CN102709388A - 一种实现太阳能电池选择性发射极的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法,具有以下步骤:(1)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上生长一层SiO2阻挡层;(2)压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域;(3)压紧装置内通入HF气体,HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体;(4)将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散,(5)清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散。本发明采用气体刻蚀,减少浆料使用,大大节约成本,气体刻蚀后不用清洗工艺,直接进行重扩散,减少工序,提高良率,减少成本操作流程简单,生产成本低。
Description
技术领域
本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。
背景技术
传统的太阳能电池选择性发射极进行重扩散时,需要制作掩膜,然后采用一些浆料腐蚀掩膜部分,再对腐蚀浆料进行清洗等多重工艺步骤,步骤繁琐且工艺成本投入较大,清洗亦不彻底。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种实现选择性发射极工艺的方法,操作简单,生产成本低,能够有效腐蚀阻挡层。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种实现太阳能电池选择性发射极的方法,具有以下步骤:
(1)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层;
(2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域;
(3)压紧装置内通入HF气体,HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体;
(4)取走压紧装置,将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散,电池栅线区域形成高掺杂深扩散区,电池非栅线区域为SiO2阻挡层;
步骤(4)中,太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为0~60ohm/sq。
(5)清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散,电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。
步骤(5)中,太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60~200ohm/sq。
本发明的有益效果是:本发明相对于常规工艺需要增加一台可通HF气体同时具备抽气功能的气体刻蚀机,但是对于常规工艺所需的浆料涂覆机及清洗机则不需要,电池栅线区域由于HF的腐蚀作用,电池删线区域形成高掺杂深扩散区,非栅线区域由于SiO2阻挡层的作用因此形成轻掺杂浅扩散区,这样太阳能电池片形成选择性发射极。
本发明采用气体刻蚀,减少浆料使用,大大节约成本,气体刻蚀后不用清洗工艺,直接进行重扩散,减少工序,提高良率,减少成本操作流程简单,生产成本低,而且太阳能电池能够形成选择性发射极,提高太阳能电池的光电转换效率。
具体实施方式
一种实现太阳能电池选择性发射极的方法,具有以下步骤:
(1)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层。
(2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域。
(3)压紧装置内通入HF气体,HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体。
(4)取走压紧装置,将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散,电池栅线区域形成高掺杂深扩散区,电池非栅线区域为SiO2阻挡层。太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为0~60ohm/sq。
(5)采用0-50%HF溶液浸泡清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散,电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区,太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60~200ohm/sq。
本发明相对于常规工艺需要增加一台可通HF气体同时具备抽气功能的气体刻蚀机,但是对于常规工艺所需的浆料涂覆机及清洗机则不需要,电池栅线区域由于HF的腐蚀作用,电池栅线区域形成高掺杂深扩散区,非栅线区域由于SiO2阻挡层的作用因此形成轻掺杂浅扩散区,这样太阳能电池片形成选择性发射极。
本发明采用气体刻蚀,减少浆料使用,大大节约成本,气体刻蚀后不用清洗工艺,直接进行重扩散,减少工序,提高良率,减少成本操作流程简单,生产成本低,而且太阳能电池能够形成选择性发射极,提高太阳能电池的光电转换效率。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (3)
1.一种实现太阳能电池选择性发射极的方法,其特征在于:具有以下步骤:
(1)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层;
(2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域;
(3)压紧装置内通入HF气体,HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体;
(4)取走压紧装置,将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散,电池栅线区域形成高掺杂深扩散区,电池非栅线区域为SiO2阻挡层;
(5)清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散,电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。
2.根据权利要求1所述的一种实现太阳能电池选择性发射极的方法,其特征在于:步骤(4)中,太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为0~60ohm/sq。
3.根据权利要求1所述的一种实现太阳能电池选择性发射极的方法,其特征在于:步骤(5)中,太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60~200ohm/sq。
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CN2012101418078A CN102709388A (zh) | 2012-05-08 | 2012-05-08 | 一种实现太阳能电池选择性发射极的方法 |
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US20080090341A1 (en) * | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, and etching apparatus |
CN101587919A (zh) * | 2009-04-02 | 2009-11-25 | 常州天合光能有限公司 | 晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法 |
CN101950780A (zh) * | 2010-09-09 | 2011-01-19 | 浙江百力达太阳能有限公司 | 选择性发射极太阳电池的制备方法 |
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