CN102751312B - 一种oled显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED显示器及其制造方法,包括:上基板、阵列基板、多个像素区和多个透光区,所述每个透光区包括:位于阵列基板上的下电极、位于上基板下的上电极、以及位于下电极与上电极之间的PDLC层。本发明通过在像素电极和像素阴极两侧之间形成聚合物分散液晶层(PDLC),可以调节PDLC两侧的ITO电压,实现透明度的调节,由于ITO不适合作为有机发光层阴极,所以采用金属材料作为有机发光层阴极。

Description

一种OLED显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种OLED显示器及其制造方法,尤其是一种透明OLED显示器及其制造方法。
背景技术
有机电激发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于具备自发光,故不需背光源,并由于OLED的对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。由于OLED显示器不需要偏光板,彩膜,且为主动发光显示方式,所以制作的透明OLED显示器具有较高的透明度,透明度可以达到40%以上。
图1为现有的透明OLED的像素结构,每个像素单元包括:上透明基板1、阵列基板2、位于阵列基板2上的开关电路3和TFT器件4、覆盖开关电路2和TFT器件的绝缘层11、像素区13、以及位于像素区13两侧的透光区12。其中,像素区13包括位于上透明基板1下的阴极6、位于阴极6下的发光层7、以及位于绝缘层11上像素电极5,像素电极5与TFT器件4的漏极连接。
像素光线15从发光层7中发出,依序经过像素电极5、绝缘层11、阵列基板2出光,实现画面的正常显示。显示器后方光线14通过透过区12到达显示器的前方,达到透明显示的效果。此种方式显示器透明度较高,但是无法实现透明度的调节。
发明内容
本发明的目的是提供一种透明OLED显示器及其制造方法,实现显示器透明度的调节。
本发明提供一种OLED显示器,包括:上基板、阵列基板、多个像素区和多个透光区,所述每个透光区包括:位于阵列基板上的下电极、位于上基板下的上电极、以及位于下电极与上电极之间的PDLC层。
本发明又提供一种OLED显示器的制造方法,包括:
A):在阵列基板上制作像素电极以及下电极,下电极位于像素电极的两侧;
B):在形成上述图案的阵列基板上制作多个PDLC层;
C):在相邻两PDLC层之间制作发光层;
D):在形成上述图案的阵列基板上形成像素阴极以及PDLC的上电极后,接着贴合上透明基板。
本发明通过在像素电极和像素阴极两侧之间形成聚合物分散液晶层(PDLC),可以调节PDLC两侧的ITO电压,实现透明度的调节,由于ITO不适合作为有机发光层阴极,所以采用由金属材料制成作为有机发光层像素阴极。
通过使用PDLC作为实现透明度的调节,具有如下效果:
1.PDLC为固态光开关,无需扩散板与OLED制程兼容。
2.PDLC层同时起到像素间隔区的作用,防止发光层阴阳极短路。
3.PDLC与金属阴极供给同样电压,防止因制程偏差导致短路。
附图说明
图1为现有透明OLED显示器结构示意图;
图2为本发明第一实施例结构示意图;
图3为形成像素电极和下透明电极示意图;
图4为形成光刻胶示意图;
图5为在光刻胶上形成凹坑示意图;
图6为在凹坑注入PDLC溶液示意图;
图7为UV固化示意图;
图8为光刻胶剥离示意图;
图9为形成发光层示意图;
图10为形成阴极和上透明电极以及上透明基板的示意图;
图11为本发明第二实施例示意图;
图12为本发明第三实施例示意图;
图13为本发明第四实施例示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
聚合物分散液晶,又称为PDLC(Plymer Dpersed Lquid Crystal),PDLC是液晶以微米量级的小微滴分散在有机固态聚合物基体内,由于由液晶分子构成的小微滴的光轴处于自由取向,其折射率与基体的折射率不匹配,当光通过基体时被微滴强烈散射而呈不透明的乳白状态或半透明状态。施加电场可调节液晶微滴的光轴取向,当两者折射率相匹配时,呈现透明态。除去电场,液晶微滴有恢复最初的散光状态,从而进行显示。
图2至图10为本发明的第一实施例的结构示意图。
图2所示为一种OLED透明显示器结构示意图,本OLED透明显示器的每个像素单元包括:上透明基板1、阵列基板、像素区13、以及透光区12。
阵列基板包括位于玻璃基板2上的开关电路3、TFT器件4、以及覆盖开关电路3和TFT器件的绝缘层11。
像素区13包括:与TFT器件4电性连接的像素电极5、位于像素电极5上的发光层、位于发光层7上的像素阴极6,其中发光层为R色层71、或G色层72、或B色层73,其中三个发光层为一个RGB色层单元7。
透光区12包括:下透明电极10、上透明电极8、以及位于下透明电极10与上透明电极8之间的PDLC层9,该PDLC层9均位于相邻两发光层之间。
像素区13与透光区12间隔排列在阵列基板上。
其中,上透明基板1和阵列基板的材料为透明玻璃或透明塑料;像素阴极6和上透明电极8具有相同电位的电压,以防止在制造过程中因制程偏差导致两电极短路。
当透光区12上透明电极9和下透明电极10存在电压差时,OLED显示器处于透明工作状态,显示器后方的光线14经过透光区12到达显示器的前方;当透光区上透明电极9和下透明电极10电压差为0时,OLED显示器处于不透明状态,仅有发光层7发出的光线经过像素电极5、绝缘层11,玻璃基板2出射光线,实现正常画面显示。
以下为上述OLED透明显示器的制造方法如下:
第一步:如图3,用ITO材料在具有开关电路3和TFT器件4的阵列基板上制作像素电极5以及下透明电极10,下透明电极10位于像素电极5的两侧,且像素电极5与下透明电极10均位于阵列基板2的绝缘层11上,且像素电极5与TFT器件4的漏极连接,通过TFT器件4为像素电极5提供电压。
第二步:如图4,在形成上述图案的阵列基板上涂布一层光刻胶16。
第三步:如图5,在形成上述图案的阵列基板上对位于下透明电极10所在上方区域的光刻胶10进行曝光显影;在形成上述图案的阵列基板上,对像素区域进行发光层成膜,并形成透光区第一接触孔17,该第一接触孔17位于绝缘层11的上方,发光层成膜的方式可以采用蒸镀,激光转印,印刷的成膜方式。
第四步:如图6,在第一接触孔17内注入PDLC溶液9。
第五步:如图7,通过紫外光对上述PDLC溶液9进行UV固化形成PDLC9。
第六步:如图8,去除形成上述图案的阵列基板上余下部分光刻胶16。
第七步:如图9,在用蒸镀、或激光转印、或印刷成膜的工艺在形成上述图案的阵列基板2上形成发光层7,其中发光层为R色层71、或G色层72、或B色层73,其中三个发光层为一个RGB色层单元7,该发光层7位于相邻两PDLC层之间。
第九步:如图10,在形成上述图案的阵列基板2上形成由金属材料制成的像素阴极6以及PDLC9的上透明电极8后,接着贴合上透明基板1。像素阴极6与像素电极5对称,上透明电极8与下透明电极10也对称,像素阴极6、像素电极5、上透明电极8、以及下透明电极10均由ITO制造形成。
图11是本发明的第二实施例的结构示意图,与上述第一实施例不同的是:各相邻的发光层之间设有像素限制区11,如R色层71与G色层72之间设有像素限制区11、如位于G色层72与B色层73之间设有像素限制区11、如R色层71与B色层73之间设有像素限制区11,PDLC层9位于RGB色层单元7外侧的像素限制区11外,而不是位于各发光层7之间。
图12是本发明的第三实施例,与上述第一实施例不同的是:像素阴极6上透明电极8均由多层氧化物复合电极材料制成,从而使本透明OLED显示器可以实现双面透明显示。多层氧化物复合电极材料可以为ITO/Au/ITO,ITO/Au/ITO,ZnO/Cu/ZnO等,且多层氧化物复合电极具有较高的透明度。
图13是本发明的第四实施例,与上述第二实施例不同的是:像素阴极6上透明电极8均由多层氧化物复合电极材料制成,从而使本透明OLED显示器可以实现双面透明显示。多层氧化物复合电极材料可以为ITO/Au/ITO,ITO/Au/ITO,ZnO/Cu/ZnO等,且多层氧化物复合电极具有较高的透明度。
本发明通过在像素电极5和像素阴极6两侧之间形成聚合物分散液晶层(PDLC)9,可以调节PDLC两侧的ITO电压,实现透明度的调节,由于ITO不适合作为有机发光层阴极,所以采用由金属材料制成作为有机发光层像素阴极。
通过使用PDLC作为实现透明度的调节,具有如下效果:
1.PDLC为固态光开关,无需扩散板与OLED制程兼容。
2.PDLC层同时起到像素间隔区的作用,防止发光层阴阳极短路。
3.PDLC与金属阴极供给同样电压,防止因制程偏差导致短路。

Claims (1)

1.一种OLED显示器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
A):在阵列基板上制作像素电极以及下电极,下电极位于像素电极的两侧,且像素电极与下电极均位于阵列基板的绝缘层上;
B):在形成图案的阵列基板上制作多个PDLC层;
C):在相邻两PDLC层之间制作发光层;
D):在形成上述图案的阵列基板上形成像素阴极以及PDLC的上电极后,接着贴合上透明基板;其中,所述步骤B)的PDLC层的制作方法如下:
B1):在形成图案的阵列基板上涂布光刻胶;
B2):在形成图案的阵列基板上对像素区域的光刻胶进行曝光显影,该光刻胶位于阵列基本上的下电极所在上方区域,并接着对像素区域进行发光层成膜,并形成透光区第一接触孔,该第一接触孔位于绝缘层的上方,发光层成膜的采用蒸镀、或激光转印、或印刷的成膜方式;
B3):形成图案的阵列基板上余下部分光刻胶;
B4):形成图案的阵列基板上的透光区域注入的第一接触孔内注入PDLC溶液;
B5):上述PDLC溶液进行UV固化,即形成PDLC层;
B6):去除形成图案的阵列基板上余下部分光刻胶。
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