CN102379047A - 用于其光致构图的具有翘曲抵抗属性的有机发光二极管 - Google Patents
用于其光致构图的具有翘曲抵抗属性的有机发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102379047A CN102379047A CN2010800152979A CN201080015297A CN102379047A CN 102379047 A CN102379047 A CN 102379047A CN 2010800152979 A CN2010800152979 A CN 2010800152979A CN 201080015297 A CN201080015297 A CN 201080015297A CN 102379047 A CN102379047 A CN 102379047A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- warpage
- oled
- cathode layer
- reducing zone
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 claims description 10
- 230000027950 fever generation Effects 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000029052 metamorphosis Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种用于其光致构图的有机发光二极管（OLED）（100）。该OLED包括在背对发光层（130）的阴极层（140）一侧连接到阴极层（140）的翘曲还原层（150）。翘曲还原层被配置成用于改进对由阴极层的局部发热导致的翘曲的抵抗性，OLED的构图会引起此热量。翘曲还原层改进阴极层的机械属性（例如，刚性）和/或热属性（例如，热传导和热容量）。
Description
技术领域
本发明涉及包括层的堆叠体的OLED，该堆叠体（stack）包括阴极层与阳极层之间布置的发光层，堆叠体布置在衬底上。
本发明进一步涉及构图的（patterned）OLED以及涉及光源。
背景技术
也称作OLED的有机发光二极管通常包括阴极、阳极和发光层。可以把这些层堆叠在衬底上。OLED还可以包括导电层。发光层可以由可以传导电流的有机材料制造。当在阴极和阳极上施加电压时，电子从阴极朝向阳极行进。此外，在阳极侧的导电层中产生空穴（hole）。当电子和空穴重新结合时，从有机LED器件发出光子。以许多方式把有机LED器件看作各种照明应用中的未来。
经引用并入本文的、代理机构卷号为PH009044的专利申请‘Device, method and system for lighting’描述了一种有机LED器件。有机LED器件在使用中时在它的发光部分上显示预定图案。有机LED器件包括阳极、阴极、以及有机发光层。有机发光层被配置成发出光。通过波长在有机发光层的吸收带中的光照射有机发光层堆叠体的一部分。照射光的光强度在阴极层、阳极层和有机发光层的烧蚀阈值以下。作为照射处理的结果，该部分发光层堆叠体的发光属性减小。
通过选择处理发光层的哪些部分、以及多久，可以在OLED中印刻图像。可以例如使用构图的OLED创建环境照明。可以在维持有机LED器件的所有固有优点（例如，是吸引人的、是漫射区光源等）的情况下，在单个有机LED器件中做出全2维灰度图片。
发明内容
在构图（patterning）期间，通常使用会聚光束，如激光。激光的强度相对较高，以使得在通过光照射的发光层堆叠体中的位置处，OLED将会热起来。为了避免OLED的变形，OLED中的照射导致的温度应当保持在变形阈值以下。把构图OLED需要仔细地校准和控制激光强度，以及扫描速度，以在不引起器件中金属电极的不想要变形（即，翘曲）的情况下得到高对比度构图。特别地，阴极层对翘曲（bucking）敏感。
再者，为了加快光致构图的OLED的生产，期望增加构图光的强度。当加热OLED时，部分OLED会变形和最终翘曲。
为较好地解决此顾虑，在本发明的第一方面中，提出了用于光致构图的OLED。OLED包括层的堆叠体。堆叠体至少包括在阴极层与阳极层之间布置的发光层。堆叠体（stack）布置在衬底上。OLED进一步包括并非衬底的翘曲还原层（bucking-reducing layer）。翘曲还原层在背对发光层的阴极层的一侧连接到阴极。翘曲还原层被配置成用于改进对阴极的局部发热导致的翘曲的抵抗性。
根据本发明的用于光致构图的OLED具有这样的优点：可以通过较有成本效益的方式利用光对它构图。
在已知***中，当在发光层堆叠体的一些点处施加光以减小该点处的发光属性时，则光将会也加热阴极层。如果光的强度足够高，则在一些点处阴极层将会达到它翘曲的温度。
然而在根据本发明的OLED中，阴极连接到翘曲还原层，这会增加阴极对翘曲的抵抗性。即使使用与已知***中一样的材料和厚度的阴极层，则阴极层将能够较好地抵抗翘曲。
由于把翘曲还原层施加到背对发光层的阴极的一侧，所以不损害发光层的发光属性。
因为翘曲还原层，可以增加用来在OLED中感应（induce）图案的光的强度。作为结果，在OLED的一个点处需要较少时间，以减小发光层堆叠体的发光属性。可以因此增加激光在构图期间在OLED的表面上扫描的扫描速度。即，如果对于OLED的任何特定点取得发光属性的期望变换需要较少时间，则施加整个图案也需要较少时间。相应地，减少了用于把OLED构图的时间。构图的OLED制造期间的较短构图阶段意味着，构图的OLED制造时间的相应缩短。
也可以把扫描阶段划分成多个扫描遍数。发光属性的减小可以随后在数个不同步骤中继续进行。这具有第一遍期间建立的热量可以在第二遍开始之前消散的优点。这样避免了翘曲。当根据本发明使用多个扫描遍数把OLED构图时，则较少遍可以满足。由于阴极层对翘曲的抵抗性较高，所以多遍中任一遍中使用的激光的强度可以较高以及需要较少遍（pass）。较少扫描遍数减少了构图阶段花费的时间。
制备构图的OLED需要的制造时间对构图的OLED的***格做出重要贡献。为减小***格，增加的构图速度因此是有益的。
在构图期间使用较高强度光的进一步优点是，增加单遍中可以取得的图案中对比度。较高强度光源可以取得发光层发光属性的较强减小。相应地，可以完成OLED的变暗部分与剩余未处理部分之间的较大差异。
根据本发明的OLED可以与各种光致构图方法一起使用。作为第一实例，发光层可以包括低聚物和/或聚合物，以及可以通过作用于这些材料的方法构图。作为进一步的实例，堆叠体和/或发光层可以包括工作层，如电流支持层。在该情形中，光致构图可以影响它的电流支持属性，以影响流过发光层的电流的减小电势。如果流过发光层的电流的电势减小，则发光属性相应减小。注意到，在这两个实例中，使用的光将会至少在一些程度上加热阴极层。相应地，在这两个实例中，翘曲还原层将会施益于生产过程。
可以通过至少两个不同方式实现阴极层的较高翘曲抵抗性。
首先，OLED可以通过延迟翘曲的发生具有较高的阴极层抗翘曲性。也就是，通过阴极层增加的翘曲阈值。翘曲阈值定义了一个热能量，在其之上如果在光致构图期间把热能量施加到阴极层，则会发生阴极层翘曲。
通过增加翘曲阈值，可以增加光的强度，同时避免一起翘曲。特别是对于通过易碎材料制成的阴极层，例如透明阴极层，停留在翘曲阈值下是优选的。相比于没有翘曲还原层的OLED而言，由于翘曲层例如由于它的刚性而承受翘曲、或者因为它协助处理引入的热能，所以翘曲将会在施加了更多热能之后开始。可以使用较高光强度，而没有翘曲。
OLED具有较高的翘曲抵抗性第二方式是，通过在其发生之后减轻翘曲的严重性。当阴极层的翘曲已开始但是热量的施加继续时，翘曲变得越来越严重。严重性例如通过材料的较高和/或较尖锐折叠展现。然而，对于一些应用，可以容许一定量的翘曲，只要翘曲停留在预定限制下。特别地，翘曲不应当进展到阴极烧蚀的点。翘曲还原层可以减缓阴极层的翘曲发展的速率。再者，它减小翘曲的可见性。
在一个优选实施例中，翘曲还原层与阴极层之间的连接包括用于增加阴极层机械刚性级别的机械连接。较刚性的层将会能够承受较高光强度，即翘曲发生之前的较高温度。
在光致构图期间加热阴极层的一部分在材料中引起应力。当此应力充分高时，导致翘曲。具有阴极层与翘曲抵抗层之间的机械连接允许阴极承受较大量的应力。优选地，例如通过选择翘曲还原层的合适材料或沉积方法把翘曲还原层布置成机械刚性级别比阴极层高。具有刚性比阴极层高的翘曲还原层，允许翘曲还原层较薄。优选地，翘曲还原层的机械刚性不低于阴极层的机械刚性级别。可以较快速地施加（例如，沉积）较薄的翘曲还原层，这减少OLED的制造时间。可以在OLED有成本效益的生产中使用本发明，这减少了制造时间和减少了构图时间。再者，如果翘曲还原层可以较薄，则翘曲还原层需要较少材料。
优选地，翘曲还原层的刚性在与阴极层平行的方向上延伸，以便减小阴极层的翘曲。
在与阴极层平行的方向上增加刚性对减小阴极层的翘曲有效。如果材料抵抗此方向上的移动，则相应减小阴极层对褶皱的自由度。
在优选实施例中，翘曲还原层与阴极层之间的连接包括热连接，用于从阴极层向翘曲还原层的至少一部分传送热量。
可以通过传送走构图期间冲击光在阴极中引起的热量中的一些热量缩小翘曲在它开始了之后发展的速率。这样，虽然继续向阴极提供热量，但限制了翘曲的严重性。
在一个优选实施例中，翘曲还原层和到阴极层的热连接被配置成通过在OLED的光致构图期间传送热量以限制阴极层的局部发热来增加翘曲阈值。通过从阴极层把热量传送走，防止了其中热量的积累。相比于没有翘曲抵抗层的OLED而言，翘曲的发生将会出现得较晚，即在已施加光更久之后和/或在施加了较高强度的光之后。相应地，可以使用更高强度的光或者可以使用同样强度的光更长时间。
较好热传导在把同样光强度用于构图的情况下得出较低温度。这允许较高的热负荷（即热能的量）以及因此更高的光强度。
在一个根据本发明的实施例中，翘曲还原层和翘曲还原层与阴极层之间的热连接被配置成从阴极层向另一个热沉把热量传送走。这样，进一步增加由阴极层和翘曲还原层形成的***的容量，以处理热量流入。热沉可以布置在OLED中，但是也可以布置在OLED外部，以及经由进一步热耦合的连接。例如，可以在使用会聚光在OLED中施加图案期间把临时的热沉耦合到翘曲还原层（buckling-reducing layer）。
在一个优选实施例中，翘曲还原层包括用于在OLED的光致构图期间吸收热量以限制阴极层的局部发热从而增加翘曲阈值的热容量。具有相对较高的热容量使得翘曲还原能够在温度的增加仍然受限的情况下吸收相当量的能量。在光致构图期间，热容量吸收向阴极层施加的热量的一部分。这样，增加了翘曲阈值。
在根据本发明的OLED中翘曲还原层可以包括其材料属性在半导体和/或薄膜制备环境中是易知的材料。这种材料包括各种金属，包括铝合金、钼、铜、以及钨。再者，硅也良好地适合。玻璃状和陶瓷材料也可以，特别是可以在固化之前以流体形式施加的溶胶凝胶材料。优选地，翘曲还原层包括来自以下材料列表的至少一种材料：氮化铝、氮化硅、SiNx:H、氧化铝、氮氧化铝、氧化硅或氮氧化硅。用于施加这些材料涂层的方法和装备是通常可获取的。
在一个根据本发明的优选实施例中，阴极层和翘曲还原层对可见光至少部分地透明。当阴极层和翘曲还原层对可见光透明时，可能地在阳极的方向上发出光之外，OLED可以在阴极的方向上发出光。再者，这种OLED可以对可见光至少部分地透明。在后者的情形中，层的堆叠体、衬底和翘曲还原层也对可见光至少部分地透明。
透明OLED中的阴极层通常是薄银层，例如，10 nm的银。这种材料对翘曲特别敏感。因为这种材料较薄，所以他们用于吸收热能的容量较低。另外较容易损坏薄材料。通过施加对光也透明的翘曲还原层，可以显著减小此类型OLED中的翘曲。可以通过已知材料制备透明翘曲还原层，例如翘曲还原层可以包括来自以下材料列表的至少一种材料：溶胶凝胶、旋涂玻璃或环氧树脂、氮化铝、氮化硅、SiNx:H、氧化铝、氮氧化铝、氧化硅或氮氧化硅。
优选地以无定形、非晶体形式使用透明SiN和透明AlO。通过沉积技术，可以使它们的成分和结构以及因此他们的吸收变化。
除了或代替可见光，阴极层和翘曲还原层还可以对UV光和/或红外光至少部分地透明。
本发明的另一方面关注根据本发明的构图的OLED，其中发光层的一部分具有构建图案的、局部减小的发光属性。所述构图的OLED包括层的堆叠体，堆叠体包括阴极层与阳极层之间布置的发光层，堆叠体布置在衬底上。构图的OLED进一步包括并非衬底或阴极的翘曲还原层，翘曲还原层在背对发光层的阴极层的一侧连接到阴极，以及被配置成用于改进对由阴极的局部发热导致的翘曲的抵抗性。通过光的施加，发光层的至少一部分的发光属性减小。
由于可以使用的较高光强度而可以更快速地制造根据合适光致构图方法进行构图的用于光致构图的OLED。也就是，这种构图OLED的构图成本较低。
在本发明的另一方面中，光源包括根据本发明的构图OLED。例如，在实施例中，灯包括根据本发明的构图OLED。
提出了用于光致构图的有机发光二极管（OLED）。OLED包括在背对发光层的阴极层的一侧连接到阴极层的翘曲还原层。翘曲还原层被配置成用于改进对由阴极的局部发热导致的翘曲的抵抗性，把OLED构图会引起此热量。翘曲还原层改进阴极的机械属性（例如，刚性）和/或热属性（例如，通过冷却）。
应该注意，经引用并入本文的代理机构卷号为PH012033的专利申请‘Patterned OLED device, method of generating a patterning, system for patterning and method of calibrating the system’描述了一种构图的发光二极管器件。构图的有机发光二极管器件包括在阳极层与阴极层之间布置的有机发光材料，以及进一步包括至少一个电流支持层，用于使电流能够，在工作时，流过发光材料，以使得发光材料发出光。通过在基本上未改变有机发光材料、阳极层、以及阴极层的情况下，局部变换电流支持特性把电流支持层的一部分构图。电流支持特性局部确定工作中流过有机发光材料的电流。通过改变电流支持特性，可以在有机发光二极管器件中生成图案，该图案在有机发光二极管器件的关断状态中基本上不可见、以及在有机发光二极管器件的接通状态中清晰可见为光强度变化。
修改电流支持层对于基于低聚物的OLED特别有效。对于基于聚合物的OLED，优选地，通过光照射修改发光材料本身。这种器件可以不具有电流支持层，并且在在器件的关断状态中略微可见OLED是被构图的。
附图说明
通过实例和参照附图进一步详细解释本发明，其中：
图1a是根据本发明的有机LED器件的示意性横截面视图，
图1b是根据本发明的有机LED器件的发光层的示意性横截面视图，
图2是根据本发明的另一个有机LED器件的示意性横截面视图。
在全部图中，用同样的附图标记表明类似或相应的特征。
附图标记的列表
100 OLED
110 衬底
120 阳极
130 发光层
132 导电层
134 发射层
140 阴极
150 翘曲还原层
160 发光方向
165 图案感应光
200 OLED
260 照明方向
265 图案感应（inducing）方向。
具体实施方式
虽然本发明准许许多不同形式的实施例，在图中示出了以及将会在本文中详细描述一个或更多个具体实施例，其中应理解本公开应该看作本发明原理的示范而并非意在把本发明限制为示出和描述的具体实施例的情况。
图1a示出了根据本发明实施例的有机LED器件100的横截面视图。OLED 100包括衬底110，其上按次序施加阳极120、发光层130、阴极140和翘曲还原层150。阳极120可以例如包括铟锡氧化物（ITO）、含氟氧化锌、PEDOT、或者任何其它合适阳极材料。可以在阴极140和阳极120上施加电压，致使电流流过发光层130。图1b更详细地示出了发光层130，它包括导电层132和发射层134，其中，导电层132朝向阳极120侧，发射层134朝向阴极140。根据OLED的领域，在OLED中可以存在中间层。例如，在阳极120与阴极140之间可以存在电流支持层。
导电层132和发射层134可以由诸如聚合物或低聚物的有机材料制造。发光层130可以包括分子量低的材料，所谓的小分子（SM）OLED。SM-OLED的沉积通常基于真空热蒸发。发光层130也可以是聚合物基（PLED），包括长聚合物有机链，其可以通过旋铸或喷墨原理沉积。
为了使OLED 100正确运转以及为了使其免受潮湿和来自例如灰尘和小颗粒的污染物，可以通过诸如封装盖的封装体（未示出）封装OLED 100。当施加电压时，电子和空穴在有机发光层130中重新结合，使得从OLED 100发出光。可以例如经由阳极120发出光，在此情形中，阳极120对生成的光至少部分地透明。在图1a中示出了通过阳极120发出的光作为光发射方向160。
阴极140也可以透明。衬底110也可以透明。例如，衬底110可以由玻璃制成。
可以通过用图案感应光165照射把OLED 100构图。光束165照射OLED 100，以使得在照射区中改变发光层130的发光属性。光束165可以例如穿过衬底110和阳极120以影响发光层130。在一个实施例中，图案感应光165的波长可以在发光层130的吸收带中，避免400 nm以下的波长。发光层130中的光致过程引起发光层130的照射区中原始光发射的减少，以允许在把OLED 100切换为它的接通状态时图案是可见的。在图1a中，图案感应光165通过阳极120和衬底110到达发光层130，所述阳极120和衬底110为了该目的对构图光165至少部分地透明。可替选地，可以通过翘曲还原层150、以及阴极140到达发光层130。在后者的状况中，翘曲还原层150和阴极140至少部分地透明。
在一个实施例中，图案感应光165是激光器光。OLED 100可以例如是其上沉积有翘曲还原层的0.5 mm钠钙玻璃衬底上的底部发射型的已知超黄色器件。可以通过频率加倍的Nd:YAG激光（532 nm波长）生成图案感应光165。
在一个实施例中，OLED 100包括蓝色发光聚合物。图案感应光165可以包括405 nm的波长。在此情形中，可以使用如蓝光盘产品中所使用的低价格固态二极管激光。
在光致构图期间，会聚光射到发光层上以便改变它的光发射属性。该光的至少一部分也到达阴极层以及冲击到它上，例如因为光的某些部分透过光发射层。由于此射入光的部分吸收而阴极被加热。
翘曲还原层150连接到阴极140以减轻由于局部发热所致的变形作用。翘曲阈值定义一个所提供热能的量，若在光致构图期间（例如，在一些预定时间段或者按图案感应光的预定扫描速度）把超出所述热能的量的热量施加到阴极层，则出现阴极层翘曲。也可以把翘曲阈值表示成阴极层的温度增加，超过该温度增加出现翘曲。翘曲还原层150可以通过增加翘曲阈值延迟翘曲的发生。
再者，即使在翘曲出现的情况下，则翘曲还原层150也协助控制它，即，减小它的严重性。优选地，翘曲还原层150与阴极140之间的热和/或机械连接相对较强以及具有相对较高接合度。翘曲还原层150可以通过增加阴极140的刚性和/或把向阴极140施加的热量的至少一部分从它传送走来帮助抵抗变形。
例如，可以选取翘曲还原层150与阴极140之间的连接，以使得凭借连接到翘曲还原层150，至少部分地抵抗热量在阴极140中引起的力中的一些力。换言之，翘曲还原层150可以作为阴极140的一种骨架。可以按照它的杨氏模量E表示翘曲还原层150的刚性。已经从50 GPa翘曲还原层的E值发现了阴极140翘曲抵抗性的改进。然而，翘曲还原层150的杨氏模量优选地大于100 GPa以及更优选地大于250 GPa。对于翘曲还原层选取机械刚性级别高（特别地，高于阴极层的机械刚性级别）的材料是用以增加阴极140刚性的有效率方式，特别是在与强机械连接组合时。
如果翘曲还原层150自身未由于热量而强烈变形，则这是有益的。翘曲还原层150的热膨胀系数因此优选地小，例如，小于30 ppm/K（＝10－6/K）、以及优选地小于10ppm/K。如果翘曲还原层150的热膨胀系数相对较低，例如低于阴极层的热膨胀系数，则也抵抗阴极140中的变形，特别是在连接包括机械连接时。
作为进一步的实例，翘曲还原层150还可以通过把向阴极140施加的热能量的至少一部分从它传送走来帮助抵抗变形。阴极140与翘曲还原层150之间的连接可以包括用于从阴极140向翘曲还原层150的至少一部分传送热量的热连接。随着把热量传送走，将会延迟翘曲发生。再者，在翘曲的发生之后，由于把热量中的一些热量传送走，所以翘曲将会较缓慢地继续进行。优选地，翘曲还原层具有热容量，以使得在OLED的光致构图期间，翘曲还原层150可以吸收从阴极140向翘曲还原层150传送的一些热量。这进一步增加翘曲阈值。优选地，层的热容量大于2J/cm3/K，且该层的热传导性高。相对较高的热传导性允许把局部吸收的热能量传送给当前通过构图光照射的翘曲还原层的其它部分。这样，热传导性协助在翘曲还原层的较大区域上散布热能量。作为结果，将会减小总体温度增加以及因而增加用于冷却阴极层的翘曲还原层的容量。再者，如果在较大区域上散布热量，则翘曲还原层自身也会更容易地消散它的热能量。
另一个热沉（未示出）可以经由翘曲还原层150连接到阴极140。
已发现：以上提到的作用随着翘曲还原层150的层厚度明显增加。翘曲还原层150的层厚度优选地大于20 nm、或者大于50nm或大于100 nm。虽然优选地，翘曲还原层150是与阴极140分开的层，但已发现可以在不使用分开的翘曲还原层的情况下，通过增加阴极140自身的厚度可以取得翘曲抵抗性的增加。例如，这种OLED的一个实施例是包括层的堆叠体的OLED，堆叠体包括在阴极层与阳极层之间布置的发光层，堆叠体布置在衬底上，其中发光层的一部分具有构建图案的、局部减小的发光属性，此图案优选地是光（例如激光）感应（induced）的，以及其中，阴极层的厚度用于改进对由阴极的局部发热导致的翘曲的抵抗性。阴极优选地包括铝，以及甚至可以包括铝合金。较厚的层（例如，金属层）具有至少两个优点：由于增加的散热能力增进阴极冷却、以及阴极的刚性增加。这两个方面帮助OLED构图的激光照射期间防止翘曲的出现和程度。这样，阴极对由于阴极的局部发热导致的翘曲具有较高抵抗性。较厚材料的翘曲在材料中产生较少可见褶皱。因此，除了使得阴极针对翘曲更加坚固抵抗以外，较厚的层使得翘曲在它出现的情况下也较不可见。还示出了可以取得图案中的较高对比度。此外，可以使用较高构图速度和较高光功率，这缩减生产时间。优选地，阴极140的厚度为至少100 nm、或者大于150nm、或者大于200nm。
已发现：在此范围中，在没有翘曲的情况下，构图激光的最大光输出与阴极140和/或翘曲还原层150的厚度大致成比例地增加。
翘曲还原层150的实例材料包括各种金属，包括铝合金、钼、铜、以及钨。这些材料的杨氏模量相对较大以及热膨胀率相对较小。可替选地，硅也适合。硅具有与提到的金属类似属性，再者它的膨胀率相对较低。玻璃、玻璃状和陶瓷材料也可以，特别是溶胶凝胶材料，其可以在固化之前以流体形式向阴极140施加。
优选材料进一步包括电介质，如AINx、SiNx、SiN:H、AlOx、AlONx等。这些材料的杨氏模量相对很大以及热膨胀率相对较小。再者，相比于金属电极沉积而言，可以在正常生产线中按高速率和以低成本容易地沉积它们。使用翘曲还原层150的这些材料因此对于制备有益，因为它们降低施加翘曲还原层需要的时间。
各种材料的杨氏弹性模量（GPa）的一些实例值：Al 69、玻璃65－90、Cu 120、W 400、SiNx～300、AlOx～300；以及热膨胀率（10－6 /K）的：Al 23、玻璃3－8.5、Si 3、Mo 4.8、AlOx 6、SiN 2.5；
为了传送热能量，包括金属的翘曲还原层是优选的，例如使用铜、铝和包括它们的合金。另外合适的是钼和钨，有益地其热膨胀系数相对较低以及E模量高。此外，甚至无定形形式的硅是有益的。除了透明度以外，玻璃状和介电材料由于它们的高E模量是特别适合的。由于它的高传导率，AlN是适合的。
可以把阳极层120、发光层130和阴极140的堆叠体设置在衬底110上，其中阴极层140朝向衬底110或者在阳极层120朝向衬底110。图2中示出的是OLED 200，具有所述层的替换放置。图2示出了在其上按次序布置翘曲还原层150、阴极140、发光层130、以及阳极120的衬底110。
图2中的布置适合顶部发射。在图2中，在方向260上发射光以及光透过对发射的光至少部分地透明的阳极120。可以通过图案感应方向265上的会聚光束进行施加图案，即，未通过衬底。在衬底110对使用的构图光透明的情形中，也可以通过衬底110进行施加图案。
当通过衬底110进行构图时，可以使用透明阴极，如，薄银层。银层的厚度优选地小于20nm。透明阴极在构图期间对翘曲特别脆弱。阴极层吸收在阴极上射入的光的一部分，使得局部温度升高、以及最终翘曲。因为翘曲还原层150，遵照与对于图1a解释的一样的原理保护阴极140免受翘曲。优选地，当使用至少部分地透明的阴极时，也使用至少部分地透明的翘曲还原层150。透明翘曲还原层150的合适材料包括玻璃、透明硅、氮化物、透明氧化铝等（见以上）。
发现：在图2的布置中，在衬底110是杨氏模量低的材料（如，塑料）的情况下，翘曲更有问题。对于柔性器件的生产，可以使用像PET或PEN的材料。这些材料的E值在6 GPa（约比玻璃小的量值的数量级）的范围中。为防止OLED的潮湿恶化，通常在这些衬底上施加阻隔层。一个途径是使用包括例如与薄无机层组合的丙烯酸聚合物的层堆叠体。这些聚合物材料的E值甚至更低，范围从约40 MPa直至3 GPa。
应当注意：以上提到的实施例示例而非限制本发明，本领域技术人员将会能够在不脱离所附权利要求范围的情况下设计许多替选实施例。在权利要求中，不应当把括号之间放置的任何附图标记解释成限制权利要求。动词“包括”和它的动词变化的使用不排除除了权利要求中陈述的以外的步骤或元件的存在。元件前的冠词“一”或“一个”不排除多个这种元件的存在。可以通过包括数个不同元件的硬件实施本发明。在列举数个装置的器件权利要求中，可以通过硬件的一个和同一项实施这些装置中的数个装置。在相互不同的从属权利要求中叙述某些手段的单纯事实并非表明无法使用这些手段的组合获益。
Claims (14)
1.一种用于光致构图的OLED（100；200），包括：层的堆叠体，堆叠体包括在阴极层（140）与阳极层（120）之间布置的发光层（130），堆叠体布置在衬底（110）上，OLED进一步包括并非衬底（110）的翘曲还原层（150），翘曲还原层（150）在背对发光层（130）的阴极层（140）一侧连接到阴极，以及被配置成用于改进对由阴极的局部加热导致的翘曲的抵抗性。
2.如权利要求1所述的OLED，其中，翘曲还原层（150）和到阴极的所述连接被配置成用于增加阴极层（140）的翘曲阈值，翘曲阈值定义了一个热量，若在光致构图期间把超过所述热量的热量施加到阴极层（140），则出现阴极层（140）翘曲。
3.如权利要求1或2所述的OLED，其中，翘曲还原层（150）与阴极层（140）之间的连接包括机械连接，用于增加阴极层（140）机械刚性级别。
4.如权利要求3所述的OLED，其中，机械刚性级别的增加基本上在与阴极层（140）平行的方向上。
5.如权利要求3或4所述的OLED，其中，翘曲还原层（150）的机械刚性级别高于阴极层（140）的机械刚性级别。
6.如权利要求1或2所述的OLED，其中，翘曲还原层（150）与阴极层（140）之间的连接包括热连接，用于从阴极层（140）向翘曲还原层（150）的至少一部分传送热量。
7.如权利要求6所述的OLED，其中，翘曲还原层和到阴极层（140）的热连接被配置成通过在OLED的光致构图期间传送热量以限制阴极层（140）的局部发热来增加翘曲阈值。
8.如权利要求6或7所述的OLED，其中，翘曲还原层（150）和翘曲还原层（150）与阴极层（140）之间的热连接被配置成用于从阴极层（140）向另一个热沉把热量传送走。
9.如权利要求6或7所述的OLED，其中，翘曲还原层（150）包括热容量，用于在OLED的光致构图期间吸收热量以限制阴极层（140）的局部发热，从而增加翘曲阈值。
10.如权利要求1或2所述的OLED，其中，翘曲还原层包括来自以下材料列表的至少一种材料：氮化铝、氮化硅、SiNx:H、氧化铝、氮氧化铝、氧化硅、氮氧化硅。
11.如权利要求1或2所述的OLED，其中，阴极层（140）和翘曲还原层对可见光至少部分地透明。
12.如权利要求11所述的OLED，其中，翘曲还原层（150）包括来自以下材料列表的至少一种材料：溶胶凝胶、旋涂玻璃或环氧树脂、氮化铝、氮化硅、SiNx:H、氧化铝、氮氧化铝、氧化硅、氮氧化硅。
13.如权利要求1或2所述的构图OLED，其中，发光层（130）的一部分具有构建图案的、局部减小的发光属性。
14.一种光源，包括根据如权利要求1至12中任一项和/或权利要求13所述的OLED。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09157184 | 2009-04-02 | ||
| EP09157184.4 | 2009-04-02 | ||
| PCT/IB2010/051308 WO2010113084A1 (en) | 2009-04-02 | 2010-03-25 | Organic light emitting diode with buckling resisting properties for light-induced patterning thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102379047A true CN102379047A (zh) | 2012-03-14 |
Family
ID=42174053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010800152979A Pending CN102379047A (zh) | 2009-04-02 | 2010-03-25 | 用于其光致构图的具有翘曲抵抗属性的有机发光二极管 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120091877A1 (zh) |
| EP (1) | EP2415092A1 (zh) |
| JP (1) | JP5680056B2 (zh) |
| KR (1) | KR20120013362A (zh) |
| CN (1) | CN102379047A (zh) |
| CA (1) | CA2757621A1 (zh) |
| RU (1) | RU2525147C2 (zh) |
| WO (1) | WO2010113084A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110379837A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、开孔方法及电子设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014168102A1 (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-16 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040077250A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Pioneer Corporation | Method and apparatus for patterning an organic electroluminescence device |
| WO2007116369A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | An organic diode and a method for producing the same |
| US20080188156A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Dirk Buchhauser | Method for Structuring a Light Emitting Device |
| US20080211402A1 (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Decook Bradley C | Flat panel oled device having deformable substrate |
| CN101399318A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO314525B1 (no) * | 1999-04-22 | 2003-03-31 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm |
| US6765348B2 (en) * | 2001-01-26 | 2004-07-20 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices containing thermal protective layers |
| JP2004119259A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Stanley Electric Co Ltd | 有機ｅｌ表示素子 |
| JP4603780B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-03-25 JP JP2012502849A patent/JP5680056B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-25 US US13/260,811 patent/US20120091877A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-25 EP EP10716085A patent/EP2415092A1/en not_active Withdrawn
- 2010-03-25 CN CN2010800152979A patent/CN102379047A/zh active Pending
- 2010-03-25 KR KR1020117026102A patent/KR20120013362A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-03-25 CA CA2757621A patent/CA2757621A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-25 WO PCT/IB2010/051308 patent/WO2010113084A1/en active Application Filing
- 2010-03-25 RU RU2011144377/28A patent/RU2525147C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040077250A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Pioneer Corporation | Method and apparatus for patterning an organic electroluminescence device |
| WO2007116369A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | An organic diode and a method for producing the same |
| US20080188156A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Dirk Buchhauser | Method for Structuring a Light Emitting Device |
| US20080211402A1 (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Decook Bradley C | Flat panel oled device having deformable substrate |
| CN101399318A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110379837A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、开孔方法及电子设备 |
| CN110379837B (zh) * | 2019-07-22 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、开孔方法及电子设备 |
| US11314279B2 (en) | 2019-07-22 | 2022-04-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, hole forming method, and electronic equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2757621A1 (en) | 2010-10-07 |
| WO2010113084A1 (en) | 2010-10-07 |
| RU2011144377A (ru) | 2013-05-10 |
| EP2415092A1 (en) | 2012-02-08 |
| RU2525147C2 (ru) | 2014-08-10 |
| KR20120013362A (ko) | 2012-02-14 |
| JP2012523078A (ja) | 2012-09-27 |
| JP5680056B2 (ja) | 2015-03-04 |
| US20120091877A1 (en) | 2012-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101364040B1 (ko) | 유기전자소자용 기판 | |
| RU2470415C2 (ru) | Органический светоизлучающий диод с излучающим слоем, содержащим материал с низким коэффициентом преломления для улучшения световывода | |
| EP2498316B1 (en) | Method of manufacturing a flexible display device | |
| KR101805150B1 (ko) | 균질의 온도 분포를 갖는 유기 발광 디바이스 | |
| CN109638053B (zh) | 柔性显示器的散热结构 | |
| CN1769066A (zh) | 供体基板及利用其制造有机发光显示器的方法 | |
| US20170194596A1 (en) | Organic light-emitting display panel and display device | |
| CN106463644B (zh) | 有机发光元件及包括有机发光元件的显示装置和照明装置 | |
| KR101094300B1 (ko) | 유기 발광 조명 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2012533152A (ja) | 柔軟なオプトエレクトロニクス多層構造体をカプセル化する方法 | |
| CN101044636A (zh) | 具有改善了散热的半导体发光装置 | |
| Kim et al. | Schottky‐Barrier‐Controllable Graphene Electrode to Boost Rectification in Organic Vertical P–N Junction Photodiodes | |
| CN109244266B (zh) | 使用有机发光二极管的照明设备及其制造方法 | |
| JP4096877B2 (ja) | 情報読み取り素子及びそれを用いた情報読み取り装置 | |
| DE102013111785A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes | |
| KR101015843B1 (ko) | 유기 발광 조명 장치 | |
| CN102379047A (zh) | 用于其光致构图的具有翘曲抵抗属性的有机发光二极管 | |
| KR20140102518A (ko) | 도너 필름, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20160017366A (ko) | 광학 패터닝 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20160028598A (ko) | 광학 마스크 | |
| CN110459678B (zh) | 柔性有机发光显示面板及其制备方法 | |
| TWI227095B (en) | Organic light emitting diode (OLED) display and fabrication method thereof | |
| KR100721941B1 (ko) | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR20070111702A (ko) | 레이저 열전사용 도너 기판 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조 방법 | |
| KR20200004350A (ko) | 내노화성이 개선된 전자 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120314 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |