CN102754291B - Esd保护装置的制造方法及esd保护装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种使ESD特性的调节和稳定变得容易的ESD保护装置的制造方法及ESD保护装置。在作为绝缘层(101、102)的片材上形成成为第一及第二连接导体(14、16)的部分和成为混合部(20)的部分，并将片材进行层叠和加热。将空隙形成用材料与包含以下材料中的至少一种材料的固态组分进行混合，使用混合而成的混合部形成用材料来形成成为混合部(20)的部分，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。加热时空隙形成用材料消失，从而形成分散有空隙和固态组分的混合部(20)。

Description

ESD保护装置的制造方法及ESD保护装置
技术领域
本发明涉及ESD保护装置的制造方法及ESD保护装置，具体涉及仅具有ESD保护功能的单体的元器件(ESD保护器件)、以及具有ESD保护功能和此外的功能的复合元器件(模块)等ESD保护装置的制造方法及ESD保护装置。
背景技术
所谓的ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)是指带电的导电性物体(人体等)与其他导电性物体(电子设备等)相接触或足够接近时产生激烈放电的现象。电子设备会因ESD而产生损伤或误动作等问题。为了防止这样的情况发生，必须使放电时所产生的过大的电压不施加到电子设备的电路中。ESD保护器件正是用于这样的用途的，也被称为浪涌吸收元件或浪涌吸收器。
ESD保护器件例如配置在电路的信号线路与接地之间。ESD保护器件是使一对放电电极隔开相对的结构，因此，在通常的使用状态下具有较高的电阻，信号不会流向接地一侧。与之不同的是，例如在从移动电话等的天线施加静电的情况下，若施加过大的电压，则在ESD保护器件的放电电极之间产生放电，能将静电引导到接地一侧。由此，静电引起的电压不会施加到ESD器件后级的电路中，从而能保护电路。
例如，对于图24的分解立体图及图25的剖视图所示的ESD保护器件，在将绝缘性陶瓷生片2进行层叠而构成的陶瓷多层基板7内形成有空洞部5，与外部电极1导通的放电电极6在空洞部5内相对配置，在该空洞部5内封入放电气体。若在放电电极6之间施加有引起绝缘破坏的电压，则在空洞部5内，在放电电极6之间产生放电，将因该放电而过剩的电压导向接地，能保护后级的电路(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2001－43954号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在该ESD保护器件中，放电开始电压的调节主要靠调节沿着绝缘层的主面相对配置的放电电极之间的间隔来实现。但是，由于器件制作偏差、或陶瓷基板在烧成时的收缩等容易导致产生偏差，因此，难以高精度地调节放电电极的间隔。因此，峰值电压值等ESD特性的调节和稳定变得不易。另外，所谓的峰值电压值是指根据ICE61000-4-2的规定，在8kV的接触放电下进行静电试验时施加于保护电路的峰值电压值，该值越低，静电抑制效果越优异。
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种使ESD特性的调节和稳定变得容易的ESD保护装置的制造方法及ESD保护装置。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明为了解决上述技术问题而提供具有以下结构的ESD保护装置的制造方法。
ESD保护装置的制造方法包括：(I)第一工序，在该第一工序中，准备作为绝缘层的多片片材，在所述片材的至少一片上形成成为第一及第二连接导体的部分、以及成为配置于所述第一及第二连接导体之间而与所述第一及第二连接导体相连接的混合部的部分，将所述片材相互层叠来形成层叠体；以及(II)第二工序，在该第二工序中，通过对所述层叠体进行加热，在将所述绝缘层进行层叠而构成的绝缘性基板上，形成所述第一及第二连接导体和所述混合部。在所述第一工序中，(a)使用具有导电性的材料形成成为第一及第二连接导体的部分，(b)将在所述第二工序中随着加热时的温度上升而消失的空隙形成用材料与包含以下材料中的至少一种材料的固态组分进行混合，使用混合而成的混合部形成用材料，来形成成为所述混合部的部分，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。 在所述第二工序中形成所述混合部，在所述混合部内分散有：通过成为所述混合部的部分的所述混合部形成用材料中的所述空隙形成用材料随着加热时的温度上升而消失、来形成的空隙；以及所述混合部形成用材料中的所述固态组分。
在此情况下，若在所述第一连接导体和所述第二连接导体之间施加规定以上大小的电压，则在所述混合部产生放电。
根据上述方法，若混合部形成用材料中的空隙形成用材料消失，则在原有空隙形成用材料的部分形成空隙，因而能容易地制作出分散有包含以下材料中的至少一种材料的固态组分和空隙的混合部，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。
对于利用上述方法制作出的ESD保护装置，由于在配置于第一及第二连接导体之间的混合部内分散有包含以下材料中的至少一种材料的固态组分、以及空隙，因此，能防止短路，并且，在施加电压时，电子容易沿着混合部内的具有导电性的固态组分进行移动，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。
根据上述方法，利用空隙形成用材料来调节混合部的空隙的大小和量，从而能稳定地防止短路和调节峰值电压值等ESD特性。
优选所述片材是陶瓷生片。所述绝缘性基板是陶瓷多层基板。
在此情况下，能利用陶瓷多层基板在烧成时的加热，来使空隙形成用材料消失，从而容易形成混合部。
优选所述空隙形成用材料是消失性树脂。
在此情况下，能容易地进行制作。
在优选的一个实施方式中，所述消失性树脂是丙烯酸颗粒。
优选所述混合部形成用材料中的所述固态组分包含被具有绝缘性的无机材料被覆的金属材料、以及半导体材料。
在此情况下，在产生放电的混合部中，由于分散有金属材料和半导体材料，因此，容易产生电子的移动，能更高效地产生放电现象，提高ESD响应性。
在优选的一个实施方式中，所述半导体材料是碳化硅或氧化锌。
优选在所述第一工序中，在至少一片所述片材上形成贯通该片材的所述主面之间的贯通孔，将所述混合部形成用材料填充到该贯通孔内，从而形成成为所述混合部的部分。
在此情况下，能通过调节片材厚度来调节混合部的厚度。
优选在所述第一工序中，通过在所述片材的至少一个主面上涂布所述混合部形成用材料，来形成成为所述混合部的部分。
在此情况下，由于能利用厚膜的印刷工艺来形成混合部，因此，能容易地进行形成所述混合部。混合部能形成在任意的绝缘层上，因此，能提高混合部的配置设计的自由度。
优选在所述第一工序中，形成在所述片材与成为所述混合部的部分之间延伸的密封层。在所述第二工序中，所述密封层阻止所述片材中的固态组分向成为所述混合部的部分移动。
在此情况下，能防止片材中的固态组分进入混合部。
此外，为了解决上述技术问题，本发明提供具有以下结构的ESD保护装置。
ESD保护装置包括：(a)将绝缘层进行层叠而构成的绝缘性基板；(b)形成在所述绝缘性基板上、并具有导电性的至少两个第一及第二连接导体；以及(c)形成于所述绝缘性基板、并被配置于所述第一及第二连接导体之间而与所述第一及第二连接导体相连接的、包含以下材料中的至少一种材料的固态组分的混合部，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。在所述混合部中，分散有所述固态组分和空隙。
在上述结构中，若在第一连接导体和第二连接导体之间施加规定以上大小的电压，则在混合部产生放电。由于在配置于第一及第二连接导体之间的混合 部内分散有以下材料中的至少一种材料的固态组分、以及空隙，因此，能防止短路，并且，在施加电压时，电子容易沿着混合部内的具有导电性的固态组分进行移动，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。
根据上述结构，通过调节混合部的空隙的大小和量，能稳定地防止短路和调节峰值电压值等ESD特性。
优选所述绝缘性基板是陶瓷多层基板。
在此情况下，通过使用因对陶瓷多层基板进行烧成时的加热而消失的材料，从而能容易地在混合部内形成空隙。
在所述绝缘性基板是陶瓷多层基板的情况下，优选以贯通至少一个所述绝缘层的主面之间的方式，来形成所述第一及第二连接导体，或沿着至少一个所述绝缘层的所述主面，来形成所述第一及第二连接导体。所述混合部在所述绝缘层的层叠方向的两侧连接有彼此不同的所述连接导体，以使所述连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对。
在上述结构中，以贯通绝缘层的主面之间的方式形成的连接导体是层间连接导体。以沿着绝缘层延伸的方式形成的连接导体是面内连接导体。
根据上述结构，若在隔着所述混合部相对的所述连接导体之间施加规定以上大小的电压，则在所述混合部产生放电。放电是沿着连接隔着混合部相对的连接导体之间的区域产生的。由于在该产生放电的区域中形成有混合部，所述混合部内分散有具有导电性的材料，因此，容易产生电子移动，能高效地产生放电现象，提高ESD响应性。
通过调节混合部中包含的导电性不同的材料的种类和量等、以及隔着混合部相对的连接导体之间的间隔(放电间隙)，能将放电开始电压设定为所希望的值。
由于能利用混合部的厚度来对于隔着混合部在层叠方向上相对的连接导体之间的间隔(放电间隙)进行调节，因此，与现有例那样以放电电极在沿着绝缘层的主面的方向上相对的方式设置间隔(放电间隙)的情况相比，能高精度地进行调节。
因此，能使峰值电压值等ESD特性的调节和稳定变得容易。
优选所述混合部的所述固态组分包含被具有绝缘性的无机材料被覆的金属材料、以及半导体材料。
在此情况下，在产生放电的混合部中，由于分散有金属材料和半导体材料，因此，电子容易产生移动，能更高效地产生放电现象，提高ESD响应性。
在优选的一个实施方式中，所述半导体材料是碳化硅或氧化锌。
优选在所述绝缘性基板的至少一个所述绝缘层上形成有贯通该绝缘层的主面之间的贯通孔，在该贯通孔内形成有所述混合部。
在此情况下，能通过调节片材厚度来调节混合部的厚度。
优选在所述绝缘性基板的相邻的所述绝缘层之间，形成有所述混合部。
在此情况下，由于能利用厚膜的印刷工艺来形成混合部，因此，能容易地进行形成所述混合部。混合部能形成在任意的绝缘层上，因此，能提高混合部的配置设计的自由度。
优选进一步包括在所述绝缘层与所述混合部之间延伸的密封层。
在此情况下，在ESD保护装置的制造工序中，能防止绝缘层的固态组分朝混合部移动而进入混合部内。
优选所述混合部包含分散的金属材料和半导体材料。
在此情况下，在产生放电的混合部中，由于分散有金属材料和半导体材料，因此，容易产生电子移动，能更高效地产生放电现象，提高ESD响应性。
在此情况下，在优选的一个实施方式中，所述半导体材料是碳化硅或氧化锌。
优选在所述混合部中分散有被具有绝缘性的无机材料被覆的金属材料的粒子。
在此情况下，混合部内的金属材料的粒子因被无机材料被覆而不会相互直接接触，因此，金属材料的粒子彼此相连而产生短路的可能性下降。
优选包括：(a)至少两个第一及第二混合部；(b)分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端和所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接的所述第一及第二连接导体；以及(c)与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端和所 述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接的第三连接导体。若第一及第二端子分别与所述第一及第二连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部隔着所述第三连接导体串联电连接在所述第一及第二端子之间。
在此情况下，通过将第一及第二混合部进行串联连接，在重复施加静电脉冲的情况下，即使一个混合部发生短路，另一个混合部也能发挥作用，因此，与仅有一个混合部的情况相比，能提高ESD保护功能的可靠性。
优选包括：(a)至少两个第一及第二混合部；(b)分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端和所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接的所述第一及第二连接导体；以及(c)与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端和所述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接的第三连接导体。若第一、第二及第三端子分别与所述第一、第二及第三连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部并联电连接在所述第一及第二端子和所述第三端子之间。
在此情况下，由于第一及第二混合部并联连接，因此，放电面积增大。其结果是，ESD响应性得到改善，能减小峰值电压值。
优选包括：(a)安装在所述陶瓷多层基板上或所述陶瓷多层基板内的电子元器件；(b)与所述电子元器件的至少一个端子相连接的至少一个第四连接导体；以及(c)另外的至少一个第五连接导体。所述第四及第五连接导体与所述混合部的所述层叠方向的两侧相连接，使所述第四及第五连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对。
在此情况下，与将电子元器件和ESD保护器件分开安装在基板上的情况相比，能缩短电子元器件与混合部的距离，改善ESD响应性，提高ESD保护功能。
发明效果
根据本发明，能使ESD特性的调节和稳定变得容易。
附图说明
图1是ESD保护装置的剖视图。(实施例1)
图2是ESD保护装置的主要部分放大剖视图。(实施例1)
图3是ESD保护装置的主要部分放大剖视图。(实施例1)
图4是ESD保护装置的主要部分放大剖视图。(实施例1的变形例1)
图5是ESD保护装置的主要部分放大剖视图。(实施例1的变形例1)
图6是表示ESD保护装置的制造工序的剖视图。(实施例1的变形例1)
图7是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例2)
图8是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例3)
图9是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例3的变形例1)
图10是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例4)
图11是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例4的变形例1)
图12是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例4的变形例2)
图13是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例5)
图14是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例6)
图15是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例6的变形例1)
图16是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例7)
图17是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例7的变形例1)
图18是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例8)
图19是ESD保护器件的主要部分剖视图。(实施例3)
图20是示意性地表示烧成之前的混合部的组织的示意图。(实施例3)
图21是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例4的变形例3)
图22是ESD保护装置的主要部分剖视图。(实施例8的变形例1)
图23是表示ESD保护装置的制造工序的分解剖视图。(实施例8的变形例1)
图24是ESD保护装置的分解立体图。(现有例)
图25是ESD保护装置的剖视图。(现有例)
具体实施方式
以下，参照图1～图23对本发明的实施方式进行说明。
＜实施例1＞参照图1～图3对实施例1的ESD保护装置100进行说明。
图1是ESD保护装置100的剖视图。如图1所示，对于ESD保护装置100，在将由陶瓷材料所构成的第一及第二绝缘层101、102进行层叠而构成的陶瓷 多层基板12的内部，形成有混合部20、以及第一及第二面内连接导体14、16。混合部20、第一及第二面内连接导体14、16形成于相邻的第一及第二绝缘层101和102之间。
混合部20配置在第一及第二面内连接导体14和16之间，并与第一及第二面内连接导体14、16相连接。第一及第二面内连接导体14、16是第一及第二连接导体。
第一及第二面内连接导体14、16延伸至陶瓷多层基板12的侧面，并分别与第一及第二外部端子11a、11b相连接。
如图2的主要部分放大剖面中示意所示，混合部20在固体部30中分散有空隙32。
在混合部20的固体部30中，分散有包含以下材料中的至少一种材料的固态组分，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。混合部20作为整体具有绝缘性。
混合部20的固体部30中例如分散有被具有绝缘性的无机材料被覆(涂覆)的金属材料、以及半导体材料。例如，金属材料是直径为2～3μm的Cu粒子，无机材料是直径为1μm以下的Al2O3粒子，半导体材料是碳化硅、氧化锌等中的任一种。
无机材料与半导体材料在烧成时有可能发生反应而在烧成之后发生变质。此外，半导体材料与构成陶瓷多层基板的陶瓷粉末在烧成时也有可能发生反应而在烧成之后发生变质。
在金属材料未被无机材料涂覆的情况下，在烧成之前的状态下，金属材料有可能彼此已经接触，金属材料有可能彼此相连而发生短路。与之不同的是，若金属材料被无机材料涂覆，则在烧成之前金属材料不可能相互接触。此外，烧成后即使无机材料发生变质，金属材料彼此也能保持隔开的状态。因此，通过金属材料被无机材料涂覆，能降低金属材料彼此相连而产生短路的可能性。
另外，也可以利用金属材料和半导体、陶瓷或其组合，来构成成为混合部的材料，以替换被无机材料涂覆的金属材料。此外，也可以不使用金属材料， 仅由半导体，或仅由半导体和陶瓷，或仅由被无机材料涂覆的金属材料，来构成成为混合部的材料。
对于图1及图2所示的ESD保护装置100，若从外部端子11a、11b施加规定值以上的电压，则在相对的第一及第二面内连接导体14和16之间隔着混合部20产生放电。
通过调节第一及第二面内连接导体14和16彼此相对的部分的长度(即，放电宽度)、第一及第二面内连接导体14和16之间的间隔(即，放电间隙)、混合部20中包含的材料的量和种类等，能将放电开始电压设定为所希望的值。
由于混合部20中分散有固体部30中的导电性不同的两种以上的固态组分和空隙32，因此，在能防止短路的基础上，在施加电压时，电子容易沿着混合部20的固体部30内的具有导电性的固态组分而发生移动。通过调节混合部20的空隙32的大小和量，能稳定地防止短路和调节峰值电压值等ESD特性。
由于混合部20内不仅含有金属材料，还含有半导体材料，因此，即使金属材料的含量较少，也能获得所希望的ESD响应性。而且，能抑制金属材料相互接触而产生短路。
混合部20内包含的材料的组分中也可以包含与构成陶瓷多层基板12的材料的一部分或全部相同的材料。若包含相同的材料，则容易使烧成时的混合部20的收缩动作等与陶瓷多层基板12相对应，从而提高混合部20与陶瓷多层基板12的紧密接触，烧成时混合部20不易发生剥离。此外，还能提高抗ESD重复性(ESD repetition resistance)。此外，能减少所使用的材料的种类。
混合部20中包含的金属材料既可以与第一及第二面内连接导体14、16相同，也可以不同。若设为相同材料，则容易使混合部20的收缩动作等与第一及第二面内连接导体14、16相对应，能减少所使用的材料的种类。
接下来，对ESD保护装置100的制造方法进行说明。
(1)材料的准备
首先，准备成为第一及第二绝缘层101、102的陶瓷生片。对于成为陶瓷多层基板12的材料的陶瓷材料，使用由以Ba、Al、Si为中心的组分所构成的材料。将各原材料进行调和和混合以使其成为规定的组分，并在800―1000℃下进行预烧结。利用氧化锆球磨机对所得到的预烧结粉末进行12小时的粉碎， 从而获得陶瓷粉末。将甲苯/燃料乙醇(EKINEN)等有机溶剂添加到该陶瓷粉末内进行混合。进一步添加粘合剂、增塑剂进行混合，从而得到浆料。利用刮刀法使由此得到的浆料进行成形，从而获得作为第一及第二绝缘层101、102的、厚度为50μm的陶瓷生片。
此外，准备用于形成第一及第二面内连接导体14、16的电极糊料。对由80wt％的平均粒径约为1.5μm的Cu粉和乙基纤维素等所构成的粘合剂树脂添加溶剂，用辊进行搅拌和混合，从而获得电极糊料。
此外，准备用于形成混合部20的混合部形成用材料即混合糊料。混合糊料包含固态组分和空隙形成用材料。通过将平均粒径约为3μm的带氧化铝涂层的Cu粒子、平均粒径约为1μm的碳化硅(SiC)、及作为空隙形成用材料的丙烯酸颗粒按规定的比例进行调和，添加粘合剂树脂和溶剂，并用辊进行搅拌和混合，来获得混合糊料。Cu粒子及SiC与丙烯酸树脂颗粒的体积比为1：1。混合糊料中的树脂与溶剂的比率为40wt％。带氧化铝涂层的Cu粒子和SiC是固态组分，在烧成之后也保持绝缘性。丙烯酸颗粒是在烧成过程中消失的空隙形成用材料。
(2)利用丝网印刷来涂布混合糊料和电极糊料
利用丝网印刷在成为第二绝缘层102的陶瓷生片上涂布混合糊料，从而形成成为混合部20的部分。成为混合部20的部分也可以形成在成为第一绝缘层101的陶瓷生片上。
接下来，利用丝网印刷在成为第二绝缘层102的陶瓷生片上涂布电极糊料，从而形成成为第一及第二面内连接导体14、16的部分。成为第一及第二面内连接导体14、16的部分也可以形成在成为第一绝缘层101的陶瓷生片上。
也可以在形成了成为第一及第二面内连接导体14、16的部分之后，形成成为混合部20的部分。
(3)层叠、压接
与通常的陶瓷多层基板相同，将陶瓷生片进行层叠和压接。
(4)切割、涂布端面电极
与LC滤波器之类的芯片式电子元器件相同，利用微型切割机进行切割，从而划分成各芯片。此后，在端面上涂布电极糊料，从而形成外部端子。
(5)烧成
接下来，与通常的陶瓷多层基板相同，在N2气氛中进行烧成。在不会发生氧化的电极材料(Ag等)的情况下，也可以在大气气氛中进行烧成。经过烧成，陶瓷生片中的有机溶剂以及混合糊料中的粘合剂树脂、溶剂、及丙烯酸颗粒消失。由此，形成分散有带有Al2O3涂层的Cu、SiC、及空隙32的混合部20。
另外，若增加混合糊料中的空隙形成用材料的比例，则如图3的主要部分剖视图中示意所示，能在混合部20与绝缘层101、102之间形成空洞34、36。
(6)镀敷
与LC滤波器之类的芯片式电子元器件相同，在外部端子上电镀Ni－Sn。
由此，完成截面具有图1的结构的ESD保护装置100。
另外，半导体材料并不特别限定于上述材料。例如，能使用以下材料：即，硅、锗等金属半导体；碳化硅、碳化钛、碳化锆、碳化钼、碳化钨等碳化物；氮化钛、氮化锆、氮化铬、氮化钒、氮化钽等氮化物；硅化钛、硅化锆、硅化钨、硅化钼、硅化铬等硅化物；硼化钛、硼化锆、硼化铬、硼化镧、硼化钼、硼化钨等硼化物；以及氧化锌、钛酸锶等氧化物。其中尤其优选碳化硅或氧化锌，这是由于其比较便宜，且市场上有售各种粒径的材料。也可以适当地将这些半导体材料进行单独使用或将两种以上的所述这些半导体材料进行混合使用。另外，也可以适当地将半导体材料与氧化铝、BAS材料等电阻材料进行混合使用。
金属材料并不特别限定于上述材料。也可以是Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、Mo、或它们的合金、或它们的组合。
作为空隙形成用材料，除了丙烯酸颗粒以外，也可以是由PET、聚丙烯、乙基纤维素等所构成的颗粒，或它们的组合。
实施例1中，例示了ESD保护装置100是仅具有ESD保护功能的单体的元器件(ESD保护器件)的情况，但ESD保护装置也可以是具有ESD保护功能和此外的功能的复合元器件(模块)等。在ESD保护装置是复合元器件(模块)等的情况下，只要至少包括混合部20、与混合部20相连接的第一及第二面内连接导体14、16即可。
＜实施例1的变形例1＞参照图4～图6对实施例1的变形例1的ESD保护装置进行说明。
图4及图5是实施例1的变形例1的ESD保护装置的主要部分放大剖视图。实施例1的变形例1的ESD保护装置与实施例1的ESD保护装置100具有大致相同的结构。以下，对与实施例1相同的结构部分使用相同的标号，以与实施例1的不同之处为中心进行说明。
如图4及图5所示，实施例1的变形例1的ESD保护装置在实施例1的结构的基础上还形成有密封层40、42。密封层40、42形成于混合部20与陶瓷多层基板12的第一及第二绝缘层101、102之间。密封层40、42防止陶瓷多层基板12中的玻璃组分浸透混合部20。密封层40、42具有绝缘性。
如图6(a)及图6(b)的剖视图所示，通过将作为第一及第二绝缘层101、102的陶瓷生片进行成形、层叠、压接、烧成来制作密封层40、42。
即，如图6(a)及图6(b)所示，将密封层形成用糊料丝网印刷在成为第一及第二绝缘层101、102的陶瓷生片的彼此相对的面101s、102s上，从而形成密封层40、42，然后将密封层40、42进行干燥。
对于用于形成密封层40、42的密封层形成用糊料，用与电极糊料相同的方法进行制作。例如，对由80wt％的平均粒径约为1μm的Al2O3粉和乙基纤维素等所构成的粘合剂树脂添加溶剂，用辊进行搅拌和混合，从而获得密封层形成用糊料(氧化铝糊料)。对于密封层形成用糊料的固态组分选用烧结温度比陶瓷多层基板的材料高的材料。
接下来，如图6(b)所示，使用混合糊料在成为第二绝缘层102的陶瓷生片的密封层42上形成混合部20。进一步使用电极糊料在作为第二绝缘层102的陶瓷生片上形成成为第一及第二面内连接导体14、16的部分。也可以在形成了成为第一及第二面内连接导体14、16的部分之后，形成成为混合部20的部分。
密封层40也可以形成在成为第二绝缘层102的陶瓷生片上。即，也可以在成为第二绝缘层102的陶瓷生片上形成了密封层42、成为混合部20的部分、以及成为第一及第二面内连接导体14、16的部分之后，形成密封层40。也可以与其相反，在成为第一绝缘层101的陶瓷生片上形成了密封层40、成为第一及第二面内连接导体14、16的部分、以及成为混合部20的部分之后，形成密 封层42。
＜实施例2＞参照图7对实施例2的ESD保护装置110进行说明。
图7是实施例2的ESD保护装置110的主要部分剖视图。如图7所示，实施例2的ESD保护装置110包括混合部21，该混合部21形成在将由陶瓷材料所构成的绝缘层111、112进行层叠而构成的陶瓷多层基板12a的最外侧的绝缘层111的通孔111p内。混合部21与实施例1的混合部20相同，分散有导电性不同的两种以上的固态组分和空隙。对于混合部21，能在成为绝缘层111的陶瓷生片上形成通孔111p之后，在通孔111p内填充混合糊料来形成。
面内连接导体14、16的相对部14k、16k与混合部21的层叠方向(图7中上下方向)的两端相连接，并隔着混合部21彼此相对。一个面内连接导体14在陶瓷多层基板12a的表面12s上露出。
ESD保护装置110中，能通过陶瓷多层基板12a的绝缘层111的厚度来调节隔着混合部21相对的面内连接导体14、16的相对部14k和16k之间的尺寸，因此，能高精度地形成分散有用于辅助放电的材料的混合部21的厚度。
此外，由于在通孔111p内制作混合部21，因此，能将放电区域设为直径为50μm～300μm左右的较小区域，容易制作出在同一元器件内使电感器和电容器等复合化的结构。
在该陶瓷多层基板12a的表面12s上露出的一个面内连接导体14例如可以用作用于将电子元器件安装在陶瓷多层基板12a上的连接电极、或用于将ESD保护装置110安装到其他电路基板上的外部端子。
ESD保护装置110能缩短到作为ESD保护元件发挥作用的混合部21为止的布线，降低走线损耗。
另外，尽管未图示，但也可以在实施例2的结构的基础上，在混合部21的外周与绝缘层111之间形成密封层。在此情况下，在形成通孔111p之后，填充在实施例1的变形例1中使用过的密封层形成用糊料，并从与进行填充的一侧相反的通孔开口孔吸引密封层形成用糊料，从而仅在通孔111p的外周部涂布密封层形成用糊料并使其干燥。之后，将混合糊料填充到通孔111p内，从而能形成在通孔111p的外周部具有密封层的混合部21。密封层防止陶瓷多层基板中的玻璃组分浸透到混合部21。密封层具有绝缘性。
＜实施例3＞参照图8、图19及图20对实施例3的ESD保护装置600进行说明。
图8是ESD保护装置600的主要部分剖视图。如图8所示，对于ESD保护装置600，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层601～603进行层叠而构成的陶瓷多层基板512的内部，包括具有导电性的面内连接导体514、516和混合部520。面内连接导体514、516在相邻的绝缘层601与602以及602与603之间延伸。在贯通绝缘层602的主面之间的贯通孔即通孔602p内形成混合部520。面内连接导体514、516各自的相对部514k、516k隔着混合部520彼此相对。面内连接导体514、516的相对部514k、516k与混合部520在绝缘层601～603的层叠方向(图8中上下方向)的两侧相连接。
混合部520包含以下材料中的至少一种材料，这些材料分散在混合部520内，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷。
详细而言，如图20的示意图中示意表示的组织那样，烧成之前的混合部520包含被具有绝缘性的无机材料520s被覆(涂覆)的金属材料520a、及半导体材料520x。例如，金属材料520a是直径为2～3μm的Cu粒子，无机材料520s是直径为1μm以下的Al2O3粒子，半导体材料520x是碳化硅、硅等中的任一种。
无机材料与半导体材料在烧成时有可能进行反应而在烧成之后发生变质。此外，半导体材料与构成陶瓷多层基板的陶瓷粉末在烧成时也有可能进行反应而在烧成之后发生变质。
在金属材料未被无机材料涂覆的情况下，在烧成之前的状态下，金属材料有可能彼此已经接触，金属材料有可能彼此相连而发生短路。与之不同的是，若金属材料被无机材料涂覆，则在烧成之前金属材料不可能相互接触。此外，烧成后即使无机材料发生变质，金属材料彼此也能保持隔开的状态。因此，通过金属材料被无机材料涂覆，能降低金属材料彼此相连而产生短路的可能性。
对于图8所示的ESD保护装置600，若在面内连接导体514和516之间 施加规定值以上的电压，则在隔着混合部520相对的相对部514k和516k之间产生放电。
通过调节面内连接导体514、516的相对部514k和516k之间的尺寸即混合部520的厚度、或调节混合部520中包含的金属材料或半导体材料的量和种类等，能将放电开始电压设定为所希望的值。
混合部520的厚度的精度取决于绝缘层602的厚度的精度。例如能以12.5μm±1.5％左右的精度制作绝缘层602的厚度。对于隔着混合部520相对的放电电极514、516的相对部514k和516k之间的尺寸，与现有例那样以放电电极在沿着绝缘层的主面的方向上相对的方式设置间隔(放电间隙)的情况相比，能将精度改善个位数程度。因此，能提高放电开始电压的设定精度，提高ESD特性(峰值电压值)。
由于混合部520内不仅含有金属材料，还含有半导体材料，因此，即使金属材料的含量较少，也能获得所希望的ESD响应性。而且，能抑制金属材料相互接触而产生短路。
混合部520内包含的材料的组分中也可以包含与构成陶瓷多层基板512的材料的一部分或全部相同的材料。若包含相同的材料，则容易使烧成时的混合部520的收缩动作等与陶瓷多层基板512相对应，从而提高混合部520与陶瓷多层基板512的紧密接触，混合部520在烧成时不易发生剥离。此外，还能提高抗ESD重复性。此外，能减少所使用的材料的种类。
混合部520中包含的金属材料既可以与面内连接导体514、516相同，也可以不同。若设为相同材料，则容易使混合部520的收缩动作等与面内连接导体514、516相对应，能减少所使用的材料的种类。
若混合部520包含金属材料和陶瓷材料，则能使混合部520在烧成时的收缩动作成为面内连接导体514、516与陶瓷多层基板512的中间状态。由此，能利用混合部520来缓和面内连接导体514、516的相对部514k、516k与陶瓷多层基板512在烧成时的收缩动作的差异。其结果是，能减小因面内连接导体514、516的相对部514k、516k的剥离等引起的不良和特性偏差。此外，由于面内连接导体514、516的相对部514k和516k之间的间隔的偏差也会减小，因此，能减小放电开始电压等特性的偏差。
此外，能使混合部520的热膨胀率成为面内连接导体514、516与陶瓷多层基板512的中间值。由此，能利用混合部520来缓和面内连接导体514、516的相对部514k、516k与陶瓷多层基板512的热膨胀率的差异。其结果是，能减小因面内连接导体514、516的相对部514k、516k的剥离等引起的不良和特性的历时变化。
ESD保护装置600是仅具有ESD保护功能的单体的元器件(ESD保护器件)，或是具有ESD保护功能和此外的功能的复合元器件(模块)等。
例如，如图19的剖视图所示，在是具有ESD保护功能的单体的元器件、即ESD保护器件600x的情况下，使面内连接导体514、516分别与外部端子514x、516x相连接。
在ESD保护装置600是复合元器件(模块)等的情况下，包括图8中用点划线围住的部分以作为复合元器件(模块)等的结构的一部分。
接下来，对ESD保护装置的制造方法进行说明。此处，以ESD保护装置为元器件(ESD保护器件)的情况为例进行说明，但在ESD保护装置为复合元器件(模块)等的情况下也能同样地进行制造。
(1)材料的准备
对于成为陶瓷多层基板512的材料的陶瓷材料，使用由以Ba、Al、Si为中心的组分所构成的材料。将各原材料进行调和和混合以使其成为规定的组分，并在800―1000℃下进行预烧结。利用氧化锆球磨机对所得到的预烧结粉末进行12小时的粉碎，从而获得陶瓷粉末。将甲苯/燃料乙醇(EKINEN)等有机溶剂添加到该陶瓷粉末内进行混合。进一步添加粘合剂、增塑剂进行混合，从而得到浆料。利用刮刀法使由此得到的浆料成形，从而获得厚度为50μm的陶瓷生片。
此外，制作用于形成面内连接导体514、516的电极糊料。对由80wt％的平均粒径约为1.5μm的Cu粉和乙基纤维素等所构成的粘合剂树脂添加溶剂，用辊进行搅拌和混合，从而获得电极糊料。
通过将平均粒径约为2μm的带Al2O3涂层的Cu粉和作为半导体材料的平均粒径为1μm的碳化硅(SiC)按规定的比例进行调和，并添加粘合剂树脂和溶剂，用辊进行搅拌和混合来获得用于形成混合部520的混合糊料。混合糊料中， 使粘合剂树脂和溶剂为20wt％，使剩余的80wt％为带Al2O3涂层的Cu粉和碳化硅。
(2)利用丝网印刷来涂布混合糊料和电极糊料
利用丝网印刷在成为绝缘层601、603的陶瓷生片上涂布电极糊料，从而形成具有相对部514k、516k的放电电极514、516。
此外，使用激光或模具在成为绝缘层602的陶瓷生片上形成通孔，然后，为了形成混合部520，利用丝网印刷将混合糊料填充到通孔内。
(3)层叠、压接
与通常的陶瓷多层基板相同，将陶瓷生片进行层叠和压接。
(4)切割、涂布端面电极
与LC滤波器之类的芯片式电子元器件相同，利用微型切割机进行切割，从而划分成各芯片。此后，在端面上涂布电极糊料，从而形成外部端子。
(5)烧成
接下来，与通常的陶瓷多层基板相同，在N2气氛中进行烧成。在不会发生氧化的电极材料(Ag等)的情况下，也可以在大气气氛中进行烧成。经过烧成，陶瓷生片中的有机溶剂、混合糊料中的粘合剂树脂及溶剂消失。
(6)镀敷
与LC滤波器之类的芯片式电子元器件相同，在外部端子上电镀Ni－Sn。
由此，完成截面具有图19的结构的ESD保护装置600x。
ESD保护装置600中，能通过陶瓷多层基板512的绝缘层602的厚度来调节隔着混合部520相对的面内连接导体514、516的相对部514k、516k之间的尺寸，因此，能高精度地形成分散有用于辅助放电的材料的混合部520的厚度。
此外，由于在通孔602p内制作混合部520，因此，能将放电区域设为直径为50μm～300μm左右的较小区域，容易制作出在同一元器件内使电感器和电容器等复合化的结构。
另外，半导体材料并不特别限于上述材料。例如，能使用以下材料：即，硅、锗等金属半导体；碳化硅、碳化钛、碳化锆、碳化钼、碳化钨等碳化物；氮化钛、氮化锆、氮化铬、氮化钒、氮化钽等氮化物；硅化钛、硅化锆、硅化 钨、硅化钼、硅化铬等硅化物；硼化钛、硼化锆、硼化铬、硼化镧、硼化钼、硼化钨等硼化物；以及氧化锌、钛酸锶等氧化物。其中尤其优选碳化硅或氧化锌，这是由于其比较便宜，且市场上有售各种粒径的材料。这些半导体材料也可以适当地进行单独使用或将两种以上进行混合使用。另外，也可以适当地将半导体材料与氧化铝、BAS材料等电阻材料进行混合使用。
金属材料并不特别限于上述材料。也可以是Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、Mo、或它们的合金、或它们的组合。
＜实施例3的变形例1＞图9是实施例3的变形例1的ESD保护装置610的主要部分剖视图。
如图9所示，混合部520形成在将由陶瓷材料所构成的绝缘层611、612进行层叠而成的陶瓷多层基板512a的最外侧的绝缘层611的通孔611p内。隔着混合部520相对的面内连接导体514、516中，一个面内连接导体514在陶瓷多层基板512a的表面512s上露出。
例如可以将在该陶瓷多层基板512a的表面512s上露出的一个面内连接导体514用作用于将电子元器件安装在陶瓷多层基板512a上的连接电极、或用于将ESD保护装置610安装到其他电路基板上的外部端子。
ESD保护装置610能缩短到作为ESD保护元件发挥作用的混合部520为止的布线，降低走线损耗。
＜实施例4＞参照图10对实施例4的ESD保护装置620进行说明。
图10是实施例4的ESD保护装置620的主要部分剖视图。如图10所示，ESD保护装置620具有与实施例3的ESD保护装置600大致相同的结构。以下，对与实施例3相同的结构部分使用相同的标号，以与实施例3的不同之处为中心进行说明。
实施例4的ESD保护装置620与实施例3相同，包括将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层621～623进行层叠而构成的陶瓷多层基板512b、面内连接导体514、516、以及混合部520，但与实施例3的不同之处在于，还包括层间连接导体517。
层间连接导体517形成为贯通绝缘层622的主面之间。即，在贯通绝缘层622的主面之间的通孔622p内形成层间连接导体517。层间连接导体517具有 导电性。
混合部520与一个面内连接导体514的相对部514k和层间连接导体517相连接。层间连接导体517与另一个面内连接导体516相连接。
若在面内连接导体514和516之间施加规定值以上的电压，则在隔着混合部520相对的一个面内连接导体514的相对部514k与层间连接导体517之间产生放电。
ESD保护装置620不仅使用面内连接导体514、516，还一并使用层间连接导体517，从而能提高陶瓷多层基板512b内的设计自由度。
＜实施例4的变形例1＞图11是实施例4的变形例1的ESD保护装置630的主要部分剖视图。
如图11所示，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层631～635进行层叠而构成的陶瓷多层基板512c的内部，混合部520与层间连接导体515、517相连接。在形成于绝缘层632、634的圆筒状的通孔632p、634p内形成有层间连接导体515、517。层间连接导体515、517具有导电性。层间连接导体515、517分别与面内连接导体514、516相连接。
ESD保护装置630不仅使用面内连接导体514、516，还一并使用上下的层间连接导体515、517，从而能提高陶瓷多层基板512c内的设计自由度。
＜实施例4的变形例2＞图12是实施例4的变形例2的ESD保护装置640的主要部分剖视图。
如图12所示，ESD保护装置640与实施例4的变形例1相同，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层641～645进行层叠而构成的陶瓷多层基板512d的内部，混合部520与层间连接导体515d、517d相连接。层间连接导体515d、517d分别与面内连接导体514、516相连接。
层间连接导体515d、517d与实施例4的变形例1不同，呈圆锥台形状。即，在形成于绝缘层642、644的圆锥状的通孔642p、644p内形成有层间连接导体515d、517d。能使用激光或模具在成为绝缘层642、644的陶瓷生片上形成圆锥状的通孔642p、644p。
层间连接导体515d在其层叠方向两侧的端面515s、515t的大小不同，层间连接导体517d在其层叠方向两侧的端面517s、517t的大小不同。层间连接 导体515d、517d的较小的端面515s、517s分别与面内连接导体514、516相连接。层间连接导体515d、517d的较大的端面515t、517t与混合部520相连接。由此，能扩大放电宽度，因此，ESD特性得到改善。
＜实施例4的变形例3＞图21的剖视图示意表示作为实施例4的变形例3的ESD保护装置的内置ESD保护功能的基板540的剖视结构。
如图21所示，内置ESD保护功能的基板540是在将由陶瓷材料所构成的绝缘层541～546进行层叠而构成的陶瓷多层基板550的上表面550a上安装有IC芯片560和IC芯片以外的安装元器件562的模块元器件。在陶瓷多层基板550的内部，利用面内连接导体552和层间连接导体558来形成电感器元件、电容器元件、布线图案。在陶瓷多层基板550的上表面550a和下表面550b设有外部电极554、556。在陶瓷多层基板550的内部，与实施例4相同，形成有层间连接导体515、517和混合部520。
在图21中例示了仅在陶瓷多层基板550的单面550a装载有元器件的情况，但也可以在陶瓷多层基板550的双面550a、550b装载元器件，或在陶瓷多层基板550上设置凹部，将元器件装载在其中。
内置ESD保护功能的基板540是在陶瓷多层基板550内具有由层间连接导体515、517及混合部520形成的ESD保护部的模块元器件，因此，与用分开的元器件构成相同功能的情况相比，在成本方面和占有体积方面有利。
内置ESD保护功能的基板540因设计自由度高而能应对各种ESD保护的需求。尤其因为ESD保护部体积较小，因此，能将ESD保护部配置于模块内部的各个部位。
＜实施例5＞参照图13对实施例5的ESD保护装置650进行说明。
图13是实施例5的ESD保护装置650的主要部分剖视图。如图13所示，对于ESD保护装置650，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层651～653进行层叠而构成的陶瓷多层基板512e的内部，形成有层间连接导体515、519、面内连接导体516、518、及混合部520。混合部520与一个层间连接导体515和一个面内连接导体516的相对部516k相连接。另一个层间连接导体519与另一个面内连接导体518相连接。
层间连接导体515、519形成在陶瓷多层基板12e的最外侧的绝缘层651 的通孔651p、651q内。在层间连接导体515、519的一个端面515p、519p上连接有IC芯片564的凸点566。
将ESD保护装置650的结构设为将起到ESD保护元件作用的混合部520设置在层间连接导体515的延长线上，而所述层间连接导体515设置在IC芯片564的凸点566的正下方，从而能缩短从IC芯片564到混合部520的距离，因此，能提高ESD响应性，实现有效的ESD保护。
＜实施例6＞参照图14对实施例6的ESD保护装置660进行说明。
图14是实施例6的ESD保护装置660的主要部分剖视图。如图14所示，ESD保护装置660在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层661～664进行层叠而构成的陶瓷多层基板512f的内部，形成有三个面内连接导体514、516、518、及两个混合部522、524。
混合部522、524形成在中央的面内连接导体516的相对部516k的层叠方向两侧(图14中上下)。即，在混合部522的层叠方向两侧连接有面内连接导体514、516的相对部514k、516k。在混合部524的层叠方向两侧连接有面内连接导体516、518的相对部516k、518k。
例如，使中央的面内连接导体516与输入端子进行电连接，使其他两个面内连接导体514、518与接地端子进行电连接。在此情况下，起到ESD保护元件作用的混合部522、524并联电连接在输入端子和接地端子之间，因此，ESD响应性得到改善，能降低峰值电压。
＜实施例6的变形例1＞图15是实施例6的变形例1的ESD保护装置670的主要部分剖视图。
如图15所示，实施例6的变形例1的ESD保护装置670与实施例6的ESD保护装置660相同，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层671～676进行层叠而构成的陶瓷多层基板512g的内部，形成有三个面内连接导体514、516、518、及两个混合部522、524，而与实施例6的变形例1的不同之处在于，还形成有层间连接导体515、517。层间连接导体515、517分别与面内连接导体514、518相连接。混合部522、524分别与中央的面内连接导体516的相对部516k和层间连接导体515、517相连接。
例如，使中央的面内连接导体516与输入端子进行电连接，使层叠方向两 个外侧的面内连接导体514、518与接地端子进行电连接。在此情况下，由各混合部522、524形成的ESD保护元件与输入端子和接地端子之间并联电连接，因此，ESD响应性得到改善，能降低峰值电压值。
＜实施例7＞参照图16对实施例7的ESD保护装置680进行说明。
图16是实施例7的ESD保护装置680的主要部分剖视图。如图16所示，对于ESD保护装置680，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层681～685进行层叠而构成的陶瓷多层基板512h的内部，形成有两个面内连接导体514、516、一个层间连接导体513、及两个混合部522、524。混合部522、524分别与层间连接导体513和面内连接导体514、516的相对部514k、516k相连接。即，混合部522、524隔着层间连接导体513串联连接在面内连接导体514和516之间。
由于ESD保护装置680由混合部522、524形成的两个放电保护部进行串联而形成，因此，在重复施加静电脉冲的情况下，即使其中一个混合部发生短路，另一个混合部也能发挥作用。因此，与仅有一个混合部的情况相比，能提高ESD保护功能的可靠性。
＜实施例7的变形例1＞图17是实施例7的变形例1的ESD保护装置690的主要部分剖视图。
如图17所示，ESD保护装置690与实施例7的ESD保护装置680相同，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层691～697进行层叠而构成的陶瓷多层基板512i的内部，形成有面内连接导体514、516、层间连接导体513、及混合部522、524，但与实施例7的ESD保护装置680不同，还形成有两个层间连接导体515、517。层间连接导体515、517分别与面内连接导体514、516相连接。混合部522、524分别与层间连接导体515、517和层间连接导体513相连接。
ESD保护装置690中，由于由混合部522、524形成的两个放电保护部串联形成，因此，在重复施加静电脉冲的情况下，即使其中一个发生短路，另一个也能发挥作用。因此，与仅有一个混合部的情况相比，能提高ESD保护功能的可靠性。
＜实施例8＞参照图18对实施例8的ESD保护装置700进行说明。
图18是ESD保护装置700的主要部分剖视图。如图18所示，对于ESD保护装置700，在将由陶瓷材料所构成的多个绝缘层701～704进行层叠而构成的陶瓷多层基板512j的内部，包括面内连接导体514、516、层间连接导体515、517、及混合部526。层间连接导体515、517分别与面内连接导体514、516相连接。
混合部526在相邻的绝缘层702、703之间延伸而与层间连接导体515、517相连接。层间连接导体515、517隔着混合部526在绝缘层701～704的层叠方向(图18中上下方向)上相对。
如图18所示，若使混合部526的外径(宽度)比层间连接导体515、517的外径要大，则能吸收混合部526与层间连接导体515、517的位置偏差，但混合部526的外径(宽度)可以与层间连接导体515、517的外径相同，混合部526的外径(宽度)也可以比层间连接导体515、517的外径要小。
混合部526的厚度例如为5μm～30μm，能利用简单的印刷形成法自由地进行调节，能减小层间连接导体515和517之间的间隔(放电间隙)。若减小放电间隙，则能提高ESD特性(峰值电压值等)。
＜实施例8的变形例1＞图22是实施例8的变形例1的ESD保护装置700a的主要部分剖视图。
如图22所示，实施例8的变形例1的ESD保护装置700a在实施例8的结构的基础上，还在混合部526与绝缘层702、703之间形成有密封层530。密封层530防止陶瓷多层基板中的玻璃组分浸透到混合部526。密封层530具有绝缘性。
如图23(a)～(d)的剖视图所示，能通过将成为绝缘层701～704的陶瓷生片进行成形、层叠、压接、烧成来制作这样的结构。
即，如图23(a)及图23(d)所示，使用电极糊料在成为绝缘层701、704的陶瓷生片的一个主面701t、704s上形成成为面内连接导体514、516的部分。
此外，如图23(b)及图23(c)所示，在成为绝缘层702、703的陶瓷生片上形成通孔702p、703p，将电极糊料填充到通孔702p、703p内，从而形成成为层间连接导体515、517的部分。
而且，通过印刷密封层形成用糊料，在绝缘层702、703的相对面702t、703t上形成具有开口533、535的密封层532、534。此时，形成密封层532、 534，使成为层间连接导体515、517的部分从密封层532、534的开口533、535露出。
然后，使用混合糊料在一个密封层534上形成成为混合部526的部分。
另外，成为混合部526的部分既可形成在另一个密封层532上，也可以形成在两个的密封层532、534上。
此外，密封层532也可以形成在成为绝缘层703的陶瓷生片一侧。即，也可以在成为绝缘层703的陶瓷生片上形成成为密封层534和混合部526的部分，然后，在其上面形成密封层532。也可以与其相反，在成为绝缘层702的陶瓷生片上形成成为密封层532和混合部526的部分，然后，在其上面形成密封层534。
对于用于形成密封层的密封层形成用糊料，用与电极糊料相同的方法进行制作。例如，对由80wt％的平均粒径约为1μm的Al2O3粉和乙基纤维素等所构成的粘合剂树脂添加溶剂，用辊进行搅拌和混合，从而获得密封层形成用糊料(氧化铝糊料)。对于密封层选择烧结温度比基板材料要高的材料，例如选择氧化铝、锆、镁、莫来石、石英等。
接下来，将作为绝缘层701～704的陶瓷生片进行层叠和压接，然后进行烧成。
另外，也可以在形成于绝缘层的通孔内的混合部与绝缘层之间、即通孔的内周面形成密封层。在此情况下，例如，将密封层形成用糊料从陶瓷生片的通孔的一个开口填充到通孔内，从通孔的另一个开口吸引密封层形成用糊料，从而使密封层形成用糊料附着在通孔的内周面，然后进行干燥。接下来，将混合部形成用糊料填充到通孔内，与其他陶瓷层进行压接，然后进行烧成，从而在混合部与绝缘层之间形成密封层。
＜总结＞如上所述，通过形成分散有导电性不同的两种以上的固态组分和空隙的混合部，使ESD特性的调节和稳定变得容易。通过使面内连接导体或层间连接导体与混合部的层叠方向两侧相连接，使ESD特性的调节和稳定变得容易。
另外，本发明并不限于上述实施方式，能加以各种改变来进行实施。
例如，混合部和与混合部相连接的连接导体也可以形成在基板表面上。在 此情况下，连接导体的一部分与元器件的安装凸点相连接，混合部和连接导体隔着被覆层被树脂或金属壳体所覆盖。由此，能比将混合部形成在基板内层的方式更简单地进行加工，通过形成在元器件安装面上，能在更靠近安装元器件的部位采取应对ESD的方法，能更可靠地保护元器件免受ESD的影响。
在基板表面上形成混合部的情况下，将连接导体印刷在基板表面上，然后，将含有固态组分和空隙形成用材料的混合糊料印刷在形成混合部的部位，进一步将在氧化铝中混入有玻璃的糊料进行涂布来覆盖连接导体的一部分和形成混合部的部位，然后进行烧成来形成被覆层。也可以不涂布在氧化铝中混入有玻璃的糊料，而是以覆盖混合部的一部分和连接导体的方式设置树脂被覆层。
标号说明
12、12a～12d 陶瓷多层基板(绝缘性基板)
14 面内连接导体
15、15a、15x 层间连接导体
16 面内连接导体
17 层间连接导体
18 面内连接导体
20、21、22、24、26、28 混合部
30 固体部
32 空隙
34、36 空洞
40、42 密封层
100 ESD保护装置
101、102 绝缘层
110 ESD保护装置
111、112 绝缘层
170 ESD保护装置
171～176 绝缘层
200 ESD保护装置
201～204 绝缘层
300 ESD保护装置
512、512a～512j 陶瓷多层基板
513 层间连接导体(连接导体)
514 面内连接导体(连接导体)
515、515d 层间连接导体(连接导体)
516 面内连接导体(连接导体)
517、517d 层间连接导体(连接导体)
518 面内连接导体(连接导体)
519 层间连接导体(连接导体)
520、522、524、526 混合部
520a 金属材料
520s 无机材料
520x 半导体材料
530、532、534 密封层
540 内置保护功能的基板(ESD保护装置)
550 陶瓷多层基板
552 面内连接导体
558 层间连接导体
560 IC芯片(电子元器件)
562 安装元器件(电子元器件)
600 ESD保护装置
600x ESD保护器件(ESD保护装置)
601～603 绝缘层
602p 通孔(贯通孔)
610 ESD保护装置
611、612 绝缘层
611p 通孔(贯通孔)
620 ESD保护装置
621～623 绝缘层
622p 通孔(贯通孔)
630 ESD保护装置

Claims (17)

1.一种ESD保护装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一工序，在该第一工序中，准备作为绝缘层的多片片材，在所述片材的至少一片上形成成为第一及第二连接导体的部分、以及成为配置于所述第一及第二连接导体之间并与所述第一及第二连接导体相连接的混合部的部分，将所述片材相互进行层叠来形成层叠体；以及
第二工序，在该第二工序中，通过对所述层叠体进行加热，在将所述绝缘层进行层叠而构成的绝缘性基板上，形成所述第一及第二连接导体和所述混合部，
在所述第一工序中，
使用具有导电性的材料形成作为第一及第二连接导体的部分，
将在所述第二工序中随着加热时的温度上升而消失的空隙形成用材料与包含以下材料中的至少一种材料的固态组分进行混合，使用混合而成的混合部形成用材料，来形成成为所述混合部的部分，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷，
在所述第二工序中形成所述混合部，在所述混合部内分散有：通过成为所述混合部的部分的所述混合部形成用材料中的所述空隙形成用材料随着加热时的温度上升而消失、来形成的空隙；以及所述混合部形成用材料中的所述固态组分，
所述片材是陶瓷生片，
所述绝缘性基板是陶瓷多层基板，
在所述第一工序中，以贯通至少一个所述绝缘层的主面之间的方式，来形成所述第一及第二连接导体，或沿着至少一个所述绝缘层的所述主面，来形成所述第一及第二连接导体，
并在所述第一工序中，以在所述绝缘层的层叠方向的两侧连接有彼此不同的所述连接导体的方式，来形成所述混合部，以使得所述连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对，
所述空隙形成用材料是消失性树脂，
所述消失性树脂是丙烯酸颗粒，
在所述第一工序中，形成在所述片材与成为所述混合部的部分之间延伸的密封层，
在所述第二工序中，所述密封层阻止所述片材中的固态组分向成为所述混合部的部分移动，
在所述第一工序中，所述混合部形成为包含至少一个第一混合部及至少一个第二混合部，
在所述第一工序中，所述第一及第二连接导体分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接，
在所述第一工序中，第三连接导体与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接，
ESD保护装置的制造方法还具有形成第一及第二端子的工序，在形成所述第一及第二端子的工序中，所述第一及第二端子分别与所述第一及第二连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部隔着所述第三连接导体串联电连接在所述第一及第二端子之间。
2.一种ESD保护装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一工序，在该第一工序中，准备作为绝缘层的多片片材，在所述片材的至少一片上形成成为第一及第二连接导体的部分、以及成为配置于所述第一及第二连接导体之间并与所述第一及第二连接导体相连接的混合部的部分，将所述片材相互进行层叠来形成层叠体；以及
第二工序，在该第二工序中，通过对所述层叠体进行加热，在将所述绝缘层进行层叠而构成的绝缘性基板上，形成所述第一及第二连接导体和所述混合部，
在所述第一工序中，
使用具有导电性的材料形成作为第一及第二连接导体的部分，
将在所述第二工序中随着加热时的温度上升而消失的空隙形成用材料与包含以下材料中的至少一种材料的固态组分进行混合，使用混合而成的混合部形成用材料，来形成成为所述混合部的部分，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷，
在所述第二工序中形成所述混合部，在所述混合部内分散有：通过成为所述混合部的部分的所述混合部形成用材料中的所述空隙形成用材料随着加热时的温度上升而消失、来形成的空隙；以及所述混合部形成用材料中的所述固态组分，
所述片材是陶瓷生片，
所述绝缘性基板是陶瓷多层基板，
在所述第一工序中，以贯通至少一个所述绝缘层的主面之间的方式，来形成所述第一及第二连接导体，或沿着至少一个所述绝缘层的所述主面，来形成所述第一及第二连接导体，
并在所述第一工序中，以在所述绝缘层的层叠方向的两侧连接有彼此不同的所述连接导体的方式，来形成所述混合部，以使得所述连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对，
所述空隙形成用材料是消失性树脂，
所述消失性树脂是丙烯酸颗粒，
在所述第一工序中，形成在所述片材与成为所述混合部的部分之间延伸的密封层，
在所述第二工序中，所述密封层阻止所述片材中的固态组分向成为所述混合部的部分移动，
在所述第一工序中，所述混合部形成为包含至少一个第一混合部及至少一个第二混合部，
在所述第一工序中，将所述第一及第二连接导体形成为分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接，
在所述第一工序中，将第三连接导体形成为与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接，
ESD保护装置的制造方法还具有形成第一、第二及第三端子的工序，在形成所述第一、第二及第三端子的工序中，若该第一、第二及第三端子分别与所述第一、第二及第三连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部并联电连接在所述第一及第二端子和所述第三端子之间。
3.如权利要求1或2所述的ESD保护装置的制造方法，其特征在于，
所述混合部形成用材料中的所述固态组分包含被具有绝缘性的无机材料被覆的金属材料、以及半导体材料。
4.如权利要求3所述的ESD保护装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体材料是碳化硅或氧化锌。
5.如权利要求1或2所述的ESD保护装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序中，在至少一片所述片材上形成贯通该片材的所述主面之间的贯通孔，通过将所述混合部形成用材料填充到该贯通孔内，从而形成成为所述混合部的部分。
6.如权利要求1或2所述的ESD保护装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序中，通过在所述片材的至少一个主面上涂布所述混合部形成用材料，来形成成为所述混合部的部分。
7.一种ESD保护装置，其特征在于，包括：
绝缘性基板，该绝缘性基板通过将绝缘层进行层叠而构成；
至少两个第一及第二连接导体，该至少两个第一及第二连接导体形成于所述绝缘性基板，并具有导电性；以及
混合部，该混合部形成于所述绝缘性基板，并被配置在所述第一及第二连接导体之间而与所述第一及第二连接导体相连接，该混合部包含以下材料中的至少一种材料的固态组分，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷，
在所述混合部中分散有所述固态组分和因烧成而导致树脂颗粒消失而产生的空隙，
所述绝缘性基板是陶瓷多层基板，
以贯通至少一个所述绝缘层的主面之间的方式，来形成所述第一及第二连接导体，或沿着至少一个所述绝缘层的所述主面，来形成所述第一及第二连接导体，
所述混合部在所述绝缘层的层叠方向的两侧连接有彼此不同的所述连接导体，以使所述连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对，
所述ESD保护装置还包括在所述绝缘层与所述混合部之间延伸的密封层，
所述密封层阻止片材中的固态组分向成为所述混合部的部分移动，
所述ESD保护装置还包括：至少一个第一混合部及至少一个第二混合部；
所述第一及第二连接导体，该第一及第二连接导体分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接；以及
第三连接导体，该第三连接导体与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接，
若第一及第二端子分别与所述第一及第二连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部隔着所述第三连接导体串联电连接在所述第一及第二端子之间。
8.一种ESD保护装置，其特征在于，包括：
绝缘性基板，该绝缘性基板通过将绝缘层进行层叠而构成；
至少两个第一及第二连接导体，该至少两个第一及第二连接导体形成于所述绝缘性基板，并具有导电性；以及
混合部，该混合部形成于所述绝缘性基板，并被配置在所述第一及第二连接导体之间而与所述第一及第二连接导体相连接，该混合部包含以下材料中的至少一种材料的固态组分，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷，
在所述混合部中分散有所述固态组分和因烧成而导致树脂颗粒消失而产生的空隙，
所述绝缘性基板是陶瓷多层基板，
以贯通至少一个所述绝缘层的主面之间的方式，来形成所述第一及第二连接导体，或沿着至少一个所述绝缘层的所述主面，来形成所述第一及第二连接导体，
所述混合部在所述绝缘层的层叠方向的两侧连接有彼此不同的所述连接导体，以使所述连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对，
所述ESD保护装置还包括在所述绝缘层与所述混合部之间延伸的密封层，
所述密封层阻止片材中的固态组分向成为所述混合部的部分移动，
所述ESD保护装置还包括：
至少一个第一混合部及至少一个第二混合部；
所述第一及第二连接导体，该第一及第二连接导体分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接；以及
第三连接导体，该第三连接导体与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接，
若第一、第二及第三端子分别与所述第一、第二及第三连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部并联电连接在所述第一及第二端子和所述第三端子之间。
9.如权利要求7或8所述的ESD保护装置，其特征在于，
所述混合部的所述固态组分包含被具有绝缘性的无机材料被覆的金属材料、以及半导体材料。
10.如权利要求9所述的ESD保护装置，其特征在于，
所述半导体材料是碳化硅或氧化锌。
11.如权利要求7或8所述的ESD保护装置，其特征在于，
在所述绝缘性基板的至少一个所述绝缘层上形成有贯通该绝缘层的主面之间的贯通孔，在该贯通孔内形成有所述混合部。
12.如权利要求7或8所述的ESD保护装置，其特征在于，
在所述绝缘性基板的相邻的所述绝缘层之间，形成有所述混合部。
13.如权利要求7或8所述的ESD保护装置，其特征在于，
所述混合部包含分散的金属材料和半导体材料。
14.如权利要求13所述的ESD保护装置，其特征在于，
所述半导体材料是碳化硅或氧化锌。
15.如权利要求7或8所述的ESD保护装置，其特征在于，
在所述混合部分散有被具有绝缘性的无机材料被覆的金属材料的粒子。
16.一种ESD保护装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一工序，在该第一工序中，准备作为绝缘层的多片片材，在所述片材的至少一片上形成成为第一及第二连接导体的部分、以及成为配置于所述第一及第二连接导体之间并与所述第一及第二连接导体相连接的混合部的部分，将所述片材相互进行层叠来形成层叠体；以及
第二工序，在该第二工序中，通过对所述层叠体进行加热，在将所述绝缘层进行层叠而构成的绝缘性基板上，形成所述第一及第二连接导体和所述混合部，
在所述第一工序中，
使用具有导电性的材料形成作为第一及第二连接导体的部分，
将在所述第二工序中随着加热时的温度上升而消失的空隙形成用材料与包含以下材料中的至少一种材料的固态组分进行混合，使用混合而成的混合部形成用材料，来形成成为所述混合部的部分，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷，
在所述第二工序中形成所述混合部，在所述混合部内分散有：通过成为所述混合部的部分的所述混合部形成用材料中的所述空隙形成用材料随着加热时的温度上升而消失、来形成的空隙；以及所述混合部形成用材料中的所述固态组分，
所述片材是陶瓷生片，
所述绝缘性基板是陶瓷多层基板，
在所述第一工序中，以贯通至少一个所述绝缘层的主面之间的方式，来形成所述第一及第二连接导体，或沿着至少一个所述绝缘层的所述主面，来形成所述第一及第二连接导体，
并在所述第一工序中，以在所述绝缘层的层叠方向的两侧连接有彼此不同的所述连接导体的方式，来形成所述混合部，以使得所述连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对，
所述空隙形成用材料是消失性树脂，
所述消失性树脂是丙烯酸颗粒，
在所述第一工序中，形成在所述片材与成为所述混合部的部分之间延伸的密封层，
在所述第二工序中，所述密封层阻止所述片材中的固态组分向成为所述混合部的部分移动，
在所述第一工序中，所述混合部形成为包含至少一个第一混合部及至少一个第二混合部，
在所述第一工序中，所述第一及第二连接导体分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接，
在所述第一工序中，第三连接导体与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接，
ESD保护装置的制造方法还具有形成第一及第二端子的工序，在形成所述第一及第二端子的工序中，所述第一及第二端子分别与所述第一及第二连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部隔着所述第三连接导体串联电连接在所述第一及第二端子之间，
所述混合部形成于通孔内，所述通孔的直径为50μm～300μm。
17.一种ESD保护装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一工序，在该第一工序中，准备作为绝缘层的多片片材，在所述片材的至少一片上形成成为第一及第二连接导体的部分、以及成为配置于所述第一及第二连接导体之间并与所述第一及第二连接导体相连接的混合部的部分，将所述片材相互进行层叠来形成层叠体；以及
第二工序，在该第二工序中，通过对所述层叠体进行加热，在将所述绝缘层进行层叠而构成的绝缘性基板上，形成所述第一及第二连接导体和所述混合部，
在所述第一工序中，
使用具有导电性的材料形成作为第一及第二连接导体的部分，
将在所述第二工序中随着加热时的温度上升而消失的空隙形成用材料与包含以下材料中的至少一种材料的固态组分进行混合，使用混合而成的混合部形成用材料，来形成成为所述混合部的部分，其中，所述材料包括：(i)金属和半导体；(ii)金属和陶瓷；(iii)金属、半导体和陶瓷；(iv)半导体和陶瓷；(v)半导体；(vi)被无机材料涂覆的金属；(vii)被无机材料涂覆的金属和半导体；(viii)被无机材料涂覆的金属和陶瓷；(ix)被无机材料涂覆的金属、半导体和陶瓷，
在所述第二工序中形成所述混合部，在所述混合部内分散有：通过成为所述混合部的部分的所述混合部形成用材料中的所述空隙形成用材料随着加热时的温度上升而消失、来形成的空隙；以及所述混合部形成用材料中的所述固态组分，
所述片材是陶瓷生片，
所述绝缘性基板是陶瓷多层基板，
在所述第一工序中，以贯通至少一个所述绝缘层的主面之间的方式，来形成所述第一及第二连接导体，或沿着至少一个所述绝缘层的所述主面，来形成所述第一及第二连接导体，
并在所述第一工序中，以在所述绝缘层的层叠方向的两侧连接有彼此不同的所述连接导体的方式，来形成所述混合部，以使得所述连接导体隔着所述混合部在所述层叠方向上相对，
所述空隙形成用材料是消失性树脂，
所述消失性树脂是丙烯酸颗粒，
在所述第一工序中，形成在所述片材与成为所述混合部的部分之间延伸的密封层，
在所述第二工序中，所述密封层阻止所述片材中的固态组分向成为所述混合部的部分移动，
在所述第一工序中，所述混合部形成为包含至少一个第一混合部及至少一个第二混合部，
在所述第一工序中，将所述第一及第二连接导体形成为分别与所述第一混合部的所述层叠方向的一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的一端相连接，
在所述第一工序中，将第三连接导体形成为与所述第一混合部的所述层叠方向的另一端、及所述第二混合部的所述层叠方向的另一端相连接，
ESD保护装置的制造方法还具有形成第一、第二及第三端子的工序，在形成所述第一、第二及第三端子的工序中，若该第一、第二及第三端子分别与所述第一、第二及第三连接导体进行电连接，则所述第一及第二混合部并联电连接在所述第一及第二端子和所述第三端子之间,
所述混合部包含与构成所述绝缘性基板的材料相同的材料。
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