CN102751155A - 束流传输***及其传输方法 - Google Patents

束流传输***及其传输方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102751155A
CN102751155A CN2011101025962A CN201110102596A CN102751155A CN 102751155 A CN102751155 A CN 102751155A CN 2011101025962 A CN2011101025962 A CN 2011101025962A CN 201110102596 A CN201110102596 A CN 201110102596A CN 102751155 A CN102751155 A CN 102751155A
Authority
CN
China
Prior art keywords
shaft
quadrupole magnet
coil
beam transport
mutual corresponding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101025962A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102751155B (zh
Inventor
钱锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kingstone Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
SHANGHAI KAISHITONG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI KAISHITONG SEMICONDUCTOR CO Ltd filed Critical SHANGHAI KAISHITONG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority to CN201110102596.2A priority Critical patent/CN102751155B/zh
Publication of CN102751155A publication Critical patent/CN102751155A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102751155B publication Critical patent/CN102751155B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种束流传输***及其传输方法，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件以及相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状四极磁铁与一第二杆状四极磁铁，其中所述第一杆状四极磁铁和第二杆状四极磁铁分别具有一铁芯，其中沿所述第一杆状四极磁铁的铁芯和第二杆状四极磁铁的铁芯的长度方向，分别设置一个或多个相互独立的线圈，其中分别设置于所述第一杆状四极磁铁与所述第二杆状四极磁铁的铁芯的相同位置上的线圈相互对应，并且所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的各个线圈的电流值均是可调的。本发明的可以更加精确的控制注入的束流的偏转角度以及聚焦或发散，从而提高注入的均匀性和聚焦或发散的精度。

Description

束流传输***及其传输方法
技术领域
本发明涉及一种束流传输***及其传输方法，特别是涉及一种调节束流的偏转角度以及束流聚焦或发散的束流传输***及其传输方法。
背景技术
离子注入是用来把改变导电率的杂质引入半导体晶片的标准技术。所需要的杂质材料在离子源中被离子化，离子被加速成具有规定能量的离子束，而且离子束对准晶片的表面。射束中的高能离子深入半导体材料的主体并且嵌入半导体材料的晶格形成导电率符合需要的区域。
而且使用离子注入法在单晶或多晶硅中掺杂，是制造现代集成电路中使用的一种常规工艺过程。
但是当前在太阳能晶片掺杂领域，使用最多的方法依旧是热扩散掺杂，这种方法虽然生产效率较高，但需要一些后续的工艺作为补充，例如去边等。因而工艺步骤较多，购置设备成本高。另外由于热扩散工艺，不能很精确的控制掺杂离子的剂量和均匀性，所以会导致生产的太阳能晶圆损失一部分太阳能转化效率。所以从半导体工艺的发展历史来看，在太阳能晶片掺杂领域使用离子注入替代热扩散也是必然趋势。
现有的离子束注入***中，大部分都是通过多极结构以及控制工件通过注入离子束的速度来控制注入的剂量的精度。但是这种结构以及注入方法都需要采用软件算法来支持其对注入剂量的精度的控制。因而当需要对注入区域中的一部分进行单独的调节时，现有的离子束注入***是难于调节的，而且无法减小离子束流之间的相互影响对注入剂量的影响。
此外现有的离子束注入***中的多极磁铁或电透镜仅用于控制离子束的发散和聚焦，不具有偏转离子束方向的能力。如果需要进一步调节离子束的偏转，只有进一步地加入偏转电极，从而提高了生产装置的复杂度以及生产的复杂性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中准入不均匀、聚焦或发散效果不理想的缺陷，提供一种束流传输***及其传输方法。通过多线圈的方式，进一步地提高了注入剂量的均匀性以及聚焦和散焦的特性。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：
一种束流传输***，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件以及相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状四极磁铁与一第二杆状四极磁铁，其特点在于，所述第一杆状四极磁铁和第二杆状四极磁铁分别具有一铁芯，其中沿所述第一杆状四极磁铁的铁芯和第二杆状四极磁铁的铁芯的长度方向，分别设置一个或多个相互独立的线圈，其中分别设置于所述第一杆状四极磁铁与所述第二杆状四极磁铁的铁芯的相同位置上的线圈相互对应，并且所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的各个线圈的电流值均是可调的。
较佳地，所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的各个线圈的电流方向均是可调的。
较佳地，所述第一杆状四极磁铁和第二杆状四极磁铁的铁芯长度方向，与束流传输路径方向垂直。
较佳地，所述束流出射装置为一离子束源。
较佳地，所述目标工件为一晶圆。
本发明的另一技术方案为：一种所述的束流传输***的束流传输方法，其特点在于包括以下步骤：
S101、使所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的线圈的电流方向相同，所述束流出射装置发射束流；
S102、通过分别调整所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流相对于束流传输路径的偏转角度；
S103、确定并保持所述相互对应线圈的电流值的和，然后通过分别调节各对相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流的聚焦以及发散；
S104、将经过偏转、聚焦或发散的束流注入目标工件。
较佳地，所述偏转角度与所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和成正比。
较佳地，所述聚焦或发散的角度与各对所述相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差成正比。
本发明的另一技术方案为：一种所述的束流传输***的束流传输方法，其特点在于包括以下步骤：
S201、使所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的线圈的电流方向相反，所述束流出射装置发射束流；
S202、通过分别调整所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流的聚焦以及发散；
S203、确定并保持所述相互对应线圈的电流值的和，然后通过分别调节各对相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流相对于束流传输路径的偏转角度；
S204、将经过偏转、聚焦或发散的束流注入目标工件。
较佳地，所述聚焦或发散的角度与所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和成正比。
较佳地，所述偏转角度与各对所述相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差成正比。
本发明的积极进步效果在于：
本发明的束流传输***通过在杆状四级磁铁中采用多线圈方式，可以更加精确的控制注入的束流的偏转角度以及聚焦或发散，从而提高注入的均匀性，提高聚焦或发散的精度和效果。
附图说明
图1为本发明的束流传输***的较佳实施例的侧视图。
图2为本发明的束流传输***的较佳实施例的俯视图。
图3为本发明的束流传输***的较佳实施例中线圈电流同向的束流传输方法的流程图。
图4为本发明的束流传输***的较佳实施例中线圈电流反向的束流传输方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
图1和图2所示的束流传输***中包括一束流出射装置1、一晶圆2、以及两个杆状四极磁铁3和4。
本实施例中所述束流出射装置1出射的束流在束流传输路径上经过传输之后，最终按照预设的强度分布和角度分布要求到达晶圆2处，从而对晶圆2完成加工制程。该束流出射装置1可以为一离子源，相应地，传输的束流则可以为离子束，所述晶圆2作为目标工件，所述目标工件还可以是其他接收离子束的部件。本发明在所述束流出射装置1和所述晶圆2之间设有一对相互平行的、分别位于束流传输路径两侧的杆状四极磁铁3和4。
本实施例中所述杆状四极磁铁3和4的铁芯长度方向与束流传输路径方向垂直，此外还可以根据实际生产需要等，使得所述铁芯长度方向与束流传输路径方向成一角度。
所述杆状四极磁铁3和4均由杆状铁芯以及绕于铁芯上的5个电磁线圈构成，其中所述杆状铁芯可以为长方体，或者在铁芯的长度方向上具有一定弧度的近似长方体，或者铁芯的横截面也可以呈近似矩形，在杆状铁芯不是标准长方体的情况下，设置于束流传输路径两侧的所述杆状四极磁铁3和4仍然需要保持形状对称。上述各种衍生类型的四极磁铁组均能够实现相同的聚焦或散焦以及偏转效应。
此外沿所述杆状四极磁铁3和4的铁芯的长度方向，分别设置5个相互独立的线圈，其中分别设置于所述杆状四极磁铁3与所述杆状四极磁铁4的铁芯的相同位置上的线圈相互对应，从而分别设置于所述杆状四极磁铁3与所述杆状四极磁铁4上相同位置的线圈构成一对相互对应的线圈。
而且所述分别设置于杆状四极磁铁3和4的线圈的数量可以是任意的，例如1对线圈或7对线圈等，从而可以满足不同束流注入均匀性和精度的要求。
本实施例中分别设置于所述杆状四极磁铁3和4上的所述线圈的电流值是可以调节的，从而可以通过改变线圈的电流改变束流相对于束流传输路径的偏转角度以及束流的聚焦或发散的角度。即通过调节线圈的电流值，调节如图1所示的束流的偏转角度θ以及沿如图2中所示箭头方向A对束流进行发散或聚焦的调节。
此外所述分别设置于所述杆状四极磁铁3和4上的所述线圈的电流方向也是可以调节的，如图1所示杆状四极磁铁3的5个线圈为逆时针方向，杆状四极磁铁4的5个线圈为顺时针方向，所述分别设置于杆状四极磁铁3和4上的5个线圈的电流方向可为任意的顺时针或逆时针方向，从而可以进一步地改变束流相对于束流传输路径的偏转角度以及束流的聚焦或发散的角度。
本实施例中所述杆状四极磁铁3和4上的线圈的电流值及其电流方向都是独立可调的，从而可以分别控制经过各对线圈的束流的偏转以及聚焦或发散的角度，从而更加精确的控制注入的束流的偏转角度以及束流的聚焦或发散，从而提高注入的均匀性，提高聚焦或发散的精度和效果。
本实施例的束流传输***的工作原理如下：
1、当所述束流传输***中，使得分别设置于所述杆状四极磁铁3和4上的所述线圈的电流方向相同时，例如，所有线圈的电流方向为顺时针方向或逆时针方向，所述束流传输***的束流传输方法如图3所示，其中包括以下步骤：
步骤101，使所述杆状四极磁铁3和4上的线圈的电流方向相同，所述束流出射装置1发射束流。
步骤102，分别调整所述杆状四极磁铁3和4中各对相互对应线圈的电流值的和来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流相对于束流传输路径的偏转角度。
本实施例中，当所述杆状四极磁铁3和4上的线圈的电流方向相同时，所述偏转角度θ的大小与各对所述杆状四极磁铁3和4上相互对应线圈的电流值的和成正比。
步骤103，确定并保持各对相互对应线圈的电流值的和，然后通过分别调节各对相互对应线圈中位于所述杆状四极磁铁3的线圈和位于杆状四极磁铁4的线圈上的电流值的差来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流的聚焦以及发散的角度。
本实施例中，由于所述杆状四极磁铁3和4上的线圈的电流方向相同，所述沿箭头方向A进行聚焦或发散的角度与各对所述相互对应线圈中位于所述杆状四极磁铁3的线圈和位于杆状四极磁铁4的线圈的电流值的差成正比。
步骤104，将经过偏转、聚焦或发散的束流注入晶圆2。
2、当所述束流传输***中，使得分别设置于所述杆状四极磁铁3和4上的5个线圈的电流方向相反时，例如杆状四极磁铁3的线圈电流方向为顺时针方向，所述杆状四极磁铁4的线圈电流方向为逆时针方向等，所述束流传输***的束流传输方法如图4所示，其中包括以下步骤：
步骤201，使所述杆状四极磁铁3和4上的线圈的电流方向相反，所述束流出射装置1发射束流。
步骤202，通过分别调整所述杆状四极磁铁3和4中各对相互对应线圈的电流值的和来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流的聚焦以及发散的角度。
本实施例中，由于所述杆状四极磁铁3和4上的线圈的电流方向相反，所述沿箭头方向A进行聚焦或发散的角度与各对所述相互对应线圈中位于所述杆状四极磁铁3的线圈和位于杆状四极磁铁4的线圈的电流值的和成正比。
步骤203，确定并保持各对相互对应线圈的电流值的和，然后通过分别调节各对相互对应线圈中位于所述杆状四极磁铁3的线圈和位于杆状四极磁铁4上的线圈的电流值的差来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流相对于束流传输路径的偏转角度。
本实施例中，由于所述杆状四极磁铁3和4上的线圈的电流方向相反，所述偏转角度θ的大小与各对所述相互对应线圈中位于所述杆状四极磁铁的线圈3和位于杆状四极磁铁4上的线圈的电流值的差成正比。
步骤204，将经过偏转、聚焦或发散的束流注入晶圆2。
综上所述，本发明的束流传输***通过在杆状四级磁铁中采用多线圈方式，可以更加精确的控制注入的束流的偏转角度以及聚焦或发散，从而提高注入的均匀性，提高聚焦或发散的精度和效果。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种束流传输***，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件以及相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状四极磁铁与一第二杆状四极磁铁，其特征在于，所述第一杆状四极磁铁和第二杆状四极磁铁分别具有一铁芯，其中沿所述第一杆状四极磁铁的铁芯和第二杆状四极磁铁的铁芯的长度方向，分别设置一个或多个相互独立的线圈，其中分别设置于所述第一杆状四极磁铁与所述第二杆状四极磁铁的铁芯的相同位置上的线圈相互对应，并且所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的各个线圈的电流值均是可调的。
2.如权利要求1所述的束流传输***，其特征在于，所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的各个线圈的电流方向均是可调的。
3.如权利要求1或2所述的束流传输***，其特征在于，所述第一杆状四极磁铁和第二杆状四极磁铁的铁芯长度方向与束流传输路径方向垂直。
4.如权利要求1所述的束流传输***，其特征在于，所述束流出射装置为一离子束源。
5.如权利要求4所述的束流传输***，其特征在于，所述目标工件为一晶圆。
6.一种如权利要求2所述的束流传输***的束流传输方法，其特征在于包括以下步骤：
S101、使所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的线圈的电流方向相同，所述束流出射装置发射束流；
S102、通过分别调整所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流相对于束流传输路径的偏转角度；
S103、确定并保持所述相互对应线圈的电流值的和，然后通过分别调节各对相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流的聚焦以及发散；
S104、将经过偏转、聚焦或发散的束流注入目标工件。
7.如权利要求6所述的束流传输方法，其特征在于，所述偏转角度与所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和成正比。
8.如权利要求6或7所述的束流传输方法，其特征在于，所述聚焦或发散的角度与各对所述相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差成正比。
9.一种如权利要求2所述的束流传输***的束流传输方法，其特征在于包括以下步骤：
S201、使所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的线圈的电流方向相反，所述束流出射装置发射束流；
S202、通过分别调整所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流的聚焦以及发散；
S203、确定并保持所述相互对应线圈的电流值的和，然后通过分别调节各对相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差来调节通过所述相互对应线圈所在平面的束流相对于束流传输路径的偏转角度；
S204、将经过偏转、聚焦或发散的束流注入目标工件。
10.如权利要求9所述的束流传输方法，其特征在于，所述聚焦或发散的角度与所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁上各对相互对应线圈的电流值的和成正比。
11.如权利要求9或10所述的束流传输方法，其特征在于，所述偏转角度与各对所述相互对应线圈中位于所述第一杆状四极磁铁的线圈和位于第二杆状四极磁铁的线圈的电流值的差成正比。
CN201110102596.2A 2011-04-22 2011-04-22 束流传输***及其传输方法 Active CN102751155B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110102596.2A CN102751155B (zh) 2011-04-22 2011-04-22 束流传输***及其传输方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110102596.2A CN102751155B (zh) 2011-04-22 2011-04-22 束流传输***及其传输方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102751155A true CN102751155A (zh) 2012-10-24
CN102751155B CN102751155B (zh) 2015-02-11

Family

ID=47031245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110102596.2A Active CN102751155B (zh) 2011-04-22 2011-04-22 束流传输***及其传输方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102751155B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102791073A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 上海凯世通半导体有限公司 束流传输***及其传输方法
CN103811251A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 北京中科信电子装备有限公司 一种离子注入***中束流均匀性调节装置
CN104914119A (zh) * 2015-06-15 2015-09-16 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种匹配束流为平行束的带电粒子照相装置
CN110234197A (zh) * 2019-06-11 2019-09-13 合肥工业大学 一种适用于粒子医疗输运技术的高温超导四极磁体结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335219A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法及び装置
US5530251A (en) * 1994-12-21 1996-06-25 International Business Machines Corporation Inductively coupled dual-stage magnetic deflection yoke
EP0926699A1 (en) * 1997-10-22 1999-06-30 Nissin Electric Co., Ltd. Method and apparatus for deflecting charged particles
CN1806309A (zh) * 2003-06-13 2006-07-19 艾克塞利斯技术公司 用于离子注入***的混合型磁性/静电偏转器
CN102024656A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 上海凯世通半导体有限公司 在离子束引出后改善束流流强分布的***和方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335219A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法及び装置
US5530251A (en) * 1994-12-21 1996-06-25 International Business Machines Corporation Inductively coupled dual-stage magnetic deflection yoke
EP0926699A1 (en) * 1997-10-22 1999-06-30 Nissin Electric Co., Ltd. Method and apparatus for deflecting charged particles
CN1806309A (zh) * 2003-06-13 2006-07-19 艾克塞利斯技术公司 用于离子注入***的混合型磁性/静电偏转器
CN102024656A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 上海凯世通半导体有限公司 在离子束引出后改善束流流强分布的***和方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102791073A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 上海凯世通半导体有限公司 束流传输***及其传输方法
CN103811251A (zh) * 2012-11-08 2014-05-21 北京中科信电子装备有限公司 一种离子注入***中束流均匀性调节装置
CN104914119A (zh) * 2015-06-15 2015-09-16 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种匹配束流为平行束的带电粒子照相装置
CN104914119B (zh) * 2015-06-15 2017-10-27 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种匹配束流为平行束的带电粒子照相装置
CN110234197A (zh) * 2019-06-11 2019-09-13 合肥工业大学 一种适用于粒子医疗输运技术的高温超导四极磁体结构
CN110234197B (zh) * 2019-06-11 2021-05-25 合肥工业大学 一种适用于粒子医疗输运技术的高温超导四极磁体结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN102751155B (zh) 2015-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8552404B2 (en) Ion implantation method and ion implantation apparatus
CN102110570B (zh) 用于改变带状离子束的方法及设备
KR20070004052A (ko) 연속 이온 비임의 전류 균일성을 조절 및 제어하기 위한전자기 조절기 조립체
CN102751155B (zh) 束流传输***及其传输方法
JP2012513089A (ja) 走査型フィールド効果が軽減されたイオン注入
JP5818168B2 (ja) 四重極レンズ、システムおよび方法
US20070176123A1 (en) Ion implanter having a superconducting magnet
CN102479654B (zh) 离子注入设备及方法
CN102102189B (zh) 离子注入***及改善束流流强和角度分布的方法
CN102201321B (zh) 离子注入***及方法
CN102194637B (zh) 离子注入***及方法
CN102791073A (zh) 束流传输***及其传输方法
CN102110568B (zh) 束流传输***及方法
CN102315065B (zh) 束流传输***及方法
CN102856147B (zh) 束流传输***及其束流传输方法
KR101401278B1 (ko) 이온주입장치
CN105185683B (zh) 使用较宽离子束的较低剂量离子注入
TW201442056A (zh) 離子源與離子植入系統
CN102891207A (zh) 用于太阳能晶片掺杂的束流传输***
KR20110120186A (ko) 빔 전류 밀도 분포의 조정 목표 설정 방법 및 이온 주입 장치
US9818574B2 (en) Beam transmission system and method thereof
Bailey et al. Magnet Design for the Diamond DDBA Lattice Upgrade
JP2023008929A (ja) イオン注入システムにおけるリボンビーム角度調整
CN103187233A (zh) 一种多磁极束流聚焦调节装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 201203 Shanghai City Newton Road, Zhangjiang High Tech Park of Pudong New Area No. 200 Building No. 7, No. 1

Patentee after: KINGSTONE SEMICONDUCTOR COMPANY LTD.

Address before: 201203 Shanghai City Newton Road, Zhangjiang High Tech Park of Pudong New Area No. 200 Building No. 7, No. 1

Patentee before: Shanghai Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.