CN102832302A - 一种GaN基LED中N电极的制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种GaN基LED中N电极的制作方法,涉及发光二极管制造过程中N电极的制作方法。在进行感应耦合等离子体台面刻蚀时,只去除GaN外延片一侧横向的部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层,保留了横向的一部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层,保留的这部分称为N台面,然后以N电极金属CrPtAu蒸镀上述N台面上、N台面一侧的侧壁以及N-GaN层。本发明工艺简单,无需增加新的工艺步骤,稳定可靠,方便打线,能够有效提高GaN基LED的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件制造技术领域,特别是一种氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)制造过程中N电极的制作方法。
背景技术
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,GaN基LED的内量子效率已有了非常大的提高,目前GaN基的LED内量子效率可达70%以上,但LED芯片的外量子效率通常只有40%左右。影响GaN基的LED外量子效率的主要因素除了由于GaN材料与与空气的折射率差较大导致光提取效率较低之外,金属电极对于光的吸收也非常严重。众所周知,常规的LED芯片需要正负电极接入使其发光,对应的需要在芯片上制作正负打线盘,通常是金材质,金对于蓝绿光吸收较大,大大影响了出光效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种GaN基LED中N电极的制作方法,以有效降低N电极对于有源区发出的光的吸收。
本发明采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层,形成GaN外延片,然后GaN进行感应耦合等离子体台面刻蚀;在GaN外延片的上表面使用电子束蒸发的方法蒸镀ITO薄膜;最后在P-GaN层、ITO层和P台面外选用负型光刻胶L-300光刻出P电极和N电极;其特征在于进行所述刻蚀时,只去除GaN外延片一侧横向的部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层,保留了横向的一部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层,保留的这部分称为N台面,然后以N电极金属CrPtAu蒸镀上述N台面上、N台面一侧的侧壁以及N-GaN层。
常规LED制作方法是:将GaN外延片的一侧进行ICP刻蚀,去除一侧横向全部的P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向部分N-GaN层,形成N-GaN层。而本发明通过以上刻蚀工艺为形成的N台面,所刻蚀的深度与常规LED一样,是1000nm~1600nm,这步骤工艺只需要在光刻版图上略做修改,无需增加新的工艺步骤,而N电极金属位于这三个位置的主要作用是:(1)N电极金属位于N台面的上面,与P台面上P电极高度相等,便于封装打线。(2)N电极金属位于N台面一侧侧壁,短路PN结。(3)N电极位于N-GaN层上 ,N电极金属第一层为Cr,可以与N-GaN层形成良好的欧姆接触,降低N电极接触电压,从而降低器件的工作电压。N台面的另一侧壁没有被N电极金属所覆盖,它的作用是:由于GaN材料对光几乎不吸收,所以从LED量子阱侧面发出的光进入N台面后被另一侧面的N电极金属Cr和Pt反射回来,再从N台面出射出来。大大提高了LED器件的出光效率。
本发明工艺简单,无需增加新的工艺步骤,稳定可靠,方便打线,能够有效提高GaN基LED的出光效率。
附图说明
图1是常规GaN基LED的结构图。
图2是本发明GaN基LED的结构图。
具体实施方式
本发明的一种GaN基LED中N电极的制作方法,如图2所示,包括如下步骤:
步骤1:制作GaN外延片:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,在半导体衬底1上依次生长厚度为1μm的低温GaN缓冲层2、厚度为2μm的不掺杂GaN层3、厚度为3μm的N-GaN层4、厚度为200nm的多量子阱发光层5和厚度为700nm的P-GaN层6,形成GaN外延片。其中,半导体衬底1可以为蓝宝石、硅、碳化硅或金属的任意一种。
步骤2:对GaN进行ICP(感应耦合等离子体)台面刻蚀:
常规LED是将GaN外延片的一侧进行ICP刻蚀,去除一侧横向全部的P-GaN层6、多量子阱发光层5以及纵向部分N-GaN层4,形成N-GaN 41,如图1所示。
而本发明只去除了一侧横向的部分P-GaN层6、多量子阱发光层5以及纵向的部分N-GaN层 41(如图2所示),保留了一侧横向的一部分P-GaN层6、多量子阱发光层5以及纵向的部分N-GaN层4,保留的这部分在图2中标识为10,称为N台面。
本发明所刻蚀的总深度与常规LED一样,是1000nm~1600nm。这步工艺只需要在光刻版图上略做修改,无需增加新的工艺步骤。
步骤3:在GaN外延片的上表面使用电子束蒸发的方法蒸镀ITO薄膜 7,厚度2400Å:选用AZ6130光刻胶和小王水(HCl和HNO3的体积比为3︰1)光刻腐蚀出ITO图形,去除P-GaN层6上的部分ITO薄膜和P型台面外的ITO薄膜,在P型台面上形成ITO透明电极。ITO透明电极与P-GaN可以形成良好的欧姆接触,可以降低P电极的接触电压,从而降低器件的工作电压。
步骤4:在P-GaN层6、ITO层7和P台面外选用负型光刻胶L-300光刻P、N电极:采用电子束蒸发法蒸镀金属CrPtAu(200/600/15000Å),剥离后形成P电极8和N电极9。
本发明中的N电极9位于N台面10的上面、N台面10一侧侧壁以及N-GaN 41上。这步工艺只需要在光刻版图上略做修改,无需增加新的工艺步骤。
N电极9位于这三个位置的主要作用是:(1)N电极9位于N台面10的上面,与P台面上的P电极高度相等,便于封装打线。(2)N电极9位于N台面10一侧侧壁,短路PN结。(3)N电极9位于N-GaN层41上,N电极金属第一层为Cr,可以与N-GaN层41形成良好的欧姆接触,降低N电极接触电压,从而降低器件的工作电压。N台面10的另一侧壁没有被N电极金属9所覆盖,它的作用是:由于GaN材料对光几乎不吸收,所以从LED量子阱区5侧面发出的光进入N台面10后被另一侧面的N电极金属Cr和Pt反射回来,再从N台面10出射出来。大大提高了LED器件的出光效率。
Claims (1)
1.一种GaN基LED中N电极的制作方法,采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层和P-GaN层,形成GaN外延片,然后GaN进行感应耦合等离子体台面刻蚀;在GaN外延片的上表面使用电子束蒸发的方法蒸镀ITO薄膜;最后在P-GaN层、ITO层和P台面外选用负型光刻胶L-300光刻出P电极和N电极;其特征在于进行所述刻蚀时,只去除GaN外延片一侧横向的部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层,保留了横向的一部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层,保留的这部分称为N台面,然后以N电极金属CrPtAu蒸镀上述N台面上、N台面一侧的侧壁以及N-GaN层。
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