CN102505110A - 真空镀不导电膜的方法 - Google Patents

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熊树林
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Abstract

本发明提供了一种真空镀不导电膜的方法，包括以下步骤：先提供玻璃基材；再将玻璃基材进行前处理，以使玻璃基材的表面清洁；然后将经前处理的玻璃基材装载在基片架上，由传动***将基片架输入真空室；在真空室内设有膜料或靶材，加热膜料或轰击靶材，使膜料或靶材沉积在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度：10nm-2000nm，薄膜的电阻大于1MΩ；最后将镀好薄膜的玻璃基材由传动***输出真空室。其有益效果在于：其一、装饰性强，通过控制薄膜的厚度和薄膜中材质的比例，形成不同的光学干涉，可以制成各种颜色的装饰膜。其二、具有良好的绝缘性，通过控制薄膜的厚度和薄膜中材质的比例，使薄膜的电阻值大于1MΩ，形成良好的绝缘，不影响触摸和遥控信号的传递。

Description

真空镀不导电膜的方法
【技术领域】
本发明涉及真空镀膜的方法，尤其涉及一种真空镀不导电膜的方法。
【背景技术】
目前，镀膜装饰玻璃在家电等产品中得到了广泛的应用，特别的操作面板、显示状态面板、遥控接收面板等得到了大量的应用，而传统的玻璃装饰膜为导电膜，用在触摸或遥控开关时，因为导电膜屏蔽信号或连通触摸点而无法使用，为了解决该问题，只能将导电膜局部蚀刻、退镀，破坏了膜的完整性，美观性丧失了装饰性的要求。
【发明内容】
本发明针对现有技术中玻璃上只能镀导电膜的不足提供一种在玻璃上真空镀不导电膜的方法。
本发明是通过以下技术方案来实现的：一种真空镀不导电膜的方法，包括以下步骤：
(1)提供玻璃基材；
(2)将玻璃基材进行前处理，以使玻璃基材的表面清洁；
(3)将经前处理的玻璃基材装载在基片架上，由传动***将基片架输入真空室；
(4)在真空室内设有膜料或靶材，加热膜料或轰击靶材，使膜料或靶材沉积在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度：10nm-2000nm，薄膜的电阻大于1MΩ；
(5)将镀好薄膜的玻璃基材由传动***输出真空室。
下面对以上技术方案作进一步阐述：
所述将玻璃基材进行前处理，前处理包括用纯度大于15MΩ的纯净水来清洗玻璃基材表面。
所述步骤(4)为蒸发镀膜，步骤为将真空室内的电子枪，通入高压电后，电子枪发出高能离子流，离子流加热膜料，使膜料汽化，汽化的膜料沉积在玻璃基材表面，当沉积的薄膜达到设计膜厚时，由膜厚监控仪发出信号使电子枪断电停止工作。
所述步骤(4)为溅射镀膜，步骤为先在真空环境内通入少量的Ar或Ar和O2的混合气体或Ar和N2的混合气体，使真空室内的真空度达到10-1Pa，在靶材上加500V-1000V的电压，使真空室内的气体电离，电离的离子在电场的作用下轰击靶材，使靶材以原子的形式逸出并沉积在玻璃基材的表面，调整传动***的速度，从而调整膜的厚度，传动***的速度范围0.2m/min-12m/min，薄膜的厚度10nm-2000nm。
所述膜料为SiO2、Sn、In、CrO、TiO2、Al2O3、Nb2O5。
所述靶材为Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb及其混合物和SiO2、SnO、TiO2、CrO、Nb2O5。
所述薄膜的材质为：Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氧化物或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氮化物。
膜料或靶材中Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的比率可以按客户的要求调整，使得玻璃基材上的薄膜可以呈现出不同的颜色以及导电性能。
本发明的有益效果在于：其一、装饰性强，通过控制薄膜的厚度和薄膜中材质的比例，形成不同的光学干涉，可以制成各种颜色的装饰膜。
其二、具有良好的绝缘性，通过控制薄膜的厚度和薄膜中材质的比例，使薄膜的电阻值大于1MΩ，形成良好的绝缘，不影响触摸和遥控信号的传递。
【具体实施方式】
实施例1
在玻璃基材表面真空镀不导电膜的方法，包括以下步骤：
(1)提供玻璃基材；
(2)将玻璃基材进行前处理，以使玻璃基材的表面清洁；
(3)将经前处理的玻璃基材装载在基片架上，由传动***将基片架输入真空室；
(4)在真空室内设有膜料，加热膜料，使膜料沉积在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度：10nm-2000nm，薄膜的电阻大于1MΩ；
(5)将镀好薄膜的玻璃基材由传动***输出真空室。
下面对以上技术方案作进一步阐述：
所述将玻璃基材进行前处理，前处理包括用纯度大于15MΩ的纯净水来清洗玻璃基材表面。
所述步骤(4)为蒸发镀膜，步骤为将真空室内的电子枪，通入高压电后，电子枪发出高能离子流，离子流加热膜料，使膜料汽化，汽化的膜料沉积在玻璃基材表面，当沉积的薄膜达到设计膜厚时，由膜厚监控仪发出信号使电子枪断电停止工作。
所述膜料为SiO2、Sn、In、CrO、TiO2、Al2O3、Nb2O5。
所述薄膜的材质为：Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氧化物或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氮化物。
膜料中Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的比率可以按客户的要求调整，使得玻璃基材上的薄膜可以呈现出不同的颜色以及导电性能。
实施例2
在玻璃基材表面真空镀不导电膜的方法，包括以下步骤：
(1)提供玻璃基材；
(2)将玻璃基材进行前处理，以使玻璃基材的表面清洁；
(3)将经前处理的玻璃基材装载在基片架上，由传动***将基片架输入真空室；
(4)在真空室内设有靶材，轰击靶材，使靶材沉积在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度：10nm-2000nm，薄膜的电阻大于1MΩ；
(5)将镀好薄膜的玻璃基材由传动***输出真空室。
下面对以上技术方案作进一步阐述：
所述将玻璃基材进行前处理，前处理包括用纯度大于15MΩ的纯净水来清洗玻璃基材表面。
所述步骤(4)为溅射镀膜，步骤为先在真空环境内通入少量的Ar或Ar和O2的混合气体或Ar和N2的混合气体，使真空室内的真空度达到10-1Pa，在靶材上加500V-1000V的电压，使真空室内的气体电离，电离的离子在电场的作用下轰击靶材，使靶材以原子的形式逸出并沉积在玻璃基材的表面，调整传动***的速度，从而调整膜的厚度，传动***的速度范围0.2m/min-12m/min，薄膜的厚度10nm-2000nm。
所述靶材为Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb及其混合物和SiO2、SnO、TiO2、CrO、Nb2O5。
所述薄膜的材质为：Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氧化物或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氮化物。
靶材中Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的比率可以按客户的要求调整，使得玻璃基材上的薄膜可以呈现出不同的颜色以及导电性能。
根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行适当的变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。

Claims (7)

1.一种真空镀不导电膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)提供玻璃基材；
(2)将玻璃基材进行前处理，以使玻璃基材的表面清洁；
(3)将经前处理的玻璃基材装载在基片架上，由传动***将基片架输入真空室；
(4)在真空室内设有膜料或靶材，加热膜料或轰击靶材，使膜料或靶材沉积在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度：10nm-2000nm，薄膜的电阻大于1MΩ；
(5)将镀好薄膜的玻璃基材由传动***输出真空室。
2.根据权利要求1所述的真空镀不导电膜的方法，其特征在于：所述将玻璃基材进行前处理，前处理包括用纯度大于15MΩ的纯净水来清洗玻璃基材表面。
3.根据权利要求1所述的真空镀不导电膜的方法，其特征在于：所述步骤(4)为蒸发镀膜，步骤为将真空室内的电子枪，通入高压电后，电子枪发出高能离子流，离子流加热膜料，使膜料汽化，汽化的膜料沉积在玻璃基材表面，当沉积的薄膜达到设计膜厚时，由膜厚监控仪发出信号使电子枪断电停止工作。
4.根据权利要求1所述的真空镀不导电膜的方法，其特征在于：所述步骤(4)为溅射镀膜，步骤为先在真空环境内通入少量的Ar或Ar和O2的混合气体或Ar和N2的混合气体，使真空室内的真空度达到10-1Pa，在靶材上加500V-1000V的电压，使真空室内的气体电离，电离的离子在电场的作用下轰击靶材，使靶材以原子的形式逸出并沉积在玻璃基材的表面，调整传动***的速度，从而调整膜的厚度，传动***的速度范围0.2m/min-12m/min，薄膜的厚度10nm-2000nm。
5.根据权利要求1所述的真空镀不导电膜的方法，其特征在于：所述膜料为SiO2、Sn、In、CrO、TiO2、Al2O3、Nb2O5。
6.根据权利要求1所述的真空镀不导电膜的方法，其特征在于：所述靶材为Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb及其混合物和SiO2、SnO、TiO2、CrO、Nb2O5。 
7.根据权利要求1所述的真空镀不导电膜的方法，其特征在于：所述薄膜的材质为：Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氧化物或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氮化物。 
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