CN102652392A - 半导体集成电路及包括该半导体集成电路的调谐*** - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体集成电路及包括该半导体集成电路的调谐***。半导体集成电路包括衰减器(10)、源极输出器(20)和放大单元(30)，该衰减器(10)使已输入的信号以可变衰减量衰减，该源极输出器(20)接收衰减器(10)的输出，该放大单元(30)先对源极输出器(20)的输出进行滤波处理，然后以可变增益将该滤波处理后的输出放大。因此，在已被集成电路化的RF信号处理电路中，能够实现即使是在进行低电压工作时也良好的失真特性。

Description

半导体集成电路及包括该半导体集成电路的调谐***
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种适于调谐***的前端并具有低失真性和低噪音性的射频(RF：radio frequency)信号处理电路。
背景技术
接收由多个频道构成的发送信号，选出所希望的频道并进行解调的调谐***被要求具有低噪音特性和低失真特性。例如，日本的地面数字电视广播(ISDB-T)由第13频道(473.143MHz)到第62频道(767.143MHz)共50个频道构成，各个频道的信号带宽为6MHz。调谐***被要求对各个接收频道具有-80dBm以下的灵敏度特性，并被要求对干扰频道输入电平具有50dBc以上的抗干扰波特性。
上述调谐***的接收特性，根据对用天线等刚接收的RF信号进行处理的RF信号处理电路所具有的噪音特性和失真特性决定。一般而言，已输入给调谐***的RF信号在衰减器中衰减，然后在放大器中被放大。也就是说，当RF信号的输入电平较高时，通过用衰减器使RF信号大幅度衰减，来维持RF信号处理电路的失真特性良好；当RF信号的输入电平较低时，尽量减小衰减器中的信号衰减量，来维持RF信号处理电路的噪音特性良好(参照例如专利文献1)。
专利文献1：日本公开特许公报特开2001-8179号公报
发明内容
-发明要解决的技术问题-
用于调谐***的前端等的RF信号处理电路通常由半导体集成电路来实现。近年来，半导体集成电路被要求进一步达成小型化和低功耗化，因而CMOS(互补型金属氧化物半导体)工艺的微细化不断发展，工作电压也逐渐下降。然而，若使RF信号处理电路的工作电压下降，则特别是放大器的失真特性会明显恶化。例如，若如以下表1所示将电源电压从3.3V降到1.2V，RF信号处理电路的IIP3(Third Order Input Intercept Point：输入三阶交调载取点)就会恶化大约6dB。这意味着相当于12dBc的抗干扰波特性恶化。因此，存在难以对包括RF信号处理电路的半导体集成电路进行小型化和低电压化的问题。
(表1)
Figure BDA00001694952600021
＊1.输入500MHz的正弦波时的数值
＊2.同时输入500MHz和505MHz的正弦波，根据505MHz的输出功率和为三阶失真成分的510MHz的输出功率算出的数值
本发明正是鉴于上述问题而完成的。其目的在于：在已被集成电路化的RF信号处理电路中，实现即使是在进行低电压工作时也良好的失真特性。
-用以解决技术问题的技术方案-
为达成上述目的，本发明采取以下措施。例如，半导体集成电路包括衰减器和源极输出器(source follower)，该衰减器使已输入的信号以可变衰减量衰减，该源极输出器接收衰减器的输出。再说，所述半导体集成电路可以还包括滤波单元或放大单元，该滤波单元对所述源极输出器的输出进行滤波处理，该放大单元先对源极输出器的输出进行滤波处理，然后以可变增益将该滤波处理后的输出放大。具体而言，放大单元具有滤波单元和可变增益放大器，该滤波单元对源极输出器的输出进行滤波处理，该可变增益放大器以可变增益将滤波单元的输出放大。根据以上结构，已在衰减器中衰减的信号经源极输出器输入给位于后级的信号处理模块，因而位于后级的放大器即使进行低电压工作也能够以较低的失真将信号放大。而且，通过先对源极输出器的输出进行滤波处理，然后将该滤波处理后的输出输入给位于后级的信号处理模块，则能够进一步提高位于后级的放大器的失真特性。
优选半导体集成电路包括低噪音放大器和多路复用器，与衰减器共用的信号输入给该低噪音放大器，该多路复用器选择性地输出源极输出器和低噪音放大器两者中任一者的输出。多路复用器的输出提供给滤波单元或放大单元。根据以上结构，能够改善从天线等信号输入端到位于后级的放大器为止的整个电路的噪音系数。
-发明的效果-
根据本发明，在已被集成电路化的RF信号处理电路中，能够实现即使是在进行低电压工作时也良好的失真特性。因此，能够利用微细CMOS工艺使包括RF信号处理电路的半导体集成电路小型化、低电压化。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的RF信号处理电路的结构图。
图2是变形例所涉及的RF信号处理电路的结构图。
图3是衰减器的电路结构图。
图4是衰减器的电路结构图。
图5是源极输出器的电路结构图。
图6是放大单元的电路结构图。
图7是跟踪滤波器的电路结构图。
图8是滤波单元的电路结构图。
图9是变形例所涉及的RF信号处理电路的结构图。
图10是衰减器的电路结构图。
图11是第二实施方式所涉及的RF信号处理电路的结构图。
图12是变形例所涉及的RF信号处理电路的结构图。
图13是第三实施方式所涉及的调谐***的结构图。
-符号说明-
10-衰减器；15-检波电路；20-源极输出器；30-放大单元；31-滤波单元；311-跟踪滤波器；312-多路分配器；313-多路复用器；32-可变增益放大器；35-检波电路；40-低噪音放大器；50-多路复用器；100-差分信号生成单元。
具体实施方式
(第一实施方式)
图1显示第一实施方式所涉及的RF信号处理电路的结构。本实施方式所涉及的RF信号处理电路包括衰减器10、源极输出器20和放大单元30，能够利用微细CMOS工艺将该RF信号处理电路集成电路化。已输入给衰减器10的信号以可变衰减量衰减，然后经源极输出器20在放大单元30中被放大。放大单元30具有滤波处理功能，先对源极输出器20的输出进行滤波处理，然后以可变增益将该滤波处理后的输出放大。
如在图2中示例的那样，衰减器10的可变衰减量是能够用检波电路15控制以适应各种状况；放大单元30的可变增益能够用检波电路35控制以适应状况。检波电路15以例如-20dBm的阈值检测衰减器10的输出电平。检波电路15也可以检测源极输出器20的输出电平。检波电路35以例如-10dBm的阈值检测放大单元30的输出电平。输出电平的检测方式只要是能够检测峰值电平或平均电平等信号强度的方式即可。
图3显示衰减器10的一结构例。衰减器10能够通过将多个开关电阻电路并联而构成，各个该开关电阻电路由串联的电阻元件和开关晶体管构成。衰减器10的阻抗能够根据各个开关晶体管的开关状态数字性地改变。RF信号的传输路径具有50Ω或75Ω等的特性阻抗，衰减量根据特性阻抗和衰减器10的阻抗的比率决定，因此能够数字性地控制衰减量。而且，如在图4中示例的那样，通过追加由电容元件和开关晶体管构成的电容分压电路，则能够扩大衰减器10的衰减量的可变范围。通过将LC谐振电路***衰减器10的前级，谋求与传输路径的阻抗匹配，来确保增益，则能够改善噪音特性。
图5显示源极输出器20的一结构例。优选输入阻抗相对于传输路径的特性阻抗足够大(例如，输入电容100fF左右)，以保证在衰减器10中能够通过电阻分压控制衰减量。源极输出器20是将输入信号电压就这样输出的电路，与放大器相比失真特性更为良好。因此，在电平较高的RF信号在通过衰减器10大幅度衰减后输入给源极输出器20的情况下，能够充分抑制在源极输出器20中产生失真。例如，当在表1所示的条件下使本实施方式所涉及的RF信号处理电路以1.2V的电源电压工作时，增益为1.5dB，IIP3为23.6dBm。也就是说，与现有结构相比IIP3改善了大约7dB。这意味着相当于14dBc的抗干扰波特性的提高，失真特性与以3.3V工作时的现有结构的失真特性大致相同。
图6显示放大单元30的一结构例。能够使放大单元30由滤波单元31和可变增益放大器32构成，该滤波单元31对源极输出器20的输出进行滤波处理，该可变增益放大器32以可变增益将滤波单元31的输出放大。
如在图7中示例的那样，能够使滤波单元31构成为下述跟踪滤波器，该跟踪滤波器将多个开关电容电路并联，且还将电感器与该多个开关电容电路并联而构成，该多个开关电容电路中的各个开关电容电路由串联在一起的电容元件和开关晶体管构成。跟踪滤波器是能够将带通滤波器的中心频率改变并调谐到所希望频道的频率的滤波器。例如，当使电感器具有20nH且使开关电容电路具有200fF到10pF的可变值时，跟踪滤波器的调谐频率范围在300MHz到2.5GHz左右。若使跟踪滤波器的品质因数(Q-factor)为20左右，就能够使离所希望的频率有100MHz的干扰波衰减18dB。应予说明，源极输出器20具有足够驱动跟踪滤波器的输出性能。应予说明，只要能够将带通滤波器的中心频率改变并调谐到所希望的频道的频率，则跟踪滤波器的结构并不限于图7所示的结构。
图8显示滤波单元31的其它结构例。能够使滤波单元31由多个跟踪滤波器311、多路分配器312和多路复用器313构成，该多个跟踪滤波器311的调谐频率范围互不相同，该多路分配器312将源极输出器20的输出选择性地输入给多个跟踪滤波器311中任一个跟踪滤波器311，该多路复用器313选择性地输出多个跟踪滤波器311中任一个跟踪滤波器311的输出。根据以上结构，通过根据接收频率控制多路分配器312和多路复用器313的选择动作，则能够扩大调谐频率范围。
如上所述，根据本实施方式，使已输入的RF信号在衰减器10中衰减，然后使该RF信号经源极输出器20在放大单元30中受到放大，因而在进行低电压工作的放大单元30中，能够以较低的失真进行信号放大。通过在放大前进行滤波处理，则能够改善抗干扰波特性。若CMOS工艺的微细化发展，晶体管性能就会提高，噪音系数由于源极输出器20的损耗所造成的恶化会改善。因此，本实施方式所涉及的RF信号处理电路对半导体集成电路的微细化和低电压化非常有效。
应予说明，如在图9中示例的那样，也可以是这样的，即：在衰减器10的前级设置差分信号生成单元100，将为单波信号的RF信号转换成差分信号。差分信号生成单元100可以是半导体集成电路的一部分，也可以是外部单元。若设置有差分信号生成单元100，则衰减器10、源极输出器20和放大单元30都对差分信号进行处理。例如在图10中示例的那样，衰减器10能够通过将多个开关电阻电路并联而构成，各个该开关电阻电路由两个电阻元件以及夹在该两个电阻元件之间的开关晶体管构成。开关电阻电路也可以由两个开关晶体管以及夹在该两个开关晶体管之间的电阻元件构成。在用平衡-不平衡转换器(balun)作差分信号生成单元100的情况下，因为平衡-不平衡转换器所生成的差分信号的振幅误差为5％左右，所以通过在保持着差分信号的形态进行各种处理后使该差分信号又成为单波信号，则二阶失真成分被抑制大约26dB。通过使用平衡-不平衡转换器，则能够谋求与传送路径进行阻抗匹配，确保增益，改善噪音特性。例如，若使用圈数比为1∶4的平衡-不平衡转换器，增益就提高大约6dB。
(第二实施方式)
图11显示第二实施方式所涉及的RF信号处理电路的结构。本实施方式所涉及的RF信号处理电路，是对第一实施方式所涉及的RF信号处理电路追加低噪音放大器(LNA)40和多路复用器50而构成的，与衰减器10共用的RF信号输入给该低噪音放大器40，该多路复用器50选择性地输出源极输出器20和LNA40两者中任一者的输出。以下，对本第二实施方式与第一实施方式不同之处加以说明。
若RF信号的输入电平较大，多路复用器50就选出源极输出器20的输出；若RF信号的输入电平较小，多路复用器50就选出LNA40的输出。阈值为例如-50dBm。如上所述，通过根据RF信号的输入电平适当地切换放大单元30的前级的信号路径，则能够改善RF信号处理电路的噪音系数。例如，当LNA40的增益为20dB且噪音系数为2dB时，RF信号处理电路的噪音系数改善1dB～2dB左右。
如在图12中示例的那样，能够用对衰减器10的输出电平进行检测的检波电路15控制多路复用器50的选择动作。检波电路15以-20dBm的阈值控制衰减器10的衰减量，并以-50dBm的阈值控制多路复用器50的选择动作。也就是说，若衰减器10的输出电平大于-50dBm，检波电路15就向多路复用器50发出选出源极输出器20的输出的指示；若衰减器10的输出电平小于-50dBm，检波电路15就向多路复用器50发出选出LNA40的输出的指示。通过分时地切换两个阈值，则能够实现上述在一个检波电路15中用不同的两个阈值进行的检波。应予说明，也可以还设置与检波电路15不同的用来控制多路复用器50的检波电路。
应予说明，可以在LNA40的输出一侧设置源极输出器。这么一来，能够使是多路复用器50的选择对象的信号路径的输出阻抗彼此相等，能够使在放大单元30中进行滤波处理时根据信号路径的不同而产生的调谐频率偏差减少。再说，通过与信号路径的选择连动地控制放大单元30的增益，则能够使RF信号处理电路的信号路径的不同所引起的增益偏差减少。
也可以是这样的，即：省略多路复用器50，根据RF信号的输入电平选择性地使源极输出器20和LNA40两者中任一者成为休止状态。这么一来，能够减少功耗。当放大单元30具有多个跟踪滤波器时，也可以设置路径选择电路来代替多路复用器50，该路径选择电路根据RF信号的输入电平和接收频率将源极输出器20和LNA40两者中任一者的输出输入给多个跟踪滤波器中任一个跟踪滤波器。
在本实施方式所涉及的RF信号处理电路中也可以在衰减器10和LNA40的前级设置差分信号生成单元100，将为单波信号的RF信号转换成差分信号。
(第三实施方式)
图13显示第三实施方式所涉及的调谐***的结构。该图中除天线1以外的各个信号处理模块都能够利用微细CMOS工艺进行集成电路化。已用天线1接收的RF信号被RF信号处理电路2调节信号强度。RF信号也可以是经电缆输入的有线信号。RF信号处理电路2是以上各个实施方式和变形例所涉及的。已在RF信号处理电路2中处理的RF信号利用由PLL(锁相环)3生成的局部振荡信号由混频器4转换成基带信号。转换方式可以是Low-IF(低中频)方式，也可以是直接转换方式。基带信号通过低通滤波器(LPF)5被充分除去不需要的高频成分，然后在模拟-数字转换器(ADC)6中被转换成数字信号。最后，在数字信号处理部(DSP)7对该数字信号进行解调处理等。因为在DSP7中检测RF信号的输入电平，所以能够根据该检测的结果对图1中的RF信号处理电路中的衰减器10或放大单元30的可变特性进行控制。
例如当接收日本的地面数字电视广播的第13频道(473.143MHz)时，由PLL3输出470.143MHz的局部振荡信号，已接收的RF信号在混频器4中转换成接收频率和局部振荡频率之差即3MHz的中频基带信号。此时，虽然也生成接收频率和局部振荡频率之和即943.286MHz的高频信号，但是这种高频成分通过使用LPF5的滤波处理充分衰减。例如，LPF5的信号带宽与频道的信号带宽相等，为6MHz。当接收其它频道时，PLL3的振荡频率根据所希望的频道变化。
根据本实施方式所涉及的调谐***，因为在以上各个实施方式和变形例所涉及的RF信号处理电路2中对用天线1刚接收的RF信号进行处理，所以能够实现即使是在进行低电压工作时也良好的失真特性。
-产业实用性-
虽然本发明所涉及的半导体集成电路小型且功耗较低，但是其失真特性良好，接收频率范围较大，因此，本发明所涉及的半导体集成电路对接收模拟广播波和数字广播波的台式电视装置以及接收单段(One seg)广播的携带终端等很有用。

Claims (15)

1.一种半导体集成电路，其特征在于：
所述半导体集成电路包括：
衰减器，该衰减器使已输入的信号以可变衰减量衰减，
源极输出器，该源极输出器接收所述衰减器的输出，以及
放大单元，该放大单元先对所述源极输出器的输出进行滤波处理，然后以可变增益将该滤波处理后的输出放大。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述放大单元具有：
滤波单元，该滤波单元对所述源极输出器的输出进行滤波处理，以及
可变增益放大器，该可变增益放大器以可变增益将所述滤波单元的输出放大。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述半导体集成电路还包括检波电路，该检波电路检测所述放大单元的输出电平，根据该检测的结果对所述放大单元的可变增益进行控制。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述衰减器、所述源极输出器和所述放大单元都对差分信号进行处理。
5.一种半导体集成电路，其特征在于：
所述半导体集成电路包括：
衰减器，该衰减器使已输入的信号以可变衰减量衰减，以及
源极输出器，该源极输出器接收所述衰减器的输出。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述半导体集成电路还包括滤波单元，该滤波单元对所述源极输出器的输出进行滤波处理。
7.根据权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述半导体集成电路还包括：
低噪音放大器，与所述衰减器共用的信号输入给该低噪音放大器，以及
多路复用器，该多路复用器选择性地输出所述源极输出器和所述低噪音放大器两者中任一者的输出。
8.根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述半导体集成电路还包括检波电路，该检波电路检测所述衰减器的输出电平，根据该检测的结果对所述衰减器的可变衰减量和所述多路复用器进行控制。
9.根据权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述衰减器和所述源极输出器都对差分信号进行处理。
10.根据权利要求1和5中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述半导体集成电路还包括检波电路，该检波电路检测所述衰减器和所述源极输出器两者中任一者的输出电平，根据该检测的结果对所述衰减器的可变衰减量进行控制。
11.根据权利要求2和6中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述滤波单元具有跟踪滤波器，该跟踪滤波器能够将带通滤波器的中心频率改变并调谐到所希望的频道的频率。
12.根据权利要求2和6中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于：
所述滤波单元具有：
多个跟踪滤波器，该多个跟踪滤波器的调谐频率范围互不相同，
多路分配器，该多路分配器将所述源极输出器的输出选择性地输入给所述多个跟踪滤波器中任一个跟踪滤波器，以及
多路复用器，该多路复用器选择性地输出所述多个跟踪滤波器中任一个跟踪滤波器的输出。
13.一种调谐***，其特征在于：
所述调谐***包括权利要求1和5中任一项所述的半导体集成电路。
14.一种调谐***，其特征在于：
所述调谐***包括：
权利要求4和9中任一项所述的半导体集成电路，以及
差分信号生成单元，该差分信号生成单元将为单波信号的原始信号转换成差分信号，将该差分信号输入给所述半导体集成电路中的衰减器。
15.根据权利要求14所述的调谐***，其特征在于：
所述差分信号生成单元为平衡-不平衡转换器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104335487B (zh) * 2012-05-28 2017-06-09 索尼公司 单相差分变换电路、平衡‑不平衡变换器以及通信装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2465146B (en) * 2008-11-04 2014-05-28 Nujira Ltd Improved power supply stage
US8736344B1 (en) * 2012-04-30 2014-05-27 Maxim Integrated Products, Inc. Voltage controlled variable attenuator
US8988114B2 (en) * 2012-11-20 2015-03-24 Freescale Semiconductor, Inc. Low-power voltage tamper detection
JPWO2015019525A1 (ja) 2013-08-07 2017-03-02 株式会社ソシオネクスト 可変利得回路およびこれを備えたチューナシステム
US9356577B2 (en) * 2014-08-12 2016-05-31 Freescale Semiconductor, Inc. Memory interface receivers having pulsed control of input signal attenuation networks
DE102015107955A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Kiekert Ag Elektrische Antriebseinheit
WO2019142526A1 (ja) * 2018-01-19 2019-07-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 増幅回路および受信回路
JP7128649B2 (ja) * 2018-04-27 2022-08-31 富士フイルムヘルスケア株式会社 超音波診断装置、及びそれに用いる探触子
JP7128693B2 (ja) * 2018-09-10 2022-08-31 富士フイルムヘルスケア株式会社 超音波診断装置、及びそれに用いる探触子

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4676456A (en) * 1985-11-27 1987-06-30 Raytheon Company Strap down roll reference
US5070462A (en) * 1989-09-12 1991-12-03 Flowmole Corporation Device for locating a boring machine
DE4238829A1 (de) * 1992-11-17 1994-05-19 Dr Fischer Ag Einrichtung zur Beeinflussung von elektrischen und magnetischen Feldern niedriger Frequenz
US5996100A (en) * 1997-12-22 1999-11-30 Hewlett-Packard Company System and method for the injection and cancellation of a bias voltage in an attenuated circuit
JP2001008179A (ja) * 1999-04-23 2001-01-12 Sharp Corp Ｃａｔｖ用チューナ
US7317484B2 (en) * 2003-02-26 2008-01-08 Digital Imaging Systems Gmbh CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output
US8340616B2 (en) * 2004-12-16 2012-12-25 Entropic Communications, Inc. Tracking filter for tuner
KR100835983B1 (ko) * 2006-12-05 2008-06-09 한국전자통신연구원 자동 이득 조절을 위한 검출기
JP2008300956A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 General Research Of Electronics Inc 受信機入力回路
JP2009033535A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Niigata Seimitsu Kk 利得可変増幅器
EP2255437B1 (en) * 2008-02-22 2014-06-25 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Pin-diode linearized automatic gain control circuits
JP2009239794A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多段可変利得増幅器
EP2110947B1 (en) * 2008-04-18 2012-07-04 St Microelectronics S.A. Variable gain RF amplifier
US8352203B2 (en) * 2009-11-30 2013-01-08 Rockwell Automation Technologies, Inc. Digital implementation of a tracking filter
US8085091B2 (en) * 2010-01-27 2011-12-27 Honeywell International Inc. Gain control amplifier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104335487B (zh) * 2012-05-28 2017-06-09 索尼公司 单相差分变换电路、平衡‑不平衡变换器以及通信装置

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