CN102468306A - 阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法。阵列基板包括衬底基板，衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和有源层；薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；漏电极形成于像素电极之上，并与所述像素电极连接。本发明技术方案可以通过一次构图形成数据线、源电极、漏电极和像素电极，减少了构图次数，提高了生产效率。

Description

阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，而成为液晶显示器中的主流产品。通常TFT-LCD包括液晶面板、驱动电路和背光源。液晶面板是TFT-LCD中的主要部件，由阵列基板和彩膜基板对盒而成，其间填充有液晶层；通过控制驱动电路提供的电压使液晶分子有序发生偏转，产生光的明暗变化，其中电压的控制是由薄膜晶体管完成的。阵列基板有时又被称为TFT阵列基板。

如图1A和图1B所示，现有技术TFT阵列基板的结构包括：衬底基板1，衬底基板1上形成有接口区域(未示出)和像素区域。其中，像素区域包括形成在衬底基板1上的栅线2和栅电极3，形成在栅电极3上的栅绝缘层4、有源层6(可以包括半导体层61和掺杂半导体层62)，之上形成有数据线5、源电极7、漏电极8、钝化层9和像素电极11。钝化层9覆盖整个衬底基板1，且位于漏电极8的上方开设有钝化层过孔10，像素电极11通过钝化层过孔10与漏电极8连接。上述结构是通过若干次薄膜沉积和构图工艺形成图案来完成，一次构图工艺形成一层图案。要形成一层图案，首先要在衬底基板上沉积一层薄膜；然后在薄膜表面涂覆一层光敏材料，通过掩膜板对光敏材料进行曝光显影；然后通过刻蚀工艺进行刻蚀形成最终图案；最后，将光敏感材料剥离，并形成下一层薄膜图案。其中，每一层图案都要在精确的位置准确的罩在另一层图案上；每层图案可以具有相同或不同的材料，且厚度一般为几百纳米到几个微米。

其中，在阵列基板的制作过程中所用掩膜板的次数越少，生产效率就越高，成本就越低。而现有技术中通常采用四次刻蚀工艺，即使用四次灰色调掩膜板(Gray Tone Mask)才能形成阵列基板，可见目前制造阵列基板所采用的掩膜板的次数还有待进一步减少，以提高生产效率、降低生产成本。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法，用以减少阵列基板制作过程中使用掩膜板的次数，提高生产效率、降低生产成本。

本发明提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和有源层；所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；所述漏电极形成于所述像素电极之上，并与所述像素电极连接。

本发明提供一种液晶显示器，包括本发明提供的任一阵列基板。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积有源层薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层和钝化层的图案。

本发明提供的阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法，采用通过一次光刻工艺形成栅电极和栅线；通过一次光刻工艺同时形成栅绝缘层、源电极、漏电极、数据线和像素电极；再通过一次光刻工艺形成有源层和钝化层的技术方案，形成本发明具有漏电极位于像素电极之上，并与像素电极连接的阵列基板结构。本发明技术方案采用三次光刻工艺形成阵列基板，与四次光刻工艺相比减少了阵列基板制造过程中使用掩膜板的次数，提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的生产成本。

附图说明

图1A为现有技术阵列基板的局部俯视结构示意图；

图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图2A为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图2B为图2A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图3A为本发明实施例一形成包括栅线和栅电极的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；

图3B为图3A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图4A为本发明实施例一形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；

图4B为为图4A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图5A为本发明实施例一形成包括有源层和钝化层的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；

图5B为图5A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图6A为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图6B为本发明实施例二中步骤61的实施方法的流程图；

图6C为本发明实施例二中步骤62的实施方法的流程图；

图6D为本发明实施例二中步骤63的实施方法的流程图。

附图标记：

1-衬底基板；    2-栅线；      3-栅电极；

4-栅绝缘层；    5-数据线；    6-有源层；

61-半导体层；    62-掺杂半导体层；    7-源电极；

8-漏电极；       9-钝化层；           10-钝化层过孔；

11-像素电极；    71-透明导电薄膜。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

图2A为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；图2B为图2A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。如图2A和图2B所示，本实施例的阵列基板包括：衬底基板1，衬底基板1上形成有栅线2、数据线5、薄膜晶体管(TFT)、像素电极11和有源层6。其中，TFT包括栅电极3、源电极7和漏电极8；栅电极3与栅线2连接，源电极7与数据线5连接，漏电极8与像素电极11连接。其中，漏电极8形成于像素电极11之上，并与像素电极11连接。

本实施例提供的阵列基板中漏电极形成于像素电极之上的结构，可通过一次构图工艺形成，可减少构图工艺的次数，减少使用掩膜板的次数，提高阵列基板的生产效率、降低生产成本。

在上述技术方案的基础上，本实施例的阵列基板还包括栅绝缘层4，栅绝缘层4形成于栅电极3上方；像素电极11形成于栅绝缘层4之上；而源电极7和漏电极8同层形成于像素电极11之上，且源电极7下方具有透明导电薄膜71；有源层6位于源电极7和漏电极8之上，并分别与源电极7和漏电极8连接。阵列基板的上述结构可以通过一次构图工艺形成，即栅绝缘层4、像素电极11、源电极7、漏电极8和数据线5可以通过使用一次掩膜板形成。

其中，有源层6填充至源电极7和漏电极8之间构成TFT沟道；当栅电极3输送扫描信号时，可使源电极7和漏电极8通过有源层6导通，进而将数据线5通过源电极7输送的数据信号，提供给像素电极11以控制液晶分子有序偏转，产生光的明暗变化。

再进一步，本实施例的阵列基板还包括钝化层9，钝化层9形成于有源层6之上，且钝化层9的图案与有源层6的图案相适应，即钝化层9仅覆盖在有源层6上方，并未覆盖有源层6之外的区域。该结构可以通过使用一块掩膜板由一次构图工艺形成。

本实施例的阵列基板，通过采用像素电极设置于源电极、漏电极之下，将有源层设置于源电极、漏电极之上的结构，使得本实施例的阵列基板可以采用一次光刻工艺同时形成包括栅绝缘层、像素电极、源电极、漏电极以及数据线的图案，减少了构图工艺的次数，提高了阵列基板的生产效率、降低了生产成本。且在本实施例阵列基板的结构中有源层形成于源电极和漏电极之上，解决了刻蚀TFT沟道时对有源层造成损伤的问题；而有源层上面的钝化层可以阻挡外界的氧气和水对TFT沟道的影响，因此，本实施例的阵列基板具有较佳的性能。

进一步，在本实施例的阵列基板中，有源层可以采用高迁移率的金属氧化物，优选采用非晶金属氧化物，例如：非晶氧化铟镓锌(a-IGZO)。由于非晶金属氧化物与形成源电极和漏电极的金属的功函数相差较小，使得有源层与源电极和漏电极的接触电阻比较小，因此，不需要增加欧姆接触层来减小有源层与源电极和漏电极之间的接触电阻，有源层与源电极和漏电极可以直接接触(如图2B所示)。通过上述技术方案，不仅可以省略形成掉欧姆接触层的制造工艺，提高阵列基板的生产效率，还可以大幅度提高阵列基板的性能(通常金属氧化物即有源层与源漏金属直接接触时性能更好)。

图3A-图5B为本发明实施例一的阵列基板的局部结构的制造示意图。下面结合本实施例的阵列基板的制造工艺详细说明本实施例的技术方案。且在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括涂覆光刻胶、掩膜、曝光显影、刻蚀和去除光刻胶等工艺。

图3A为本发明实施例一形成包括栅线和栅电极的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；图3B为图3A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。首先，在衬底基板1上采用溅射或热蒸发的方法连续沉积一层厚度约为

的栅金属薄膜。其中，衬底基板1可以为透明玻璃基板或者石英基板。栅金属薄膜可以使用一种材料，例如：铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)等金属或合金；也可以使用由多层金属组合成的材料。然后，通过构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在衬底基板1上形成包括栅线2和栅电极3的图案。其中，如图3A所示，栅电极3与栅线2连接，在实际构图工艺中为一体成型。栅线2用于传送扫描信号，以向TFT的栅电极3提供导通时所需的电压，并以此选择需要的TFT。

其中，本实施例形成上述图案的构图工艺的过程具体包括：在栅金属薄膜上涂覆光刻胶；采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括完全去除区域和完全保留区的光刻胶图案。然后进行刻蚀，刻蚀掉完全除区域对应的栅金属薄膜，形成包括栅电极和栅线的图案。最后去除完全保留区域的光刻胶。通过上述具体构图工艺形成了如图3A和图3B所示图案。

图4A为本发明实施例一形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案后的阵列基板的局部俯视示意图。图4B为图4A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。在完成上述图案的衬底基板1上首先采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Chemical Vapor Deposition；简称为：PECVD)方法连续沉积一层厚度约为的栅绝缘层薄膜，接着采用溅射或热蒸发方法在上述栅绝缘层薄膜上方沉积一层厚度约为

的透明导电薄膜；再采用溅射或者热蒸发方法在上述透明导电薄膜上方沉积一层厚度约为

的源漏金属薄膜。其中，栅绝缘层薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，而在PECVD过程中所使用的反应气体可以为硅烷(SiH₄)，氨气(NH₃)，氮气(N₂)或二氯氢硅(SiH₂Cl₂)，氨气(NH₃)，氮气(N₂)。透明导电薄膜可以采用氧化锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等材料，也可以采用其他的金属及金属氧化物。源漏金属薄膜可以为Cr、W、Ti、Ta、Mo等金属或合金，且其可以是一种单层结构，也可以是一种多层结构。当沉积完上述各层薄膜之后，通过构图工艺对上述三种薄膜进行构图，形成包括栅绝缘层4、像素电极11、数据线5、源电极7和漏电极8的图案。

其中，上述形成包括栅绝缘层4、像素电极11、数据线5、源电极7和漏电极8的图案的构图工艺具体包括：首先，在源漏金属薄膜上涂覆光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；其中，部分保留区域的光刻胶厚度小于完全保留区域的光刻胶厚度，大于完全去除区域的光刻胶厚度。其中，所用掩膜板为灰色调掩膜板或半色调掩膜板。接着，进行第一次刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的源漏金属薄膜和透明导电薄膜，形成包括栅绝缘层4、源电极7和数据线5的图案；其中栅绝缘层4覆盖于整个衬底基板1上，源电极7下方设有透明导电薄膜71。接着，按照部分保留区域的光刻胶厚度进行灰化处理去除光刻胶。经过该步骤后，部分保留区域的光刻胶完全被去除，完全保留区域的光刻胶被部分去除。接下来，进行第二次刻蚀，刻蚀掉部分保留区域对应的源漏金属薄膜，形成包括像素电极11和漏电极8的图案。最后，进行光刻胶去除处理，按照完全保留区域的光刻胶厚度去除光刻胶，并得到图4B所示的结构。

进一步，在上述技术方案中，在形成包括源电极7和数据线5的图案时，还可以直接形成数据接口区域。通过该技术方案，可进一步节约阵列基板的制作工艺，提高阵列基板的生产效率。

图5A为本发明实施例一形成包括有源层和钝化层的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；图5B为图5A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。首先，在形成包括栅绝缘层4、像素电极11、数据线5、源电极7和漏电极8的图案的衬底基板1上采用溅射方法沉积一层厚度约为

的有源层薄膜。接着，在上述有源层薄膜上采用PECVD的方法连续沉积一层厚度为

的钝化层薄膜。其中，有源层薄膜可以采用金属氧化物，优选为非晶金属氧化物，例如：非晶氧化铟镓锌(a-IGZO)。钝化层薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，而在PECVD过程中所使用的反应气体可以为硅烷(SiH₄)，氨气(NH₃)，氮气(N₂)或二氯氢硅(SiH₂Cl₂)，氨气(NH₃)，氮气(N₂)。在沉积上述薄膜之后，通过构图工艺对上述有源层薄膜和钝化层薄膜进行构图，形成包括有源层6和钝化层9的图案。

其中，本实施例形成包括有源层6和钝化层9的图案的构图工艺包括以下步骤：首先，在钝化层薄膜上涂覆光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；然后，进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的钝化层薄膜和有源层薄膜，形成包括有源层6和钝化层9的图案；然后，根据完全保留区域内的光刻胶厚度，去除剩余光刻胶，得到如图5B所示的图案。

在上述技术方案中，在形成有源层和钝化层的同时还可以形成栅极接口区域。具体的，栅极接口区域也对应于掩膜板上的完全去除区域，通过刻蚀工艺依次刻蚀掉该完全去除区域对应的钝化层薄膜、有源层薄膜和栅绝缘层，以露出部分栅线作为本实施例的栅极接口，用于与外部驱动电路连接。本实施例提供的形成栅极接口区域的技术方案同样不需要额外增加阵列基板的制造工艺，保证了阵列基板的生产效率。

在本实施例上述技术方案中，在第二次构图工艺中，同时形成了栅绝缘层、源电极、漏电极和像素电极的图案，进而使得通过三次构图工艺完成了本发明实施例的阵列基板。与现有四次构图工艺相比，由于本实施例的阵列基板的制造过程中减少了构图工艺的次数，因此本实施例的阵列基板具有较高的生产效率；另外，本实施例在制造过程中，由于调整了钝化层、有源层、像素电极以及源电极和漏电极的位置关系，有源层形成于源电极和漏电极之后，避免了形成TFT沟道时对有源层造成的损伤，且使钝化层位于有源层之上，对有源层起到了保护作用，因此，本实施例提供的阵列基板的性能较佳。

实施例二

图6A为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法的流程图。如图6A所示，本实施例的方法包括：

步骤61、在衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案；

步骤62、在形成上述图案的衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案；

步骤63、在形成上述图案的所述衬底基板上沉积有源层薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层和钝化层的图案。

本实施例的阵列基板的制造方法可以用于制备本发明实施例所提供的阵列基板，该方法具备形成相应结构的步骤。本实施例的阵列基板的制造方法通过一次构图工艺同时形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案，使得可以通过三次构图工艺完成本实施例的阵列基板。与现有技术中的四次构图工艺相比，本实施例的制造方法减少了构图工艺的次数，可以提高制造阵列基板的效率，降低生产成本。同时，本实施例的阵列基板的制造方法，采用先通过沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，利用构图工艺形成栅绝缘层、像素电极、源电极和漏电极之后；再在上述图案上沉积有源层薄膜，并通过构图工艺形成有源层的技术方案，使有源层形成于源电极和漏电极之后形成并与两者直接相连，解决了现有技术中形成TFT沟道时对有源层造成损伤的问题，进而提高了制造出的阵列基板的性能。

在上述技术方案中，本实施例中步骤61具体可由沉积和构图两个工艺组成，且沉积工艺和构图工艺为两个独立的过程，并不相互依赖。其中，在本发明以下描述中分别提供了一种沉积和构图工艺的优选实施方式；则在上述优选实施方式的基础上，本实施例的步骤61具体包括沉积步骤、涂覆光刻胶步骤、曝光显影步骤、刻蚀步骤以及光刻胶去除步骤等操作。具体如图6B所示，步骤61的具体实施包括：

步骤611、采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板上沉积厚度为的栅金属薄膜。

步骤612、在栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

步骤613、采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括完全去除区域和完全保留区的光刻胶图案；

步骤614、对栅金属薄膜进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的栅金属薄膜，形成包括栅电极和栅线的图案；

步骤615、去除完全保留区域的光刻胶。此时即可得到图3A和图3B所示的阵列基板结构。

进一步，本实施例中步骤62具体可由沉积和构图两个工艺组成，且沉积工艺和构图工艺为两个独立的过程，并不相互依赖。其中，在本发明以下描述中分别提供了一种沉积和构图工艺的优选实施方式；则在上述优选实施方式的基础上，本实施例的步骤62具体包括沉积步骤、涂覆光刻胶步骤、曝光显影步骤、刻蚀步骤以及光刻胶去除步骤等操作。如图6C所示，本实施例的步骤62具体包括：

步骤620、采用PECVD方法在形成包括栅线和栅电极的图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜；

步骤621、采用溅射或热蒸发方法在栅绝缘层薄膜上沉积厚度为

的透明导电薄膜；

步骤622、采用溅射或热蒸发方法在透明导电薄膜上沉积厚度为

的源漏金属薄膜；

步骤623、在源漏金属薄膜上涂覆光刻胶；

步骤624、采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；其中，部分保留区域的光刻胶厚度小于完全保留区域的光刻胶厚度；

步骤625、进行第一次刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的源漏金属薄膜和透明导电薄膜，形成包括栅绝缘层、源电极和数据线的图案；

步骤626、按照部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶；

步骤627、进行第二次刻蚀，刻蚀掉部分保留区域对应的源漏金属薄膜，形成包括漏电极和像素电极的图案；

步骤628、去除完全保留区域的光刻胶。至此，形成了如图4A和图4B所示的阵列基板的结构。

进一步，在本实施例的步骤625中，当生成源电极和数据线时还可以形成数据接口区域。具体的，该数据接口区域对应于步骤624形成的光刻胶图案的完全去除区域，因此，可以在第一次刻蚀时与源电极和数据线同时形成数据接口区域。本实施例技术方案可以在形成源电极和数据线的同时形成数据接口区域，并未增加构图工艺，使得本发明通过三次构图工艺即可制造出阵列基板，保证了阵列基板的生产效率。

在上述技术方案的基础上，本实施例中步骤63同样可由沉积和构图两个工艺组成，且沉积工艺和构图工艺为两个独立的过程，并不相互依赖。其中，在本发明以下描述中分别提供了一种沉积和构图工艺的优选实施方式；则在上述优选实施方式的基础上，本实施例的步骤63具体包括沉积步骤、涂覆光刻胶步骤、曝光显影步骤、刻蚀步骤以及光刻胶去除步骤等操作。如图6D所示，本实施例的步骤63具体包括：

步骤631、采用溅射方法在形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案的衬底基板上沉积厚度为

的有源层薄膜；

步骤632、采用PECVD方法在有源层薄膜上连续沉积厚度为

的钝化层薄膜；

步骤633、在钝化层薄膜上涂覆光刻胶；

步骤634、采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；

步骤635、进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的钝化层薄膜和有源层薄膜，形成包括有源层和钝化层的图案；

步骤636、去除完全保留区域的光刻胶。此时，得到图5A和图5B所示的阵列基板的结构。

在本实施例中，在形成有源层和钝化层的同时，可以通过刻蚀掉衬底基板边缘上的钝化层薄膜、有源层薄膜以及栅绝缘层以使部分栅线露出以形成栅极接口区域，该技术方案不需增加阵列基板的制造工艺，保证了阵列基板的生产效率。

实施三

本发明实施例三提供一种液晶显示器，包括外框架、液晶面板和驱动电路等部件。其中液晶面板是由彩膜基板和本发明提供的阵列基板对盒而成，并在其间填充有液晶层。其中，阵列基板可以采用本发明实施例提供的阵列基板的制造方法制造而成。关于阵列基板的结构以及制造阵列基板的方法流程在本实施例中不再详细论述，可以详见本发明上述实施例。

综上所述，本发明的液晶显示器由于具有本发明提供的阵列基板，因此，同样具有生产效率高、性能较好的优点。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和有源层；所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；其特征在于：

所述漏电极形成于所述像素电极之上，并与所述像素电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极与所述漏电极同层形成于所述像素电极之上；所述有源层形成于所述源电极和所述漏电极之上，并与所述源电极和所述漏电极连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅绝缘层；所述栅绝缘层形成于所述栅电极上方；所述像素电极形成于所述栅绝缘层上方。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：钝化层，所述钝化层形成于有源层之上。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于：所述有源层的材料为非晶金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述非晶金属氧化物为非晶氧化铟镓锌。

7.一种包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板的液晶显示器。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积有源层薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层和钝化层的图案。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成上述图案的衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜包括：

采用等离子体增强化学气相沉积方法在形成上述图案的衬底基板上连续沉积厚度为

的所述栅绝缘层薄膜；

采用溅射或热蒸发方法在所述栅绝缘层薄膜上沉积厚度为

的所述透明导电薄膜；

采用溅射或热蒸发方法在所述透明导电薄膜上沉积厚度为

的所述源漏金属薄膜。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案的步骤具体包括：

在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的所述源漏金属薄膜和所述透明导电薄膜，形成包括所述栅绝缘层、所述源电极和所述数据线的图案；

按照所述部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶；

进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分保留区域对应的所述源漏金属薄膜，形成包括所述漏电极和所述像素电极的图案；

去除所述完全保留区域的光刻胶。

11.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成上述图案的衬底基板上沉积有源层薄膜和钝化层薄膜的步骤包括：

采用溅射方法在形成上述图案的衬底基板上沉积厚度为

的所述有源层薄膜；

采用等离子体增强化学气相沉积方法在所述有源层薄膜上连续沉积厚度为

的所述钝化层薄膜。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括有源层和钝化层的图案的步骤包括：

在所述钝化层薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；

进行刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的所述钝化层薄膜和所述有源层薄膜，形成包括所述有源层和所述钝化层的图案；

去除所述完全保留区域的光刻胶。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在形成所述钝化层和所述有源层的同时形成栅极接口区域。

14.根据权利要求8-13任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层的材料为非晶金属氧化物。

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