

所述延时关断电路，用于基于所述驱动信号延时关断开关电路；

所述开关电路，用于旁路所述有源嵌位电路中的部分瞬态抑制二极管；

所述延时关断电路包括：第一二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；其中，所述第一二极管的阳极通过所述第二电阻与驱动信号的输入端连接；所述第一二极管的阴极通过所述第一电阻与所述驱动信号的输入端连接，所述第一二极管的阴极还通过所述第一电容接地，所述第一电容还与所述第三电阻并联；

或者，

所述延时关断电路包括：第一二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；其中，所述第一二极管的阳极与驱动信号的输入端连接；所述第一二极管的阴极通过所述第二电阻和第一电阻，与所述驱动信号的输入端连接，所述第一二极管的阴极还通过所述第二电阻和所述第一电容接地，所述第一电容还与所述第三电阻并联；

其中，所述第一电阻的阻值大于第二电阻的阻值。

2.根据权利要求1所述的动态有源嵌位电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为所述第二电阻的阻值的20～30倍。

3.根据权利要求1或2所述的动态有源嵌位电路，其特征在于，

所述隔离驱动电路包括：光耦隔离芯片；其中，所述光耦隔离芯片的初级光耦负极引脚接地；所述光耦隔离芯片的初级光耦正极引脚经所述第一电阻与驱动信号的输入端相连。

4.根据权利要求3所述的动态有源嵌位电路，其特征在于，

所述隔离驱动电路还包括：第二电容；

其中，所述光耦隔离芯片的正驱动电源引脚和负驱动电源引脚通过所述第二电容连接。

5.根据权利要求3所述的有源嵌位电路，其特征在于，

所述开关电路包括：第四电阻、第五电阻和第一三极管；

其中，所述第一三极管的基极通过所述第四电阻与所述光耦隔离芯片的驱动输出引脚连接；所述第一三极管的发射极与所述光耦隔离芯片的负驱动电源引脚连接；所述第一三极管的基极和发射极还通过所述第五电阻连接。

6.根据权利要求4所述的动态有源嵌位电路，其特征在于，

所述有源嵌位电路包括：第二二极管、第二三极管、第三三极管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管；

其中，所述第二三极管的基极通过所述第九电阻与所述驱动信号的输入端连接，所述第二三极管的集电极接地，所述第二三极管的发射极通过所述第八电阻与绝缘栅双极型晶体管的栅极连接；所述第三三极管的基极与所述第二三极管的基极连接，所述第三三极管的集电极与电源电压输入端连接，所述第三三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接；

所述第二二极管的阴极通过所述第七电阻与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述第二二极管的阴极还通过所述第六电阻与所述第二三极管的基极连接，所述第二二极管的阳极与所述第一瞬态抑制二极管的阳极连接；所述第二二极管的阳极还与所述第一三极管的发射极连接；

所述第一瞬态抑制二极管的阴极与第二瞬态抑制二极管的阳极连接，所述第一三极管的集电极还与所述第一瞬态抑制二极管的阴极连接；所述第二瞬态抑制二极管的阴极与所述绝缘栅双极型晶体管的漏极连接。

7.根据权利要求6所述的动态有源嵌位电路，其特征在于，

所述第一瞬态抑制二极管的击穿电压小于所述第二瞬态抑制二极管的击穿电压。

8.一种电子设备，其特在于，所述电子设备中部署有如权利要求1至7任一项所述的动态有源嵌位电路。