CN102633227B - 一种mems惯性传感器结构压膜阻尼可调装置 - Google Patents
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Abstract
一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置，主要由阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成，在键合衬底上制作有2组加热环形电阻和1对静电金属极板，可使待调器件的压膜阻尼系数减小或增加1-2个数量级，从实现对MEMS传感器Q值的封装后调制，此装置结构设计紧凑、巧妙，操作方便、响应迅速、可调精度高。
Description
技术领域
本发明涉及一种MEMS惯性传感器制造后的压膜阻尼可调装置，属于微机电传感技术领域。
背景技术
传感器是当前信息技术、物联网技术领域中信号获取的前端，发挥着像“眼睛”一样重要的作用。MEMS传感器以小体积、微功耗、低成本、可集成的强大优势吸引着整个世界的需求。在技术上，国外实力雄厚已经形成商业产品，应用于手机、汽车、电玩、远程控制、智能楼宇、自动仪器、导航、制导等高技术领域，而国内基础薄弱没有产业化，大部分产品依赖进口，但其对部分高性能指标的MEMS惯性传感器产品国外禁运，因国防安全急需，迫切需要自主开发研制。
国内在MEMS传感器方面的技术瓶颈主要体现在工艺加工条件相对落后，难以保障设计精度，而且制造后的产品封装技术缺乏，不能满足指标要求，导致器件可靠性低、稳定性差，最终体现为精度不高，耐用性不强。因此，在这种技术条件下，对于自主研制的小批量关键MEMS惯性器件，如加速度计、陀螺一旦传感器封装完成后，特性已经定型，指标不合格只能报废，导致成品率低下，加工成本剧增，现行条件下无法满足急需。本技术正是针对我国MEMS惯性传感器制造后产品性能远离指标，提出一种改良装置，通过调节***阻尼以达到调节传感器性能的目的，解决因工艺条件不足引起的传感器精度问题。同时还可以解决同种传感器因工作环境不同而调节器件性能的需求，以达到同类多用的目的。
阻尼的形成贯穿于器件设计、制作及封装整个过程，对器件的动态性能参数，如响应时间、频响特性、灵敏度、线性度、噪声等有很大的影响。 随着传感器的微型化，其特征尺寸达到了微米量级，结构的表面效应体现为阻尼的主要机理因素，使得表面阻尼力的作用远超过体积力，决定了***的阻尼特性，所以通过控制流体阻尼以保障MEMS惯性器件的性能指标，提高其设计能力，对开展具有自主知识产权的MEMS惯性器件的研制具有重要的意义。
发明内容
发明目的
本发明的目的就是针对背景技术的不足，设计一种MEMS器件的压膜阻尼可调装置，以最大程度的满足不同MEMS器件在不同工作环境中得阻尼需求，使MEMS器件的检测数据准确、可靠。
技术方案
本发明主要结构由：阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成；在键合衬底2上掺杂有巨型环形电阻21、22，环形电阻21、22的四周和所围的中央区域淀积有二氧化硅层3，在键合衬底2中央区域的二氧化硅层3上制作有下极板金属层18，在键合衬底2四周区域的二氧化硅层3上淀积有氮化硅层54，在键合衬底2的下部区域的二氧化硅层3上制作有环形电阻正极6、8、环形电阻负极7、9、下极板电极11，在四周区域的氮化硅层4上淀积有键合金属层5，在下极板电极11和环形电阻负极9之间的中心区域的二氧化硅层3上淀积有氮化硅层4，在氮化硅硅4上淀积有上极板电极10，环形电阻21、22的两端分别通过环形电阻正极引出线22、24、环形电阻负极引出线23、25引入到环形电阻正极6、8、环形电阻负极7、9，下极板金属层18通过下极板金属层引出线19与下极板电极11相连，键合金属层5上密闭键合有键合帽1，键合帽1的内侧加工凹腔14后形成硅弹性膜13和外框基座12，凹腔14的内壁淀积有上极板金属层15，外框基座12的下表面的淀积有键合金属层16，键合帽1和键合衬底2牢固键合后的凹腔14内密封有膨胀性气体。
所述的键合金属层5、16、上极板金属层15、下极板金属层18，结构材料一致，均由2层金属组成，在硅衬底27上部设有钛层28、即Ti层，在钛层29上部设有金层、即Au层。
工作原理
制作在键合衬底上的环形电阻加热使封装在凹腔内的气体受热而膨胀，致使硅弹性膜变形向外层***，进而改变待调器件与硅弹性膜间的距离，这样会使待调器件的压膜阻尼变大；制作在键合衬底上的下极板电极和制作在凹腔内侧的上极板电极在通电的情况下产生静电力，致使硅弹性膜变形向内侧凹陷，进而改变待调器件于硅弹性膜间的距离，这样会使待调器件的压膜阻尼变小。
有益效果
本发明与背景技术相比具有明显的先进性，此装置采用整体设计，以键合衬底为载体，在键合衬底上制作有2组环形电阻并通过电阻电极引出线引入到键合衬底的侧边，在键合衬底的二氧化硅绝缘层上制作有下极板金属电极，在凹腔的内壁上制作有上极板金属电极，上极板金属电极通过固定基座的下表面的键合金属层引入到键合衬底的侧边，此装置结构紧凑、巧妙，通过2组环形电阻的加热和1对上下极板的静电吸引来改变待测器件于硅弹性膜间的距离，可使待调器件的压膜阻尼系数减小或增加1-2个数量级，操作方便、响应迅速、可调精度高，是十分理想的MEMS器件阻尼可调装置。
附图说明
图1整体结构图
图2阻尼帽平面结构图
图3阻尼帽沿A-A剖面线的截面图
图4键合衬底立体结构图
图5键合衬底平面结构图
图6键合衬底沿B-B剖面线的截面图
图7键合衬底沿C-C剖面线的截面图
图8可控阻尼装置膨胀结构图
图9可控阻尼装置收缩结构图
图10键合金属层结构图
图中所示，附图标记清单如下：
1、阻尼帽，2、键合衬底，3、二氧化硅层，4、氮化硅层，5、键合金属层，6、电阻正极，7、电阻负极，8、电阻正极，9、电阻负极，10、上极板电极，11、下极板电极，12、固定基座，13、硅弹性膜，14、凹腔，15、上极板金属层，16、键合金属层，17、二氧化硅层，18、下极板金属层，19、下极板金属层引出线，20、环形电阻，21、环形电阻，22、环形电阻正极引出线，23、环形电阻负极引出线，24、环形电阻正极引出线，25、环形电阻负极引出线，26、待调装置，27、硅衬底层，28、钛层，29、金层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步说明：
图1所示为整体结构图，以键合衬底2为载体，在键合衬底2上淀积有二氧化硅层3、氮化硅层4、键合金属层5，键合金属层5上键合有阻尼帽1，键合衬底2下部区域的二氧化硅层3上从左至右分别制作有环形电阻正极6、8、下极板电极11、氮化硅层4、环形电阻负极9、7，下极板电极11与环形电阻负极9之间氮化硅层4上有上极板电极10。
阻尼帽1和键合衬底2均为硅材料，厚度约为400μm。阻尼帽1的上表面采用开放式设计，便于有效的与待调器件26的组装。
图2、3所示为阻尼帽的结构图，阻尼帽1的中心巨型区域加工有凹腔14，四周区域为外框基座12，上部为硅弹性膜13，凹腔14的内侧壁淀积有上极板金属层15，外框基座12的下表面加工有键合金属层16。
凹腔14采用硅湿法刻蚀形成，硅弹性膜13采用硅表面重掺杂自停止刻蚀形成，上极板金属层15和键合金属层16为相同的材料结构，统一淀积而成。
图4、5、6、7为键合衬底的结构图，键合衬底2上制作有环形电阻19、20，环形电阻19、20所围的矩形区域淀积有二氧化硅层17，环形电阻19、20的四周区域依次淀积有二氧化硅层3、氮化硅层4、键合金属层5，中心区域的二氧化硅层17上淀积有下极板金属层18，键合衬底2下部区域的二氧化硅层3上从左至右依次制作有环形电阻正极6、8、下极板电极11、氮化硅层4、环形电阻负极9、7，下极板电极11与环形电阻负极9之间氮化硅层4上有上极板电极10，环形电阻21、22的两端分别通过环形电阻正极引出线22、24、环形电阻负极引出线23、25引入到环形电阻正极6、8、环形电阻负极7、9，下极板金属层18通过下极板金属层引出线19与下极板电极11相连。
环形电阻19、20的结构形状和个数可根据设计要求和工作环境的不同而改变、增加或减少。
下极板电极11与环形电阻正极6、8、环形电阻负极9、7结构材料相同，但厚度不同，环形电阻正极6、8、环形电阻负极9、7为电镀后的加厚电极，方便引线焊接。
图8、9为压膜阻尼可调装置的工作结构图，键合衬底2上的环形电阻19、20通电产生热量，使凹腔14内的封装气体受热膨胀，体积增大而推动硅弹性膜13向外***，以通过减小待调器件26与硅弹性膜13间的距离而增大待调器件26的压膜阻尼；键合衬底2上的下极板电极18和凹腔14内壁的上极板电极15通电产生静电力，使硅弹性膜13向内凹陷，以通过增加待调器件26与硅弹性膜13间的距离而减小待调器件26的压膜阻尼。
图10为键合金属层的结构图，其结构材料一致，结构层由2层金属膜层组成，厚度不一，在半导体硅材料衬底层27上生长的第一层为钛层28，第二层为金层29。
键合金属层5、16的结构材料相同，键合采用低温热压方式，使键合金属层5、16上的金层29表面金原子在温度和压力的作用下贯穿于对方而形成牢固键合。
Claims (2)
1.一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置，其特征在于：主要结构由阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成；在键合衬底（2）上掺杂有巨型环形电阻（19、20），环形电阻（19、20）的四周和所围的中央区域淀积有二氧化硅层（3），在键合衬底（2）中央区域的二氧化硅层（3）上制作有下极板金属层（18），在键合衬底（2）四周区域的二氧化硅层（3）上淀积有氮化硅层（4），在键合衬底（2）的下部区域的二氧化硅层（3）上制作有环形电阻正极（6、8）、环形电阻负极（7、9）下极板电极（11），在四周区域的氮化硅层（4）上淀积有键合金属层（5），在下极板电极（11）和环形电阻负极（9）之间的中心区域的二氧化硅层（3）上淀积有氮化硅层（4），在氮化硅层（4）上淀积有上极板电极（10），环形电阻（19、20）的两端分别通过环形电阻正极引出线（22、24）环形电阻负极引出线（23、25）引入到环形电阻正极（6、8）、环形电阻负极（7、9），下极板金属层（18）通过下极板金属层引出线（19）与下极板电极（11）相连，键合金属层（5）上密闭键合有阻尼帽（1），阻尼帽（1）的内侧加工凹腔（14）后形成硅弹性膜（13）和外框基座（12），凹腔（14）的内壁淀积有上极板金属层（15），外框基座（12）的下表面的淀积有键合金属层（16），阻尼帽（1）和键合衬底（2）牢固键合后的凹腔（14）内密封有膨胀性气体。
2.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置，其特征在于，所述的键合金属层（5、16）、上极板金属层（15）、下极板金属层（18），结构材料一致，均由两层金属组成，在硅衬底27上部设有钛层（28）、即Ti层，在钛层（28）上部设有金层、即Au层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Li Mengwei Inventor after: Cui Min Inventor after: Wang Li Inventor after: Liu Jun Inventor after: Wang Zengyue Inventor after: Chu Weihang Inventor after: Du Kang Inventor after: Bai Xiaoxiao Inventor after: Wang Qi Inventor after: Li Xiguang Inventor before: Liu Jun Inventor before: Wang Li Inventor before: Du Kang Inventor before: Li Mengwei Inventor before: Li Xiguang |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: LIU JUN WANG LI DU KANG LI MENGWEI LI XIGUANG TO: LI MENGWEI WANG LI LIU JUN WANG ZENGYUE CHU WEIHANG DU KANG BAI XIAOXIAO WANG QI LI XIGUANG CUI MIN |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140723 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |