CN102484209A - 有机场致发光元件 - Google Patents
有机场致发光元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102484209A CN102484209A CN2010800374353A CN201080037435A CN102484209A CN 102484209 A CN102484209 A CN 102484209A CN 2010800374353 A CN2010800374353 A CN 2010800374353A CN 201080037435 A CN201080037435 A CN 201080037435A CN 102484209 A CN102484209 A CN 102484209A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- organic
- periodic structure
- electrode
- luminescent layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 382
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 99
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 42
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- -1 ITO Chemical compound 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 5
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical class [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical class CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical class C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUEHGMOYGWZQIS-UHFFFAOYSA-N C.C.C(#N)C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O Chemical compound C.C.C(#N)C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O RUEHGMOYGWZQIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N Hexazinone Chemical compound O=C1N(C)C(N(C)C)=NC(=O)N1C1CCCCC1 CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- HAQFCILFQVZOJC-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-dione;methane Chemical compound C.C.C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 HAQFCILFQVZOJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种在抑制电极中产生的全反射的同时稳定地发光的构成的有机EL元件。该有机场致发光元件具备一对电极、和设于所述电极间的一层以上的有机层,包含发光层作为所述一层以上的有机层,所述一对电极中的两个电极相互面对的面是平坦的,所述一层以上的有机层当中的至少一层的有机层具有如下的周期结构,即,使沿大致垂直于所述发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜,所述周期结构具有在垂直于所述发光层的厚度方向的平面中以二维的周期配置的周期性结构。
Description
技术领域
本发明涉及有机场致发光元件(以下有时称作有机EL元件。)、具备该元件的显示装置及照明装置、以及有机EL元件的制造方法。
背景技术
有机EL元件具备一对电极(阳极及阴极)、和设于该电极间的发光层。有机EL元件通过对一对电极施加电压,而从阳极注入空穴,并且从阴极注入电子,通过这些空穴和电子在发光层中结合而发光。
一对电极中的至少一个电极由显示出透光性的构件构成,在发光层中产生的光穿过显示透光性的电极向外射出。现在在该显示透光性的电极中多使用铟锡氧化物(IndiumTin Oxide:简称ITO)薄膜。
ITO薄膜由于其折射率比发光层等更高,因此在ITO薄膜的界面中会发生光的全反射。由此,从发光层中放射的光的大部分不是向外射出,而是被关入元件内部,导致无法有效利用的现状。所以,提出过如下的有机EL元件,即,通过在电极间形成改变从发光层中放射的光的行进方向的衍射光栅,而减小光向电极(ITO薄膜)的入射角,以避免在电极中的全反射(例如参照专利文献1)。
专利文献
专利文献1:日本特开2006-269294号公报
以往技术的有机EL元件通过在电极表面形成周期性的凹凸,再在该电极上形成发光层,而在电极与发光层的界面中形成作为衍射光栅发挥作用的周期结构。由于具备在表面形成有凹凸的电极的有机EL元件在一对电极间的距离中会产生偏差,因此在一对电极间产生的电场的强度也会存在偏差,从而会有无法得到稳定的发光的问题。
发明内容
所以,本发明的目的在于,提供在抑制电极中产生的全反射的同时稳定地发光的构成的有机EL元件。
本发明提供一种有机场致发光元件,其具备一对电极、和设于所述电极间的一层以上的有机层,作为所述一层以上的有机层包含发光层,
所述一对电极中两个电极相互面对的面是平坦的,
所述一层以上的有机层当中的至少一层的有机层具有如下的周期结构,即,该周期结构使沿大致垂直于所述发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜,
所述周期结构具有在垂直于所述发光层的厚度方向的平面中以二维的周期配置的周期性结构。
另外,本发明提供如下的有机场致发光元件,即,所述发光层的两个主面是平坦的平板状。
另外,本发明提供如下的有机场致发光元件,即,所述一层以上的有机层当中与发光层的一个主面相接地配置的有机层具有所述周期结构,并且在该具有周期结构的有机层中形成有空隙。
另外,本发明提供如下的有机场致发光元件,即,所述发光层具有所述周期结构。
另外,本发明提供一种显示装置,其具备所述有机场致发光元件。
另外,本发明提供一种照明装置,其具备所述有机场致发光元件。
另外,本发明提供一种有机场致发光元件的制造方法,是具备一对电极和设于所述电极间的一层以上的有机层、且所述一层以上的有机层中包含发光层的有机场致发光元件的制造方法,
包括:
形成所述一对电极中的一个电极的工序、
形成一层以上的有机层的工序、
和形成所述一对电极中的另一个电极的工序,
所述形成一层以上的有机层的工序中,通过形成成为所述有机层的平板状的层,继而在所述平板状的层中形成在垂直于所述发光层的厚度方向的平面中二维地周期性配置的周期性结构,而在所述有机层中形成将沿大致垂直于所述发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜的周期结构。
另外,本发明提供如下的有机场致发光元件的制造方法,即,在所述平板状的层中形成二维的周期结构的方法是刻印法。
另外,本发明提供如下的有机场致发光元件的制造方法,即,在所述平板状的层中形成二维的周期结构的方法是光刻法。
发明效果
根据本发明,可以提供在抑制电极中产生的全反射的同时稳定地发光的构成的有机EL元件。
附图说明
图1是示意性地表示有机EL元件的图。
图2示意性地表示凹陷7所被设置的配置。
图3是示意性地表示有机EL元件的图。
图4是有机EL元件的纵剖面图。
图5是有机EL元件的纵剖面图。
图6是有机EL元件的纵剖面图。
图7是有机EL元件的一部分的纵剖面图。
图8是有机EL元件的一部分的纵剖面图。
图9是有机EL元件的纵剖面图。
图10是有机EL元件的纵剖面图。
图11是有机EL元件的中间体的俯视图。
图12是有机EL元件的纵剖面图。
图13是表示具备有机EL元件的显示装置的图。
图14是表示具备有机EL元件的照明装置的图。
其中,1、11有机EL元件,2一方的电极,3空穴注入层,4发光层,5另一方的电极,6支承基板,7凹陷,8纵条纹,9横条纹
具体实施方式
本发明的有机EL元件具备一对电极、和设于所述电极间的一层以上的有机层、且所述一层以上的有机层中包含发光层而构成,所述一对电极的两个电极相互面对的面是平坦的,所述一层以上的有机层当中的至少一层的有机层具有如下的周期结构,即,将沿大致垂直于所述发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜,所述周期结构在垂直于所述发光层的厚度方向的平面中被以二维的周期配置。
有机EL元件通常来说设于基板上,通过将一对电极及一层以上的有机层依次层叠而形成。
一对电极的极性彼此不同,分别作为阳极或阴极设置。在一对电极间设有一层以上的有机层。有机EL元件具备发光层作为该一层以上的有机层中的至少一层。即,在一对电极间设有至少一层发光层。而且,也可以在一对电极间在发光层以外还设有给定的有机层,另外还可以在一对电极间设置两层以上的发光层。此外,还可以在一对电极间,设置包含无机物的无机层、包含有机物和无机物的混合层。
(1)有机EL元件的构成
下面,参照图1对本发明的一个实施方式的有机EL元件1进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的有机EL元件的图。图1中作为实施方式的一例,表示出在支承基板6上依次层叠一方的电极2、空穴注入层3、发光层4、另一方的电极5而构成的有机EL元件1。
一方的电极2及另一方的电极5中的至少一个由显示出透光性的电极构成。与该显示出透光性的电极极性不同的另一个电极既可以是显示透光性的电极,也可以是不透明的电极,然而优选由向显示透光性的电极反射光的反射电极构成。
在从发光层4中放射的光穿过支承基板6向外射出的构成的所谓底发射型的有机EL元件中,以透光性的材料构成下侧的电极2,在支承基板6中使用显示透光性的基板。而且,在从发光层4中放射的光穿过另一方的电极5向外射出的构成的所谓顶发射型的有机EL元件的情况下,以透光性的材料构成上侧的电极5,而支承基板6既可以是显示透光性的基板,也可以是不透明的基板。
一方的电极2设于支承基板6上。该一方的电极2的两个主面是平坦的,为平板状。即,在一方的电极2中在表面没有形成凹凸。所述的底发射型的有机EL元件中,在一方的电极2中使用显示透光性的电极。另外,在顶发射型的有机EL元件中,优选在一方的电极2中使用向另一方的电极5反射光的反射电极。
本实施方式中一方的电极2被作为阳极设置。而且,虽然在本实施方式中,对将一对电极中的作为阳极发挥作用的电极靠近支承基板6地配置、将作为阴极发挥作用的电极5配置于远离支承基板6的位置的构成的有机EL元件进行说明,然而也可以反过来,采用如下构成的有机EL元件,即,将一对电极中的作为阴极发挥作用的电极靠近支承基板地配置,将作为阳极发挥作用的电极配置于远离支承基板的位置。
本实施方式中作为一层以上的有机层的一层设有空穴注入层,该空穴注入层具有周期结构。即,空穴注入层具有将沿大致垂直于发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜的二维的周期结构。
本实施方式中作为以二维的周期配置的周期性结构,在空穴注入层中形成有沿空穴注入层的厚度方向伸展的多个凹陷7,该多个凹陷7在垂直于空穴注入层的厚度方向的平面中二维地以给定的周期形成。
该凹陷7既可以贯穿空穴注入层3,也可以不贯穿。在凹陷7不贯穿空穴注入层3的情况下,该凹陷7既可以从发光层侧的主面朝向一方的电极2侧地在空穴注入层3中延伸,另外也可以从一方的电极2侧的主面朝向发光层侧地在空穴注入层3中延伸。而且,图1中示意性地表示出将空穴注入层3沿其厚度方向贯穿的凹陷7。
作为由面向凹陷7的表面规定的形状(所谓的凹陷7的内侧的形状),可以举出圆柱、多角柱、圆锥、多角锥、圆锥台以及角锥台等。凹陷7的内面的形状可以设为圆筒面、多角筒面、圆锥面、多角锥面、圆锥台面以及角锥台面等。
图2中示意性地表示出凹陷7所被设置的配置。图2是从其厚度方向的一方观看空穴注入层3的图。作为凹陷7的形状假定为圆柱形状,作为凹陷7的剖面形状显示为圆形。而且,优选遍及一对电极相面对的全部区域地形成凹陷7。
例如,将凹陷7配置于彼此隔开相等间隔地相互平行的多条第一条纹(以下称作纵条纹8。)、与彼此隔开相等间隔地相互平行且不与第一条纹平行的第二条纹(以下称作横条纹9)的交点。图2中分别以双点划线表示纵条纹8及横条纹9。纵条纹8与横条纹9的交叉角θ可以是任何角度,另外纵条纹8的间隔L1与横条纹9的间隔L2既可以相同,也可以不同。
图2(A)表示纵条纹8与横条纹9的交叉角θ为90°、纵条纹8的间隔L1与横条纹9的间隔L2相同情况下的凹陷7的配置。另外,图2(B)表示如下情况下的凹陷7的配置,即,纵条纹8与横条纹9的交叉角θ为45°,在将横条纹9的间隔L2设为“1”时,将纵条纹8的间隔L1设为“21/2”。此外,例如凹陷7也可以如下配置,即,在纵条纹8与横条纹9的交叉角θ为60°(锐角),并且纵条纹8的间隔L1与横条纹9的间隔L2相同时,配置于纵条纹8与横条纹9的交点。
纵条纹8的间隔L1及横条纹9的间隔L2、以及纵条纹8与横条纹9的交叉角θ分别被设定为构成如下的衍射光栅,即,以使沿大致垂直于空穴注入层3的厚度方向的方向行进的光的行进方向向空穴注入层3的厚度方向倾斜的方式,改变光的行进方向。例如,纵条纹8的间隔L1和横条纹9的间隔L2通常来说为,将从发光层中放射的光当中应当作为出射光利用的光在真空中的一个波长(λ0)用折射率(n)除而得的距离(λ0/n)程度~该距离(λ0/n)的数倍左右,优选将应当作为出射光利用的光在真空中的一个波长用折射率(n)除而得的距离(λ0/n)左右。而且,折射率是构成周期结构的构件(本实施方式中是空穴注入层3)的折射率,是应当作为出射光利用的光的波长(λ0)下的折射率。在由有机物构成的构件的情况下,该折射率通常来说为1.7左右。在发光层中产生的光的发光波长λ0处于波长范围380nm~780nm的可见光的情况下,设为折射率n=1.7,在交叉角θ=90°的情况下,可以设为L1=L2=λ0/n=224nm~458nm。
空穴注入层的厚度方向的凹陷7的高度(深度)优选具有能够衍射光的程度的高度,例如为20nm~1μm,优选为30nm~500μm,更优选为40nm~300μm。
另外,垂直于空穴注入层的厚度方向的凹陷7的宽度是所述的纵条纹8的间隔L1或横条纹9的间隔L2的一半以下,优选为80nm~500nm,更优选为100~300nm。
发光层4也可以像如后述的实施方式所示那样,将其一部分填充在形成于空穴注入层中的凹陷7中而形成,然而本实施方式中发光层4的两个主面是平坦的平板状,形成于空穴注入层3上。
一层以上的有机层中与发光层的一个主面相接地配置的有机层优选具有所述周期结构,在该具有周期结构的有机层中形成有空隙,本实施方式中,空穴注入层相当于与两个主面是平坦的平板状的发光层相接、并且具有周期结构的有机层。通过如前所述在空穴注入层3中形成多个凹陷7,在该空穴注入层3上形成平板状的发光层4,而在空穴注入层3中形成周期性的空隙。即,在凹陷7中没有填充发光层等的一部分,而是形成在凹陷7中填充了空气等气体的空隙。
另一方的电极5形成于发光层4上。本实施方式中将另一方的电极5作为阴极设置。而且,在所述的底发射型的有机EL元件中,优选在另一方的电极中使用向一方的电极2反射光的反射电极。另外,在顶发射型的有机EL元件中,在另一方的电极5中使用显示出透光性的电极。
以上说明的本实施方式的有机EL元件1中,作为一层以上的有机层中的至少一层有机层,空穴注入层3具有二维的周期结构。由于此种周期结构形成于空穴注入层3中,因此可以将以在电极中产生全反射的角度前进的光(向电极的入射角大于临界角的光,例如向电极的入射角接近90°的光)的行进方向朝向垂直于电极的方向(电极表面的法线方向)倾斜。这样就可以抑制在电极中产生的全反射,可以将如果没有形成周期结构则被关入元件内部而不会向外射出的光有效地向元件外射出。
另外,一对电极的两个电极相互面对的面是平坦的。假设在一对电极的相互面对的面中存在凹凸的情况下,就会在一对电极间的距离中产生偏差,对在一对电极间产生的电场的强度也会造成影响,因此有可能无法获得稳定地发光的有机EL元件,然而在本实施方式中,通过不在电极中形成周期结构而仅在有机层中形成周期结构,就可以使一对电极的相互面对的面平坦,将一对电极间的距离保持一定。这样就可以获得稳定地发光的有机EL元件。
另外,本实施方式中发光层的两个主面是平坦的平板状。一旦在发光层中存在凹凸,就有可能在发光中产生不均,而通过平坦地形成发光层,就可以获得均匀的发光。
另外,所述一层以上的有机层中与发光层的一个主面相接地配置的有机层(本实施方式中是空穴注入层3)具有周期结构,在该具有周期结构的有机层(本实施方式中是空穴注入层3)中形成有空隙。由于发光层与空穴注入层通常来说折射率接近,因此在向形成于空穴注入层中的凹陷7中填充发光层的一部分而成的构成的衍射光栅中,衍射的效果变小,而通过在空穴注入层的凹陷7中形成空气的空隙,就可以增大空穴注入层与凹陷7内的折射率的差异,从而可以充分地发挥作为衍射光栅的功能。
虽然在本实施方式中在除去凹陷7以外的部分配置空穴注入层,然而也可以相反,在本实施方式中形成有凹陷7的区域形成空穴注入层,在本实施方式中形成有空穴注入层的区域设置空隙。即使是此种构成的周期结构,也可以发挥作为衍射光栅的功能。而且,在该情况下,例如会形成多根圆柱状的空穴注入层,然而在除去凹陷7以外的部分配置空穴注入层的本实施方式的构成机械强度更高,因此优选。
另外,虽然在本实施方式中将形成于空穴注入层中的凹陷7设为空隙,然而也可以向凹陷7中填充折射率与空穴注入层不同的材料,再在其上设置平坦的发光层。
(2)有机EL元件的制造方法
下面,依照图1所示的本实施方式的有机EL元件的制造方法的说明,对本发明的有机EL元件的制造方法进行说明。
本发明的有机EL元件的制造方法包括:形成一对电极中的一方的电极的工序、形成一层以上的有机层的工序、和形成一对电极中的另一方的电极的工序。
<形成一方的电极的工序>
首先,准备后述的支承基板6,在该支承基板6上以后述的给定的方法形成一方的电极。
<一层以上的有机层的形成>
本实施方式中,首先作为一层以上的有机层之一形成空穴注入层。
首先,形成成为有机层(本实施方式中是空穴注入层)的平板状的层。平板状的层例如可以通过将含有成为平板状的层的材料的油墨以给定的涂布法涂布成膜,再将其干燥来形成。例如可以通过将含有后述的成为空穴注入层的材料的油墨利用给定的涂布法涂布成膜,再将其干燥来形成平板状的层。
然后通过加工平板状的层而在有机层中形成周期结构。具体来说,通过在所述平板状的层中形成在垂直于发光层的厚度方向(支承基板6的厚度方向)的平面中二维地周期性配置的周期结构,而在有机层(本实施方式中是空穴注入层)中形成将沿大致垂直于所述发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜的周期结构。
作为在平板状的层中形成周期结构的方法,可以举出刻印法(所谓的压花加工法)、光刻法、用具有凹凸形状的构件切削平板状的层的表面的方法、利用自组织化来形成凹凸结构的方法等。它们当中优选能够高精度地形成所期望的周期结构的刻印法或光刻法。
刻印法中,通过将在表面形成有周期性的凸部的给定的铸模向平板状的层推顶,而可以在平板状的层中形成周期性的凹陷7。例如,在给定的铸模中,只要使用在与应当形成于空穴注入层中的凹陷7对应的位置周期性地形成有凸部的铸模即可。此种铸模例如可以通过在硅基板的表面部使用电子束描绘装置形成给定的凹凸来得到。而且,在利用刻印法形成周期结构的情况下,只要以达到可以准确地转印铸模形状的程度的粘度的方式使平板状的层干燥即可。
另外,在光刻法中,例如首先通过将光刻胶涂布于平板状的层上,向给定的部位照射光而将光刻胶的给定的部位固化,再将其显影,而在平板状的层上形成在应当形成凹陷7的部位形成有孔的掩模。继而通过利用干式蚀刻或湿式蚀刻,从掩模的开设有孔的部分选择性地除去平板状的层,就可以在给定的部位形成凹陷7。而且,在利用光刻法形成凹陷7的情况下,只要在形成光刻胶的工序或除去光刻胶的工序中,按照不使空穴注入层溶解的方式向空穴注入层中添加给定的材料即可。
另外,也可以不利用使用光刻胶的掩模地、借助光刻法在给定的部位形成凹陷7。例如通过预先添加给定的材料,而形成相对于蚀刻剂的溶解性随着有无光照射而变化的平板状的层,然后通过夹隔着给定的掩模对平板状的层选择性地照射光,再使用给定的蚀刻剂选择性地除去平板状的层,就可以在给定的部位形成凹陷7。具体来说,通过向作为空穴注入层的材料的聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)中添加硅烷偶联剂,而形成相对于水或醇等显示出难溶性的平板状的层,再通过夹隔着给定的掩模向给定的部位照射光,而使照射了光的部位相对于水或醇等可溶化,其后,通过使用水作为蚀刻剂,除去照射了光的部位,就可以在给定的部位形成凹陷7。此种凹陷自身的形成方法是广为人知的公知的方法,例如公开于日本特开2008-98104公报中。
然后形成发光层。如前所述,由于本实施方式的发光层两个主面是平坦的平板状,因此例如可以利用层压法来形成发光层。例如通过在剥离性高的基材上预先形成发光层,再将其转印,就可以在空穴注入层上形成发光层。而且,优选在将发光层与空穴注入层所接触的面利用给定的溶剂润湿的状态下,向空穴注入层转印发光层。通过像这样在发光层及空穴注入层中的至少一个层的表面润湿的状态下贴合两者,就可以使两者的接合十分可靠。层压法是广为人知的公知的方法。层压法例如公开于Appl.Phys.Lett.Volume 88,Issue 22,p.223509(2006)中,也可以使用此种方法。
<形成另一方的电极的工序>
然后在发光层上利用给定的方法形成另一方的电极。
如上说明所示,在本实施方式中通过直接加工空穴注入层,可以在空穴注入层中形成周期结构。由于以往的技术中通过加工支承基板或电极来形成周期结构,因此形成在表面具有凹凸的电极,然而通过像本实施方式那样加工空穴注入层,可以在保持电极的平坦性的同时在有机EL元件的内部形成衍射光栅。这样,就可以实现在抑制电极中产生的全反射的同时稳定地发光的构成的有机EL元件。
下面,参照图3对与所述的实施方式不同的方式的有机EL元件进行说明。图3是示意性地表示本实施方式的有机EL元件11的图。
本实施方式的有机EL元件11由于只是发光层的结构与所述的实施方式的有机EL元件不同,因此在本实施方式中仅对发光层进行说明,对于对应的部分使用相同的参照符号而省略重复的说明。
本实施方式中除了空穴注入层以外,发光层也具有周期结构。即,发光层的两个主面不是平坦的平板状。具体来说,本实施方式的发光层的一部分被填充到形成于空穴注入层中的凹陷7中,形成于空穴注入层上。换言之,发光层在一方的电极侧的表面形成有与所述的空穴注入层的凹陷7对应的凸部。另外,发光层的另一方的电极5侧的表面是平坦的。通过将发光层的一部分填充到形成于空穴注入层中的凹陷7中,可以避免空隙的形成。这样,就可以提高有机EL元件的机械强度。而且,为了使周期结构有效地发挥作为衍射光栅的功能,优选利用折射率差大的材料来形成空穴注入层和发光层。
发光层例如可以利用蒸镀法或涂布法来形成。例如在涂布法中,通过将含有成为发光层的材料的油墨利用给定的涂布法涂布于空穴注入层上,并将其固化,来形成发光层。由于在涂布油墨时油墨流入到空穴注入层的凹陷7内部,因此在空穴注入层的凹陷7内部也形成发光层。而且,利用蒸镀也可以在空穴注入层的凹陷7内部形成发光层。
所述的各实施方式的有机EL元件中通常来说还设有密封有机EL元件的密封构件。而且,虽然在图1所示的实施方式中利用层压法仅转印了发光层,然而例如也可以在密封构件中依次预先形成另一方的电极5、发光层4,将形成有另一方的电极5及发光层4的密封构件向空穴注入层3转印。
对于所述的各实施方式的有机EL元件,为了进一步提高光导出效率,优选例如在射出光的面(即与空气的界面)中形成凹凸。在底发射型的有机EL元件中优选在支承基板6的表面形成凹凸,在顶发射型的有机EL元件中优选在密封构件的表面形成凹凸。
作为凹凸优选形成例如高低差为0.1μm以上0.2mm以下的凹凸。通过形成此种凹凸,可以抑制在支承基板与空气的界面、或者密封构件与空气的界面中产生的全反射。而且也可以不是在支承基板或密封构件中直接地形成凹凸,而是将在表面形成有凹凸的薄膜贴合在支承基板或密封构件上。在夹隔着给定粘接层贴合薄膜的情况下,粘接层与夹隔着该粘接层贴合的2个构件(薄膜与支承基板、或薄膜与密封构件)的折射率的差的绝对值优选为0.2以下。通过使用此种粘接层及薄膜,可以抑制薄膜或粘接层中的光的反射。
下面,对有机EL元件的各构成要素的更具体的构成及其制法进行详述。
如前所述,有机EL元件可以在一对电极间除了发光层以外还具备给定的层。
作为在支承基板6上形成的电极(阳极)2与电极(阴极)5之间形成的有机层10,可以举出以下的结构。
作为有机EL元件的结构,如图4所示,可以设为在电极(阳极)2与发光层4之间夹设有机层Y、并且在电极(阴极)5与发光层4之间夹设有机层X的结构。该情况下,图2所示的周期结构形成于有机层X及有机层Y中的任意一方或双方中。
作为有机EL元件的结构,如图5所示,可以设为在电极(阳极)2与发光层4之间夹设有机层Y、在发光层4上直接形成有电极5的结构。该情况下,图2所示的周期结构形成于有机层Y中。
作为有机EL元件的结构,如图6所示,可以设为在电极(阴极)5与发光层4之间夹设有机层X、发光层4直接与电极2接触的结构。该情况下,图2所示的周期结构形成于有机层X中。
有机层X也可以如图7所示,设为由2种以上的有机层X1、X2构成,有机层Y也可以如图8所示,设为由2种以上的有机层Y1、Y2构成。该情况下,图2所示的周期结构形成于选自有机层X1、X2、Y1、Y2中的1层以上的层中。
作为有机EL元件的结构,如图12所示,在阳极2与阴极5之间仅形成有发光层4,该情况下,在发光层4内,形成图2所示的周期结构。
作为设于阴极5与发光层4之间的层X,可以举出电子注入层、电子输送层、空穴阻挡层等。在如图7所示,在阴极5与发光层4之间设置电子注入层X1和电子输送层X2双方的层的情况下,将与阴极5相接的层称作电子注入层X1,将除去该电子注入层X1以外的层称作电子输送层X2。
电子注入层具有改善来自阴极的电子注入效率的功能。电子输送层具有改善来自与阴极侧的表面相接的层的电子注入的功能。空穴阻挡层具有阻截空穴的输送的功能。而且,在电子注入层和/或电子输送层具有阻截空穴的输送的功能的情况下,有时这些层会兼作空穴阻挡层。
对于空穴阻挡层具有阻截空穴的输送的功能,例如可以制作仅流过空穴电流的元件,根据其电流值的减少来确认阻截的效果。
作为设于阳极2与发光层4之间的层Y,可以举出空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层等。如图8所示,在阳极2与发光层4之间设置空穴注入层Y1和空穴输送层Y2双方的层的情况下,将与阳极2相接的层称作空穴注入层Y1,将除去该空穴注入层Y1以外的层称作空穴输送层Y2。
空穴注入层具有改善来自阳极的空穴注入效率的功能。空穴输送层具有改善来自与阳极侧的表面相接的层的空穴注入的功能。电子阻挡层具有阻截电子的输送的功能。而且,在空穴注入层和/或空穴输送层具有阻截电子的输送的功能的情况下,有时这些层会兼作电子阻挡层。
对于电子阻挡层具有阻截电子的输送的功能,例如可以制作仅流过电子电流的元件,根据其电流值的减少来确认阻截的效果。
而且,有时将电子注入层及空穴注入层总称为电荷注入层,将电子输送层及空穴输送层总称为电荷输送层。
以下给出本实施方式的有机EL元件可以采取的层构成的一例。
a)阳极2/发光层4/阴极5(参照图12)
b)阳极2/空穴注入层Y/发光层4/阴极5(参照图5)
c)阳极2/空穴注入层Y/发光层4/电子注入层X/阴极5(参照图4)
d)阳极2/空穴注入层Y/发光层4/电子输送层X/阴极5(参照图4)
e)阳极2/空穴注入层Y/发光层4/电子输送层X2/电子注入层X1/阴极5(参照图4及图7)
f)阳极2/空穴输送层Y/发光层4/阴极5(参照图5)
g)阳极2/空穴输送层Y/发光层4/电子注入层X/阴极5(参照图4)
h)阳极2/空穴输送层Y/发光层4/电子输送层X/阴极5(参照图4)
i)阳极2/空穴输送层Y/发光层4/电子输送层X2/电子注入层X1/阴极5(参照图4及图7)
j)阳极2/空穴注入层Y1/空穴输送层Y2/发光层4/阴极5(参照图5及图8)
k)阳极2/空穴注入层Y1/空穴输送层Y2/发光层4/电子注入层X/阴极5(参照图4及图8)
l)阳极2/空穴注入层Y1/空穴输送层Y2/发光层4/电子输送层X/阴极5(参照图4及图8)
m)阳极2/空穴注入层Y1/空穴输送层Y2/发光层4/电子输送层X2/电子注入层X1/阴极5(参照图4、图7及图8)
n)阳极2/发光层4/电子注入层X/阴极5(参照图6)
o)阳极2/发光层4/电子输送层X/阴极5(参照图6)
p)阳极2/发光层4/电子输送层X2/电子注入层X1/阴极5(参照图6及图7)
(这里,记号“/”表示夹隔着记号“/”的各层被相邻地层叠。以下相同。)
本实施方式的有机EL元件也可以具有2层以上的发光层。对于上述a)~p)的层构成中的任意一个,如果将由阳极2和阴极5夹持的层叠体称作“结构单元A”,则作为具有2层发光层的有机EL元件的构成,可以如图9所示,举出下述q)中所示的层构成。而且,具有2个的(结构单元A)的层构成彼此既可以相同,也可以不同。
q)阳极2/(结构单元A)/电荷产生层Z/(结构单元A)/阴极5
另外,如果将“(结构单元A)/电荷产生层Z”称作“结构单元B”,则作为具有3层以上的发光层的有机EL元件的构成,可以如图10所示,举出下述r)中所示的层构成。
r)阳极2/(结构单元B)x/(结构单元A)/阴极5
而且,记号“x”表示2以上的整数,(结构单元B)x表示将结构单元B层叠了x级的层叠体。另外,具有多个的(结构单元B)的层构成既可以相同,也可以不同。
这里,所谓电荷产生层Z是通过施加电压而产生空穴和电子的层。作为电荷产生层Z,例如可以举出由氧化钒、铟锡氧化物(IndiumTinOxide:简称ITO)、氧化钼等构成的薄膜。
虽然在所述的实施方式中对空穴注入层和发光层双方的层、或者仅空穴注入层具有周期性结构的方式进行了说明,然而在a)~r)的构成中,也可以在配置于阳极及阴极间的给定的一层或给定的2层以上的层中形成周期性结构。
<支承基板>
作为支承基板例如可以使用玻璃、塑料、高分子薄膜、及硅板、以及将它们层叠而成的材料等。而且,在底发射型的有机EL元件中可使用显示出透光性的基板,而在顶发射型的有机EL元件中,也可以使用不透明的基板。
作为支承基板优选气体屏蔽性高的材料,而为了进一步提高气体屏蔽性,例如也可以在支承基板的至少一个表面形成包含金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物等的无机层、将所述无机层与有机层层叠而成的层或无机-有机复合层等。
<一对电极>
一对电极由阳极和阴极构成。
作为阳极可以使用金属氧化物、金属硫化物以及金属等的薄膜。作为阳极例如可以使用包含氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、铟锌氧化物(IndiumZinc Oxide:简称IZO)、金、铂、银以及铜等的薄膜,它们当中更适合使用包含ITO、IZO、或氧化锡的薄膜。另外,作为阳极,也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机的透明导电膜。
作为阴极,优选功函数小、容易向发光层注入电子、电导率高的材料,可以使用碱金属、碱土类金属、过渡金属及周期表的第13族金属等。作为阴极的材料,例如可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属、所述金属中的2种以上的合金、所述金属中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金、或者石墨或石墨层间化合物等。而且,阴极也可以由层叠2层以上的层叠体构成。而且,有时也将后述的电子注入层作为阴极使用。
如前所述在一对电极中的一个中使用显示出透光性的电极。作为显示出透光性的电极,例如可以使用将所述的金属薄膜化至透过可见光的程度的材料、或包含ITO、IZO或氧化锡的薄膜。
阳极及阴极的膜厚可以考虑所要求的特性及工序的简易度等适当地设定,例如为10nm~10μm,优选为20nm~1μm,进一步优选为50nm~500nm。
作为阳极及阴极的制作方法,可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀膜法、热压接金属薄膜的方法、层压法等。
<空穴注入层>
作为构成空穴注入层的空穴注入材料,可以举出苯基胺系、星爆型胺系、酞菁系、氧化钒、氧化钼、氧化钌、氧化铝等氧化物、无定形碳、聚苯胺、聚噻吩衍生物等。如前所述,可以通过将含有例示的材料的油墨以给定的涂布法涂布成膜,再进行干燥来形成空穴注入层。
作为油墨的溶剂,例如可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂、四氢呋喃等醚系溶剂、甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂、丙酮、甲乙酮等酮系溶剂、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂及水。
作为给定的涂布法,可以举出旋涂法、浇涂法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、拉丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨打印法等。
<空穴输送层>
作为构成空穴输送层的空穴输送材料,可以举出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、或聚(2,5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。
这些空穴输送材料当中,作为空穴输送材料,优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、或聚(2,5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等高分子空穴输送材料,更优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物等。在低分子空穴输送材料的情况下,优选分散于高分子粘合剂中使用。
作为空穴输送层的成膜的方法,就低分子的空穴输送材料而言,可以举出源于与高分子粘合剂的混合溶液的成膜的方法,就高分子的空穴输送材料而言,可以举出源于溶液的成膜的方法。
作为源于溶液的成膜中所用的溶剂,只要是溶解空穴输送材料的溶剂即可,可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂、四氢呋喃等醚系溶剂、甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂、丙酮、甲乙酮等酮系溶剂、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂及水。
作为所混合的高分子粘合剂,优选不会对电荷输送造成极度妨碍的材料,另外适合使用对可见光的吸收弱的材料。作为该高分子粘合剂,可以举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
作为空穴输送层的膜厚,例如为1nm~1μm,优选为2nm~500nm,更优选为5nm~200nm。
<发光层>
发光层包含发出荧光和/或磷光的有机物、或者该有机物和掺杂剂而构成。掺杂剂例如是出于提高发光效率、改变发光波长等目的而附加的。作为发光层中所用的有机物,可以是低分子化合物和高分子化合物中的任何一种。作为构成发光层的发光材料,例如可以举出以下的材料。而且,由于对于在溶剂中的溶解性来说,一般来说高分子化合物较高,因此在以涂布法形成发光层的情况下优选发光层含有高分子化合物。
作为色素系的发光材料,例如可以举出环戊胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚体、吡唑啉二聚体等。
作为金属络合物系的发光材料,例如可以举出Tb、Eu、Dy等稀土类金属;或者在中心金属中具有Al、Zn、Be、Ir、Pt等、在配体中具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物,例如可以举出铱络合物、铂络合物等具有来自三重激发态的发光的金属络合物、羟基喹啉铝络合物、苯并喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、菲咯啉铕络合物等。
作为高分子系的发光材料,可以举出聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、以及聚乙烯基咔唑衍生物等、以及将上述色素系的发光材料或金属络合物系的发光材料高分子化了的材料等。
上述发光材料当中,作为发出蓝色光的材料,可以举出二苯乙烯基亚芳基衍生物、噁二唑衍生物、以及它们的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚对亚苯基衍生物或聚芴衍生物等。
另外,作为发出绿色光的材料,可以举出喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、以及它们的聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。
另外,作为发出红色光的材料,可以举出香豆素衍生物、噻吩环化合物、以及它们的聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。
另外,作为发出白色光的材料,可以使用将发出上述的蓝色、绿色、红色各色的光的材料混合而成的材料、或以成为发出各色光的材料的成分为单体将其聚合而得的聚合物来作为该材料。另外,也可以将分别使用发出各色光的材料形成的发光层层叠,实现作为整体发出白色光的元件。
作为掺杂剂材料,例如可以举出苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、squarilium衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、吩噁嗪酮(phenoxazone)等。而且,此种发光层的厚度通常来说约为2nm~2000nm。
作为含有有机物的发光层的成膜方法,可以举出将含有发光材料的溶液涂布于基体的表面的方法、真空蒸镀法、层压法等。作为源于溶液的成膜中所用的溶剂的具体例,可以举出与所述的由溶液形成空穴注入层时作为溶解空穴注入材料的溶剂使用的溶剂相同的溶剂。
作为涂布含有发光材料的溶液的方法,可以举出所述的涂布法。
<电子输送层>
作为构成电子输送层的电子输送材料,可以举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌衍生物、或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
它们当中,作为电子输送材料,优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物,更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子输送层的成膜法,就低分子的电子输送材料而言,可以举出源于粉末的真空蒸镀法、或者源于溶液或熔融状态的成膜的方法,就高分子的电子输送材料而言,可以举出源于溶液或熔融状态的成膜的方法。在源于溶液或熔融状态的成膜中,也可以还并用高分子粘合剂。作为由溶液形成电子输送层的方法,可以举出与所述的由溶液形成空穴输送层的方法相同的成膜法。
作为电子输送层的膜厚,最佳值随着所用的材料而不同,只要以使驱动电压和发光效率达到适度的值的方式选择即可,至少需要不产生针孔的厚度,如果过厚,则元件的驱动电压变高,因而不够理想。所以,作为该电子输送层的膜厚,例如为1nm~1μm,优选为2nm~500nm,进一步优选为5nm~200nm。
<电子注入层>
作为构成电子注入层的电子注入材料,可以根据发光层的种类,举出碱金属、碱土类金属、或含有1种以上的所述金属的合金、或者所述金属的氧化物、卤化物及碳酸盐、或者所述物质的混合物等。作为碱金属或其衍生物、卤化物、碳酸盐,可以举出锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。另外,作为碱土类金属或其氧化物、卤化物、碳酸盐的例子,可以举出镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。电子注入层也可以是层叠2层以上的层叠体。作为层叠体的具体例,可以举出LiF/Ca等。电子注入层可以利用蒸镀法、溅射法、印刷法等形成。作为电子注入层的膜厚,优选为1nm~1μm左右。
<密封构件>
作为密封构件,例如可以使用包含金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物等的无机层、将所述无机层与有机层层叠而成的层或无机-有机复合层。作为无机层,优选在空气中稳定的材料,具体来说,可以举出二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化铟、氧化锡、氧化钛、氧化锌、铟锡氧化物、氮化铝、氮化硅、碳化硅、氧氮化硅、以及它们的组合的薄膜层,更优选包含氮化铝、氮化硅、氧氮化硅的薄膜层,进一步优选为氧氮化硅的薄膜层。
以上说明的有机EL元件可以适用于曲面状或平面状的照明装置、如作为扫描仪的光源使用的面状光源、以及显示装置中。
作为具备有机EL元件的显示装置,可以举出片段显示装置、点矩阵显示装置等。在点矩阵显示装置中,有有源矩阵显示装置及无源矩阵显示装置等。有机EL元件在有源矩阵显示装置、无源矩阵显示装置中作为构成各像素的发光元件使用。另外,有机EL元件在片段显示装置中作为构成各片段的发光元件或背光灯使用,在液晶显示装置中作为背光灯使用。
而且,如果使用柔性的支承基板,则还可以作为柔性的照明装置或显示装置使用。
实施例
(空穴注入层涂布溶液的制备)
通过向聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)的水分散液(Starck V-Tech公司制AI 4083)中,作为硅烷偶联剂添加γ-环氧丙氧基丙基甲氧基硅烷(TSL8350:东芝Silicone公司制),而制备出空穴注入层涂布液。使空穴注入层涂布液中的全部固体成分中的硅烷偶联剂的浓度为5质量%。
<有机EL元件的制作>
首先,如图11所示,准备在俯视时为5cm×5cm的玻璃基板(支承基板6)的中央部作为阳极形成有2cm×5cm的ITO薄膜(电极2)的基板。将该基板用丙酮、异丙醇、超纯水进行超声波清洗,利用氮吹干燥。对该基板进行20分钟UV臭氧处理,在形成有ITO薄膜的玻璃基板上,利用旋涂机涂布上述空穴注入层涂布液,形成膜厚80nm的平板状的层(空穴注入层3)。继而在加热烤盘上以150℃干燥10分钟。然后,夹隔着标线片,将来自KrF准分子激光器(波长248nm)的光向平板状的层进行1/4缩小投影曝光。接下来,将平板状的层在纯水中浸渍30秒而显影。这样就在平板状的层3中周期性地形成孔径150nm、深80nm的多个圆柱状的孔(内面具有圆筒面的孔7)。多个孔7在俯视中形成于作为ITO薄膜上的1cm×1cm的区域(A)内。即,周期结构在俯视中仅形成于区域(A)内。以使相邻的孔7的中心轴间的距离为300nm、纵条纹8与横条纹9的交叉角为60°的方式形成多个圆柱状的孔(内面具有圆筒面的孔)。
然后,制备绿色发光材料(Lumation GP1300;SUMATION制)的浓度为1.2质量%的二甲苯溶液。将该溶液利用旋涂机涂布于空穴注入层3上。通过将发光层材料的成膜于不位于电极2上的部分等的不需要部位上的部分除去,再在氮气气氛下在加热烤盘上以130℃热处理60分钟,而形成厚80nm的发光层4。
然后,将形成有发光层4的基板导入真空蒸镀机,分别以5nm、100nm的厚度依次蒸镀Ba、Al,形成阴极(电极5:参照图3)。
然后,准备密封玻璃。通过在该密封玻璃的周缘部利用分配器涂布光固化性密封剂,将形成有有机EL元件的基板与密封玻璃在氮气气氛下贴合,继而利用紫外线将光固化性密封剂固化,来进行密封,制作出有机EL元件。
<评价>
如前所述,在空穴注入层中,存在形成有周期结构的区域(A),在除去该区域(A)以外的剩下的区域(B)中,没有形成周期结构。即,在区域(B)中,层叠的是平坦的空穴注入层和平坦的发光层。
一旦对有机EL元件施加电压而使之发光,就可以看到区域(A)比区域(B)更明亮。像这样可以判明,相面对的电极面是平坦的,通过在有机层中形成周期结构而可以得到稳定的发光,光导出效率提高,发光效率提高。
图13是表示具备有机EL元件的显示装置的图。
有机EL显示面板100是在共用的支承基板6上形成多个有机EL元件1、并将多个有机EL元件1的整体用密封构件20覆盖而成的。有机EL元件1是显示装置的像素,以二维状配置。
排列在列方向的由各个有机EL元件1构成的各像素列通过利用控制电路103控制列方向像素开关电路101,而将属于该像素列的阳极及阴极的一方与第一电位(例如接地电位)连接。
排列在行方向的由各个有机EL元件1构成的各像素行通过利用控制电路103控制行方向像素开关电路102,而将属于该像素行的阳极及阴极的另一方与第二电位(例如偏转电位)连接。
一旦对有机EL元件1的阴极与阳极间施加偏压,有机EL元件1就会发光,一旦不施加偏压,有机EL元件就会熄灭。所以,利用来自控制电路103的制定,可以使位于制定的地址的像素发光。
图14是表示具备有机EL元件的照明装置的图。
有机EL显示面板200是在共用的支承基板6上形成多个有机EL元件1、并将多个有机EL元件1的整体用密封构件20覆盖而成的。有机EL元件1是照明装置的点光源,以二维状配置。一旦对这些有机EL元件1的阴极与阳极之间从驱动电路201施加偏压,所有的有机EL元件1就会发光,作为照明装置发挥作用。而且,虽然在上述说明中,设为照明装置具备多个有机EL元件1,然而也可以将其设为由大面积的单一的有机EL元件1构成。另外,当然也可以将上述显示装置或照明装置中采用的有机EL元件设为有机EL元件11。
Claims (9)
1.一种有机场致发光元件,其特征在于,具备一对电极、和设于所述电极间的一层以上的有机层,该有机场致发光元件包含发光层作为所述一层以上的有机层,
所述一对电极中的两个电极相互面对的面是平坦的,
所述一层以上的有机层当中的至少一层有机层具有如下的周期结构,即,该周期结构使沿大致垂直于所述发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜,
所述周期结构具有在垂直于所述发光层的厚度方向的平面中以二维的周期配置的周期性结构。
2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件,其中,所述发光层的两个主面是平坦的平板状。
3.根据权利要求2所述的有机场致发光元件,其中,所述一层以上的有机层当中与发光层的一个主面相接地配置的有机层具有所述周期结构,并且在该具有周期结构的有机层中形成有空隙。
4.根据权利要求1所述的有机场致发光元件,其中,所述发光层具有所述周期结构。
5.一种显示装置,其具备权利要求1所述的有机场致发光元件。
6.一种照明装置,其具备权利要求1所述的有机场致发光元件。
7.一种有机场致发光元件的制造方法,其特征在于,该有机场致发光元件具备一对电极和设于所述电极间的一层以上的有机层、且包含发光层作为所述一层以上的有机层,该有机场致发光元件的制造方法包括:
形成所述一对电极中的其中一个电极的工序、
形成一层以上的有机层的工序、
和形成所述一对电极中的另一个的电极的工序,
所述形成一层以上的有机层的工序中,通过形成成为所述有机层的平板状的层,继而在所述平板状的层中形成在垂直于所述发光层的厚度方向的平面中二维地周期性配置的周期性结构,而在所述有机层中形成使沿大致垂直于所述发光层的厚度方向的方向行进的光的行进方向向所述厚度方向倾斜的周期结构。
8.根据权利要求7所述的有机场致发光元件的制造方法,其中,在所述平板状的层中形成二维的周期结构的方法是刻印法。
9.根据权利要求7所述的有机场致发光元件的制造方法,其中,在所述平板状的层中形成二维的周期结构的方法是光刻法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009193915A JP5471162B2 (ja) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2009-193915 | 2009-08-25 | ||
PCT/JP2010/064173 WO2011024753A1 (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102484209A true CN102484209A (zh) | 2012-05-30 |
Family
ID=43627858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010800374353A Pending CN102484209A (zh) | 2009-08-25 | 2010-08-23 | 有机场致发光元件 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120228647A1 (zh) |
EP (1) | EP2472628A4 (zh) |
JP (1) | JP5471162B2 (zh) |
KR (1) | KR20120055703A (zh) |
CN (1) | CN102484209A (zh) |
TW (1) | TW201119492A (zh) |
WO (1) | WO2011024753A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011135494A2 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic light emitting device |
JP2012195054A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2541637B1 (de) * | 2011-06-30 | 2022-01-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer optischen Gitterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben |
US9379343B2 (en) * | 2012-09-10 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light transmissive electrode, organic photoelectric device, and image sensor |
DE102014100542A1 (de) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht |
WO2019213839A1 (en) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Terminal device and image capturing method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392338B1 (en) * | 1998-04-23 | 2002-05-21 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Organic light emitter having optical waveguide for propagating light along the surface of the substrate |
US6704335B1 (en) * | 1998-12-17 | 2004-03-09 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
CN1781339A (zh) * | 2003-03-25 | 2006-05-31 | 国立大学法人京都大学 | 发光元件以及有机电致发光元件 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5683823A (en) * | 1996-01-26 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | White light-emitting organic electroluminescent devices |
JPH10229243A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Hitachi Ltd | 有機発光素子 |
JP2991183B2 (ja) * | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3832088B2 (ja) * | 1998-04-23 | 2006-10-11 | 松下電器産業株式会社 | 有機発光素子 |
JP2000200687A (ja) * | 1998-12-29 | 2000-07-18 | Seiko Epson Corp | El装置 |
GB2361356B (en) * | 2000-04-14 | 2005-01-05 | Seiko Epson Corp | Light emitting device |
JP2002008868A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Seiko Epson Corp | 面発光装置 |
JP2002313554A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
JP4822243B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2011-11-24 | 国立大学法人京都大学 | 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 |
JP5005164B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2012-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 発光素子,発光型表示装置及び照明装置 |
KR100730121B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP4517910B2 (ja) | 2005-03-24 | 2010-08-04 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにこれを備えた照明装置および表示装置 |
KR100862505B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
JP4899777B2 (ja) | 2006-10-16 | 2012-03-21 | 大日本印刷株式会社 | 導電性パターン基板およびその製造方法 |
JP2009009861A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Tokyo Institute Of Technology | 有機el素子及びその製造方法 |
US8179034B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices |
US20090207103A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Igor Gregory Mative | Light-emitting hologram based on Organic Polymeric Diode - (OLED/PLED) |
JP5528774B2 (ja) * | 2009-11-10 | 2014-06-25 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
-
2009
- 2009-08-25 JP JP2009193915A patent/JP5471162B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-23 EP EP10811803.5A patent/EP2472628A4/en not_active Withdrawn
- 2010-08-23 US US13/392,041 patent/US20120228647A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-23 KR KR1020127006845A patent/KR20120055703A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-08-23 CN CN2010800374353A patent/CN102484209A/zh active Pending
- 2010-08-23 WO PCT/JP2010/064173 patent/WO2011024753A1/ja active Application Filing
- 2010-08-24 TW TW099128217A patent/TW201119492A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392338B1 (en) * | 1998-04-23 | 2002-05-21 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Organic light emitter having optical waveguide for propagating light along the surface of the substrate |
US6704335B1 (en) * | 1998-12-17 | 2004-03-09 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
CN1781339A (zh) * | 2003-03-25 | 2006-05-31 | 国立大学法人京都大学 | 发光元件以及有机电致发光元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2472628A4 (en) | 2013-10-30 |
KR20120055703A (ko) | 2012-05-31 |
US20120228647A1 (en) | 2012-09-13 |
JP2011049199A (ja) | 2011-03-10 |
TW201119492A (en) | 2011-06-01 |
WO2011024753A1 (ja) | 2011-03-03 |
EP2472628A1 (en) | 2012-07-04 |
JP5471162B2 (ja) | 2014-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8574937B2 (en) | High efficiency electroluminescent devices and methods for producing the same | |
US20150303393A1 (en) | Organic electroluminescent device and process for preparing the same | |
CN101855941A (zh) | 电子器件,显示装置及电子器件的制造方法 | |
US8773015B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent element having organic layers with periodic structure | |
CN102804916B (zh) | 光导出结构体 | |
CN102484209A (zh) | 有机场致发光元件 | |
CN102293055A (zh) | 有机电致发光元件用喷墨墨液及有机电致发光元件的制造方法 | |
TW201332179A (zh) | 有機電激發光顯示面板及其製造方法 | |
JPWO2011040238A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置並びに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
KR20130046435A (ko) | 유기 일렉트로루미네센스 소자 | |
CN103262655B (zh) | 显示装置 | |
CN102113412A (zh) | 有机电致发光元件的制造方法、发光装置及显示装置 | |
WO2011118654A1 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2010146893A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法 | |
JP4893839B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5499612B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP6582896B2 (ja) | 発光パネルモジュール、発光装置、及びその製造方法 | |
CN105265024B (zh) | 显示装置 | |
JP6945983B2 (ja) | 有機elデバイス、表示素子及び有機elデバイスの製造方法 | |
JP2011129421A (ja) | 有機el素子基板およびその製造方法ならびにディスプレイ装置 | |
WO2011065288A1 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2011253662A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2014192250A (ja) | 有機el素子、有機el表示装置及び有機el素子の製造方法 | |
JP2011060596A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20160406 |
|
C20 | Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned |