CN102728582A - 一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法 - Google Patents
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201210232540.3A CN102728582B (zh) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201210232540.3A CN102728582B (zh) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102728582A true CN102728582A (zh) | 2012-10-17 |
CN102728582B CN102728582B (zh) | 2014-03-05 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210232540.3A Active CN102728582B (zh) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN102728582B (zh) |
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CN102728582B (zh) | 2014-03-05 |
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C06 | Publication | ||
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