CN102709435B - 一种取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法 - Google Patents
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210176155.1A CN102709435B (zh) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | 一种取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102709435A CN102709435A (zh) | 2012-10-03 |
CN102709435B true CN102709435B (zh) | 2015-10-28 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210176155.1A Expired - Fee Related CN102709435B (zh) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | 一种取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102709435B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109285925B (zh) * | 2018-10-18 | 2024-02-02 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种全彩显像led芯片及其制作方法 |
CN109950373A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-06-28 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种用于降低led晶圆曲翘度的工艺制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN101740693A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-06-16 | 武汉华灿光电有限公司 | 一种降低ⅲ族氮化物发光二极管光衰的方法 |
CN102208499A (zh) * | 2011-05-12 | 2011-10-05 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 白光led芯片制作工艺及其产品 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101859852B (zh) * | 2010-05-13 | 2011-09-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺 |
-
2012
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102208499A (zh) * | 2011-05-12 | 2011-10-05 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 白光led芯片制作工艺及其产品 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN102709435A (zh) | 2012-10-03 |
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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