CN102577106B - 可调节的电路架构 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 75
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 62
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 22
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 21
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000001149 cognitive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/165—A filter circuit coupled to the input of an amplifier
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/168—Two amplifying stages are coupled by means of a filter circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45511—Indexing scheme relating to differential amplifiers the feedback circuit [FBC] comprising one or more transistor stages, e.g. cascaded stages of the dif amp, and being coupled between the loading circuit [LC] and the input circuit [IC]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45512—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more capacitors, not being switched capacitors, and being coupled between the LC and the IC
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45522—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more potentiometers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45528—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more passive resistors and being coupled between the LC and the IC
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45544—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45631—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45638—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more coils
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45702—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors
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Abstract
提供了一种具有可调参数的放大器电路。该放大器电路包括反馈回路,其中所述反馈回路将信号转换到另一频率(26),在所述另一频率中对所述信号进行滤波(20),以及将经滤波的信号恢复回到初始频率(24),从而将所述信号输入到所述放大器的输入端(22)。所述反馈回路实现了具有可调阻带的带阻滤波器(20),其使得所述放大器电路具有可调带通响应。通过改变所述反馈回路的变频参数,所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率。
Description
技术领域
本发明涉及无线电电信电路的领域,尤其涉及用于改善放大器电路中的线性度要求(linearity requirements)的方法和装置。
背景技术
通过使用标准的和非标准的多个无线电通信方案,现代无线电电信环境是非常多样化的。用户设备可配备有通过多个不同的无线电通信方案(例如GSM、GPRS/EDGE、蓝牙、WLAN、UMTS及其演化版HSDPA、LTE以及LET-A)来进行通信的能力。另外,不久的将来,将在用户设备中实现像认知无线电或软件定义的无线电这样的概念。认知无线电和软件定义的无线电是表示这样的无线电设备的一般概念,即,所述无线电设备能够感测无线电环境,并且选择对于所感测的无线电环境最合适的无线电通信方案和无线电通信参数。
对于在不同频带上操作的多个无线电通信方案的支持设置了针对用户设备的无线电接口组件的要求。无线电接口组件(包括模拟放大器)必须线性地操作在大频带上。在多个频带上的线性度要求对于无线电接口组件的设计设定了挑战。
发明内容
根据本发明的一方面,提供了一种包括具有反馈回路电路的放大器的装置,其中所述反馈回路电路包括:第一变频器电路,其被配置以便将输入到所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;滤波器电路,其被配置以便修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及第二变频器电路,其被配置以便将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,以及输出要被施加到所述放大器的输入端的经变频和修改的信号,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,所述放大器的通带从一个操作频率变到另一操作频率。
根据本发明的另一方面,提供了一种方法,其包括:提供放大器电路,所述放大器电路包括具有反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括第一变频器电路、滤波器电路以及第二变频器电路,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应;在所述反馈回路电路所包括的所述第一变频器电路中,将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;在所述滤波器电路中修改在所述第二频率上的经变频的信号;在所述第二变频器电路中将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率;将经变频和修改的信号输入到所述放大器的输入端;以及通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,将所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率。
根据本发明的另一方面,提供了一种装置,其包括:提供放大器电路的构件,所述放大器电路包括具有反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括第一变频器电路、滤波器电路以及第二变频器电路,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应;在所述反馈回路电路所包括的所述第一变频器电路中,将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率的构件;在所述滤波器电路中修改在所述第二频率上的经变频的信号的构件;在所述第二变频器电路中将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率的构件;将经变频和修改的信号输入到所述放大器的输入端的构件;以及通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,将所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率的构件。
进一步地,该装置还包括:基于当前操作频率,为所述滤波器电路中所包括的多相滤波器选择电路配置,以便在与多个所支持的操作频率相关联的多个不同相移当中获得预期相移特性的构件;以及配置所述多相滤波器,以便应用所选择的电路配置,从而获得用于当前操作频率的预期相移的构件。
其中所述第一变频器电路是下变频器电路,并且所述第二变频器电路是上变频器电路,且进一步地,该装置还包括:在所述下变频器电路中,将施加至所述反馈回路电路的输入端的信号从射频下变频到较低频率的构件;在所述滤波器电路中,修改从所述下变频器接收到的在所述较低频率上的经下变频的信号的构件;以及在所述上变频器电路中,将经滤波和相位补偿的信号从所述较低频率上变频到较高频率,并将经上变频的带阻信号施加到所述放大器的输入端的构件。
其中所述较低频率是基带,其中所述滤波被执行为高通滤波,并且其中,所述高通滤波和相位调节是在基带上执行的。
进一步地,该装置还包括:通过改变被施加到所述下变频器电路和所述上变频器电路的本地振荡器信号的频率来改变所述放大器电路的通带频率的构件。
进一步地,该装置还包括:基于所确定的准则,将所述反馈回路电路与所述放大器断连,或者将所述反馈回路电路连接至所述放大器的构件。
其中,所述放大器电路被应用于无线电通信设备,并且其中,装置进一步包括:响应于所述无线电通信设备的操作频率上的改变,改变所述反馈回路电路的电路配置的构件。
根据本发明的另一方面,提供了一种设备,其包括:具有反馈回路装置的放大装置,所述反馈回路装置包括:第一变频装置,用于将输入至所述反馈回路装置的信号从第一频率变频到第二频率;滤波装置,用于修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及第二变频装置,用于将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,以及用于输出要被施加到所述放大装置的输入端的经变频和修改的信号,其中,所述反馈回路装置实现了具有可调阻带的带阻滤波装置,其使得所述放大装置具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频装置和所述第二变频装置的变频参数,所述放大装置的通带从一个操作频率变到另一操作频率。
根据本发明的另一方面,提供了一种方法,其包括:基于要应用的操作频率,为放大器电路的反馈回路电路选择电路配置,所述放大器电路包括具有所述反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括:第一变频器电路,其被配置以便将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;滤波器电路,其被配置以便修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及第二变频器电路,其被配置以便将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,并且输出要被施加到所述放大器的输入端的经变频和修改的信号,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率;以及配置所述第一变频器电路和所述第二变频器电路,以便应用所选择的电路配置并且具有与要应用的操作频率相关联的变频参数。
根据本发明的另一方面,提供了一种包括控制器电路的装置,其被配置以便:基于要应用的操作频率,为放大器电路的反馈回路电路选择电路配置,所述放大器电路包括具有所述反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括:第一变频器电路,其被配置以便将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;滤波器电路,其被配置以便修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及第二变频器电路,其被配置以便将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,并且输出要被施加到所述放大器的输入端的经变频和修改的信号,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率;以及配置所述第一变频器电路和所述第二变频器电路,以便应用所选择的电路配置并且具有与要应用的操作频率相关联的变频参数。
根据本发明的另一方面,提供了一种体现在计算机可读的分发介质上的计算机程序产品,其包括程序指令,所述程序指令在被加载到所述计算机时执行:基于要应用的操作频率,为放大器电路的反馈回路电路选择电路配置,所述放大器电路包括具有所述反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括:第一变频器电路,其被配置以便将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;滤波器电路,其被配置以便修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及第二变频器电路,其被配置以便将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,并且输出要被施加到所述放大器的输入端的经变频和修改的信号,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率;以及配置所述第一变频器电路和所述第二变频器电路,以便应用所选择的电路配置并且具有与要应用的操作频率相关联的变频参数。
在从属权利要求中限定了本发明的实施例。
附图说明
下面参考附图仅示例性地描述了本发明的实施例,其中:
图1示出了可应用本发明实施例的无线电接收机的一般结构;
图2示出了根据本发明实施例的放大器电路和控制该放大器电路的控制器的框图;
图3A示出了根据本发明实施例的放大器电路和控制该放大器电路的控制器的另一框图;
图3B示出了图3A的放大器电路以及该放大器电路的不同部件中的频率响应;
图4示出了根据本发明实施例的放大器电路的电路图;以及
图5是示出了根据本发明的实施例用于放大装置中的信号的方法的流程图。
具体实施方式
下面的实施例是示例性的。尽管说明书可能在若干位置中引用“一”、“一个”或“一些”实施例,但是这不一定意味着每个这样的引用指代相同的实施例或者该特征仅应用于单个实施例。不同实施例的单个特征也可以被组合以便提供其它实施例。
图1示出了直接变频接收机架构的示例,所述直接变频接收机架构用于将所接收到的无线电信号变换到基带。该接收机包括处在下变频器4和5之前的第一放大器2。第一放大器2通常是低噪声放大器(LNA)。带通滤波器1和3被设置在放大器2之前和之后,以便除去不希望的频率分量。下变频器4和5利用本地振荡器信号LO_0、LO_90、LO_180和LO_270来将所接收到的无线电信号的同相分量(I)和正交分量(Q)从射频(RF)向下变频到基带。数字表示了各个本地振荡器信号的相移。在下变频之后,基带放大器6和7分别放大经下变频的I和Q分量,并且低通滤波器8和9移除导致下变频的谐波信号分量。放大器10和11进一步在A/D转换器12中的模数(A/D)转换之前放大经低通滤波的信号。
长时间以来,设计可在宽频范围上调谐的RF电路和其它高频电路一直是个问题。由于基本半导体物理性而产生了局限性:组件的非理想性限制了可以达到的可调谐性的程度和质量。多频带和多***接收机的出现加重了该问题。这样的接收机可用于认知无线电装置中,所述认知无线电装置被配置以便:在多个无线电通信协议上通信,以及基于所检测到的无线电通信环境、频带占用、干扰环境等来为每个应用选择合适的无线电通信协议。研究工作已经朝着宽带接收机结构进行转移。这导致接收机电路不得不操作在更不友好的环境中,因为接收机前端组件不仅必须处理带内信号还必须处理带外信号。这最终导致在电路中必须达到的更严格的线性度要求。另外,已经证实修改电路的宽带响应是困难的。
本发明涉及一种包括放大器电路的装置,所述放大器电路包括具有反馈回路电路的放大器,其中,该反馈回路电路实现了具有可调节到当前操作频率的阻带的带阻滤波器。反馈回路电路的带阻响应使得放大器电路对于多个不同操作频率中的每个操作频率有选择地具有频率选择性带通响应,其中放大器电路的通带位于当前操作频率。
图2示出了根据本发明实施例的模拟放大器电路的示例结构。该放大器电路包括具有反馈回路电路的放大器22,所述反馈回路电路包括具有频率选择性阻抗Z(s)的滤波器电路20。关于放大器电路的操作,首先出于说明的目的假设阻抗Z在整个频率范围上非常大,从而,放大器22将反馈回路考虑为开路,因此,放大器电路的响应等于放大器22的响应。接下来,假设频率选择性阻抗Z在低频处非常大并且在高频处非常小。现在,由反馈阻抗Z和放大器22这二者来确定***响应。放大器电路的频率响应现在是低通的,因为从可在操作频率范围上是基本平坦的放大器电路的频率响应中减去了反馈回路电路的高通响应。
通过产生频率选择性阻抗Z(其在除了所期望的操作频率之外的所有其它频率上都是低的),阻抗Z产生带阻响应,这意味着为放大器电路获得了带通类型的响应。有效的是,频率选择性阻抗删除了反馈回路中的期望信号,留下了将从放大器22的输入信号中减去的非期望的信号分量(另外可能有期望信号的残余)。因此减少了干扰信号分量,这改善了放大器电路以及在放大器电路之后的任何其它电路的线性度。因为增益在操作频带之外是低的,所以带外信号分量被衰减,并且对放大器电路的线性度的改善与增益的减少成比例。
图3A示出了本发明的另一个实施例。在该实施例中,首先将反馈信号下变频到基带,然后在滤波器电路20中进行滤波和相位调节,并且在将反馈信号施加到放大器22的输入端之前,将该信号上变频回到初始频率。然后将经上变频的、滤波的并且相位补偿的反馈信号施加到放大器22的输入端。为了在滤波器电路20之前和之后进行变频,将混频器24和26合并到滤波器电路20的两侧。下变频器26通过使用本地振荡器信号LOd来对输入到反馈回路中的放大器22的输出信号进行下变频,所述本地振荡器信号LOd具有与放大器电路的操作频率相对应的频率。下变频器26可被配置以便将RF信号下变频到基带。然后,包括高通滤波器和/或多相滤波器(polyphase filter)的滤波器电路20在基带上对从下变频器26接收到的基带信号进行滤波和/或相位补偿,并将经滤波和相位调节的基带信号施加到上变频器24。上变频器24通过使用另一本地振荡器信号LOu来将经滤波和相位调节的基带信号从基带上变频回到RF信号。实际上,两个本地振荡器信号LOd和LOu可具有相同的频率,并且甚至可以源自相同的本地振荡器。
现在反馈回路包括混频器24和26,其在射频带与基带之间对信号进行变频,滤波器电路20的频率响应可被配置为高通响应。当滤波器电路20的高通响应被上变频回到RF时,该响应表现为带阻响应,其有效地将放大器电路的响应配置成为带通响应。围绕滤波器电路20使用混频器24、26的优势在于:滤波器电路的频率响应可保持恒定,除非该响应的带宽被改变。可以简单地通过改变本地振荡器信号LOd和LOu的频率来改变带通频率。响应于放大器电路的操作频率上的改变,本地振荡器信号LOd和LOu的频率发生改变。通过控制(提供了本地振荡器信号LOu和LOd的)一个或多个本地振荡器信号发生器响应于操作频率上的改变而改变振荡频率,控制器30或控制电路可以控制带通频率的改变。
在滤波器电路中利用高通型阻抗(例如电容器)形成了频率选择性阻抗,所述频率选择性阻抗类似于彼此并联的电感器L和电容器C。当该带阻阻抗与放大器22一起被包括在反馈配置中时,产生带通型***响应。图3的当前实施例与LC阻抗的区别在于:简单地通过改变本发明中的LO频率可更改带通频率,而改变LC阻抗的通带则需要电感器和/或电容器的组件值的改变。另外,与LC阻抗的特性不同的是,当带通频率改变时,响应的过渡带并不改变。这是由于以下事实:除了相位补偿之外,混频器24与26之间的信号环境可从一个LO频率到另一个LO频率保持恒定。另一个优势特征在于:放大器电路有效地处在通带附近的开环配置中,并且因而由放大器而不是反馈来确定放大器电路的通带特性。另外,由于多个操作频率之间的选择,放大器电路固有地是宽带的,并且不一定要专门在给定的固定和窄操作频带上使用。多个不同的操作频带一起形成宽频带,其中放大器电路可被配置以便在所述宽频带上操作。
放大器22和反馈回路电路的非理想性也影响了放大器电路的操作。放大器电路的操作频率的增加产生了在反馈回路上的相移,这导致通带在频率上移位。该相移对于每个操作频率来说是不同的。频移随着相移的增加而成比例地增加,这意味着可能难以实现使用该拓扑的超高频率电路。根据本发明的实施例,如下解决该问题:向反馈回路增加具有可调节相移的多相滤波器,从而补偿不希望的与频率相关的相移现象。多相滤波器的电路配置被调节以便调谐被施加到反馈回路的信号的相移。响应于包括放大器电路的装置(例如无线电接收机)的操作频率的改变并且在控制器30的控制之下,可以改变多相滤波器的电路配置,从而使得可针对不同的操作频率实现不同的相移调节。特别地,控制器30可以改变多相滤波器的电路配置,以便在操作频率改变时补偿通带移位。另外,控制器30可被配置以便调谐滤波器电路20的频率响应,从而实现在操作频率附近的带阻响应,即,针对放大器电路的带通响应。响应于操作频率上的改变,控制器30可以改变包括多相滤波器的滤波器电路20的电路配置。下面将更详细地描述电路配置的调节。
并不将反馈回路电路的输入信号转换到基带,下变频器26而是可以将该输入信号转换到不是基带的中间频率。在该情况下,由于具有相同频率的振荡器信号被施加到混频器24和26,上变频器24将滤波器电路进行滤波的信号从中间频率上变频回到射频。在该实施例中,滤波器电路可被配置以便具有在该中间频率的中心附近(即,在被定义为中心射频减去本地振荡器信号LOu和/或LOd的频率的频率附近)的带阻频率响应。可以预见,尽管通常可能优选较低频率,但是进行滤波的中间频率却高于输入信号的原始频率。应理解,本发明并不限于在较低频率上对输入信号进行滤波。
滤波器电路20可实施带阻滤波器和/或相位补偿多相滤波器,它们的参数适于多个不同的操作频率。通过使用专用带阻滤波器或者通过使用高通滤波器和混频器24和26,如图3A的实施例所示,可以实现带阻滤波器。
放大器电路不仅可用于无线电通信设备还可用于操作在较低操作频率(例如,在几MHz或kHz量级上的频率)上的电子设备。在这样的情况下,下变频和上变频操作不一定是在射频和基带或中间频率之间执行,而是更一般地在两个频率(较高和较低频率)之间执行。
图3B示出了放大器电路的电路配置以及在电路的不同部件中的频率响应。为了便于说明,在图3B中省略了控制器30,但是自然也可以在电路中包括控制器30。放大器22的频率响应是基本平坦的,并且滤波器电路20的响应是高通的。在滤波器电路20上的频率响应示出了由于使用不同操作频率而导致的相移的影响。特别地,滤波器电路20的频率响应从基带漂移开而形成在另一频率上的凹口(notch)。在滤波器电路20所包括的多相滤波器中补偿了频移和相移。作为补偿的结果,反馈回路电路的凹口的中心频率保持在操作频率(即,本地振荡器信号LOd和LOu的频率)附近。这具有以下效果:放大器电路的通带的中心频率也保持在本地振荡器频率LO(等于LOd和LOu)附近。从而,如图3B中的放大器电路的输出端处的频率响应所示,放大器电路在所有操作频率上具有所期望的通带特征。
可以在支持多个频带上的无线电通信的无线电通信设备中包括该放大器电路。这样的无线电通信设备通常被称为多模通信设备。如上所述,控制器30可以根据放大器电路和无线电通信设备的当前操作频率来改变滤波器电路的电路配置。对于在反馈回路电路中使用混频器24、26的实施例,控制器30可控制被施加于混频器24、26的本地振荡器信号LOd和LOu的频率。实际上,控制器30可控制频率合成器(例如锁相环)的振荡频率,或者控制器30可控制对于源自频率合成器的振荡器信号的分频,从而使得将具有与操作频率相对应的频率的本地振荡器信号施加到混频器24、26。施加到混频器24、26的每个振荡器信号可包括同相信号分量和正交信号分量,以便启用在多相滤波器中的频移。当放大器电路被实现为无线电接收机中的LNA时,本地振荡器信号LOd和LOu可与施加于一个或多个混频器(例如图1的混合器4和5)的信号相同,所述混频器随后在接收机链中对所接收到的无线电信号进行下变频。另外,控制器30可根据当前操作频率来调节滤波器电路20的响应。特别地,控制器30可响应于操作频率上的变化来调节多相滤波器的相移。可在存储器(未示出)中存储电路配置,所述电路配置定义了用于不同操作频率的不同相移值,并且控制器30可响应于操作频率上的改变来从存储器获得正确的电路配置。然后,控制器30可向滤波器电路输入控制信号,从而应用对于当前操作频率来说合适的电路配置。可以作为校准过程的结果来获得为不同的操作频率定义了合适相移的电路配置。在校准过程中,确定对于上述频率漂移来说合适的相移补偿,并在存储单元中存储对应的电路配置。可以将电路配置存储为预先确定的数字码字,从而使得控制器能够将合适的控制信号应用于滤波器电路。可通过例如无线电通信设备的其它部件将操作频率的改变输入到控制器30,或者控制器30可以根据无线电通信设备的通信参数来连续地监控当前操作频率及其改变。
在实施例中,反馈回路电路可与放大器电路断连,并且控制器30被配置以便根据所确定的准则来将反馈回路电路与放大器断连。例如,当确定干扰环境低于预设门限级别时,反馈回路电路可与放大器22断连。例如,在所希望的信号带附近的干扰级别可能低于门限级别,从而,反馈回路可被断连。在这样的干扰环境中,认为使用反馈回路的益处不大。另一方面,当所接收到的无线电信号中的带外干扰级别高于预设门限时,反馈回路电路可被连接到放大器22。在这样的干扰环境中,认为使用反馈回路的益处大。另一种断连的准则可以是优化功率消耗。通过打开和关闭反馈回路电路,可以分别实现反馈回路电路与放大器22的连接和断连。例如,当控制器30(例如在认为干扰低时)确定将反馈回路电路20与放大器22断连时,控制器30可关闭混频器24、26。当控制器决定将反馈回路电路20连接至放大器22时,其可以启动混频器。代替关闭和启动混频器的是可以打开和关闭反馈回路电路的一个或多个其它部件,以便有效地将反馈回路电路20连接至放大器22以及与放大器22断连。在另一个实施例中,将开关添加到反馈回路电路的输出端和输入端,其中,根据控制器30所提供的控制信号来打开和关闭开关。控制器30可被配置以便根据给定准则:打开开关,从而将反馈回路电路与放大器断连,以及关闭开关,从而将反馈回路电路连接至放大器。
图4示出了根据本发明实施例的用于放大器电路的示例电路配置。图4示出了作为两级放大器的放大器22,然而其它实现方式也是可行的。关于图4中的标记,将放大器电路的正输入信号和负输入信号分别标记为INP和INM,并且将放大器电路的正输出信号和负输出信号分别标记为OUTP和OUTM。V_DD和V_SS表示操作电压,而V_B1和V_B2表示偏置电压。在图4的上半部分示出了反馈回路电路。下变频器26通过DC阻塞电容器而连接至放大器22的输出。下变频器26接收放大器22的输出信号以及同相和正交本地振荡器信号的正分量和负分量(对于负的和正的同相信号分别表示为L_IM和L_IP,对于负的和正的正交信号分别表示为L_QM和LQP)作为输入。V_C表示根据下变频器26和上变频器24的特性而选择的偏置电压。下变频器信号被施加到滤波器电路20,所述滤波器电路20对于图4中的下变频器的每个输出分支包括电容器50、52、54、56。电容器50至56被配置以便提供用于滤波器电路20的高通响应。滤波器电路20还包括可调电阻器40、42、44、46,其形成多相滤波器的实施例,所述多相滤波器为反馈回路配置了相位调节。可调电阻器40至46被布置在反馈回路中的信号分支之间,并且其与电容器50至56一起形成具有可调特性(包括可调相移)的高通RC滤波器电路。该滤波器电路的Q因子也可被调谐。如上所述,可在控制器30的控制之下调节可调电阻器40至46的电阻器值,以便获得不同的相移值来补偿由于使用不同的操作频率而导致的相移。在从经下变频的信号中过滤出所希望的信号分量之后以及在对滤波器电路20补偿了相位之后,具有与下变频器26的结构相对应的结构的上变频器24将经滤波的高通信号上变频为带阻RF信号,所述带阻RF信号通过DC阻塞电容器从反馈回路电路输出到放大器22的输入端。
在图4的实施例中,混频器24和26是无源混频器,然而同样地,有源混频器也可用于下变频和上变频。
继续参考图4的实施例,利用可调电阻器40至46的电阻器值来调谐滤波器电路的响应。在另一实施例中,电容器50至56的电容值也是可调的,从而对于特别是调谐滤波器电路的频率响应和带宽来说提供了更多通用性。一般而言,除了相移之外,或者作为相移调节的备选方案,可以使得滤波器电路的带宽可调。关于带宽调节,如以上关于调谐相移所描述的,通过向滤波器电路施加根据放大器电路的当前操作频率的控制信号,可通过控制器30来控制对电容器50至56的电容值的调节。可通过开关电容器拓扑来实现可调电容器,在所述开关电容器拓扑中,由多个电容器和多个开关来替换每个电容器50至56,并且根据放大器电路的预期通带特性和当前操作频率,通过关闭由控制器30提供的信号所控制的适当开关,可以选择不同的电容器电路。在实施例中,滤波器电路的阻带(即,放大器电路的通带)的带宽保持恒定而与操作频率无关。通带的带宽可被设计成放大器电路所操作的最高带宽。在另一实施例中,通带的带宽被调节为匹配于当前操作带宽。
代替在滤波器电路20中使用一阶滤波器(first degree filter),如图4中的实施例,可以使用更高阶的滤波器来获得更陡的过渡带以及在阻带中的更高衰减。滤波器电路20可以例如是二阶或三阶的。另外,根据放大器电路的预期功能性,可在反馈回路电路中提供其它组件。例如,可在反馈回路电路中提供有源组件(例如放大器)。
实现具有电容器和电阻器的滤波器电路具有可避免使用电感器的优势,这在实际实现中可以节省硅面积。
图5示出了根据本发明的实施例用于配置放大器电路的方法的实施例。参考图5,在框500中,提供放大器电路。该放大器电路可以是上述实施例中的任何一个,其中放大器电路包括具有反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路有选择地针对多个不同的所支持的操作频率和频带之一而提供了可配置的带阻频率响应。当从放大器的平坦响应中减去反馈的带阻响应时,放大器电路具有相应的带通响应。
在框502中,为放大器电路确定当前操作频率。例如,如果在无线电接收机中包括了放大器电路,则当前操作频率处于无线电接收机的当前接收频带(例如GSM或UMTS频带)内。在框504中,选择与在框502中确定的当前操作频率相对应的电路配置。在实施例中,框504包括:检查用于被映射到当前操作频率或频带的电路配置的存储单元,以及向放大器电路施加控制信号,所述控制信号改变电路配置以便将通带调谐到合适的频带。控制信号可被施加到反馈回路电路来调节其电路配置,从而改变反馈回路电路的频率响应和/或相移,如以上参考图2、图3A和图3B所描述的。
在框506中,根据在框504中所应用的电路配置,放大器电路放大具有带通响应的输入信号。在框508中,确定操作频率是否改变。如果操作频率保持相同,那么保持当前电路配置。如果操作频率发生改变,则该方法返回到框502,在框502中确定新的操作频率,并相应地选择放大器电路的电路配置。
可通过控制器30来执行图5的方法的框502、504和508。可通过由软件配置的数字信号处理器来实现控制器30,或者控制器30可以是纯硬件组件。控制器可以是具有一个或多个核的多用微处理器,或者控制器可以是微控制器。这里仅给出了控制器的一些可能的示例,实际上,本领域技术人员将根据控制器所要求的预期功能性和处理功率来选择控制器的合适的实现方式。
在通过软件来配置控制器的实施例中,可将框502、504和508实现为按照计算机程序所定义的计算机进程的形式来执行的软件模块,所述计算机程序(除了其它软件模块之外可能)包括所述软件模块。计算机程序可以具有以下形式:源代码形式、目标代码形式或者一些中间形式,并且所述计算机程序可被存储在某种载体中,所述载体可以是能够携带程序并且能够由诸如控制器30这样的计算机来读取的任何实体或设备。这样的载体例如包括记录介质、计算机存储器、只读存储器、电载体信号、电信信号以及软件分发包。
对于本领域技术人员显然的是,随着技术进步,本发明构思可以按照多种方式来实现。本发明及其实施例不限于上述示例而是可以在权利要求的范围中变化。
Claims (12)
1.一种用于通信的方法,其包括:
提供放大器电路,所述放大器电路包括具有反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括第一变频器电路、滤波器电路以及第二变频器电路,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应;
在所述反馈回路电路所包括的所述第一变频器电路中,通过使用第一本地振荡器信号将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;
在所述滤波器电路中修改在所述第二频率上的经变频的信号;
在所述第二变频器电路中通过使用第二本地振荡器信号将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率;
将经变频和修改的信号输入到所述放大器的输入端;以及
通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,将所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
基于当前操作频率,为所述滤波器电路中所包括的多相滤波器选择电路配置,以便在与多个所支持的操作频率相关联的多个不同相移当中获得预期相移特性;以及
配置所述多相滤波器,以便应用所选择的电路配置,从而获得用于当前操作频率的预期相移。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述第一变频器电路是下变
频器电路,并且所述第二变频器电路是上变频器电路,所述方法进一步包括:
在所述下变频器电路中,将施加至所述反馈回路电路的输入端的信号从射频下变频到较低频率;
在所述滤波器电路中,修改从所述下变频器接收到的在所述较低频率上的经下变频的信号;以及
在所述上变频器电路中,将经滤波和相位补偿的信号从所述较低频率上变频到较高频率,并将经上变频的带阻信号施加到所述放大器的输入端。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述较低频率是基带,其中所述滤波被执行为高通滤波,并且其中,所述高通滤波和相位调节是在基带上执行的。
5.根据权利要求3的方法,其进一步包括:
通过改变被施加到所述下变频器电路和所述上变频器电路的本地振荡器信号的频率来改变所述放大器电路的通带频率。
6.根据权利要求4的方法,其进一步包括:
通过改变被施加到所述下变频器电路和所述上变频器电路的本地振荡器信号的频率来改变所述放大器电路的通带频率。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其进一步包括:
基于所确定的准则,将所述反馈回路电路与所述放大器断连,或者将所述反馈回路电路连接至所述放大器。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述放大器电路被应用于无线电通信设备,并且其中,所述方法进一步包括:响应于所述无线电通信设备的操作频率上的改变,改变所述反馈回路电路的电路配置。
9.一种用于实现根据前述权利要求中任一项的方法的装置。
10.一种用于通信的设备,其包括:具有反馈回路装置的放大装置,
所述反馈回路装置包括:
第一变频装置,用于通过使用第一本地振荡器信号将输入至所述反馈回路装置的信号从第一频率变频到第二频率;
滤波装置,用于修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及
第二变频装置,用于通过使用第二本地振荡器信号将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,以及用于输出要被施加到所述放大装置的输入端的经变频和修改的信号,
其中,所述反馈回路装置实现了具有可调阻带的带阻滤波装置,其使得所述放大装置具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频装置和所述第二变频装置的变频参数,所述放大装置的通带从一个操作频率变到另一操作频率。
11.一种用于通信的方法,其包括:
基于要应用的操作频率,为放大器电路的反馈回路电路选择电路配置,所述放大器电路包括具有所述反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括:第一变频器电路,其被配置以便通过使用第一本地振荡器信号将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;滤波器电路,其被配置以便修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及第二变频器电路,其被配置以便通过使用第二本地振荡器信号将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,并且输出要被施加到所述放大器的输入端的经变频和修改的信号,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率;以及
配置所述第一变频器电路和所述第二变频器电路,以便应用所选择的电路配置并且具有与要应用的操作频率相关联的变频参数。
12.一种包括控制器电路的装置,其被配置以便:
基于要应用的操作频率,为放大器电路的反馈回路电路选择电路配置,所述放大器电路包括具有所述反馈回路电路的放大器,所述反馈回路电路包括:第一变频器电路,其被配置以便通过使用第一本地振荡器信号将输入至所述反馈回路电路的信号从第一频率变频到第二频率;滤波器电路,其被配置以便修改在所述第二频率上的经变频的信号;以及第二变频器电路,其被配置以便通过使用第二本地振荡器信号将经修改的信号从所述第二频率变频回到所述第一频率,并且输出要被施加到所述放大器的输入端的经变频和修改的信号,其中,所述反馈回路电路实现了具有可调阻带的带阻滤波器,其使得所述放大器电路具有可调带通响应,并且其中,通过改变所述第一变频器电路和所述第二变频器电路的变频参数,所述放大器电路的通带从一个操作频率变到另一操作频率;以及
配置所述第一变频器电路和所述第二变频器电路,以便应用所选择的电路配置并且具有与要应用的操作频率相关联的变频参数。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/FI2009/050754 WO2011036331A1 (en) | 2009-09-22 | 2009-09-22 | Adjustable circuit architecture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102577106A CN102577106A (zh) | 2012-07-11 |
CN102577106B true CN102577106B (zh) | 2015-04-15 |
Family
ID=43795436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200980161552.8A Expired - Fee Related CN102577106B (zh) | 2009-09-22 | 2009-09-22 | 可调节的电路架构 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8862088B2 (zh) |
EP (1) | EP2481150A4 (zh) |
CN (1) | CN102577106B (zh) |
WO (1) | WO2011036331A1 (zh) |
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- 2009-09-22 WO PCT/FI2009/050754 patent/WO2011036331A1/en active Application Filing
- 2009-09-22 CN CN200980161552.8A patent/CN102577106B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-22 US US13/497,485 patent/US8862088B2/en active Active
- 2009-09-22 EP EP09849712.6A patent/EP2481150A4/en not_active Withdrawn
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2481150A4 (en) | 2013-11-20 |
WO2011036331A1 (en) | 2011-03-31 |
CN102577106A (zh) | 2012-07-11 |
EP2481150A1 (en) | 2012-08-01 |
US8862088B2 (en) | 2014-10-14 |
US20120178391A1 (en) | 2012-07-12 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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