CN102709388A - 一种实现太阳能电池选择性发射极的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，具有以下步骤：（1）太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上生长一层SiO2阻挡层；（2）压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；（3）压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；（4）将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，（5）清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散。本发明采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大节约成本，气体刻蚀后不用清洗工艺，直接进行重扩散，减少工序，提高良率，减少成本操作流程简单，生产成本低。

Description

一种实现太阳能电池选择性发射极的方法
技术领域
本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。
背景技术
传统的太阳能电池选择性发射极进行重扩散时，需要制作掩膜，然后采用一些浆料腐蚀掩膜部分，再对腐蚀浆料进行清洗等多重工艺步骤，步骤繁琐且工艺成本投入较大，清洗亦不彻底。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种实现选择性发射极工艺的方法，操作简单，生产成本低，能够有效腐蚀阻挡层。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，具有以下步骤：
（1）太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层；
（2）将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；
（3）压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；
（4）取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层；
步骤（4）中，太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为0～60ohm/sq。
（5）清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。
步骤（5）中，太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60～200ohm/sq。
本发明的有益效果是：本发明相对于常规工艺需要增加一台可通HF气体同时具备抽气功能的气体刻蚀机，但是对于常规工艺所需的浆料涂覆机及清洗机则不需要，电池栅线区域由于HF的腐蚀作用，电池删线区域形成高掺杂深扩散区，非栅线区域由于SiO2阻挡层的作用因此形成轻掺杂浅扩散区，这样太阳能电池片形成选择性发射极。
本发明采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大节约成本，气体刻蚀后不用清洗工艺，直接进行重扩散，减少工序，提高良率，减少成本操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高太阳能电池的光电转换效率。
具体实施方式
一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，具有以下步骤：
（1）太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层。
（2）将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域。
（3）压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体。
（4）取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层。太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为0～60ohm/sq。
（5）采用0-50%HF溶液浸泡清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区，太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60～200ohm/sq。
本发明相对于常规工艺需要增加一台可通HF气体同时具备抽气功能的气体刻蚀机，但是对于常规工艺所需的浆料涂覆机及清洗机则不需要，电池栅线区域由于HF的腐蚀作用，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，非栅线区域由于SiO2阻挡层的作用因此形成轻掺杂浅扩散区，这样太阳能电池片形成选择性发射极。
本发明采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大节约成本，气体刻蚀后不用清洗工艺，直接进行重扩散，减少工序，提高良率，减少成本操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高太阳能电池的光电转换效率。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (3)

1.一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于：具有以下步骤：
（1）太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层；
（2）将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；
（3）压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；
（4）取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层；
（5）清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。
2.根据权利要求1所述的一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于：步骤（4）中，太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为0～60ohm/sq。
3.根据权利要求1所述的一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于：步骤（5）中，太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60～200ohm/sq。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080090341A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, and etching apparatus
CN101587919A (zh) * 2009-04-02 2009-11-25 常州天合光能有限公司 晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法
CN101950780A (zh) * 2010-09-09 2011-01-19 浙江百力达太阳能有限公司 选择性发射极太阳电池的制备方法

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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