CN102760817B - 发光二极管封装结构 - Google Patents
发光二极管封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102760817B CN102760817B CN201110106766.4A CN201110106766A CN102760817B CN 102760817 B CN102760817 B CN 102760817B CN 201110106766 A CN201110106766 A CN 201110106766A CN 102760817 B CN102760817 B CN 102760817B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- led
- package structure
- illuminating module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
Abstract
一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组。所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管。所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。本发明的发光二极管封装结构通过将高出光强度的发光二极管围绕低出光强度的发光二极管设置,避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高,边缘出光强度低的现象,使整个发光二极管封装结构出光均匀。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
请参阅图1,其为现有技术中的一种发光二极管封装结构示意图。发光二极管封装结构100通常包括一基板110、设置在基板110上的多个发光二极管120以及覆盖在该多个发光二极管120上的封装层130。在一般情况下,多个发光二极管120为矩阵排列,但是由于发光二极管封装结构100的光强分布呈傅里叶积分分布,其中心区域的光强要大于边缘区域的光强,因此这种结构的发光二极管封装结构100具有出光强度不均匀的问题。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种出光均匀的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组。所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管。所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。
上述的发光二极管封装结构将高出光强度的发光二极管围绕低出光强度的发光二极管设置,从而避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高,边缘出光强度低的现象,使整个发光二极管封装结构出光均匀。
附图说明
图1为现有技术中的发光二极管封装结构的俯视图。
图2为本发明第一实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。
图3为沿图2中所示的发光二极管封装结构的II-II方向的剖面图。
图4为本发明第二实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。
图5为本发明第三实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 | 100、200、300、400 |
基板 | 110、210 |
发光二极管 | 120 |
封装层 | 130、240 |
第一发光模组 | 220 |
第二发光模组 | 230 |
第三发光模组 | 250 |
顶面 | 211 |
底面 | 212 |
容置杯 | 213 |
第一发光二极管 | 221 |
第二发光二极管 | 231 |
第三发光二极管 | 251 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明作进一步的详细说明。
实施方式一
请参阅图2及图3,本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构200包括基板210、设置在基板210上的第一发光模组220和第二发光模组230、以及覆盖在第一发光模组220和第二发光模组230上的封装层240。
所述基板210呈圆盘状,其包括顶面211以及底面212,从顶面211沿底面212方向开设形成一容置杯213。该容置杯213呈矩形设置,其用于提供收容第一发光模组220、第二发光模组230以及封装层240的容置空间,并设定发光二极管封装结构200的光场。所述容置杯213的底面上设置有导电线路(图未示)。所述基板210可以是半导体基板、陶瓷基板、金属基板或印刷电路板。优选地,基板210为铝基印刷电路板,其可以有效地将第一发光模组220和第二发光模组230在工作时所产生的热量散发到外界。为了增加发光二极管封装结构200的出光效率,容置杯213的内表面还涂敷有反光材料。
能够想到的是,所述基板210以及其上的容置杯213的形状并不限定于本实施方式提供的形状,其可以是其他多变形形状。
所述第一发光模组220设置在基板210的容置杯213底面的中部,其包括多个第一发光二极管221。所述第一发光二极管221为表面贴装型器件(SMD),其电极引脚通过基板210的容置杯213底面的导电线路电性连接到外部电源上,从而为第一发光二极管221提供相应的驱动电压或驱动电流。根据需要,第一发光二极管221之间可以是串联连接、并联连接或者是混联连接。多个第一发光二极管221之间相互间隔。该多个第一发光二极管221的出光强度为A1,功率为W1,出光面积为S1,在本实施方式中,该多个第一发光二极管221的功率小于0.5W,且驱动电流小于150mA。
所述第二发光模组230设置在基板210的容置杯213底面的边缘,该第二发光模组230与第一发光模组220之间可以是并联连接或者是串联连接。该第二发光模组230包括多个第二发光二极管231,所述多个第二发光二极管231围绕所述多个第一发光二极管221设置在容置杯213底面的边缘。同样地,第二发光二极管231也为表面贴装型器件(SMD),其电极引脚通过基板210的容置杯213底面的导电线路电性连接到外部电源上,多个第二发光二极管231之间相互间隔,其连接方式可以是串联连接,并联连接或者是混联连接。该多个第二发光二极管231的出光强度为A2,功率为W2,出光面积为S2,其中,第二发光二极管231的出光强度A2大于第一发光二极管221的出光强度A1,亦即第二发光二极管231的功率W2大于第一发光二极管221的功率W1,第二发光二极管231的出光面积S2大于第一发光二极管221的出光面积S1。在本实施方式中,该多个第二发光二极管231的功率大于1W,且驱动电流大于300mA。
所述封装层240填充于基板210的容置杯213中并覆盖第一发光模组220和第二发光模组230。该封装层240由透明的封胶树脂制成,用于保护第一发光模组220和第二发光模组230免受灰尘、水气等影响。封装层240的内部还包含有荧光粉,所述荧光粉可选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。
由于第一发光二极管221设置在基板210的中部,而第二发光二极管231围绕第一发光二极管221设置在基板210的边缘,而且第二发光二极管231的出光强度大于第一发光二极管221的出光强度,从而使得基板210中部的出光强度相对变低,而基板210边缘的出光强度相对变高。因此,可以避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高,边缘出光强度低的现象,从而使整个发光二极管封装结构200出光均匀。
实施方式二
请参阅图4,本发明第二实施方式提供发光二极管封装结构300与第一实施方式中的发光二极管封装结构200的区别在于:所述发光二极管封装结构300还包括一第三发光模组250。该第三发光模组250包括多个第三发光二极管251,所述多个第三发光二极管251围绕所述多个第一发光二极管221设置,并且位于第一发光二极管221与第二发光二极管231之间。第三发光二极管251的出光强度大于第一发光二极管221的出光强度,而小于第二发光二极管231的出光强度。
实施方式三
请参阅图5,本发明第三实施方式提供发光二极管封装结构400与第一实施方式中的发光二极管封装结构200的区别在于:所述多个第一发光二极管221之间的间距相同,其用D1表示,所述多个第二发光二极管231之间的间距相同,其用D2表示,第二发光模组230中相邻的第二发光二极管231之间的间距小于第一发光模组220中相邻的第一发光二极管221之间的间距,即D1>D2。
在本实施方式中,第二发光二极管231的出光强度大于第一发光二极管221的出光强度,同时将基板210中部的第一发光二极管221进行低密度排布,将基板210边缘的第二发光二极管231进行高密度排布,从而使整个发光二极管封装结构400的出光强度分布均匀。
相较于现有技术,本发明的发光二极管封装结构将高出光强度的发光二极管围绕低出光强度的发光二极管设置,从而避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高,边缘出光强度低的现象,使整个发光二极管封装结构出光均匀。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组,所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管,其特征在于:所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度,所述基板上还开设形成一容置杯,所述第一发光模组和第二发光模组设置在所述容置杯中。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第二发光二极管的功率大于所述第一发光二极管的功率。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第二发光二极管的出光面积大于所述第一发光二极管的出光面积。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括一第三发光模组,所述第三发光模组包括多个第三发光二极管,所述多个第三发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第三发光二极管的出光强度大于第一发光二极管的出光强度,而小于第二发光二极管的出光强度。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述容置杯的底面上设置有导电线路,所述第一发光二极管及所述第二发光二极管为表面贴装型器件,其电极引脚通过导电线路电性连接到外部电源上。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括一封装层,所述封装层填充于基板的容置杯中并覆盖所述第一发光模组和第二发光模组。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述封装层的内部还包含有荧光粉,所述荧光粉选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第二发光模组中相邻的第二发光二极管之间的间距小于所述第一发光模组中相邻的第一发光二极管单元之间的间距。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110106766.4A CN102760817B (zh) | 2011-04-27 | 2011-04-27 | 发光二极管封装结构 |
TW100114958A TW201244057A (en) | 2011-04-27 | 2011-04-28 | LED package structure |
US13/441,933 US20120273809A1 (en) | 2011-04-27 | 2012-04-09 | Light emitting diode device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110106766.4A CN102760817B (zh) | 2011-04-27 | 2011-04-27 | 发光二极管封装结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102760817A CN102760817A (zh) | 2012-10-31 |
CN102760817B true CN102760817B (zh) | 2015-04-01 |
Family
ID=47055202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110106766.4A Expired - Fee Related CN102760817B (zh) | 2011-04-27 | 2011-04-27 | 发光二极管封装结构 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120273809A1 (zh) |
CN (1) | CN102760817B (zh) |
TW (1) | TW201244057A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10293559B2 (en) | 2014-03-04 | 2019-05-21 | Bombardier Inc. | Method and apparatus for forming a composite laminate stack using a breathable polyethylene vacuum film |
EP3256774B1 (en) * | 2015-02-12 | 2018-10-17 | Philips Lighting Holding B.V. | Lighting module and lighting device comprising the lighting module |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101673796A (zh) * | 2008-09-09 | 2010-03-17 | 日亚化学工业株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179265A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Asahi Matsushita Electric Works Ltd | Led照明装置 |
JP4684073B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2011-05-18 | シャープ株式会社 | Ledバックライト装置及び画像表示装置 |
JP4877552B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2012-02-15 | Necディスプレイソリューションズ株式会社 | 照明装置 |
EP2378576A2 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-19 | Samsung LED Co., Ltd. | Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package |
US8550647B2 (en) * | 2010-06-15 | 2013-10-08 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting device with different illumination parameters at different regions of an emitter array |
-
2011
- 2011-04-27 CN CN201110106766.4A patent/CN102760817B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-28 TW TW100114958A patent/TW201244057A/zh unknown
-
2012
- 2012-04-09 US US13/441,933 patent/US20120273809A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101673796A (zh) * | 2008-09-09 | 2010-03-17 | 日亚化学工业株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102760817A (zh) | 2012-10-31 |
TW201244057A (en) | 2012-11-01 |
US20120273809A1 (en) | 2012-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100928259B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제조방법 | |
CN103956372A (zh) | 堆叠式发光二极管阵列结构 | |
US20140209931A1 (en) | Led board structure and method of manufacturing same | |
TW201040435A (en) | Lamp | |
JP6616088B2 (ja) | Ledアセンブリー及びこのledアセンブリーを用いたled電球 | |
US9920910B2 (en) | Method for mounting light-emitting elements | |
CN102760817B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
CN105280795A (zh) | 发光单元与发光模块 | |
TWM458672U (zh) | 光源模組 | |
CN202758885U (zh) | 发光二极管模组封装结构 | |
CN205248302U (zh) | Led光引擎结构 | |
KR100642785B1 (ko) | 발광 칩 | |
CN103606609B (zh) | 一种发光二极管电极的制造方法 | |
CN103219329A (zh) | 发光二极管装置及其制造方法 | |
US8933469B2 (en) | High-voltage light-emitting device | |
KR101082847B1 (ko) | 방열 특성이 우수한 led조명등 | |
CN202772134U (zh) | 发光装置以及照明装置 | |
CN204204854U (zh) | 可调光cob光源模组 | |
CN203013721U (zh) | 多功能集成led支架 | |
CN203963611U (zh) | 照明装置 | |
CN103545413A (zh) | 氮化物系半导体发光组件 | |
CN201946592U (zh) | 白光led封装结构 | |
CN101859837B (zh) | 氮化物系半导体发光组件 | |
CN201180950Y (zh) | 发光二极管光源模块 | |
KR20120088969A (ko) | 양면 발광이 가능한 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150401 Termination date: 20160427 |