CN102640408B - 三电平电力变换装置 - Google Patents

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Abstract

对构成三电平电力变换装置的半导体模块与直流电源电路之间的布线进行低电感化，从而容易地实现小型化以及低成本化。在对三电平逆变器的直流电源（电解电容器）（25、26）与IGBT模块（16~18）之间进行连接的情况下，将双向开关部的布线导体设为在同一面上3分割的导体（35、42、43）、或者2分割的导体（35、42），并设为以P导体（33）以及N导体（37）为外侧而分别隔着绝缘物夹入的密闭构造的3层布线构造。由此，即使层积数少也能够减小布线电感而实现装置整体的小型化以及低成本化。

Description

三电平电力变换装置
技术领域
本发明涉及逆变器等三电平电力变换装置。
背景技术
以往，作为三电平电力变换装置，已知从直流变换为交流的3相的三电平逆变器（例如，参照专利文献1）。
以下，参照图9~图20，说明专利文献1记载的以往装置。图9是示出专利文献1记载的一般的三电平电力变换装置的电路图，示出了3相的三电平逆变器的主电路结构。
在图9中，三电平逆变器具备串联连接的直流电源1、2，并具有正侧电位P（以下，称为“P电位”）、负侧电位N（以下，称为“N电位”）、以及中点电位M（以下，称为“M电位”）。另外，在由交流电源***构成直流电源1、2的情况下，一般情况下，使用二极管整流器和大电容的电解电容器等（未图示）。
在P电位与N电位之间，连接了IGBT（绝缘栅型双极性晶体管）模块16、17、18（主开关），各IGBT模块16、17、18的交流输出端子（中间端子）11经由IGBT模块19~24（双向开关）而与M电位连接。
IGBT模块16内的IGBT（开关元件）3以及二极管4与P电位连接，IGBT5以及二极管6与N电位连接。
IGBT模块19~24的各1对分别构成了双向开关，连接于M电位与IGBT模块16~18内的各交流输出端子（中间端子）11之间。
IGBT模块19由IGBT7和与IGBT7逆并联连接的二极管8的组构成，IGBT模块20由IGBT9和与IGBT9逆并联连接的二极管10的组构成。
IGBT模块19、20（双向开关）由对IGBT以及二极管的组进行了逆串联连接的结构构成，与其他2相对应的IGBT模块21~24也同样地构成。另外，逆串联连接的IGBT成为共发射极，但也可以是共集电极。
三电平逆变器的3相输出端子经由滤波用的电抗器12、13、14而与负载15连接。
由此，构成了能够输出三电平（P电位、N电位以及M电位）的逆变器。
在由IGBT模块和直流电源装置（大电容电解电容器）构成图9的三电平逆变器的情况下，例如，将IGBT模块16、17、18设为“2in1类型”的IGBT模块，将IGBT模块19~24设为“1in1类型”的IGBT模块，由串联连接的电解电容器构成直流电源1、2。另外，还有时由“2in1类型”的IGBT模块构成IGBT模块19~24。
图10是示出“2in1类型”的IGBT模块16~18的结构例的外观立体图，图11是示出图10的内部功能的等价电路图。
在图10、图11中，IGBT模块具备：与P电位连接的集电极端子（C1）27、与N电位连接的发射极端子（E2）28、以及与负载输出及双向开关连接的中间端子（发射极/集电极端子E1C2）11。一般情况下，按照图10所示的顺序构成各端子27、28、11。
图12是示出“1in1类型”的IGBT模块19~24（双向开关）的结构例的外观立体图，图13是示出图12的内部功能的等价电路图。
在图12、图13中，IGBT模块（双向开关）具备集电极端子（C）30和发射极端子（E）31。
另一方面，图14是示出“2in1类型”的双向开关的结构例的外观立体图，图15是示出图14的内部功能的等价电路图。
在图14、图15中，IGBT模块（双向开关）具备集电极端子（C1）40和集电极端子（C2）41。
在由“2in1类型”的模块构成IGBT模块19~24（双向开关）的情况下，如图15那样，成为共发射极（或者、共集电极），所以各端子能够如图14那样构成。
图16是示出专利文献1记载的以往的三电平逆变器的1相的电路图。
在图16中，IGBT模块16与电解电容器25、26之间在P电位侧是通过第1导体33连接的，该第1导体33是连接IGBT模块16的上支路侧的集电极端子27与电解电容器25、26的正侧电位端子32之间的导体。
另外，在N电位侧，通过第2导体37而连接，该第2导体37是连接IGBT16的下支路侧的发射极端子28与电解电容器25、26的负侧电位端子36之间的导体，在M电位侧，经由IGBT模块19、20（双向开关），与电解电容器25、26的串联连接点34连接。
进而，IGBT模块19、20（双向开关）与电解电容器25、26之间是通过第3导体35连接的，该第3导体35是连接IGBT模块19的集电极端子30与电解电容器25、26的串联连接点34之间的导体。
图17~图19示出图16的三电平逆变器（1相）的结构，图17是示出从上面观察的状态的俯视图、图18是示出从左侧观察的状态的左侧面图、图19是示出从右侧观察的状态的右侧面图。
在图17~图19中，为了区分位于左右两侧的各1对串联电解电容器，而附加“a”、“b”，设为位于右侧的电解电容器25a、26a，设为位于左侧的电解电容器25b、26b。
在图17~图19中，第1以及第2导体33、37隔着绝缘物44而被接近布线。
另外，在电解电容器26的正极（串联连接点34）的附近和IGBT模块19的集电极端子30的附近，配置了电连接的2分割导体45（与图16内的第3导体35对应），由此，实现了夹入第1以及第2导体33、37的接近构造。
其中，在2分割导体45与第1导体33之间、以及2分割导体45与第2导体37之间，分别介有绝缘物46、48。
第1导体33与2分割导体45之间、第2导体37与2分割导体45之间、以及第1导体33与第2导体37之间的各导体间距离都为δ（参照图18），所以在各导体之间，发生大的值的互感LM。
图20是用等价电路示出互感LM的说明图，示出了在图16~图19的结构中，在各导体之间发生相同大小的互感LM的情形。
在图20中，示出了上述（图18、图19）的2分割导体45如各导体45a、45b那样被2分割的情形。
IGBT模块16的中间端子11与IGBT模块20的集电极端子30a之间通过细的第4导体42（布线电感Lac）而连接。
另外，IGBT模块20的发射极端子31a与IGBT模块19的发射极端子31b之间通过细的第5导体43（布线电感Ls）而连接。
如上述以往（专利文献1）的三电平电力变换装置（图16~图20）那样，通过将IGBT模块16与电解电容器25、26之间的布线设为4层层叠构造，从而能够降低IGBT模块19（双向开关）、与电解电容器25、26之间的布线电感LM。但是，无法降低其他布线电感Ls、Lac。
【专利文献1】日本特开2009－22062号公报
发明内容
以往的三电平电力变换装置虽然如上所述通过设为4层层叠构造来降低了IGBT模块与电解电容器（直流电源）之间的布线电感，但由于是4层构造，所以存在如下课题：伴随层叠构造的厚度增大而大型化从而重量也增大，特别是在3相的三电平电力变换装置中，重量增加量成为约3倍而造成影响。
另外，如图17~图20所示，IGBT模块16的中间端子与IGBT模块20（双向开关）的集电极端子之间、以及IGBT模块20的发射极端子31a与IGBT模块19的发射极端子31b之间并不是层叠构造，而是通过细长的导体42、43而连接，所以存在无法降低布线电感Ls、Lac这样的课题。
本发明是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于得到一种降低双向开关部（IGBT模块19~24）与主开关部（IGBT模块16~18）之间的布线电感、并且小型且廉价的三电平电力变换装置。
本发明提供一种三电平电力变换装置，具备：直流电源电路，具有正侧端子、负侧端子以及中间电位点；半导体模块，***于正侧端子与负侧端子之间；以及双向开关，***于中间电位点与半导体模块之间，半导体模块包括：集电极连接于直流电源电路的正侧端子的第1开关元件以及与第1开关元件逆并联连接的二极管；以及发射极连接于直流电源电路的负侧端子的第2开关元件以及与第2开关元件逆并联连接的二极管，双向开关由串联电路构成，该串联电路包括在第1开关元件的发射极和第2开关元件的集电极的连接点与直流电源电路的中间电位点之间连接的双方向性的第3开关元件以及第4开关元件，三电平电力变换装置从半导体模块的输出端子输出三电平的电位，其特征在于，还具备：第1导体，连接直流电源电路的正侧端子和第1开关元件；第2导体，连接直流电源电路的负侧端子和第2开关元件；第3导体，连接直流电源电路的中间电位点和第3开关元件；第4导体，连接第4开关元件和连接点；以及第5导体，连接第3开关元件和第4开关元件，第3导体至第5导体配置于同一面上，第1导体、第2导体、以及第3导体至第5导体重叠配置而实现了3层布线构造。
根据本发明，通过在正侧的第1导体与负侧的第2导体之间配置中间电位侧的分割导体，重叠配置第1导体、第2导体、以及分割导体而设为3层布线构造，从而能够降低双向开关部与主开关部之间的布线电感，并且由层积数少的3层布线构造能够实现小型且廉价的电路。
附图说明
图1是示出从上面观察了本发明的实施例1的三电平电力变换装置的1相的状态的俯视图。（实施例1）
图2是示出从左侧观察了图1的三电平电力变换装置的状态的左侧面图。（实施例1）
图3是示出从右侧观察了图1的三电平电力变换装置的状态的右侧面图。（实施例1）
图4是示出图1~图3内的各导体之间的布线电感的等价电路图。（实施例1）
图5是示出从上面观察了本发明的实施例2的三电平电力变换装置的1相的状态的俯视图。（实施例2）
图6是示出从左侧观察了图5的三电平电力变换装置的状态的左侧面图。（实施例2）
图7是示出从右侧观察了图5的三电平电力变换装置的状态的右侧面图。（实施例2）
图8是示出图5~图7内的各导体之间的布线电感的等价电路图。（实施例2）
图9是示出一般的三电平逆变器的主电路结构的电路图。
图10是示出以往的“2in1类型”的IGBT模块的外观立体图。
图11是示出图10的IGBT模块的内部功能的等价电路图。
图12是示出以往的“1in1类型”的IGBT模块的外观立体图。
图13是示出图12的IGBT模块的内部功能的等价电路图。
图14是示出以往的“2in1类型”的双向开关模块的外观立体图。
图15是示出图14的双向开关模块的内部功能的等价电路图。
图16是示出以往的三电平逆变器的1相的电路图。
图17是示出从上面观察了图16的三电平逆变器的1相的状态的俯视图。
图18是示出从左侧观察了图17的三电平逆变器的状态的左侧面图。
图19是示出从右侧观察了图17的三电平逆变器的状态的右侧面图。
图20是示出图17~图19内的各导体之间的布线电感的等价电路图。
（符号说明）
3：第1开关元件；5：第2开关元件；7：第3开关元件；9：第4开关元件；4、6：二极管；11：中间端子（交流输出端子）；15：负载；16~18：IGBT模块；19~24、49：IGBT模块（双向开关）；25、25a、25b、26、26a、26b：电解电容器（直流电源电路）；33：第1导体；35：第3导体；37：第2导体；42：第4导体；43：第5导体；38；39：绝缘物；Lp、Lm、Ln、Lac、Ls：布线电感。
具体实施方式
（实施例1）
图1是示出本发明的实施例1的三电平电力变换装置的俯视图，示出了从上面观察了3相中的1相的状态。图2是示出从左侧观察了图1的三电平电力变换装置的状态的左侧面图，图3是示出从右侧观察了图1的三电平电力变换装置的状态的右侧面图。
另外，图4是示出图1~图3所示的三电平电力变换装置的1相的等价电路图。
另外，本发明的实施例1的三电平电力变换装置的整体结构如图9所示。
在图1~图4中，对与上述（参照图17~图20）同样的部分，附加与上述相同的符号。
三电平电力变换装置的1相具备：IGBT模块16，具有集电极端子C1、发射极端子E2以及发射极/集电极端子E1C2；IGBT模块19、20（双向开关），具有集电极端子（C）30b、30a以及发射极端子（E）31b、31a；和构成直流电源的电解电容器25（25a、25b）以及电解电容器26（26a、26b）。
IGBT模块16如图4所示，包括：第1开关元件3，集电极端子（C1）27连接于电解电容器25的正侧端子（+）（P电位）；二极管4，与第1开关元件3逆并联连接；第2开关元件5，发射极端子（E2）28连接于电解电容器26的负侧端子（－）（N电位）；以及二极管6，与第2开关元件5逆并联连接。
IGBT模块16的中间端子（发射极/集电极端子E1C2）11与IGBT模块19、20（双向开关）连接，并且经由滤波用的电抗器12而与负载15（参照图9）连接。
IGBT模块16内的第1开关元件3以及二极管4与第2开关元件5以及二极管6的连接点经由IGBT模块19、20（双向开关）连接于电解电容器25、26的串联连接点。
IGBT模块19具有第3开关元件7，IGBT模块20具有第4开关元件9，IGBT模块19、20（双向开关）由第3开关元件7和第4开关元件9的串联电路构成。
IGBT模块16的集电极端子（C1）27与电解电容器25的正侧端子（+）之间通过第1导体33（布线电感Lp）电连接。
另外，IGBT16的发射极端子（E2）28与电解电容器26的负侧端子（－）之间通过第2导体37（布线电感Ln）电连接。
IGBT模块19（双向开关）的集电极端子（C）30b与电解电容器25、26的串联连接点（电解电容器25的负极以及电解电容器26的正极）之间通过第3导体35（布线电感Lm）电连接。
另外，IGBT模块16的中间端子（E1C2）11与IGBT模块20（双向开关）的集电极端子（C）30a之间通过第4导体42（布线电感Lac）电连接。
进而，IGBT模块20（双向开关）的发射极端子（E）31a与IGBT模块19（双向开关）的发射极端子（E）31b之间通过第5导体43（布线电感Ls）电连接。
第3~第5导体35、42、43如图1~图3所示，配置于同一面上。
另外，如图2以及图3所示，在第1导体33与第2导体37之间配置第3导体35，用绝缘物38、39夹着第4以及第5导体42、43而设为密接构造。此处，在第3导体35（与第4以及第5导体42、43处于同一平面上）与第1导体33之间，介有绝缘物39，在第3导体35与第2导体37之间，介有绝缘物38。由此，构成了3层层叠构造的布线。
另外，在图1~图4中，示出了与1相的IGBT模块16关联的第1~第5导体33、37、35、42、43，但在其他2相的IGBT模块17、18（参照图9）中也具备同样的接线构造。
另外，在图1~图3中，示出了从下层侧起依次按照“第1导体33”、“配置于同一面上的第3~5导体35、42、43”、“第2导体37”的顺序层积的例子，但不限于该层积构造。
例如，也可以以第1导体33夹在第2导体37与第3~5导体35、42、43之间的方式层积，另外，也可以以第2导体37夹在第1导体33与第3~5导体35、42、43之间的方式层积。
另外，在上述说明中，仅示出了1相的IGBT模块16，但对于其他2相的IGBT模块17、18（参照图9），当然也可以具备同样的结构。
即，如图9所示，和与第1IGBT模块16对应地连接第1IGBT模块19、20（双向开关）的结构同样地，对第2以及第3IGBT模块17、18（在图1~图4中未图示），也分别对应地连接第2以及第3IGBT模块（双向开关）。
如上所述，本发明的实施例1（图1~图4）的三电平电力变换装置具备：电解电容器25、26（直流电源电路），具有正侧端子（P、+）、负侧端子（N、－）以及中间电位点（M）；IGBT模块16（17、18），***于正侧端子（+）与负侧端子（－）之间；以及IGBT模块19、20（双向开关），***于中间电位点（M）与IGBT模块16（17、18）之间，其中，各相的IGBT模块16（17、18）具有集电极连接于电解电容器25的正侧端子（+）的第1开关元件3，并具有发射极连接于电解电容器26的负侧端子（－）的第2开关元件5，从IGBT模块16（17、18）的输出端子输出三电平的电位。
IGBT模块19、20（双向开关）是由串联电路构成，该串联电路包括：在第1开关元件3的发射极和第2开关元件5的集电极的连接点（中间端子11）与电解电容器25、26的中间电位点（M）之间连接的双方向性的第3开关元件7以及第4开关元件9。
另外，还具备：第1导体33，连接电解电容器25的正侧端子（+）和第1开关元件3；第2导体37，连接电解电容器26的负侧端子（－）和第2开关元件5；以及第3~第5导体35、42、43（3分割的导体），连接电解电容器25、26的中间电位点和第3以及第4开关元件7、9。
第3导体35连接电解电容器25、26（直流电源电路）的中间电位点和第3开关元件7连接，第4导体42连接第4开关元件9和连接点（中间端子11），第5导体43连接第3开关元件7和第4开关元件9。
第3~第5导体35、42、43配置于同一面上，第1导体33、第2导体37、以及3分割的第3~第5导体35、42、43重叠配置而实现了3层布线构造。
这样，通过设为层数少的3层布线构造，从而能够实现小型且廉价的三电平电力变换装置。
另外，在电解电容器25、26（直流电源）与IGBT模块16（17、18）之间的布线构造中，将电解电容器25、26的中间电位部的布线导体设为在同一面上被3分割的第3~第5导体35、42、43，进而，用PN（正负极）侧的第1以及第2导体33、37夹入第3~第5导体35、42、43，并且隔着绝缘物38、39而设为密接构造。
由此，能够降低电解电容器25、26（直流电源）与IGBT模块16（17、18）之间的布线电感Lm，并且还能够降低在以往装置（图17~图20）中无法降低的布线电感Ls、Lac。
（实施例2）
另外，在上述实施例1（图1~图4）中，将构成双向开关的IGBT模块19、20（第3以及第4开关元件7、9）设为单独电路，但也可以使用如图5~图8所示在封装内对第3以及第4开关元件7、9进行了一体化的单一结构的IGBT模块49（双向开关）。
图5是示出本发明的实施例2的三电平电力变换装置的俯视图，与上述同样地，示出了从上面观察了3相中的1相的状态。图6是示出从左侧观察了图5的三电平电力变换装置的状态的左侧面图，图7是示出从右侧观察了图5的三电平电力变换装置的状态的右侧面图。
另外，图8是示出图5~图7所示的三电平电力变换装置的1相的等价电路图。
另外，本发明的实施例2的三电平电力变换装置的整体结构如图9所示。
在图5~图8中，对与上述（参照图1~图4）同样的部分，附加了与上述相同的符号。
图5以及图8内的IGBT模块49（双向开关）由与上述图14、图15同样的“2in1类型”的IGBT模块构成，具备集电极端子（C1）40和集电极端子（C2）41。
图5的左侧面图（图6）与图2相同。
如图5~图8所示，三电平电力变换装置具备：第1导体33，对电解电容器25（25a、25b）的正侧端子（+）和IGBT模块16的集电极端子（C1）27进行电连接；第2导体37，对电解电容器26（26a、26b）的负侧端子36和IGBT模块16的发射极端子（E2）28进行电连接；第3导体35，对电解电容器25的负极（－）以及电解电容器26的正极（+）和IGBT模块49（“2in1类型”的双向开关）的集电极端子（C1）40进行电连接；以及第4导体42，对IGBT模块49的集电极端子（C2）41和IGBT模块16的中间端子（E1C2）11进行电连接。
第1导体33、第2导体37、第3以及第4导体35、42与上述同样地，重叠配置而成为密接构造，由此，构成了3层层叠构造的布线。
另外，在图5~图7中，示出了按照第1导体33、配置于同一面上的第3以及第4导体35、42、以及第2导体37的顺序层积的例子，但第1导体33不限于此。
例如，也可以以夹在第2导体37与第3以及第4导体35、42之间的方式层积，或者，也可以以第2导体37夹在第1导体33与第3以及第4导体35、42之间的方式层积。
通过设为图5~图8那样的3层布线构造，与上述同样地，能够提供小型且廉价的电路。
另外，通过将第3以及第4导体35、42配置于同一面上，在第1导体33与第2导体37之间配置第3以及第4导体35、42，进而用绝缘物38、39夹着第3以及第4导体35、42而设为密接构造，构成3层层叠构造的布线。
另外，如图8所示，通过使用在同一封装内对第3以及第4开关元件7、9进行了一体化的IGBT模块49（“2in1类型”的双向开关），从而能够降低电解电容器25、26（直流电源）与IGBT模块16（17、18）之间的布线电感Lm，并且还能够降低在以往装置（图17~图20）中无法降低的IGBT模块49与IGBT模块16之间的布线电感Lac。
如上所述，在本发明的实施例2（图5~图8）的三电平电力变换装置中，在第1开关元件3的发射极和第2开关元件5的集电极的连接点（中间端子11）与电解电容器25、26的中间电位点（M）之间，代替上述（图1、图4）IGBT模块19、20而***了对第3以及第4开关元件7、9进行了一体化的IGBT模块49（“2in1类型”的双向开关）。
另外，还具备：与上述同样的第1以及第2导体33、37；连接电解电容器25、26的中间电位点和IGBT模块49（第3以及第4开关元件7、9）的第3导体35；以及连接IGBT模块49和IGBT模块16（第1以及第2开关元件3、5）的中间端子11的第4导体42。
第1导体33、第2导体37、第3以及第4导体35、42（2分割的导体）由隔着绝缘物38、39的3层布线构造构成，并重叠配置。即，在第1导体33与第2导体37之间，用绝缘物38、39夹着第3以及第4导体35、42，从而实现了密接构造以及3层布线构造。
这样，在直流电源电路（电解电容器25、26）与各相的IGBT模块16（17、18）之间的布线构造中，通过设为在同一面上对电解电容器25、26的中间电位部的布线导体进行2分割、用PN（正负极）侧的第1以及第2导体33、37夹入这些导体的构造，从而与上述同样地，能够通过层数少的布线构造来降低直流电源与模块之间的布线电感，并且能够实现小型且廉价的三电平电力变换装置。
另外，在上述实施例1、2中，作为三电平电力变换装置，以3相的三电平电力变换装置为例子进行了说明，但当然还可以应用于单相的三电平电力变换装置，并起到与上述等同的作用效果。
另外，作为构成主开关部的半导体模块，使用了IGBT模块16（17、18），但也可以使用MOSFET等其他半导体模块。

Claims (2)

1.一种三电平电力变换装置，其特征在于，具备：
直流电源电路，具有正侧端子、负侧端子以及中间电位点；
半导体模块，***于所述正侧端子与所述负侧端子之间；以及
双向开关，***于所述中间电位点与所述半导体模块之间，
所述半导体模块包括：
集电极连接于所述直流电源电路的正侧端子的第1开关元件以及与所述第1开关元件逆并联连接的二极管；以及
发射极连接于所述直流电源电路的负侧端子的第2开关元件以及与所述第2开关元件逆并联连接的二极管，
所述双向开关由串联电路构成，该串联电路包括：在所述第1开关元件的发射极和所述第2开关元件的集电极的连接点与所述直流电源电路的中间电位点之间连接的双方向性的第3开关元件以及第4开关元件，
所述三电平电力变换装置从所述半导体模块的输出端子输出三电平的电位，
所述三电平电力变换装置还具备：
第1导体，连接所述直流电源电路的正侧端子和所述第1开关元件；
第2导体，连接所述直流电源电路的负侧端子和所述第2开关元件；
第3导体，连接所述直流电源电路的中间电位点和所述第3开关元件；
第4导体，连接所述第4开关元件和所述连接点；以及
第5导体，连接所述第3开关元件和所述第4开关元件，
所述第3导体至第5导体配置于同一面上，
所述第1导体、所述第2导体、以及所述第3导体至第5导体重叠配置而实现了3层布线构造，
所述第1导体至第5导体在所述半导体模块上也重叠配置，
在所述第1导体、第2导体之间配置所述第3导体至第5导体，并且用绝缘物夹着所述第3导体至第5导体而实现了密接构造。
2.一种三电平电力变换装置，其特征在于，具备：
直流电源电路，具有正侧端子、负侧端子以及中间电位点；
半导体模块，***于所述正侧端子与所述负侧端子之间；以及
双向开关，***于所述中间电位点与所述半导体模块之间，
所述半导体模块包括：
集电极连接于所述直流电源电路的正侧端子的第1开关元件以及与所述第1开关元件逆并联连接的二极管；以及
发射极连接于所述直流电源电路的负侧端子的第2开关元件以及与所述第2开关元件逆并联连接的二极管，
所述双向开关由串联电路构成，该串联电路包括：在所述第1开关元件的发射极和所述第2开关元件的集电极的连接点与所述直流电源电路的中间电位点之间连接的双方向性的第3开关元件以及第4开关元件，
所述三电平电力变换装置从所述半导体模块的输出端子输出三电平的电位，
所述三电平电力变换装置还具备：
第1导体，连接所述直流电源电路的正侧端子和所述第1开关元件；
第2导体，连接所述直流电源电路的负侧端子和所述第2开关元件；以及
第3导体，连接所述直流电源电路的中间电位点和所述串联电路；以及
第4导体，连接所述串联电路和所述连接点，
所述第3导体以及第4导体配置于同一面上，
所述第1导体、所述第2导体、和所述第3导体以及第4导体重叠配置而实现了3层布线构造，
所述第1导体至第4导体在所述半导体模块上也重叠配置，
所述第3开关元件以及第4开关元件配置于同一封装内，
在所述第1导体、第2导体之间，配置所述第3导体以及第4导体，并且用绝缘物夹着所述第3导体以及第4导体而实现了密接构造。
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