CN102575986A - 用于硅光伏电池生产的光致发光成像*** - Google Patents

用于硅光伏电池生产的光致发光成像*** Download PDF

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伊恩·安德鲁·麦克斯威尔
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Abstract

本发明涉及一种对一系列硅晶片进行光致发光成像的方法，本发明的方法包括采用波长大于808nm的入射光的步骤。本发明又提出了一种采用各种光照射、相机和滤波器的结合对硅半导体材料进行分析的方法。在另一个实施例中，相机被用于捕获整个光致发光响应，且长通滤波器被用于阻止一部分信号到达所述相机或探测器。

Description

用于硅光伏电池生产的光致发光成像***
技术领域
本发明涉及一种用于硅光伏电池生产的光致发光成像***。
相关申请
本申请要求专利申请号为：2009903823、2009903822和2009903813的澳大利亚临时专利申请的优先权，上述申请于2009年8月14日递交，上述申请中的内容通过引用在此进行结合。
背景技术
本说明书中所提到的现在技术不应该被认为是已经被广泛地知晓，或不应该被认为构成本领域公知常识的一部分。
通过公开号为WO2007/01759A1的PCT申请所述公开的装置和方法来进行的光致发光(PL)成像已经表明其具有对硅材料和装置，尤其是对基于硅晶片的光伏电池(PV)进行快速表征的价值；(该申请的发明名称为用于检查间接带隙半导体结构的方法和***，且在此处通过引用进行结合)。如图1所示，从具有由超带隙光8的源6光致激发的主要区域的硅晶片4处产生的光2可以采用硅CCD相机10通过聚光器件被成像，其中，***优选包括均化光学器件12用于提高了主要区域激发的均匀性，若所述激发光处于所述相机的探测带宽内，还包括设于相机前方的长通滤波器14。所述***还可以包括一个或多个滤波器15，在宽带源被使用时用于选择光致激发的波长范围。如图2所示，当样品相对较薄时，还可能在样品4的相对两侧设有激发源6和相机10，在这种情况下，所述样品本身可起到长通滤波器的作用。然而，如果从其它部件反射的大量散射激发光到达所述相机，长通滤波器14仍然是需要的。无论如何，被采集的PL图像可通过计算机16进行分析，从而获得关于许多样品特性的平均或空间分辨值的信息，所述特性包括少数载流子扩散长度、少数载流子寿命、位错缺陷、杂质和分路等。整个过程发生在大约几秒内或者甚至在一秒内，而这取决于硅材料的品质或成像***的具体设计。
如图1和2所示的***，为独立单元，作为例如研究院、硅晶片制造商的研发实验室，或光伏电池制造商的研发使用而设计，研发人员会发现其可应用于以质量控制为目的的被选晶片或光伏电池的检查中，或可用于在故障探测中帮助确定在不合格批次的电池中缺陷的类型或起源。然而，体硅样品(如铸块和砖块)、原切割硅晶片和光伏电池钝化以前的前体是极其差的PL辐射体，因为其决定PL强度的少数载流子寿命受到表面复合的限制。从而，对于这样的样品来说，图像采集相对较慢，而当对于研发使用这通常能被接受，或是对于体硅样品的常规检查时，比如用于识别被锯开成晶片以前的材料的质量较差的区域，如果PL成像将被用于对生产环境中光伏电池和前体进行常规检查，那么其检查时间是一个关键的因素，当前硅晶片光伏电池生产线的生产速度达到每小时3600晶片，且该生产速度有望提高。
另外，在检查时间不是一个关键因素的情况中，申请人发现不同类型的硅样品，如原切割晶片，表面纹理化的晶片和成品光伏电池，均具有以下特性：现有的PL成像***不适合上述所有的对象。因此，需要根据测量速度和对不同类型硅样品表征的适用性对PL成像***进行改进。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提出一种具有低图像采集时间的高效光致发光成像***。
根据本发明的第一方面，提供了一种采集硅晶片光致发光图像的方法，所述方法包括以下步骤：利用波长大于808nm的入射光来产生光致发光。在一些实施方式中，所述波长可大于910nm，甚至大于980nm。
上述的方法，在将所述入射光投射在所述硅晶片上以前，通过半导体材料对所述入射光进行过滤，或由半导体材料构成的滤波器可被设于用于采集光致发光图像的成像装置前方，所述半导体材料起着截止滤波器的作用，在一些实施方式中，可能通过铟镓砷成像装置或MOSIR成像装置对所述光致发光图像进行采集。
上述的方法，还包括以下步骤：采用长波长激发来照射所述晶片，从而使得从晶片内部产生的光致发光多于从晶片表面损坏的部分产生的光致发光。
在一些实施方式中，所述长波长激发的波长大于808nm。所述长波长激发的波长优选为大于910nm，所述长波长激发的波长更优选为大于980nm。在一些实施方式中，截止波长大于激发波长的陡峭过渡长通滤波器被用于对晶片进行的成像中。上述方法，其中所述长通滤波器优选为包括半导体材料。
优选实施方式中的方法，还包括随后对晶片进行表面蚀刻的步骤。
在一些实施方式中，根据要求，所述光致发光的成像大体上发生在100毫秒内，所述光致发光的成像优选大体上发生在10毫秒内或在1毫秒内。
根据本发明的另一方面，提供了一种分析硅材料的方法，所述方法包括对所述硅材料进行充足水平的光照射从而获得光致发光响应，和采用相机来捕捉光致发光响应形成图像，其中，所述光照射为高强度光照射，或所述光的波长大于808nm，以及采用相机对光致发光辐射光谱中所有或基本上所有的光致发光响应进行捕捉。
根据本发明的另一方面，提供了一种捕捉来自硅材料的光致发光响应的方法，包括采用MOSIR相机。
根据本发明的另一方面，提供了一种捕捉来自硅材料的光致发光响应的方法，所述半导体材料位于信号频带内的被激发光照射，其中，位于信号频带内的可被用于捕捉光致发光响应的相机探测到，长通滤波器被用于阻碍光照，和使激发信号从所述相机处偏离开。上述的方法，所述滤波器优选为半导体滤波器。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中：
图1为现有技术中其中一种半导体样品光致发光成像***的示意图；
图2为现有技术中另一种半导体样品光致发光成像***的示意图；
图3(a)和图3(b)为一个在线光致发光成像***的侧视图和前视图；
图4(a)和图4(b)为另一个在线光致发光成像***的侧视图和前视图；
图5为在室温条件下，由晶体硅晶片(左轴线)辐射出的典型的发光光谱和晶体硅(右轴线)的吸收系数；
图6为可被硅相机探测到的硅光致发光辐射相比于全部光致发光辐射的一部分；
图7为原切割多晶硅晶片的光致发光图像；
具体实施方式
接下来根据相应的附图，以举例的方式阐述本发明的优选实施方式。
光致发光(PL)成像用于测量一些材料所需参数的能力已被晶片和光伏电池制造商所知，并且已经被广泛和潜在地应用于光伏电池制造工业领域。PL成像技术已经在脱机测试和测量工具中被采用，例如，用于对性能较差的电池进行调查或用于对刚收到的晶体的质量进行随机检测，我们相信开发具有不同能力的，采用直接的机械控制或通过人工操作的在线PL成像***是具有现实前景的，如晶片分类和装箱，过程控制反馈(如，纠正次品加工阶段)或前馈(如，在准备不同等级的给料时，对加工程序进行的调整。)
图3(a)和图3(b)分别为在线PL成像***的侧视图和前视图，所述成像***包括线性光源18，如红外(1R)LED栅，以及线相机20，如设于硅晶片4的任意一侧的线性硅CCD阵列，所述线性硅CCD阵列具有用于对从晶片整个宽度上向线相机内部辐射的PL进行聚焦的聚光***。当晶片沿箭头24所示的方向通过时，线相机对一系列的发光带的线图像和由计算机建立的整个晶片区域的图像(未显示)进行采集。图4(a)和图4(b)为相类似的具有光源18和线相机20的在线***，其中，所述光源18与所述线相机20位于样品晶片4的同侧。根据需求，有其它一些如图1和图2的“区域成像”***所示的器件的存在将会更好，例如各向同性光器件、激发滤波器和信号滤波器。
样品类型(例如，原切割晶片、半成品光伏电池或成品光伏电池)和成像类型(例如，区域或线成像)的结合将具有其自身需求的性能指标和成本约束，该性能指标和成本约束必须被满足从而来生产经济实用且可靠的***。测量速度对于在线成像应用来说是一个重要的指标，尽管在许多情况下其它的性能指标同等重要或更加重要。为了示范的目的，我们将专注于原切割晶片，纹理化的晶片和后钝化的晶片，从而对一些在设计PL成像***时必须做出的妥协进行解释。对于所有类型的硅样品来说，不可能存在一种最佳的特定的配置，如果需要设计一些通用的***，则需要做出一些妥协。在许多情况下，“设计规则”，即所需的激发光源(根据波长和强度)、相机和滤波器的结合，是非显而易见的；如果激发和辐射频带互相比较接近，则必须采用所述滤波器。另外，在设计工业应用的***时，器件的成本必须被时刻牢记。在本说明书中，我们将仅仅对采用区域成像相机采集到的图像进行描述和展示，但许多的设计要素，如照射波长，滤波器和相机的类型，同样适用于线扫描成像***。
如图5所示为晶体硅晶片(左轴线)辐射出的典型的带间发光光谱和在室温条件下晶体硅的吸收系数(右轴线)。从中可看出，硅的吸收在波长大约为1100nm以上时变得不为重要，且乍看之下，短波长激发对测量速度更有利，这是因为较短的激发波长将提高载流子产生率。然而短波长激发在接近地面处被吸收，从而对于原切割晶片来说，光致发光将从锯损坏的表层处产生，所述表层不是特别有用且不能够表现根本的材料质量，这是因为被损坏的层面在锯损坏蚀刻阶段被去除了。
对于PL成像技术在早期表示将来电池的性能，最好使用较长的波长激发，例如850nm、910nm或980nm，来从晶片的内部产生PL辐射，而不是使用可见光。甚至对于具有更佳表面质量的硅晶片，例如，钝化的晶片，最好采用较长照射波长来获得更真实的体特性图片。因此，当进行硅样品PL成像时，优选为采用大于800nm照射波长来产生PL辐射，采用的波长更优选为大于910nm，采用的波长最佳选择为大约980nm或更长。因此，在优选实施方式中，采用较长波长的光从晶片的内部产生PL辐射。
较长的照射波长可以产生较少的光致发光，这是由于较低的吸收所导致的，从而增加了已知激发强度、信噪比和探测***的测量时间。对于原切割晶片来说，可达到的PL辐射由于他们有效体寿命较低而被进一步限制，对于多晶硅来说只有１μs，这是由于快速表面复合所导致的。假定在低注入条件下，PL信号IPL与有效少数载流子寿命τeff非常接近于成正比关系，而这使得从一块原切割晶片处产生可测量信号比从钝化的多晶硅晶片(τeff～10μs)或一块高质量的钝化单晶硅晶片(τeff～1ms)处产生可测量信号更为困难。
可以采用更高强度的照射来产生更多的载流子，进而产生更多的PL光子，来提高测量速度。尽管PL信号不总是与照射强度成线性关系，尤其处于高强度照射时，载流子寿命依赖于注入水平，但一般来说照射强度越高产生的PL信号越大。另外，对于原切割晶片来说，这种依赖关系在更大的照射强度范围上是根本上成线性关系的，这是因为有效载流子寿命根本上取决于表面复合。当在靠近或处于行端进行光伏电池PL成像时，也许采用适合的相当于1Sun(100mW/cm2)的照射强度要优于采用在接近于正常操作条件下的照射强度，这在电池生产的早期是次要的，因此，通常情况下最好采用高照射强度来从原切割晶片处产生光致发光。
考虑到目前有许多种相机技术，我们首先注意到大多数在光伏(PV)研发或生产中被使用的商业PL成像***采用了硅CMOS或CCD相机。如图5所示，对硅吸收和照射光谱的调查表明不是必须采用硅相机对来自硅样品的光进行测量，这是因为大多数900至1300nm光频带已经超过了硅相机的探测范围(如吸收光谱所示)。实际小部分的可通过硅相机探测到的硅PL光子由如图6的曲线26来表示，全部的可获得的信号由曲线28来表示，且我们估计全部信号中仅有大约5％的信号能被探测。尽管在选择硅相机时有许多实务的原因，比如成本，以及硅相机确实是一种很先进又可靠的技术，来用于获得几种不同格式(例如1024x 1024像素阵列)和具有相对大的像素(大像素意味着是高计数率和快测量速度)，尽管他们具有一些接下来要进行阐述的更为细微的好处，然而，另一种能够捕捉整个而不是5％PL光谱的相机技术是明显值得考虑的。假设与量子效率相类似，该相机可以让测量速度直接提高20x。
尤其当采用较长激发波长从样品非表面部分产生光致发光时，硅相机的另一个问题为激发光(如950nm)与图6中曲线26所示的可探测信号频带接近，意味着具有从低吸收率到高吸收率的陡峭过渡的长通滤波器需要被设于相机的前方，从而不在任何程度上对可探测的光致发光进行阻止的前提下阻止激发。另外，抑制比应当较大，这是因为对于间接带歇半导体而言，比如硅，照射强度的量值比PL强度要大。我们发现半导体材料在这点上较为有效，因为它们在他们带缘处进行传播时呈现出陡峭性的变化；表1列出了一些可以被用做滤波器的半导体材料。我们注意到只要激发频带处于低传播区域内，本发明也可以采用带阻滤波器。如果所使用的相机是对整个PL光谱敏感的，那么该滤波就显得不是那么重要了，这是因为激发频带和探测频带间有着更大的分离。
两种对于整个硅PL辐射光谱敏感的相机技术分别是InGaAs技术和作为近来较为先进的“MOSIR”技术，所述MOSIR技术采用了InGaAs或InGaAsP光电阴极，所述光电阴极在真空管内为响应近红外(1R)光子而产生电子，并且对它们提速至硅焦平面阵列(FPA)设备上(CCD或CMOS传感器)。这两种传感器对大约900nm到1700nm或更长的波长敏感，而这取决于该InGaAs的精确成分，并且，如果有需要，这两种传感器也能够被用于研究1500nm到1700nm区域的PL频带，其中所述频带已经被分配至硅中各种不合格品(如P.艾德尔曼等人1992出版的半导体科学与技术7一书中，硅和砷化镓中光致发光和少数载流子扩散长度成像A22-A26)。
MOSIR和InGaAs相机相对于硅相机的另一个优点为：如果激发波长远小于900nm，那么就不需要采用长通滤波器来阻止激发到达该相机处。另外，即使需要长通滤波器，对于原切割晶片来说，当采用的激发波长大于900nm时，滤波器传播边缘的陡度显得次要，这是因为PL光谱较长部分中具有大量的可测探信号。
Figure BDA0000153825060000061
Figure BDA0000153825060000071
为了成像，具有InGaAs与硅探测结合的MOSIR技术在某些方面要优于简单的InGaAs阵列。首先，硅FPA是一种成熟的技术，其比目前采用InGaAs的技术具有更为高的像素，这意味着具有更大的空间分辨率。其次，读出噪声较小，这是因为在光电阴极与硅FPA间100x的增益。例如，如果在光电阴极处产生10个光电子，他们会在硅FPA中产生1000个电子。如果读出噪声为50个电子(通常对于CMOS)，该信号或噪声为20∶1，所就是说，被转回至输入的噪声小于单一的光电子，这意味着均帧是几乎不觉有噪声的。此后，我们将采用‘MOSIR’相机和类似的技术来描述对整个硅PL辐射光谱(900-1300nm)敏感的成像设备。
在某些类型的硅样品中，尤其是光伏晶片，其表面被纹理化来捕捉入射光，进而来提高电池的效率，MOSIR相机和同类装置的用于捕捉整个硅PL辐射光谱的能力可以提高的幅度大于先前所提到的20x。这是因为，硅/大气界面的大折射率对比意味着通过辐射复合各向同性地产生一大部分光子在第一次接触的时候不会从硅处脱离开，但会在内部被反射。在该部分光子中，短波长光子会被重新吸收，而长波长电子在被重新吸收或从表面向外散射以前会通过晶片横向传播一段距离，很可能达到成像相机。纹理化晶片粗糙的表面增强了了向外的散射，以致于从纹理化晶片辐射出的全部长波长的PL光谱相比于从平整的晶片辐射出的光谱被大大地增加了。硅相机不能受益于增强后的长波长信号，但是对于MOSIR相机或同类装置来说，我们估计此效果使来自于标准的纹理化晶片的可探测信号进一步提高了3x.
尽管特别根据测量速度能够捕获所有或几乎所有的来自于硅的带间PL辐射光谱是一种具有明显吸引力的相机技术，然而当对硅晶片进行成像的时候还有更多细微的要求妥协的因素，尤其对于纹理化的晶片来说是如此，其中，在所述纹理化的晶片中，用于增强了长波长PL信号的光捕获效率又具有一个实质缺点。由于对长波长光子的捕获和光子在晶片样品内部的横向传播导致的拖尾效应，采用长波长PL采集到的图像具有较低的空间分辨率。解释：这是因为在纹理化晶片内部被捕获的长波长PL光子在从表面向外散射以前能够横向传播的距离大于晶片的厚度，这些光子可以脱离所述样品，且能够在与其产生处相隔一段距离的地方被探测到。这种图像拖尾效应将与载流子通过光伏电池的辐射层传播导致的模糊效应不同，可以掩盖一些细微的特征，如位错或裂缝，或提高了区别两种特征的难度，尤其是如果高质量区域(高计数率)与低质量区域之间计数率差相对较小。尽管由于接近探测极限的PL光子能通过硅-CCD芯片(或类似产品)横向的散射，也会导致出现一些图像拖尾，然而因为这些成像***对PL光谱的长波长部分不敏感，使得具有硅相机的PL成像***受该图像拖尾影响较小，从而导致探测到错误像素中的光子。
拖尾效应的主要结果是对用于硅的PL成像的相机技术的选择一点也不明显，这是因为在空间分辨率与测量速度间做出了妥协。尽管我们注意到像素合并可以提高具有硅相机的***的测量速度，如果测量速度是首先考虑的因素，那么应该优选具有MOSIR相机或类似装置的成像***；如果成像拖尾导致了空间分辨率的妥协，那么空间像素合并可以造成更多的空间分辨率的丢失。如本发明人在同日递交的发明名称为“表面纹理化晶片的光致发光成像”的PCT申请中所描述的，能够通过采用1000nm短通滤波器滤除长波长PL辐射从而实质上地消除成像拖尾，从而达到更好的空间分辨率。所述短通滤波器使具有MOSIR相机或类似装置的***对长波长敏感不起作用，但是对于一些要求较大空间分辨率的情况，所述短通滤波器可以作为滤波轮上的一种配件。随着短通截止波长根据成像拖尾的可接受量被选择，可以达到一个折中的位置。
当评估拖尾对成像分辨率的影响时，也值得去考虑何种晶片正在被成像，从而甚至通过最佳分辨率(无拖尾)来决定什么样水平的明细可期。为了阐明此点，图7展示原切割多晶硅晶片的PL图像，其中，所述PL在所述硅晶片中产生，所述PL具有来自于805nm二极管激光器的全区域照射，且通过1兆像素硅CCD相机被捕获。所述PL图像具有靠近底边的低照射强度区域，所述区域由多晶硅晶片中的低材料质量区域所导致，所述多晶硅晶片是从硅块的侧面被切割下的，所述晶片有着具有相对均匀照射强度的残余物，在所述残余物中只能隐约看见颗粒结构。在这第二区域内的均匀PL辐射的结果是几乎不需要考虑空间细节，从而不需要担心MOSIR相机或类似装置所经历的图像拖尾，其中，所述均匀PL辐射是由于原切割晶片中有效载流子寿命受到表面复合的限制。电池生产商不希望电池是采用如图7具有与从硅块内部切割下来的晶片一样效率的边缘晶片制造出来的，且如果对原切割晶片进行检查的唯一的目标是根据这点将晶片进行分类并装入质量箱的话，那么具有MOSIR相机或类似装置的PL成像***、长波长照射光源(950nm)和合适的长通滤波器(截止波长为1000nm)将是一个很好的设计选择。长波长照射会从用锯破坏的表层下方产生光致发光，且MOSIR相机和类似装置的大敏感度使得线速度检查达到每秒一片晶片，尽管原切割晶片的PL辐射较差。
另一方面，如果电池生产商想要采用PL成像来调查电活性缺陷的密度分布，空间分辨率应当尽可能地高，以致于细微的位错网可以通过边缘探测技术和其它图像处理算法来解析和量化，其中，所述缺陷为光伏电池或经部分处理的晶片的位错。在这种情况下，如果必须要进一步去除图像拖尾，最好采有硅相机，且PL辐射被短通滤除。假如样品是成本电池或后钝化晶片，也就是说具有合理的高效率的寿命，就能够更容易地获得一秒或更少的测量时间，尽管在PL辐射光谱上硅相机的敏感度较低。另外，短激发波长能够用于这些样品，所述短激发波长较容易通过滤波器与相机的输入分离。具有更大功率的照射器不但具有产生更多信号的价值，而且具有生成更清晰图像的价值；如T.特鲁普克于2007年9月米兰的第22次欧洲光电能源会议上发表的“硅晶片和太阳电池表征的照射成像的发展”一文所提到的，较高照射强度能够抑制由于载流子横向穿过辐射层导致的图像模糊。本说明书，我们将对晶片的高强度照射定义为大于50Sun(5W/cm2)的照射强度。
上述根据被检验样品的类型和基于检验的目的对PL成像***不同要求的讨论表明了设计一个合适的PL成像***不仅仅是不简单的，而且在某些方面是逆直觉的。例如，尽管硅的辐射效率非常低，建议去使用能够捕获整个硅PL辐射***的相机，但是依然有一些最好能够不使用很大一部分的PL辐射的情况。由于图像拖尾，这特别适用于MOSIR相机和类似装置，而这与当对较差宽带信号进行测量时最好使用对整个频带敏感的相机的情况相反。在一些情况下，比如，当最好使用长波长激发时，有必要丢弃硅PL辐射的短波长部分，而在其它情况下，如果空间分辨率是关键要求，则有必要丢弃长波长部分。然而在另外一些情况下，则有必要使用带通滤波器来去除短波长和长波长部分，留下非常有限的光谱区用于测量。
一些用户也许需要一个为特殊应用而设计的***，这些特殊应用如成品光伏电池的高空间分辨率的成像，或晶片以线速度质量装箱。其它用户也许需要一个通用***，这种情况下，必须做出一些妥协。***可以通过为所选择的相机设置多个滤波器，或设计两个或两个以上的激发光源(810nm和950nm激光)来扩大其可应用的范围，尽管这提高成本。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以根据设备的大小不同做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (21)

1.一种采集硅晶片光致发光图像的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：利用波长大于808nm的入射光来产生光致发光。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述入射光的波长大于910nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述入射光的波长大于980nm。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：在将所述入射光投射在所述硅晶片上以前，通过半导体材料对所述入射光进行过滤。
4a.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：由半导体材料构成的滤波器被设于用于采集光致发光图像的成像装置前方。
5.根据权利要求4或4a所述的方法，其特征在于：所述半导体材料起着截止滤波器的作用。
6.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于：通过铟镓砷成像装置采集所述光致发光图像。
7.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于：通过MOSIR成像装置采集所述光致发光图像。
8.一种表面损坏的硅晶片光致发光成像的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
采用长波长激发来照射所述晶片，从而使得从晶片内部产生的光致发光多于从晶片表面损坏的部分产生的光致发光。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述长波长激发的波长大于808nm。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述长波长激发的波长大于910nm。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述长波长激发的波长大于980nm。
12.根据权利要求8-11任一所述的方法，其特征在于：截止波长大于激发波长的陡峭过渡长通滤波器被用于对晶片进行的成像中。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述长通滤波器包括半导体材料。
14.根据权利要求8-13任一所述的方法，其特征在于：还包括随后对晶片进行表面蚀刻的步骤。
15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述光致发光的成像大体上发生在100毫秒内。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述光致发光的成像大体上发生在10毫秒内。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述光致发光的成像大体上发生在1毫秒内。
18.一种分析硅材料的方法，所述方法包括对所述硅材料进行充足水平的光照射从而获得光致发光响应，和采用相机来捕捉光致发光响应形成图像，其特征在于：
i)所述光照射为高强度光照射，或所述光的波长大于808nm，以及
ii)采用相机对光致发光辐射光谱中所有或基本上所有的光致发光响应进行捕捉。
19.一种捕捉来自硅材料的光致发光响应的方法，其特征在于：包括采用MOSIR相机。
20.一种捕捉来自硅材料的光致发光响应的方法，其特征在于：所述半导体材料被位于信号频带内的激发光照射，其中，所述信号频带可被用于捕捉光致发光响应的相机探测到，长通滤波器被用于阻碍光照，和使激发信号从所述相机处偏离开。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：所述滤波器为半导体滤波器。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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