CN102571135B - 射频半集成应用装置 - Google Patents

射频半集成应用装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102571135B
CN102571135B CN201210034292.1A CN201210034292A CN102571135B CN 102571135 B CN102571135 B CN 102571135B CN 201210034292 A CN201210034292 A CN 201210034292A CN 102571135 B CN102571135 B CN 102571135B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal level
frequency
integrated
radio frequency
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210034292.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102571135A (zh
Inventor
张品春
罗漫江
姜斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Comba Network Systems Co Ltd
Original Assignee
Comba Telecom Systems China Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Comba Telecom Systems China Ltd filed Critical Comba Telecom Systems China Ltd
Priority to CN201210034292.1A priority Critical patent/CN102571135B/zh
Publication of CN102571135A publication Critical patent/CN102571135A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102571135B publication Critical patent/CN102571135B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Transceivers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

一种射频半集成应用装置，包括基板。该基板从上至下依序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层；且该基板分为相邻的数字区和射频区，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述数字区；所述第一金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述射频区；相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。本发明提供的射频半集成应用装置在基板上分别设置了不同层次结构的射频区和数字区，改善了射频半集成应用装置的电磁兼容性能，并使该射频区的散热能力得到提升。

Description

射频半集成应用装置
技术领域
本发明为移动通信技术领域，具体涉及一种射频半集成应用装置。
背景技术
随着数字与射频一体化直放站设备小型化技术的发展，直放站设备集成小型化技术的需求凸显。直放站设备集成小型化具有小体积、低功耗、低成本的优势。然而，直放站设备集成小型化也具有弊端，如集成所带来的电磁兼容的技术应用风险。因此，如何合理应用由分立器件与集成器件组成的半集成装置是解决直放站设备集成小型化的关键之一。
请参阅图1，其是现有技术的一种射频半集成应用装置，其包括一基板1，射频处理单元2和数字处理单元3同时设置在该基板1上。其中，该射频处理单元2和数字处理单元3对应的混合板具有相同的金属层结构。该射频半集成应用装置在运行时，容易出现如该数字处理单元3内的时钟高次谐波杂散容易传导到该射频处理单元2等的问题，从而使该射频半集成应用装置的抗电磁传导能力较弱，同时使其射频性能的一致性较差。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种射频性能一致性较好的射频半集成应用装置。
本发明是通过以下技术方案实现的：一种射频半集成应用装置，包括基板。该基板从上至下依序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层；且该基板分为相邻的数字区和射频区，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述数字区；所述第一金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述射频区；相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。
进一步，该射频半集成应用装置包括设置在射频区并依序电连接的射频输入单元、低噪放单元、射频滤波器、可变增益放大器、集成变频器件、中频放大管、抗混叠滤波器，以及设置在数字区并与该抗混叠滤波器电连接的数字处理单元。
进一步，该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的纹波抑制电路。该纹波抑制电路包括低压差线性稳压器和三端电容，该低压差线性稳压器和三端电容之间、及该三端电容与集成变频器件之间通过供电线连接。
进一步，该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的参考源电路。
进一步，该集成变频器件集成了混频器和锁相源，该参考源电路为锁相源提供参考时钟，进而输出本振信号给混频器，通过该混频器输出中频信号至该中频放大管。
进一步，该可变增益放大器集成了可变衰减器和射频放大管，信号依序通过该可变衰减器和射频放大管处理后输出至该集成变频器件。
相对于现有技术，本发明提供的射频半集成应用装置在基板上分别设置了不同层次结构的射频区和数字区，改善了射频半集成应用装置的电磁兼容性能，并使该射频区的散热能力得到提升。
附图说明
图1是现有技术的一种射频半集成应用装置平面结构示意图。
图2是本发明的射频半集成应用装置的平面结构示意图。
图3是本发明射频半集成应用装置的剖面示意图。
图4是本发明射频半集成应用装置的电路方框图。
图5是图4所示纹波抑制电路的电路方框示意图。
具体实施方式
请参阅图2，其是本发明的射频半集成应用装置的平面结构示意图。该射频半集成应用装置包括一基板10，该基板10划分为数字区12和射频区14。请同时参阅图3，其是图2所示的射频半集成应用装置的剖面示意图。该基板从上至下依序包括第一金属层L1、第二金属层L2、第三金属层L3、第四金属层L4、第五金属层L5、第六金属层L6、第七金属层L7和第八金属层L8。其中，该第一金属层L1、第二金属层L2、第三金属层L3、第四金属层L4、第五金属层L5、第六金属层L6、第七金属层L7和第八金属层L8覆盖所述数字区12，相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。该第一金属层L1、第四金属层L4、第五金属层L5、第六金属层L6、第七金属层L7和第八金属层L8覆盖所述射频区，相邻金属层之间通过介质层相互绝缘，尤其是该第一金属层L1和第四金属层L4在该射频区通过介质层相互绝缘。
请同时参阅图4，其是本发明射频半集成应用装置的电路方框图。该射频半集成应用装置包括设置在射频区14的射频输入单元21、低噪放单元22、射频滤波器23、可变增益放大器24、集成变频器件25、中频放大管26、抗混叠滤波器27、纹波抑制电路28、参考源电路29和设置在数字区12的数字处理单元30。其中，该可变增益放大器24集成了可变衰减器242和射频放大管244，以减小其面积并实现增益调整的功能；该集成变频器件25集成了混频器252和锁相源254，以减小其面积并实现射频变频的功能。
进一步，请参阅图5，其是图4所示纹波抑制电路28的电路方框示意图。该纹波抑制电路28包括低压差线性稳压器282和三端电容284，该低压差线性稳压器282和三端电容284之间、及该三端电容284与集成变频器件25之间通过供电线286连接。其中，三端电容284与集成变频器件25之间的供电线286的长度小于3cm，最好小于1cm。电源电压纹波先通过该低压差线性稳压器282滤波后，再通过三端电容284进一步降低电源电压纹波，从而使电源电压纹波小于2毫伏。
该射频输入单元21接收用户手机发送的接入信号，如强度为-85dBm、频率为2017.4MHz的射频信号，然后把该射频信号传输给低噪放单元22。该低噪放单元22放大该射频输入单元21输入的射频信号，改善其信噪比，然后把该射频信号传送给射频滤波器23。该射频滤波器23抑制该射频信号的带外信号，然后将该射频信号传送至该可变增益放大器24进行增益调整处理。具体地，该可增益放大器24的可变衰减器242使射频信号实现增益衰减，具体根据***增益分配需要来进行衰减，然后传送给射频放大管244使射频信号实现固定增益放大，进而实现信号的增益调整。然后该射频信号进入该集成变频器件25的混频器252中进行变频处理，进而输出93.75MHz的中频信号，接着该射频信号进入中频放大管26中以放大射频下变频信号，改善数字处理单元30的接收动态。然后该射频信号进入抗混叠滤波器27中以抑制混叠杂散信号，并输出强度为-45dBm、频率为93.75MHz的信号。随后该射频信号被传送至数字处理单元30，并在其中完成中频信号的数字滤波处理。经过数字滤波处理后的射频信号传送至外部的接入单元31，该接入单元31对基带信号进行数字传输协议转换或者数模转换。其中，该接入单元32可以是中继器单元(数字传输接入)、RRU(射频拉远)、基站(基站基带拉远)。另外，该纹波抑制电路28抑制该集成变频器件25的供电线波纹，以抑制电磁电容问题，降低该集成变频器件25的杂散信号强度。该参考源电路29为该集成变频器件25提供参考时钟信号，同时抑制参考信号谐波分量。其中，该参考源电路29为锁相源254提供参考时钟，进而由锁相源254输出本振信号给混频器252，该本振信号与射频放大管244输出的射频信号在混频器252中进行下变频变换处理，进而通过混频器252输出中频信号。
在信号处理过程中，该可变增益放大器24和集成变频器件25的集成减小了该射频区14的面积，但同时也带来了杂散的问题。如现有通过该集成变频器件25的输出的93.75MHz中频信号具有信号强度为-86dBm频点杂散。而通过波纹抑制电路28的处理后，可改善输出93.75MHz、信号强度为-100dBm频点杂散。而进一步通过可变增益放大器24和中频放大管26的配合实现增益调整，最终输出93.75MHz、信号强度为-90dBm频点杂散，从而解决了该杂散信号抬升接入单元32底噪的难题，提高了该接入单元32的接收灵敏度。
相对于现有技术，本发明提供的射频半集成应用装置在基板上分别设置了不同层次结构的射频区和数字区，改善了射频半集成应用装置的电磁兼容性能，并使该射频区的散热能力得到提升。且该射频区的电路设计可有效降低输出的杂散信号强度，具有集成度搞、低成本、高性能的优点。
本发明并不局限于上述实施方式，如果对本发明的各种改动或变形不脱离本发明的精神和范围，倘若这些改动和变形属于本发明的权利要求和等同技术范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变形。

Claims (8)

1.一种射频半集成应用装置，包括基板，其特征在于：该基板从上至下依序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层；且该基板分为相邻的数字区和射频区，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述数字区；所述第一金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述射频区；相邻金属层之间通过介质层相互绝缘；该射频半集成应用装置包括设置在射频区并依序电连接的射频输入单元、低噪放单元、射频滤波器、可变增益放大器、集成变频器件、中频放大管、抗混叠滤波器，以及设置在数字区并与该抗混叠滤波器电连接的数字处理单元。
2.根据权利要求1所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的纹波抑制电路。
3.根据权利要求2所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的参考源电路。
4.根据权利要求2所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该纹波抑制电路包括低压差线性稳压器和三端电容，该低压差线性稳压器和三端电容之间、及该三端电容与集成变频器件之间通过供电线连接。
5.根据权利要求3所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该集成变频器件集成了混频器和锁相源，该参考源电路为锁相源提供参考时钟，进而输出本振信号给混频器，通过该混频器输出中频信号至该中频放大管。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该可变增益放大器集成了可变衰减器和射频放大管，信号依序通过该可变衰减器和射频放大管处理后输出至该集成变频器件。
7.根据权利要求4所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该三端电容与集成变频器件之间的供电线的长度小于3cm。
8.根据权利要求4所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该三端电容与集成变频器件之间的供电线的长度小于1cm。
CN201210034292.1A 2012-02-15 2012-02-15 射频半集成应用装置 Expired - Fee Related CN102571135B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210034292.1A CN102571135B (zh) 2012-02-15 2012-02-15 射频半集成应用装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210034292.1A CN102571135B (zh) 2012-02-15 2012-02-15 射频半集成应用装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102571135A CN102571135A (zh) 2012-07-11
CN102571135B true CN102571135B (zh) 2014-05-14

Family

ID=46415708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210034292.1A Expired - Fee Related CN102571135B (zh) 2012-02-15 2012-02-15 射频半集成应用装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102571135B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107682032B (zh) * 2017-09-26 2019-09-17 Oppo广东移动通信有限公司 稳压电路、射频前端模块以及终端

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1504066A (zh) * 2001-04-19 2004-06-09 吉尔科技新加坡有限公司 形成印刷电路板的方法和由此形成的印刷电路板
CN1666336A (zh) * 2002-07-01 2005-09-07 因芬尼昂技术股份公司 集成半导体结构
CN1731587A (zh) * 2005-08-05 2006-02-08 西安电子科技大学 垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1479100A1 (en) * 2002-02-28 2004-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating a semiconductor device having different metal silicide portions
DE102008031325A1 (de) * 2008-07-02 2010-01-07 Giesecke & Devrient Gmbh Sicherheitselement sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1504066A (zh) * 2001-04-19 2004-06-09 吉尔科技新加坡有限公司 形成印刷电路板的方法和由此形成的印刷电路板
CN1666336A (zh) * 2002-07-01 2005-09-07 因芬尼昂技术股份公司 集成半导体结构
CN1731587A (zh) * 2005-08-05 2006-02-08 西安电子科技大学 垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102571135A (zh) 2012-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7761115B2 (en) Multiple mode RF transceiver and antenna structure
CN102832959B (zh) 高中频超外差+零中频结构的射频前端
Rouphael Wireless Receiver Architectures and Design: Antennas, RF, synthesizers, mixed signal, and digital signal processing
CN104506205B (zh) 一种软件无线电接收机射频***
CN105359338A (zh) 滤波天线***、设备以及方法
TW200828828A (en) Dual inductor circuit for multi-band wireless communication device
US10389021B1 (en) Antenna ports decoupling technique
CN204290959U (zh) 一种共用天线电路
TWI454076B (zh) 通訊裝置與其近場通訊電路
CN105552521A (zh) 一种天线及包括该天线的电子终端
CN102571134A (zh) 一种高频率选择性的射频前端集成电路结构
CN104283574A (zh) 软件无线电接收机电路
US8913968B2 (en) Power reduction and linearizing techniques of transmitters
CN103457618B (zh) 射频芯片前端***及其信号处理方法
CN102571135B (zh) 射频半集成应用装置
CN104115414A (zh) 无线通信设备及天线装置
CN214014214U (zh) 下变频模块及移动终端
CN109525261A (zh) Fm接收电路
CN105591664A (zh) 射频发送方法、射频接收方法及射频终端
CN204967801U (zh) 一种天线电路及移动终端
CN103532657A (zh) 用于信号阻断的射频发射组件
CN108923806A (zh) 一种兼容lte mtc和gsm/gprs频段的电力物联网射频前端电路
CN204928816U (zh) 一种c波段异频收发装置
US20240063841A1 (en) Providing a single filter for transmit and receive modes
CN117459003B (zh) 多模式电感电路、控制方法、低噪声放大器及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JINGXIN COMMUNICATION SYSTEM CO LTD (GUANGZHOU)

Free format text: FORMER OWNER: COMBA TELECOM SYSTEMS (CHINA) CO., LTD.

Effective date: 20150824

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150824

Address after: 510663 Guangdong city of Guangzhou province Guangzhou economic and Technological Development Zone Jinbi Road No. 6

Patentee after: COMBA TELECOM SYSTEMS (GUANGZHOU) Ltd.

Address before: 510663 Guangzhou Science City, Guangdong Shenzhou Road, No. 10

Patentee before: COMBA TELECOM SYSTEMS (CHINA) Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200115

Address after: 510663 Guangzhou Science City, Guangdong Shenzhou Road, No. 10

Patentee after: COMBA TELECOM SYSTEMS (CHINA) Ltd.

Address before: 510663, No. 6, Jin Lu, Guangzhou economic and Technological Development Zone, Guangdong, Guangzhou

Patentee before: COMBA TELECOM SYSTEMS (GUANGZHOU) Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 510663 Shenzhou Road 10, Science City, Guangdong, Guangzhou

Patentee after: Jingxin Network System Co.,Ltd.

Address before: 510663 Shenzhou Road 10, Science City, Guangdong, Guangzhou

Patentee before: COMBA TELECOM SYSTEMS (CHINA) Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140514