CN102703861A - 一种陶瓷白薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种陶瓷白薄膜的制备方法,其步骤包括:将白色塑胶基材喷涂UV漆;烘烤及固化;将白色塑胶基材进行离子轰击处理以增强塑胶基材的表面活性;在UV底层表面通过真空磁控溅射镀膜方式依次镀硬化层、过渡层、装饰层。本发明的陶瓷白薄膜的制备方法,对白色塑胶处理以后,可以得到陶瓷白的外观效果,既坚固又不易摔坏,美观耐用,极好地满足了电子消费产品的外观需。
Description
技术领域
本发明属于塑胶材料表面处理技术领域,尤其涉及一种镀覆于塑胶材表面的陶瓷白薄膜的制备方法。
背景技术
随着电子消费水平的不断提高,个性化、时尚化的追求,陶瓷外观材料开始出现在手机等电子消费领域,但是由于陶瓷本身的碎性,直接使用陶瓷作为外观结构件容易摔坏。因此,在塑胶等表面制备特殊薄膜,使其既能满足其陶瓷外观的装饰效果,又具有坚固性,不易摔坏的优良特性。
发明内容
为了克服上述所指的现有技术中的不足之处,本发明提供一种简单可靠、操作方便、品质优异的陶瓷白薄膜的制备方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种陶瓷白薄膜的制备方法,包括步骤:
步骤1,在白色塑胶基材表面喷涂由UV底漆形成的UV底层,将白色塑胶基材放到涂装机的自动线上进行自动化喷涂;
步骤2,烘烤及固化,将完成喷涂的白色塑胶基材放入烤箱烘烤,再将完成烘烤的产品过UV炉固化;
步骤3,将UV固化后的白色塑胶基材进行离子轰击处理;
步骤4,在UV底层外镀由二氧化硅形成的硬化层,开启硅靶电源,打开硅靶电源的同时通入氧气和氩气;
步骤5,在硬化层外镀由硅钛或硅锆等混合氧化物形成的过渡层,其中,硅钛或硅锆质量比为8∶2,打开靶电源的同时通入氧气和氩气;
步骤6,在过渡层外镀由氧化钛、氧化锆、五氧化二钽或五氧化二铌形成的装饰层,打开靶电源的同时通入氧气和氩气。
所述步骤1中喷涂室温为10℃-35℃,湿度为30%-80%,UV漆粘度为7.8-8.2秒,喷枪气压为2.0-3.5公斤/平方厘米。
所述步骤2中的烤箱温度为40-50℃,烤箱时间5-10分钟。
所述步骤3中真空室的真空度为1.5-2.5帕,离子轰击电源***电流为5安,脉冲方波的占空比为50%-75%,在频率40Hz的条件下进行等离子处理时间为10-20分钟。
所述步骤4中硅靶电源电流为15-25安,氧气流量为250-400标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟,硬化层镀膜时间分别为5-10分钟,膜层厚度为90-110纳米。
所述步骤5中硅靶电源电流为20-30安,钛靶或锆靶电流为15-20安,所述氧气流量为250-400标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟,过渡层镀膜时间分别为15-30分钟,膜层厚度为400-600纳米。
所述步骤6中靶电源电流为15-25安,氧气流量为200-350标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟,装饰层的镀膜时间为20-35分钟,膜层厚度为400-600纳米。
所述白色塑胶基材是指PC、PMMA或PET。
该陶瓷白薄膜的制备方法基于以下条件:UV炉能量为800-1000mj/cm2,配置有离子轰击电源***、溅射电源***、靶材和接入真空室的供气***的真空磁控溅射镀膜机,白色塑胶基材置于真空度为大于1.0×10-2帕的真空室。
与现有技术相比,本发明的陶瓷白薄膜是通过喷涂及真空磁控溅射镀膜的方法制备,通过对白色塑胶基材进行离子轰击处理以增强白色塑胶基材的表面活性,依次沉积各层薄膜,在薄膜沉积过程中,通过镀膜参数的控制,获得成分均匀的、从里到外成分连续变化的梯度薄膜或者成分交替变化的多层复合薄膜。本发明的复合薄膜及制备方法,对白色塑胶处理以后,可以得到陶瓷白的外观效果,既坚固又不易摔坏,美观耐用,极好地满足了电子消费产品的外观需求。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,下面对本发明作进一步的描述。
一种陶瓷白薄膜的制备方法,包括步骤:
步骤1,在白色塑胶基材表面喷涂由UV底漆形成的UV底层,在室温为10℃-35℃、湿度为30%-80%的环境下,将白色塑胶基材放到涂装机的自动线上进行自动化喷涂;
步骤2,烘烤及固化,将完成喷涂的白色塑胶基材放入烤箱烘烤,烤箱温度为40-50℃,烤箱时间5-10分钟,再将完成烘烤的产品过UV炉固化;
步骤3,将UV固化后的白色塑胶基材进行离子轰击处理;
步骤4,在UV底层外镀由二氧化硅形成的硬化层,开启硅靶电源,硅靶电源电流为15-25安,打开硅靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量为250-400标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟;
步骤5,在硬化层外镀由硅钛或硅锆等混合氧化物形成的过渡层,其中,硅钛或硅锆质量比为8∶2,硅靶电源电流为20-30安,钛靶或锆靶电流为15-20安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量为250-400标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟;
步骤6,在过渡层外镀由氧化钛、氧化锆、五氧化二钽或五氧化二铌形成的装饰层,靶电源电流为15-25安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量为200到350标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟。
所述步骤1中UV漆粘度为7.8-8.2秒,喷枪气压为2.0-3.5公斤/平方厘米。
所述步骤3中真空室的真空度为1.5-2.5帕,离子轰击电源***电流为5安,脉冲方波的占空比为50%-75%,在频率40Hz的条件下进行等离子处理时间为10-20分钟。
所述步骤4中硬化层镀膜时间分别为5-10分钟,膜层厚度为90-110纳米。
所述步骤5中的过渡层镀膜时间分别为15-30分钟,膜层厚度为400-600纳米。
所述所述步骤6中装饰层的镀膜时间为20到35分钟,膜层厚度为400-600纳米。
所述白色塑胶基材是指PC(聚碳酸酯,Polycarbonate的缩写)、PMMA(即聚甲基丙烯酸甲酯,俗称有机玻璃)或PET(即聚对苯二甲酸类塑料,英文Polyethylene terephthalate的缩写)。
所述陶瓷白薄膜的制备方法基于以下条件:UV炉能量为800-1000mj/cm2,配置有离子轰击电源***、溅射电源***、靶材和接入真空室的供气***的真空磁控溅射镀膜机,白色塑胶基材置于真空度大于1.0×10-2帕的真空室。
与现有技术相比,本发明的陶瓷白薄膜是通过喷涂及真空磁控溅射镀膜的方法制备,通过对白色塑胶基材进行离子轰击处理以增强白色塑胶基材的表面活性,依次沉积各层薄膜,在薄膜沉积过程中,通过镀膜参数的控制,获得成分均匀的、从里到外成分连续变化的梯度薄膜或者成分交替变化的多层复合薄膜。为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
本实施例在制备陶瓷白薄膜时,该制备方法基于以下条件,UV底漆涂装机、烤箱、UV炉以及真空磁控溅射镀膜机,UV炉能量为800mj/cm2,镀膜机配置有离子轰击电源***、溅射电源***、靶材和接入真空室的溅射气体和反应气体的供气***,溅射气体为氩气,反应气体为氧气,塑胶基材置于真空室,且真空室的真空度为大于1.0×10-2帕,包括步骤:
步骤1,在白色塑胶基材表面喷涂由UV底漆形成的UV底层,在室温为10℃、湿度为30%的环境下,将白色塑胶基材放到涂装机的自动线上进行自动化喷涂;
步骤2,烘烤及固化,将完成喷涂的白色塑胶基材放入烤箱烘烤,烤箱温度为40℃,烤箱时间5分钟,再将完成烘烤的产品过UV炉固化;
步骤3,将UV固化后的白色塑胶基材进行离子轰击处理;
步骤4,在UV底层外镀由二氧化硅形成的硬化层,开启硅靶电源,硅靶电源电流调在15安,打开硅靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在250标准毫升/分钟,氩气流量为250标准毫升/分钟;
步骤5,在硬化层外镀由硅钛或硅锆等混合氧化物形成的过渡层,其中,硅钛或硅锆质量比为8∶2,硅靶电源电流为20安,钛靶或锆靶电流为15安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在250标准毫升/分钟,氩气流量为250标准毫升/分钟;
步骤6,在过渡层外镀由氧化钛、氧化锆、五氧化二钽或五氧化二铌形成的装饰层,靶电源电流为15安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在200标准毫升/分钟,氩气流量为250标准毫升/分钟。
所述步骤1中UV漆粘度为7.8秒,喷枪气压为2.0公斤/平方厘米。
所述步骤3中真空室的真空度为1.5帕,离子轰击电源***电流为5安,脉冲方波的占空比为50%,在频率40Hz的条件下进行等离子处理时间为10分钟。
所述步骤4中硬化层镀膜时间分别为5分钟,膜层厚度均为90纳米;步骤5中的过渡层镀膜时间分别为15分钟,膜层厚度均为400纳米;所述步骤6中装饰层的镀膜时间为20分钟,膜层厚度均为400纳米。
所述白色塑胶基材是指PC(聚碳酸酯,Polycarbonate的缩写)。
实施例2
本实施例在制备陶瓷白薄膜时,该制备方法基于以下条件,UV底漆涂装机、烤箱、UV炉以及真空磁控溅射镀膜机,UV炉能量为900mj/cm2,镀膜机配置有离子轰击电源***、溅射电源***、靶材和接入真空室的溅射气体和反应气体的供气***,溅射气体为氩气,反应气体为氧气,塑胶基材置于真空室,且真空室的真空度为大于1.0×10-2帕,包括步骤:
步骤1,在白色塑胶基材表面喷涂由UV底漆形成的UV底层,在室温为25℃、湿度为60%的环境下,将白色塑胶基材放到涂装机的自动线上进行自动化喷涂;
步骤2,烘烤及固化,将完成喷涂的白色塑胶基材放入烤箱烘烤,烤箱温度为45℃,烤箱时间7分钟,再将完成烘烤的产品过UV炉固化;
步骤3,将UV固化后的白色塑胶基材进行离子轰击处理;
步骤4,在UV底层外镀由二氧化硅形成的硬化层,开启硅靶电源,硅靶电源电流调在20安,打开硅靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在350标准毫升/分钟,氩气流量为300标准毫升/分钟;
步骤5,在硬化层外镀由硅钛或硅锆等混合氧化物形成的过渡层,其中,硅钛或硅锆质量比为8∶2,硅靶电源电流为25安,钛靶或锆靶电流为18安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在350标准毫升/分钟,氩气流量为300标准毫升/分钟;
步骤6,在过渡层外镀由氧化钛、氧化锆、五氧化二钽或五氧化二铌形成的装饰层,靶电源电流为20安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在350标准毫升/分钟,氩气流量为300标准毫升/分钟。
所述步骤1中UV漆粘度为8.0秒,喷枪气压为3.0公斤/平方厘米。
所述步骤3中真空室的真空度为2.0帕,离子轰击电源***电流为5安,脉冲方波的占空比为60%,在频率40Hz的条件下进行等离子处理时间为15分钟。
所述步骤4中硬化层镀膜时间分别为8分钟,膜层厚度均为100纳米;步骤5中的过渡层镀膜时间分别为20分钟,膜层厚度均为500纳米;所述步骤6中装饰层的镀膜时间为30分钟,膜层厚度均为500纳米。
所述白色塑胶基材是指PET(即聚对苯二甲酸类塑料,英文Polyethylene terephthalate的缩写)。
实施例3
本实施例在制备陶瓷白薄膜时,该制备方法基于以下条件,UV底漆涂装机、烤箱、UV炉以及真空磁控溅射镀膜机,UV炉能量为1000mj/cm2,镀膜机配置有离子轰击电源***、溅射电源***、靶材和接入真空室的溅射气体和反应气体的供气***,溅射气体为氩气,反应气体为氧气,塑胶基材置于真空室,且真空室的真空度为大于1.0×10-2帕,其步骤包括:
步骤1,在白色塑胶基材表面喷涂由UV底漆形成的UV底层,在室温为35℃、湿度为80%的环境下,将白色塑胶基材放到涂装机的自动线上进行自动化喷涂;
步骤2,烘烤及固化,将完成喷涂的白色塑胶基材放入烤箱烘烤,烤箱温度为50℃,烤箱时间10分钟,再将完成烘烤的产品过UV炉固化;
步骤3,将UV固化后的白色塑胶基材进行离子轰击处理;
步骤4,在UV底层外镀由二氧化硅形成的硬化层,开启硅靶电源,硅靶电源电流调在25安,打开硅靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在400标准毫升/分钟,氩气流量为350标准毫升/分钟;
步骤5,在硬化层外镀由硅钛或硅锆等混合氧化物形成的过渡层,其中,硅钛或硅锆质量比为8∶2,硅靶电源电流为30安,钛靶或锆靶电流为20安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在400标准毫升/分钟,氩气流量为350标准毫升/分钟;
步骤6,在过渡层外镀由氧化钛、氧化锆、五氧化二钽或五氧化二铌形成的装饰层,靶电源电流为25安,打开靶电源的同时通入氧气和氩气,氧气流量控制在350标准毫升/分钟,氩气流量为350标准毫升/分钟。
所述步骤1中UV漆粘度为8.2秒,喷枪气压为3.5公斤/平方厘米。
所述步骤3中真空室的真空度为2.5帕,离子轰击电源***电流为5安,脉冲方波的占空比为75%,在频率40Hz的条件下进行等离子处理时间为20分钟。
所述步骤4中硬化层镀膜时间分别为10分钟,膜层厚度均为110纳米;步骤5中的过渡层镀膜时间分别为30分钟,膜层厚度均为600纳米;所述步骤6中装饰层的镀膜时间为35分钟,膜层厚度均为600纳米。
所述白色塑胶基材是指PMMA(即聚甲基丙烯酸甲酯,俗称有机玻璃)。
上述实施例中提到的内容并非是对本发明的限定,在不脱离本发明构思的前提下,任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于包括步骤:
步骤1,在白色塑胶基材表面喷涂由UV底漆形成的UV底层,将白色塑胶基材放到涂装机的自动线上进行自动化喷涂;
步骤2,烘烤及固化,将完成喷涂的白色塑胶基材放入烤箱烘烤,再将完成烘烤的产品过UV炉固化;
步骤3,将UV固化后的白色塑胶基材进行离子轰击处理;
步骤4,在UV底层外镀由二氧化硅形成的硬化层,开启硅靶电源,打开硅靶电源的同时通入氧气和氩气;
步骤5,在硬化层外镀由硅钛或硅锆等混合氧化物形成的过渡层,其中,硅钛或硅锆质量比为8∶2,打开靶电源的同时通入氧气和氩气;
步骤6,在过渡层外镀由氧化钛、氧化锆、五氧化二钽或五氧化二铌形成的装饰层,打开靶电源的同时通入氧气和氩气。
2.根据权利要求1所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤1中喷涂室温为10℃-35℃,湿度为30%-80%,UV漆粘度为7.8-8.2秒,喷枪气压为2.0-3.5公斤/平方厘米。
3.根据权利要求2所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于:步骤2中的烤箱温度为40-50℃,烤箱时间5-10分钟。
4.根据权利要求3所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤3中真空室的真空度为1.5-2.5帕,离子轰击电源***电流为5安,脉冲方波的占空比为50%-75%,在频率40Hz的条件下进行等离子处理时间为10-20分钟。
5.根据权利要求4所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤4中硅靶电源电流为15-25安,氧气流量为250-400标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟,硬化层镀膜时间分别为5-10分钟,膜层厚度为90-110纳米。
6.根据权利要求5所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤5中硅靶电源电流为20-30安,钛靶或锆靶电流为15-20安,所述氧气流量为250-400标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟,过渡层镀膜时间分别为15-30分钟,膜层厚度为400-600纳米。
7.根据权利要求6所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤6中靶电源电流为15-25安,氧气流量为200-350标准毫升/分钟,氩气流量为250-350标准毫升/分钟,装饰层的镀膜时间为20-35分钟,膜层厚度为400-600纳米。
8.根据权利要求1至7任一项所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于:所述白色塑胶基材是指PC、PMMA或PET。
9.根据权利要求8所述的陶瓷白薄膜的制备方法,其特征在于该陶瓷白薄膜的制备方法基于以下条件:UV炉能量为800-1000mj/cm2,配置有离子轰击电源***、溅射电源***、靶材和接入真空室的供气***的真空磁控溅射镀膜机,白色塑胶基材置于真空度为大于1.0×10-2帕的真空室。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20121003 |