CN102651233A - 复合存储单元和存储器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种复合存储单元和存储器。该复合存储单元包括：浮栅子单元；以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；其中，RRAM子单元作为存储模块时，浮栅子单元作为选通模块；而RRAM子单元处于低阻态时，浮栅子单元作为存储模块。本发明综合利用了浮栅存储方式的高密度、高可靠性、串扰小、耐受性高等优点和RRAM存储方式的低功耗、高速度、结构简单等优点。
Description
技术领域
本发明涉及微电子行业存储器技术领域，尤其涉及一种复合存储单元和存储器。
背景技术
目前的半导体存储器市场，以挥发性的动态随机存储器(DynamicRandom Access Memory，简称DRAM)和静态随机存储器(Static RandomAccess Memory，简称SRAM)及非挥发性的“闪存”存储器(Flash)为代表。随着移动存储设备、手机通信设备以及数码相机等各种便携式数码产品的发展与普及，市场对非易失性数据存储的需求进一步增加，为了提高存储密度和数据存储可靠性，基于传统浮栅结构的Flash存储器正面临着严峻挑战。为此，业界对下一代非挥发性半导体存储器技术进行了大量的研究，多种新型存储器技术得到了飞速发展。如改进型的电荷俘获闪存(Charge Trap Flash，简称CTF)存储器和革命型的电阻随机存储器(Resistive Random Access Memory，简称RRAM)是目前最具有代表性的两个研究方向。
图1为本发明现有技术CTF存储器的结构示意图。如图1所示，典型的CTF存储器的栅介质层包括阻挡层、存储层和隧穿层三层结构。图2为本发明现有技术CTF存储器的原理示意图。如图2所示，CTF存储器的存储原理与传统的浮栅存储器原理一样，利用编程前后阈值电压的改变来实现存储逻辑的“0”和“1”。CTF存储器采用电荷分立存储技术，有效的缓解了隧穿氧化层和数据保持能力之间的矛盾。分立式电荷存储主要是利用相互之间绝缘的存储节点来存储电荷。例如SONOS(Si/SiO2/Si3N4/SiO2/Si)结构利用氮化物自身的深能级缺陷作为电荷存储介质，而纳米晶结构利用分离的纳米晶作为电荷存储介质。因此隧穿氧化层中的局域漏电通道只会造成少数存储电荷的泄漏，可以大大提高存储器件的电荷保持能力。
图3为本发明现有技术RRAM存储器的结构示意图。如图3所示，RRAM存储单元主要包括阻变层和上下电极。图4为本发明现有技术RRAM存储器的存储原理第一示意图。图5为本发明现有技术RRAM存储器的存储原理第二示意图。如图4和图5所示，在RRAM存储单元中，利用某些薄膜材料在电激励的作用下会出现不同电阻状态(高、低阻态)的转变现象来实现存储的逻辑“0”和“1”。研究发现RRAM具有写入电压低，写入擦除时间短，非破坏性读取，结构简单，所需面积小等优点，而且由于它的高速写入擦除特性，也被认为是最有希望代替传统DRAM的存储器件。
表1本发明现有技术CTF存储器和RRAM存储器性能对照表
| 存储器 | CTF | RRAM |
| 非挥发性 | 有 | 有 |
| 写入功率 | 高 | 低 |
| 写入电压 | 高 | 低 |
| 数据保持能力 | 较好 | 存在波动 |
| 写入时间 | 1μs | 10ns |
| 擦除时间 | 10ms | 30ns |
| 读取时间 | 50ns | 20ns |
| 写入能量 | 高 | 低 |
| 密度 | 高 | 高 |
表1为本发明现有技术CTF存储器和RRAM存储器性能对照表。由表1所示，两种存储器互有优缺点。在实现本发明的过程中，发明人意识到现有技术存在如下技术缺陷：不能根据用户需求灵活选择存储方式，从而得到一种兼具两种存储方式优点的存储器。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为解决上述缺陷，本发明提供了一种复合存储单元和存储器，以结合浮栅存储方式和RRAM存储方式的优势，根据用户需求灵活选择存储方式。
(二)技术方案
根据本发明的一个方面，提供了一种复合存储单元，该复合存储单元包括：浮栅子单元；以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；其中，RRAM子单元作为存储模块时，浮栅子单元作为选通模块；而RRAM子单元处于低阻态时，浮栅子单元作为存储模块。
优选地，本发明复合存储单元中，浮栅子单元为电荷俘获闪存CTF子单元。
优选地，本发明复合存储单元中，RRAM子单元的一电极与CTF子单元的漏极相连接；RRAM子单元与电极相对应的另一电极作为复合存储单元的位线；以及CTF子单元的栅极作为复合存储单元的字线。
优选地，本发明复合存储单元中，RRAM子单元作为存储模块，CTF子单元作为选通模块时，则：当编程时，源极接地，字线与提供正偏压的电路相连接，位线与提供RRAM子单元的编程电压的电路相连接；或当擦除时，位线与提供擦除电压的电路相连接；或当读取时，字线与提供正偏压的电路相连接，位线与提供读取电压的电路相连接。
优选地，本发明复合存储单元中，RRAM子单元处于低阻态，CTF子单元作为存储模块时，则：当编程时，CTF子单元采用福勒-诺德海姆(Fowler Nordheim，简称FN)编程或沟道热电子注入(Channel Hot Electroninjection，简称CHE)编程；或当擦除时，CTF子单元采用FN擦除；或当读取时，复合存储单元的字线与提供读取电压的电路相连接，位线与提供正偏压的电路相连接，CTF子单元的源极接地。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种复合存储器。该复合存储器包括存储阵列、RRAM***控制电路、浮栅***电路和选通电路，其中：存储阵列包括若干个上述的复合存储单元，沿位线方向的两个复合存储单元共用源极；选通电路，与RRAM***控制电路、浮栅***电路和各存储单元的字/位线相连接，用于实现对预设复合存储单元存储模式的选择；RRAM***控制电路，与选通电路和RRAM子单元相连接，用于实现对预设复合存储单元中RRAM子单元的编程、擦除或读取；CTF***控制电路，与选通电路和CTF子单元相连接，用于实现对预设复合存储单元中CTF子单元的编程、擦除或读取。
(三)有益效果
本发明具有下列有益效果：
1、本发明综合利用了浮栅存储方式的高密度、高可靠性、串扰小、耐受性高等优点和RRAM存储方式的低功耗、高速度、结构简单等好处；
2、本发明在单块芯片上实现了两种不同存储方式的融合，从而可以满足不同方式的存储需要，提高了性能，降低了成本；
3、本发明在存储器的制备过程与传统的微电子工艺相兼容，利于广泛推广和应用。
附图说明
图1为本发明现有技术CTF存储器的结构示意图；
图2为本发明现有技术CTF存储器的原理示意图；
图3为本发明现有技术RRAM存储器的结构示意图；
图4为本发明现有技术RRAM存储器的存储原理第一示意图；
图5为本发明现有技术RRAM存储器的存储原理第二示意图；
图6为本发明实施例复合存储单元的结构示意图；
图7为本发明实施例复合存储单元的结构示意图；
图8为本发明实施例复合存储单元的实现流程图；
图9为本发明实施例复合存储器的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
在本发明的一个基本实施例中，提出了一种复合存储单元。图6为本发明实施例复合存储单元的结构示意图。如图6所示，本实施例复合存储单元包括：电阻随机存储器RRAM子单元和浮栅子单元；RRAM子单元形成于浮栅子单元的漏极之上。其中，复合存储单元可在两种存储模式间切换：RRAM子单元作为存储模块，CTF子单元作为选通模块；或RRAM子单元处于低阻态，CTF子单元作为存储模块。本实施例中，浮栅子单元可以为传统的浮栅结构，优选的为电荷俘获闪存CTF子单元。
本实施例公开了一种多功能通用式的复合存储单元的设计方案，通过在一个存储阵列中融合浮栅与RRAM的存储技术，既可以实现RRAM子单元的高速低压存储，也可以实现浮栅子单元的高密度高可靠性的存储，不同存储方式的切换可根据不同的存储环境通过外部软件控制来实现。
在本发明的示例性实施例中，提供了一种复合存储单元。图7为本发明实施例复合存储单元的结构示意图。如图7所示，本实施例复合存储单元中，RRAM子单元的一电极与CTF子单元的漏极相连接；RRAM子单元与电极相对应的另一电极作为复合存储单元的位线；以及CTF子单元的栅极作为复合存储单元的字线。
本实施例中，将CTF单元的漏端电极和RRAM的下电极做在一起成为一个公共电极，从而形成一个新的存储单元。通过对外部环境的判断，如果需要低压高速的存储方式，则选用RRAM存储数据，此时将CTF单元作为选通管，以避免RRAM的读取串扰问题，然后进一步实现RRAM单元的读写擦除操作；如需要将CTF作为存储数据的单元，通过***电路操作先将所有RRAM单元Reset使其转变为低阻态，然后再对CTF单元进行编程擦除读取操作。
在本发明的另一个示例性实施例中，提供了一种复合存储器。该复合存储器包括存储阵列、RRAM***控制电路、浮栅***电路和选通电路。其中：存储阵列包括上文中所公开的复合存储单元，沿位线方向的两个复合存储单元共用源极；选通电路，与RRAM***控制电路、浮栅***电路和各存储单元的字/位线相连接，用于实现对预设复合存储单元存储模式的选择；RRAM***控制电路，与选通电路和RRAM子单元相连接，用于实现对预设RRAM子单元的编程、擦除或读取；CTF***控制电路，与选通电路和CTF子单元相连接，用于实现对预设CTF子单元的编程、擦除或读取。
上述两个实施例对复合存储单元的结构特征进行了描述，以下将给出该复合存储单元的操作方式进行说明。图8为本发明实施例复合存储单元的实现流程图。如图8所示，该流程包括：
步骤S802，感测外部环境需要；
步骤S804，判断是否需要高速低压存储，如果是，执行步骤S806，否则，执行步骤S812；
步骤S806，确定采用RRAM存储方式；
步骤S808，将CTF子单元作为选通管；
步骤S810，相应的RRAM子单元执行读/写/擦除操作，流程结束；
步骤S812，确定采用CTF存储方式；
步骤S814，对所有RRAM子单元进行RESET，使其进入低阻态；
步骤S816，相应的CTF子单元执行读/写/擦除操作，流程结束。
本实施例中，上述步骤S810具体包括：当编程时，源极接地，字线与提供正偏压的电路相连接，位线与提供RRAM子单元的编程电压的电路相连接；或当擦除时，位线与提供擦除电压的电路相连接；或当读取时，字线与提供正偏压的电路相连接，位线与提供读取电压的电路相连接。步骤S816具体包括：当编程时，CTF子单元采用FN编程或沟道热电子注入CHE编程；或当擦除时，CTF子单元采用FN擦除；或当读取时，复合存储单元的字线与提供读取电压的电路相连接，位线与提供正偏压的电路相连接，CTF子单元的源极接地。
下面将进一步具体讨论RRAM子单元和CTF子单元是如何实现各类操作的。图9为本发明实施例复合存储器的结构示意图。
其中，CTF***电路和RRAM***电路通过选通电路与存储阵列连接，存储阵列的字线(WL)通过一个选通开关分别与CTF***电路的字线选通管和RRAM***电路的字线选通管连接，存储阵列的位线(BL)通过一个选通开关分别与CTF***电路的位线选通管和RRAM***电路的位线选通管连接，选通开关由选通信号sel控制。CTF***电路和RRAM***电路分别为传统的NOR型浮栅存储器的***电路和1T1R(onetransistor one RRAM)结构的RRAM***电路。
对于如图9所示的复合存储器，分两种情况进行说明。
一、当需要高速低压存储方式时，通过外部软件控制选通信号sel(如图10所示)，sel为高电平“1”时，RRAM***电路被选通，此时选择RRAM作为存储单元，CTF单元此时作为选通管，形成类似的1T1R结构。SL线接地，编程的时候，被选中的单元的WL上施加正偏压V1(如5V(保证大于CTF编成后的阈值电压)，使沟道打开)，相应的BL上加RRAM的编程电压VP(通常1～2V)，擦除的时候相应的BL加上Verase，读取时，相应的WL加正偏压V1使沟道打开，相应的BL上加读取电压Vread(一般为0.2V)进行读取。
二、当需要CTF作为存储单元的时候，需要先对所有RRAM单元进行Reset操作使其全部变为低阻态，然后选通信号置“0”，CTM***电路被选通。整个器件就相当于普通的CTF器件一样，其编程擦除读取操作和普通的CTF器件是一致的，例如：可采用FN编程(如：WL上施加电压15V，SL、BL浮空，衬底接地)、CHE编程(如：WL上和BL上施加10V和8V，SL和衬底接地)。擦除可选择FN擦除(如：WL上施加电压-15V，BL、SL浮空，衬底接地)；读取时WL上施加Vread，BL上加1V左右电压(不同结构和材料会有一定的区别)，SL接地。
在本实施例中，综合利用了CTF存储器件和RRAM存储器件的优点，在单块芯片上实现了两种不同的存储方式，从而可以满足不同方式的存储需要，提高了性能，降低了成本，而且它的制备过程与传统的微电子工艺相兼容，利于广泛推广和应用。
本发明中，所选的CTF单元可以选择为传统的SONOS(Si/SiO2/Si3N4/SiO2/Si)结构，或者TANOS(TaN/AL2O3/Si3N4/SiO2/Si)结构、MANOS (Metal/AL2O3/Si3N4/SiO2/Si)结构、TAHOS(TaN/AL2O3/HIGH-K/SiO2/Si)结构、MAHOS结构、或者BE-SONOS结构、MAOHOS结构等类似的叠层结构都在可选范围之内，纳米晶结构，还有引入纳米晶的SONOS、TANOS等类似结构。其中，所需的High-K材料可以选取AL2O3、HFO2、TIO2、不同组分的HfALO、HfSiO、HfSiON等掺杂后的新型高K介质。
本发明中，所选的RRAM子单元可以为单极器件、双极器件和无极器件。RRAM子单元的阻变层材料可以是钙钛矿氧化物：R1-xCaxMnO3(R＝Pr/La/Nd)，La0.67Sr0.33MnO3、SrTiO3、SrZrO3、LiNbO3、BaTiO3；过渡金属二元氧化物：NiOTiO2、CuOx、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5、Al2O3、CoO、HfO2、MgO、VO2、ZnO；固态电解质：SiO2、WO3、CuI0.76S0.1、Ag-Ge-Se、Ag-Ge-S、Ag2S、Cu2S、Sb35Te65；有机物：AIDCN、PVK、PS、PCm、F12TPN、PI-DPC、CuTCNQ、AgTCNQ、o-PPV、P3HT；还有其他如：a-Si:H、μc-Si等有类似性质的材料。
本发明中，所选的公共电极的材料可以选取贵重金属Pt、Ag、Pd；CMOS工艺中常用的金属W、Ti、Al、Cu；金属氧化物ITO、IZO、YBCO、LaAlO3、SrRuO3以及多晶Si材料。
目前DRAM、Flash都需要不同的工艺流程，在单芯片***(System onchip，简称Soc)领域，其成本很难降低。本发明将RRAM与Flash存储功能融合在一个单元里，既可以实现DRAM的高速存储功能，也可以实现Flash高密度存储功能，而且通过外部软件的控制，可以实现这两种功能的互换，进一步优化整个存储结构的配置。同时，因为只是通过一种工艺流程完成制备，有效的降低了成本。而且这个工艺流程与传统的微电子工艺相兼容，更利于广泛推广和应用。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种复合存储单元，其特征在于，包括：
浮栅子单元；以及
形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；
其中，所述RRAM子单元作为存储模块时，所述浮栅子单元作为选通模块；而所述RRAM子单元处于低阻态时，所述浮栅子单元作为存储模块。
2.根据权利要求1所述的复合存储单元，其特征在于：所述浮栅子单元为电荷俘获闪存CTF子单元。
3.根据权利要求2所述的复合存储单元，其特征在于：
所述RRAM子单元的一电极与所述CTF子单元的漏极相连接；
所述RRAM子单元与所述电极相对应的另一电极作为所述复合存储单元的位线；以及
所述CTF子单元的栅极作为所述复合存储单元的字线。
4.根据权利要求3所述的复合存储单元，其特征在于，所述RRAM子单元作为存储模块，所述CTF子单元作为选通模块时，则：
当编程时，源极接地，所述字线与提供正偏压的电路相连接，所述位线与提供RRAM子单元的编程电压的电路相连接；或
当擦除时，所述位线与提供擦除电压的电路相连接；或
当读取时，所述字线与提供正偏压的电路相连接，所述位线与提供读取电压的电路相连接。
5.根据权利要求3所述的复合存储单元，其特征在于，所述RRAM子单元处于低阻态，所述CTF子单元作为存储模块时，则：
当编程时，CTF子单元采用福勒-诺德海姆FN编程或沟道热电子注入CHE编程；或
当擦除时，CTF子单元采用FN擦除；或
当读取时，所述复合存储单元的字线与提供读取电压的电路相连接，位线与提供正偏压的电路相连接，CTF子单元的源极接地。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的复合存储单元，其特征在于，所述的CTF子单元为以下结构的一种：叠层结构、纳米晶结构或引入纳米晶的叠层结构。
7.根据权利要求6所述的复合存储单元，其特征在于：所述叠层结构为以下结构中的一种：Si/SiO2/Si3N4/SiO2/Si结构、TaN/AL2O3/Si3N4/SiO2/Si结构、Metal/AL2O3/Si3N4/SiO2/Si或TaN/AL2O3/HIGH-K材料/SiO2/Si。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的复合存储单元，其特征在于，所述RRAM子单元为单极器件、双极器件或无极器件；
所述RRAM子单元的阻变层材料为以下材料中的一种：钙钛矿氧化物、过渡金属二元氧化物、固态电解质、有机物或a-Si:H、μc-Si。
9.根据权利要求8所述的复合存储单元，其特征在于：
所述钙钛矿氧化物为以下材料中的一种：R1-xCaxMnO3(R＝Pr/La/Nd)，La0.67Sr0.33MnO3、SrTiO3、SrZrO3、LiNbO3、BaTiO3；
所述过渡金属二元氧化物为以下材料中的一种：NiOTiO2、CuOx、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5、Al2O3、CoO、HfOx、MgOx、MoOx、VO2、ZnO；
所述固态电解质为以下材料中的一种：SiO2、WO3、CuI0.76S0.1、Ag-Ge-Se、Ag-Ge-S、Ag2S、Cu2S、Sb35Te65；
所述有机物为以下材料中的一种：AIDCN、PVK、PS、PCm、F12TPN、PI-DPC、CuTCNQ、AgTCNQ、o-PPV、P3HT。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的复合存储单元，其特征在于：所述电极为以下材料中的一种：Pt、Ag、Pd、W、Ti、Al、Cu、ITO、IZO、YBCO、LaAlO3、SrRuO3或多晶Si。
11.一种复合存储器，其特征在于，该复合存储器包括存储阵列、RRAM***控制电路、浮栅***电路和选通电路，其中：
所述存储阵列包括若干个如权利要求1至10中任一项所述的复合存储单元，沿位线方向的两个复合存储单元共用源极；
所述选通电路，与所述RRAM***控制电路、浮栅***电路和各存储单元的字/位线相连接，用于实现对预设所述复合存储单元存储模式的选择；
所述RRAM***控制电路，与所述选通电路和RRAM子单元相连接，用于实现对预设复合存储单元中RRAM子单元的编程、擦除或读取；
所述CTF***控制电路，与所述选通电路和CTF子单元相连接，用于实现对预设复合存储单元中CTF子单元的编程、擦除或读取。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160133635A1 (en) * | 2014-11-10 | 2016-05-12 | United Microelectronics Corp. | Flash cell and flash cell set |
| CN105789434A (zh) * | 2014-12-25 | 2016-07-20 | 北京有色金属研究总院 | 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法 |
| CN110233980A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-09-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060054950A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | In-Gyu Baek | Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
| CN1815741A (zh) * | 2005-01-06 | 2006-08-09 | 三星电子株式会社 | 混合多位型非易失性存储器件及其操作方法 |
| CN101110266A (zh) * | 2006-07-20 | 2008-01-23 | 华邦电子股份有限公司 | 氮化储存记忆单元的多级操作 |
-
2011
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060054950A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | In-Gyu Baek | Non-volatile memory cells employing a transition metal oxide layer as a data storage material layer and methods of manufacturing the same |
| CN1815741A (zh) * | 2005-01-06 | 2006-08-09 | 三星电子株式会社 | 混合多位型非易失性存储器件及其操作方法 |
| CN101110266A (zh) * | 2006-07-20 | 2008-01-23 | 华邦电子股份有限公司 | 氮化储存记忆单元的多级操作 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160133635A1 (en) * | 2014-11-10 | 2016-05-12 | United Microelectronics Corp. | Flash cell and flash cell set |
| CN105789434A (zh) * | 2014-12-25 | 2016-07-20 | 北京有色金属研究总院 | 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法 |
| CN105789434B (zh) * | 2014-12-25 | 2018-08-28 | 北京有色金属研究总院 | 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法 |
| CN110233980A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-09-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
| CN110233980B (zh) * | 2019-06-27 | 2021-11-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
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