CN102694129A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

有机发光显示装置，包括：第一衬底；第二衬底，设置为面对所述第一衬底；第一电极，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间；第二电极，设置为面对所述第一电极；以及有机发光层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极是反射电极，在所述反射层的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有由所述反射电极的光学性质修改的至少一个光学性质。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年3月21日向韩国知识产权局提交的第10-2011-0024992号韩国专利申请的权益，其公开内容以引用方式整体并入本文。
技术领域
本公开涉及有机发光显示装置，更具体地，涉及能够使由外部光的反射所引起的对比度的下降最小化的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是自发射型显示装置，其具有宽视角和快速响应速度。然而，当有机发光显示装置在外部光环境下显示图像时，有机发光显示装置的对比度会由于显示装置中金属构成的电极和接线所引起的外部光的反射而下降。
一般情况下，使用昂贵的偏振板来使对比度的下降最小化。然而，偏振板的使用会引起其他问题，如成本增加、由于阻止由发光层发出的光而导致透射率降低、和亮度下降。
为了使对比度下降的最小化，在电极或接线上形成黑矩阵。然而，如果使用黑矩阵，那么需要额外掩模处理来形成黑矩阵，这使得制造过程复杂。
发明内容
本发明的一个或多个实施方式提供了有机发光显示装置，通过改变反射电极表面的光学性质，该有机发光显示装置具有增强的对比度特性。
根据本发明的一个方面，提供了有机发光显示装置，其包括第一衬底；第二衬底，设置为面对所述第一衬底；第一电极，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间；第二电极，设置为面对所述第一电极；以及有机发光层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极是反射电极，在所述反射电极的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有由所述反射电极的光学性质修改的至少一个光学性质。
所述光学性质修改层可具有比所述反射电极低的反射率。
所述光学性质修改层可具有比所述反射电极高的光吸收率。
所述光学性质修改层的所述至少一个光学性质是选自由透射率、折射率、衍射率和颜色构成的组中的一种，而且所述光学性质修改层的所述至少一个光学性质可不同于所述反射电极的光学性质。
所述光学性质修改层可通过向所述反射电极施加至少一次飞秒持续时间激光束脉冲而形成。
通过所述飞秒持续时间激光束修改的所述光学性质修改层的区域可具有纳米级尺寸或微米级尺寸。
所述光学性质修改层可形成在所述反射电极面对所述有机发光层的表面上。
从所述有机发光层发射的光可朝向所述第二衬底发射，所述光学性质修改层可形成在所述第一电极面对所述有机发光层的表面上，而且阻光层可进一步形成在所述第一衬底与所述有机发光层之间。
该有机发光显示装置可进一步包括连接至所述第一电极的至少一个薄膜晶体管(TFT)和连接至所述至少一个TFT的至少一个接线部，其中所述至少一个TFT和所述至少一个接线部形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间，而且所述阻光层形成在所述至少一个TFT与所述第一电极之间，或者形成在所述至少一个接线部与所述第一电极之间。
所述阻光层形可成在未形成所述光学性质修改层的区域上。
从所述有机发光层发射的光可朝向所述第一衬底发射，而且所述光学性质修改层可形成在所述第二电极更靠近所述有机发光层的表面上，而且阻光层可进一步形成在所述第一衬底与所述第一电极之间。
该有机发光显示装置可进一步包括连接至所述第一电极的至少一个薄膜晶体管(TFT)和连接至所述至少一个TFT的至少一个接线部，其中所述至少一个TFT和所述至少一个接线部形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间，而且所述阻光层形成在所述至少一个TFT与所述第一电极之间或者形成在所述至少一个接线部与所述第一电极之间。
所述阻光层可形成在未形成所述光学性质修改层的区域上。
所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极可以是透明电极，而且至少一个透明干涉层可进一步形成在所述透明电极的表面上，外部光通过所述透明电极的表面入射。
所述透明干涉层可具有与所述外部光的约1/4波长相等的厚度。
所述透明干涉层可具有比所述透明衬底的折射率小的折射率。
所述透明干涉层可包括选自由氟化镁、二氧化硅和高折射透明材料构成的组中的至少一种材料。
所述至少一个透明干涉层包括第一透明干涉层和第二透明干涉层，所述第二透明干涉层比所述第一透明干涉层更靠近所述透明衬底，而且所述第二透明干涉层具有比所述第一透明干涉层的折射率高的折射率。
所述至少一个透明干涉层包括多个透明干涉层，每个透明干涉层都可具有与所述外部光的约1/4波长相等的厚度。
附图说明
通过结合附图详细描述示例性实施方式，以上和其他特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据本发明的实施方式的顶部发射型有机发光显示装置的剖视图；
图2示出了根据本发明的实施方式、根据当飞秒持续时间激光束脉冲施加至铝时获得的铝的波长的反射率；
图3是示出根据本发明的另一实施方式的底部发射型有机发光显示装置的剖视图；
图4是示出根据本发明的另一实施方式的顶部发射有源矩阵(AM)型有机发光显示装置的剖视图；
图5是示出图4的有机发光显示装置的光学性质修改层和阻光层的平面图；
图6A和6B是示出图4的有机发光显示装置的阻光层的示意性平面图；
图7是示出根据本发明的实施方式的顶部发射AM型有机发光显示装置的示意性剖视图；
图8是示出根据本发明的实施方式的单个透明干涉层的示意性剖视图；
图9是示出根据本发明的实施方式的透明干涉层的示意性剖视图；
图10是示出根据本发明的另一实施方式的底部发射AM型有机发光显示装置的示意性剖视图；以及
图11是示出图10的有机发光显示装置的阻光层的示意性平面图。
具体实施方式
现在将参照示出本发明的实施方式的附图来更加全面地描述本发明的实施方式。
图1是示出根据本发明的实施方式的顶部发射型有机发光显示装置1的剖视图。
参照图1，有机发光显示装置1包括第一衬底10、第二衬底20、第一电极30、形成在第一电极30的表面上的光学性质修改层31、有机发光层50和第二电极40。
第一衬底10和第二衬底20被设置为面对彼此。第一衬底10可以是透明衬底。然而，因为在本实施方式中从有机发光层50发射的光朝向第二衬底20传输，因此第一衬底10可以不是透明衬底。然而，第二衬底20需要是透明衬底。
有机发光层50设置在第一电极30与第二电极40之间。第一电极30是反射电极，而且第二电极40是透明电极。
第一电极30可以由选自铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)构成的组中的至少一种形成。第二电极40可以由选自铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)构成的组中的至少一种形成。
在无源矩阵型(PM)装置的情况下，第一电极30的图案可以具有彼此间隔开预定距离的带状线，而且在有源矩阵(AM)型装置的情况下，第一电极30的图案可以具有与像素相应的排布。在AM型装置中，包括至少一个薄膜晶体管(TFT)的TFT层被进一步设置在第一电极30下面的第一衬底10中，而且第一电极30电连接至TFT层。在PM型装置中，第二电极40可以是与第一电极30的图案垂直交叉的带状线，在AM型装置中，第二电极40可以是与像素相应的形式。在AM型装置中，如将在下面详细描述的，第二电极40可以完全形成在形成图像的有效区上。
从有机发光层50发射的光朝向第二衬底20发射。外部光通过第二衬底20入射到有机发光显示装置1中，被第一电极30(其是反射电极)的表面被反射，并且与从有机发光层50发射的光一起被发射。在这里，反射的外部光会降低有机发光显示装置1的对比度。
然而，由于光学性质修改层31(其具有比第一电极30的反射率更低的反射率)形成在有机发光显示装置1中的第一电极30(其是反射电极)的上表面上，因此可以减少外部光的反射。
例如，通过第一电极30的表面处理形成光学性质修改层31，以具有与第一电极30的光学性质不同的修改的光学性质。例如，构成第一电极30的金属的反射率、光吸收率、透射率、折射率、衍射率和颜色中的至少一个光学性质可以被修改，以形成光学性质修改层31。根据本实施方式，与构成第一电极30的原始金属相比，光学性质修改层31具有更低反射率和更高光吸收率，因此其可以减少外部光的反射，从而提高对比度。
根据Chunlei等人的2008年8月14日公布的题目为“Ultra-shortduration laser methods for the nanostructuring of material(使材料纳米结构化的超短持续时间激光方法)”的第WO 2008/097374号国际专利申请，公开了对材料的光学性质进行修改的方法，该申请以引用方式并入本文。根据该方法，飞秒持续时间激光束脉冲被施加到金属至少一次，使得通过激光束修改的区域的表面结构具有纳米级尺寸或微米级尺寸，从而修改金属表面的光学性质。
图2示出了根据本申请的实施方式通过将钛：蓝宝石激光***施加至铝时获得的、根据铝的波长的反射率，其中钛：蓝宝石激光***具有800纳米的中心波长，并且以约1.1毫焦耳/脉冲的速度产生65飞秒脉冲。参照图2，与具有未处理表面的、波长范围从250纳米到2500纳米的铝(抛光铝)相比，表面处理过的铝(例如，金色铝、灰色铝、黑色铝)的反射率降低。此外，示出了铝的表面颜色的变化。
当有机发光显示装置1的第一电极30由铝形成时，光学性质修改层31可以由表面处理过的铝形成在第一电极30的上表面上，该表面处理过的铝与未经过表面处理的铝相比具有更低的反射率或更高的光吸收率，因此可以降低外部光的反射。
因此，根据本发明的实施方式，在不使用昂贵的偏振板，也不需要通过执行额外掩模工艺来形成黑矩阵的情况下，通过修改之前形成的第一电极30的光学性质可以简单地增强对比度。
图3是示出根据本发明的另一实施方式的底部发射型有机发光显示装置2的剖视图。下文中，描述将侧重于与之前实施方式的有机发光显示装置1的不同之处，而且附图中相同的参考标号表示相同元件。
参照图3，有机发光显示装置2包括第一衬底10、第二衬底20、第一电极30、有机发光层50、第二电极40和形成在第二电极40的表面上的光学性质修改层41。
由于有机发光显示装置2是底部发射型，其中从有机发光层50发射的光朝向第一衬底10发射，因此第一衬底10是透明衬底。第一电极30是透明电极，而且第二电极40是反射电极。
外部光传输穿过第一衬底10以入射到有机发光显示装置2中，通过第二电极40(其是反射电极)的表面被反射，并且与从有机发光层50发射的光一起被发射。在这里，反射的外部光会降低有机发光显示装置2的对比度。
然而，根据本发明的当前实施方式的有机发光显示装置2包括光学性质修改层41，该光学性质修改层41形成在第二电极40(其是反射电极)面对有机发光层50的表面上，而且该光学性质修改层41相比于第二电极40具有更低的反射率，因此可以减少外部光的反射。
下文中，将参照图4、图5、图6A和图6B描述根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置3。有机发光显示装置3的描述将侧重于与之前实施方式的有机发光显示装置2的不同之处，而且附图中相同的参考标号表示相同元件。
图4是示出根据本发明的另一实施方式的顶部发射有源矩阵(AM)型有机发光显示装置3的剖视图。图5是示出根据图4的实施方式的有机发光显示装置3的光学性质修改层31和阻光层60的平面图。图6A和6B是示出根据图4的实施方式的有机发光显示装置3的阻光层60的示意性平面图。
参照图4和图5，有机发光显示装置3包括第一衬底10、第二衬底20、第一电极30、形成在第一电极30的表面上的光学性质修改层31、有机发光层50、第二电极40和阻光层60。
有机发光显示装置3是顶部发射型，其中从有机发光层50发射的光朝向第二衬底20发射，因此第二衬底20是透明衬底。第一电极30是反射电极，而且第二电极40是透明电极。
由于相比于第一电极30具有更低反射率的光学性质修改层31形成在第一电极30的上表面上，因此可以减少外部光的反射。
有机发光显示装置3是AM型，因此连接至第一电极30的至少一个TFT以及连接到该至少一个TFT的至少一个接线部(S、V和D，参照图5)设置在第一衬底10与第二衬底20之间。在一个实施方式中，该至少一个TFT设置在第一衬底10与第二衬底20之间。
由SiO2和/或SiNx等形成的缓冲层11形成在第一衬底10上，以使第一衬底10平坦化并防止杂质元素渗入。至少一个TFT的活性层12形成在缓冲层11上，而且栅绝缘层13形成在活性层12上。栅极14形成在栅绝缘层13上。栅极14连接至栅极线S(参照图5)，该栅极线S施加TFT的开/关信号。层间绝缘膜15形成在栅极14上，而且源极和漏极16通过接触孔分别连接至活性层12的源区和漏区(未示出)。阻光层60形成在源极和漏极16上，而且钝化层17形成在阻光层60上。第一电极30通过钝化层17和阻光层60中的通孔连接至源极和漏极16中的一个。源极和漏极16中的另一个被连接至电源接线部V(见图5)。虽然在附图中驱动晶体管被示为TFT，但是本发明的实施方式不限于此，而且也可以进一步包括其他TFT类型，如开关晶体管(未示出)。此外，可以进一步包括将数据信号传输至开关晶体管(未示出)的数据接线部D(见图5)。
根据当前实施方式，阻光层60设置在第一衬底10与第一电极30(其是反射电极)之间。具体地，阻光层60设置在TFT与第一电极30之间、且设置在连接至TFT的接线部S、V和D与第一电极30之间。换句话说，当第一电极10用作底部衬底时，阻光层60形成为设置在比TFT以及连接至TFT的接线部S、V和D高的位置、比第一电极30低的位置。
一般地，构成TFT的栅极14、源极和漏极16以及接线部S、V和D由具有高反射率的金属形成。因此，通过第二衬底20入射到有机发光显示装置3的外部光被TFT的栅极14、源极和漏极16以及接线部S、V和D反射，然后与从有机发光层50发射的光一起被发射。反射的外部光会降低有机发光显示装置3的对比度。
然而，根据本申请的当前实施方式的有机发光显示装置3包括设置在TFT与第一电极30之间、且在连接至TFT的接线部S、V和D与第一电极30之间的阻光层60，从而减少外部光的反射。阻光层60可以由多种材料形成。例如，阻光层60可以由Cr/CrOx或炭黑形成。
参照图6B，阻光层60可以形成在除了在第一电极30上形成光学性质修改层31的区域以外的区域上。参照图6A，虽然光学性质修改层31形成在第一电极30上，但是阻光层60可以形成在第一电极30与TFT之间、以及第一电极30与连接至TFT的接线部S、V和D之间的所有区域上。
因此，在根据本申请的当前实施方式的顶部发射AM型有机发光显示装置3中，通过使用设置在第一电极30(其是反射电极)的表面上的光学性质修改层31并使用设置在第一电极30与TFT之间以及在第一电极30与连接至TFT的接线部S、V和D之间的阻光层60，可以增强对比度。
附图中所示的TFT是一个实施例，本发明的实施方式不限于此。因此，可以使用各种类型的TFT。接线部的形式也可以改变。
下文中，将描述根据本发明的另一实施方式的有机发光显示装置4。有机发光显示装置4的描述将侧重于与之前实施方式的有机发光显示装置3的不同之处，而且附图中相同的参考标号表示相同元件。
图7是示出根据本发明的实施方式的顶部发射AM型有机发光显示装置4的示意性剖视图。图8是示出根据本发明的实施方式的单个透明干涉层70的示意性剖视图。图9是示出根据本发明的实施方式的透明干涉层71、72和73的示意性剖视图。
参照图7，有机发光显示装置4包括第一衬底10、第二衬底20、第一电极30、形成在第一电极30的表面上的光学性质修改层31、有机发光层50、第二电极40、阻光层60和透明干涉层70。
透明干涉层70被添加至上述有机发光显示装置3以形成有机发光显示装置4。
透明干涉层70设置在第二衬底20(其是透明衬底)的表面上，外部光通过第二衬底20入射。当外部光入射到有机发光显示装置4上时，外部光透射穿过第二衬底20，但是一部分外部光直接被第二衬底20的表面反射。因此，被第二衬底20的表面反射的外部光会与从有机发光层50发射的光一起进入观察者的视野，因此被第二衬底20的表面反射的外部光会降低对比度。
然而，在根据本发明的当前实施方式的有机发光显示装置4中，透明干涉层70(具有与外部光波长的约1/4相对应的厚度)被设置在第二衬底20的表面上，以减少由第二衬底20的表面反射的外部光反射。
参照图8，外部光Li从外部传输通过透明干涉层70，外部光Li的一部分Lt入射到第二衬底20上，外部光Li的一部分Lr0被透明干涉层70的表面反射。入射光的一部分Lr0’在第二衬底20与透明干涉层70之间的边界处被反射。如果透明干涉层70的厚度d对应于外部光Li的波长λ的1/4，那么被透明干涉层70反射的反射光Lr0和被第二衬底20反射的反射光Lr0’由于干涉而抵消，因此可以减少第二衬底20的表面上的外部光反射。
透明干涉层70的厚度d可以根据各种条件来确定，如具有最大强度的外部光的波长、可见光波段的波长的算术平均、或外部光波段的算术平均。
透明干涉层70优选地可以具有折射率n1，该折射率n1处于外部的折射率(n0＝1)与第二衬底20的折射率n2之间。当具有约1.5的折射率n1的典型玻璃用作第二衬底20时，透明干涉层70的折射率n1优选地为约1.23，但是很难找到恰好具有这个折射率的材料。
在当前实施方式中，具有约1.38的折射率的氟化镁被用作透明干涉层70。氟化镁具有良好耐用性并且容易利用物理气相沉积(PVD)方法来沉积。此外，二氧化硅或其他各种高折射透明材料可以用作透明干涉层70。
图9示出了形成在第二衬底20的表面上的透明干涉层71、72和73。
参照图9，外部光Li的一部分Lt从大气透射到多个透明干涉层71、72和73，而且入射到第二衬底20上(Lt)。在越靠近第二衬底20设置的透明干涉层的折射率越大。在所示的实施方式中，透明干涉层73的折射率n13大于透明干涉层71和72的折射率n 11和n12，而且透明干涉层72的折射率n12大于透明干涉层71的折射率n11。这可以表示为n11＜n12＜n13。
外部光Li的一部分Lr1被第一透明干涉层71反射，而且入射光Li的一部分Lr1’在第二透明干涉层72与第一透明干涉层71之间的边界处被反射。如果第一透明干涉层71的厚度d1对应于入射外部光Li的波长λ的1/4，那么被第一透明干涉层71反射的反射光Lr1和被第二透明干涉层72与第一透明干涉层71之间的边界反射的反射光Lr1’由于干涉而抵消。
外部光Li的一部分Lr2被第二透明干涉层72反射，而且入射光Li的一部分Lr2’在第三透明干涉层73与第二透明干涉层72之间的边界处被反射。如果第二透明干涉层72的厚度d2对应于入射外部光Li的波长λ的1/4，那么被第二透明干涉层72反射的反射光Lr2和被第三透明干涉层73与第二透明干涉层72之间的边界反射的反射光Lr2’由于干涉而抵消。
外部光Li的一部分Lr3被第三透明干涉层73反射，而且入射光Li的一部分Lr3’在第二衬底20与第三透明干涉层73之间的边界处被反射。如果第三透明干涉层73的厚度d3对应于入射外部光Li的波长λ的1/4，那么被第三透明干涉层73反射的反射光Lr3和被第二衬底20与第三透明干涉层73之间的边界反射的反射光Lr3’由于干涉而抵消。因此，整体上减少了外部光Li的反射，从而提高了对比度。
下文中，将参照图10和图11描述根据本发明的另一实施方式的有机发光显示装置5。有机发光显示装置5的描述将侧重于与之前实施方式的有机发光显示装置4的不同之处，而且附图中相同的参考标号表示相同元件。
图10是示出根据本发明的另一实施方式的底部发射AM型有机发光显示装置5的示意性剖视图。图11是示出图10的有机发光显示装置5的阻光层60的示意性平面图。
参照图10和图11，有机发光显示装置5包括第一衬底10、第二衬底20、第一电极30、第二电极40、形成在第二电极40的表面上的光学性质修改层41、有机发光层50、阻光层60和透明干涉层70。
由于有机发光显示装置5是底部发射型，其中从有机发光层50发射的光朝向第一衬底10发射，因此第一衬底10是透明衬底。第二电极40是反射电极，而且第一电极30是透明电极。
由于相比于第二电极40(其是反射电极)具有更低反射率的光学性质修改层41形成在第二电极40面对有机发光层50的表面上，因此可以减少外部光的反射。
透射穿过第一衬底10并且入射到有机发光显示装置5中的外部光被构成反射率较高的TFT的栅极14、源极和漏极16以及接线部S、V和D反射，并且该外部光与从有机发光层50发射的光一起被发射，这样会降低有机发光显示装置5的对比度。
然而，根据本发明的当前实施方式，由于阻光层60设置在第一衬底10与TFT之间、且设置在第一衬底10与连接至TFT的接线部S、V和D之间，因此可以减少外部光的反射。
当光学性质修改层41仅形成在第二电极40(其是公共电极)的部分A中时，阻光层60可以仅设置在除了形成光学性质修改层41的部分A以外的区域中。
透明干涉层70形成在第一衬底10(其是透明衬底)的表面上，外部光通过其入射。透明干涉层70可以减少直接被第二衬底20的表面反射的外部光的量，从而提高对比度。
根据本发明的实施方式有机发光显示装置，提供了以下效果。
第一，光学性质修改层形成在反射电极的表面上，从而在不使用其他附加元件的情况下，通过减少由反射电极引起的外部光的反射来使对比度的下降最小化。
第二，通过在薄膜晶体管与接线部与反射电极之间形成阻光层，可以减少由接线部引起的外部光的反射，从而提高对比度。
第三，通过在显示装置的透明衬底上形成透明干涉层，减少了由接线部引起的外部光的反射，从而提高对比度。
虽然已经参照本发明的实施方式具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员应该理解的是，在不脱离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上对本发明进行各种改变。

Claims (19)

1.有机发光显示装置，包括：
第一衬底；
第二衬底，设置为面对所述第一衬底；
第一电极，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间；
第二电极，设置为面对所述第一电极；以及
有机发光层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极是反射电极，在所述反射电极的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有由所述反射电极的光学性质修改的至少一个光学性质。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述光学性质修改层具有比所述反射电极低的反射率。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述光学性质修改层具有比所述反射电极高的光吸收率。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述光学性质修改层的所述至少一个光学性质是选自由透射率、折射率、衍射率和颜色构成的组中的一种，而且所述光学性质修改层的所述至少一个光学性质不同于所述反射电极的光学性质。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述光学性质修改层是通过向所述反射电极施加至少一次飞秒持续时间激光束脉冲而形成的。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中通过所述飞秒持续时间激光束修改的所述光学性质修改层的区域具有纳米级尺寸或微米级尺寸。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述光学性质修改层形成在所述反射电极面对所述有机发光层的表面上。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中从所述有机发光层发射的光朝向所述第二衬底发射，
所述光学性质修改层形成在所述第一电极面对所述有机发光层的表面上，而且
阻光层进一步形成在所述第一衬底与所述有机发光层之间。
9.如权利要求8所述的有机发光显示装置，进一步包括连接至所述第一电极的至少一个薄膜晶体管和连接至所述至少一个薄膜晶体管的至少一个接线部，其中
所述至少一个薄膜晶体管和所述至少一个接线部形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间，而且
所述阻光层形成在所述至少一个薄膜晶体管与所述第一电极之间，或者形成在所述至少一个接线部与所述第一电极之间。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述阻光层形成在未形成所述光学性质修改层的区域上。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中从所述有机发光层发射的光朝向所述第一衬底发射，而且
所述光学性质修改层形成在所述第二电极更靠近所述有机发光层的表面上，而且
阻光层进一步形成在所述第一衬底与所述第一电极之间。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置，进一步包括连接至所述第一电极的至少一个薄膜晶体管和连接至所述至少一个薄膜晶体管的至少一个接线部，其中
所述至少一个薄膜晶体管和所述至少一个接线部形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间，而且
所述阻光层形成在所述至少一个薄膜晶体管与所述第一电极之间或者形成在所述至少一个接线部与所述第一电极之间。
13.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中所述阻光层形成在未形成所述光学性质修改层的区域上。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极是透明电极，而且至少一个透明干涉层进一步形成在所述透明电极的表面上，外部光通过所述透明电极的表面入射。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中所述透明干涉层具有与所述外部光的1/4波长相等的厚度。
16.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中所述透明干涉层具有比所述透明衬底的折射率小的折射率。
17.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述透明干涉层包括选自由氟化镁、二氧化硅和高折射透明材料构成的组中的至少一种材料。
18.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中所述至少一个透明干涉层包括第一透明干涉层和第二透明干涉层，所述第二透明干涉层比所述第一透明干涉层更靠近所述透明衬底，而且所述第二透明干涉层具有比所述第一透明干涉层的折射率高的折射率。
19.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中所述至少一个透明干涉层包括多个透明干涉层，每个透明干涉层都具有与所述外部光的1/4波长相等的厚度。
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