CN102369258B - 导电膜去除剂及导电膜去除方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 113
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 100
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 27
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 20
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 8
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- MTJGVAJYTOXFJH-UHFFFAOYSA-N 3-aminonaphthalene-1,5-disulfonic acid Chemical compound C1=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=CC(N)=CC(S(O)(=O)=O)=C21 MTJGVAJYTOXFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 73
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 72
- -1 methylsulfonic acid Chemical class 0.000 description 46
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 36
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 9
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 9
- 229940001516 sodium nitrate Drugs 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003656 Daiamid® Polymers 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002907 Guar gum Polymers 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000665 guar gum Substances 0.000 description 4
- 235000010417 guar gum Nutrition 0.000 description 4
- 229960002154 guar gum Drugs 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 4
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- LLNAMUJRIZIXHF-CLFYSBASSA-N (z)-2-methyl-3-phenylprop-2-en-1-ol Chemical compound OCC(/C)=C\C1=CC=CC=C1 LLNAMUJRIZIXHF-CLFYSBASSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 3
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 3
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 3
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrahydrotriazine Chemical compound C1NNNC=C1 FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRWZZZWJMFNZIK-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-3-methyloxirane Chemical compound CC1OC1Cl LRWZZZWJMFNZIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFKZECOCJCGZQK-UHFFFAOYSA-M 3-hydroxypropyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CCCO VFKZECOCJCGZQK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RINDUYMVZWQJDB-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2-methylidenebutanamide Chemical compound NCCC(=C)C(N)=O RINDUYMVZWQJDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJQXZWKKWGNGPA-UHFFFAOYSA-N 5-amino-2-methylpent-2-enamide Chemical compound NC(=O)C(C)=CCCN AJQXZWKKWGNGPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KGWDUNBJIMUFAP-KVVVOXFISA-N Ethanolamine Oleate Chemical compound NCCO.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O KGWDUNBJIMUFAP-KVVVOXFISA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000688 Poly[(2-ethyldimethylammonioethyl methacrylate ethyl sulfate)-co-(1-vinylpyrrolidone)] Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000289 Polyquaternium Polymers 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N azane;7-fluoro-2,1,3-benzoxadiazole-4-sulfonic acid Chemical compound N.OS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C2=NON=C12 JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBUYAZUEYAXMBU-UHFFFAOYSA-N azane;n,n-dimethylmethanamine Chemical compound N.CN(C)C UBUYAZUEYAXMBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004212 difluorophenyl group Chemical group 0.000 description 2
- GQOKIYDTHHZSCJ-UHFFFAOYSA-M dimethyl-bis(prop-2-enyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=CC[N+](C)(C)CC=C GQOKIYDTHHZSCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000002116 nanohorn Substances 0.000 description 2
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000333 poly(propyleneimine) Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000011973 solid acid Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium atom Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N tetrabromomethane Chemical compound BrC(Br)(Br)Br HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N tricarballylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC(O)=O KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical class C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFKBXYGUSOXJGS-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenyl-2-propanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC(=O)CC1=CC=CC=C1 YFKBXYGUSOXJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRCQMXHPNJVPJC-UHFFFAOYSA-N 2-(tribromomethylsulfonyl)pyridine Chemical compound BrC(Br)(Br)S(=O)(=O)C1=CC=CC=N1 FRCQMXHPNJVPJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOGPDSATLSAZEK-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(N)=CC=C3C(=O)C2=C1 XOGPDSATLSAZEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYINQIKIQCNQOX-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxybutyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCC(O)C[N+](C)(C)C OYINQIKIQCNQOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GSLTVFIVJMCNBH-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatopropane Chemical compound CC(C)N=C=O GSLTVFIVJMCNBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAWBLNRKZJIAL-UHFFFAOYSA-N 3-ethylidene-1,1-dimethylurea Chemical compound CC=NC(=O)N(C)C MHAWBLNRKZJIAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCYSWBQHCWWSFW-UHFFFAOYSA-N 4,6,11-trimethyl-1,4,6,11-tetraza-5-phosphabicyclo[3.3.3]undecane Chemical compound C1CN(C)P2N(C)CCN1CCN2C PCYSWBQHCWWSFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGKJMBOJWVAMIJ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-hydroxypropan-2-yl)-1-methylcyclohexan-1-ol;hydrate Chemical compound O.CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 JGKJMBOJWVAMIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANJLMAHUPYCFQY-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-1h-benzimidazole-2-sulfonic acid Chemical class C=12NC(S(=O)(=O)O)=NC2=CC=CC=1C1=CC=CC=C1 ANJLMAHUPYCFQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGCBVEQNSDSLIH-UHFFFAOYSA-N 4-pyridin-3-ylbutanal Chemical compound O=CCCCC1=CC=CN=C1 LGCBVEQNSDSLIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVWCPGVLSILMU-UHFFFAOYSA-N 5,6-dihydrodibenzo[2,1-b:2',1'-f][7]annulen-11-one Chemical compound C1CC2=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=CC=C21 BMVWCPGVLSILMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUKPVYBUJRAUAG-UHFFFAOYSA-N 7-benzo[a]phenalenone Chemical compound C1=CC(C(=O)C=2C3=CC=CC=2)=C2C3=CC=CC2=C1 HUKPVYBUJRAUAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWTDMFJYBAURQR-UHFFFAOYSA-N 80-82-0 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HWTDMFJYBAURQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000215068 Acacia senegal Species 0.000 description 1
- 229910002018 Aerosil® 300 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004135 Bone phosphate Substances 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGINUBKWLUSQGI-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[I] Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[I] WGINUBKWLUSQGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 244000303965 Cyamopsis psoralioides Species 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229920000084 Gum arabic Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M [(1s,2s)-2-amino-1,2-diphenylethyl]-(4-methylphenyl)sulfonylazanide;chlororuthenium(1+);1-methyl-4-propan-2-ylbenzene Chemical compound [Ru+]Cl.CC(C)C1=CC=C(C)C=C1.C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)[N-][C@@H](C=1C=CC=CC=1)[C@@H](N)C1=CC=CC=C1 AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- SCKIDQYMYXMLHS-UHFFFAOYSA-N [I].C(C)(C)C1(CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1)C Chemical compound [I].C(C)(C)C1(CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1)C SCKIDQYMYXMLHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUWBVKYVJWNVLE-UHFFFAOYSA-N [N].[P] Chemical compound [N].[P] YUWBVKYVJWNVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMVHTMHGSNQLFE-UHFFFAOYSA-N [SH3+].[OH-].C[NH+](C)C.[OH-] Chemical compound [SH3+].[OH-].C[NH+](C)C.[OH-] WMVHTMHGSNQLFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKKAMDZVMJEEHQ-UHFFFAOYSA-N [Sn].[N+](=O)(O)[O-] Chemical compound [Sn].[N+](=O)(O)[O-] KKKAMDZVMJEEHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000000205 acacia gum Substances 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- ZSTLPJLUQNQBDQ-UHFFFAOYSA-N azanylidyne(dihydroxy)-$l^{5}-phosphane Chemical compound OP(O)#N ZSTLPJLUQNQBDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJTDJAPHKDIQIQ-UHFFFAOYSA-L barium(2+);dinitrite Chemical compound [Ba+2].[O-]N=O.[O-]N=O GJTDJAPHKDIQIQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001864 baryta Inorganic materials 0.000 description 1
- KRCJFQXGRXFIII-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;nickel Chemical compound [Ni].OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KRCJFQXGRXFIII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical class C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000006480 benzoylation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229960004217 benzyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- PUJDIJCNWFYVJX-UHFFFAOYSA-N benzyl carbamate Chemical compound NC(=O)OCC1=CC=CC=C1 PUJDIJCNWFYVJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 229920003090 carboxymethyl hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010418 carrageenan Nutrition 0.000 description 1
- 229920001525 carrageenan Polymers 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPOIJJUKCPCQIV-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanone Chemical class C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 QPOIJJUKCPCQIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVQHOAILLPEZSC-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanone;n-methylmethanamine Chemical class CNC.C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 PVQHOAILLPEZSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 229940074654 diuril Drugs 0.000 description 1
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 1
- 150000004687 hexahydrates Chemical class 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006166 lysate Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYIMSNHJOBLJNT-UHFFFAOYSA-N nifedipine Chemical compound COC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HYIMSNHJOBLJNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001597 nifedipine Drugs 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000001814 pectin Substances 0.000 description 1
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 description 1
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- RAFRTSDUWORDLA-UHFFFAOYSA-N phenyl 3-chloropropanoate Chemical compound ClCCC(=O)OC1=CC=CC=C1 RAFRTSDUWORDLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABOYDMHGKWRPFD-UHFFFAOYSA-N phenylmethanesulfonamide Chemical compound NS(=O)(=O)CC1=CC=CC=C1 ABOYDMHGKWRPFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002553 poly(2-methacrylolyloxyethyltrimethylammonium chloride) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000962 poly(amidoamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006149 polyester-amide block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 239000004304 potassium nitrite Substances 0.000 description 1
- 235000010289 potassium nitrite Nutrition 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001327 prunus amygdalus amara l. extract Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KKKDGYXNGYJJRX-UHFFFAOYSA-M silver nitrite Chemical compound [Ag+].[O-]N=O KKKDGYXNGYJJRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L silver sulfate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]S([O-])(=O)=O YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N sodium ethoxide Chemical compound [Na+].CC[O-] QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical class NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002447 thiram Drugs 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J tin(4+);disulfate Chemical compound [Sn+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 description 1
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract
本发明是一种导电膜去除剂以及使用该导电膜去除剂的导电膜去除方法,该导电膜去除剂中包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。本发明提供一种能在面内均匀地去除导电膜的希望部分的导电膜去除剂及导电膜去除方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种导电膜去除剂及导电膜去除方法。
背景技术
由掺杂锡的氧化铟(ITO)构成的透明导电膜被广泛应用于液晶显示器、等离子体显示器、场致发光(EL)显示器等显示面板和触摸屏、太阳能电池等电子设备。以这些透明导电膜为代表的导电膜在形成所需图案后投入使用,作为图案形成方法,通常采用的是使用光致抗蚀剂或蚀刻液的化学蚀刻法。但是,该方法的工序数多,有时会因溶液中的抗蚀剂(resist)膨胀而导致蚀刻精度下降,而且蚀刻液的使用操作和废液处理存在问题。作为解决上述问题的方法,已知对导电膜照射近红外区域(NIR)的激光来去除不需要的部分的激光烧蚀法。该方法虽然无需抗蚀剂即可实现高精度的图案形成,但能应用该方法的基材存在局限,而且成本高,处理速度慢,因此不适合于大面积的加工。
另一方面,作为不需要抗蚀工序的化学蚀刻法,提出了如下方法:将包含氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物以及溶剂的组合物施加于无机玻璃样结晶表面上的欲进行蚀刻的区域,然后将其清洗去除或燃烧去除(例如参照专利文献2)。还提出了含磷酸的蚀刻介质(例如参照专利文献3)。通过使用磷酸,与氯化铁(III)的情形相比,可更容易地控制蚀刻速度。但是,即使采用这些任一种技术,仍存在蚀刻无法在面内均匀地进行而产生偏差的问题。
针对含碳纳米管(CNT)的导电膜的剥离技术,还提出了如下方法:将被覆有CNT的基板浸渍于剥离溶液,任意地对被覆有CNT的基板进行机械搅拌或化学搅拌,用液体清洗被覆有CNT的基板以除去CNT的至少一部分(例如参照专利文献4)。但是,该方法存在处理速度慢而不适合于大面积的加工、蚀刻无法在面内均匀地进行而产生偏差的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特表2008-547232号公报
专利文献2:日本专利特表2009-503825号公报
专利文献3:国际公开第2005/086982号小册子
发明内容
发明要解决的技术问题
鉴于上述现有技术的问题,本发明的目的在于提供一种能在面内均匀地去除导电膜的希望部分的导电膜去除剂及导电膜去除方法。
解决技术问题用的手段
本发明是一种导电膜去除剂,其中包含:沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。本发明还是一种导电膜去除方法,该方法包括:在带导电膜的基材的至少一部分涂布所述导电膜去除剂的工序,所述带导电膜的基材在基材上具有包含须晶状(whisker-like)导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜;在80℃以上进行加热处理的工序;以及通过用液体进行清洗来去除导电膜的工序。
发明的效果
利用本发明,能在面内均匀地去除导电膜的希望部分。
附图说明
图1是表示在带导电膜的基材上涂布有导电膜去除剂的状态(加热处理前)的示意图。
图2是表示通过本发明的导电膜去除方法去除了导电膜的状态的示意图。
具体实施方式
本发明的导电膜去除剂包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。通过包含均化剂,可赋予导电膜去除剂以高渗透力,即使是以往难以去除的包含须晶状导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜也能容易地去除。将所述导电膜去除剂涂布于具有包含须晶状导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜的带导电膜的基材的至少一部分,在80℃以上进行加热处理,通过用液体进行清洗来去除导电膜,藉此,可选择性地去除涂布有所述导电膜去除剂的部分的导电膜。通过将导电膜去除剂涂布于所需部位,即使是包含锐角或曲线的复杂且高精细的图案也能任意地形成。加热处理温度优选比导电膜去除剂中的除溶剂以外的成分的沸点更低的温度,优选200℃以下。
本发明的导电膜去除剂包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物。也可包含2种以上的上述化合物。通过包含酸或碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物,可通过加热使与导电膜去除剂接触的导电膜表面的至少一部分分解、溶解或增溶。本发明的导电膜去除剂即使是包含反应性低的CNT或石墨烯(graphene)、银或铜等金属作为导电体的导电膜也能容易地去除。酸或碱的沸点低于80℃时,会在导电膜和蚀刻成分的反应所需的加热温度下蒸发,难以在面内均匀地去除导电膜。
本发明所用的酸只要沸点在80℃以上即可,无特别限制。这里,本发明中,沸点是指大气压下的值,以标准名称“涂料成分试验方法-第2部:溶剂可溶物中的成分分析-第3节:沸点范围”、即JIS-K5601-2-3(1999)为基准测定。该标准规定了在常压下于30~300℃下沸腾、化学性质稳定、蒸馏时不会腐蚀装置的液体的沸点范围的测定方法。沸点优选为100℃以上,更优选为200℃以上。
本发明中,在大气压下没有明确的沸点、如果升温则在气化前即在80℃以上的温度下开始热分解的酸也包括在沸点在80℃以上的酸的范围内。更优选去除导电膜时的加热处理温度下的蒸气压密度在30kPa以下的酸。可例举例如甲酸、乙酸、丙酸等一元羧酸,草酸、琥珀酸、酒石酸、丙二酸等二元羧酸,柠檬酸、丙三羧酸等三元羧酸,甲磺酸等烷基磺酸,苯磺酸等苯基磺酸,甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸等烷基苯磺酸,苯酚磺酸、硝基苯磺酸、苯乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸等磺酸化合物,三氟乙酸等有机酸的部分氟化衍生物,硫酸、盐酸、硝酸和磷酸等无机酸。也可包含2种以上的上述酸。
这些酸中,优选具有强氧化能力的酸,更优选硫酸或磺酸化合物。硫酸在大气压下的沸点为290℃,例如150℃下的硫酸的蒸气压密度在1.3kPa以下,因此即使在该温度下加热,硫酸也保持液态,深入渗透至导电膜内。而且,因为硫酸具有强氧化能力,所以即使在80~200℃左右的低温下也容易与导电膜反应,通过比硝酸或乙酸更短的时间的加热处理,可在不对基板造成影响的情况下去除导电膜。此外,磺酸化合物在大气压下是固体酸,因而不会蒸发,例如150℃下的蒸气压密度在1.3kPa以下,因此即使在该温度下加热,磺酸化合物也不会蒸发或升华,加热时反应得到有效的促进,所以可通过短时间的加热处理去除导电膜。而且,因为包含固体酸的导电膜去除剂容易控制非牛顿流动性,所以对于各种基板,能以较少的线宽偏差(波动)形成例如线宽(line width)30μm左右的线宽较小的直线图案等,可进行高精细的图案形成,因而特别优选。
本发明所用的碱只要沸点在80℃以上即可,无特别限制,优选为100℃以上,更优选为150℃以上。本发明中,在大气压下没有明确的沸点、如果升温则在气化前即在80℃以上的温度下开始热分解的碱也包括在沸点在80℃以上的碱的范围内。更优选去除导电膜时的加热处理温度下的蒸气压密度在30kPa以下的碱。可例举例如氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铯、四甲基氢氧化铵、氢氧化钡、胍、三甲基氢氧化锍、乙醇钠、二氮杂双环十一碳烯、肼、磷腈、前氮磷川碱(proazaphosphatrane)、乙醇胺、乙二胺、三乙胺、三辛胺、具有氨基的烷氧基硅烷等。也可包含2种以上的上述碱。
作为本发明所用的在外部能量的作用下产生酸的化合物,可例举在辐射线、紫外线的照射和/或热量的作用下产生酸的化合物。可例举例如4-羟基苯基二甲基锍六氟锑酸盐、三氟甲磺酸盐等锍化合物,4,4-双(二甲胺)苯酰苯、4,4-二氯苯酰苯等苯酰苯(benzophenone)化合物,苯偶姻甲醚等苯偶姻化合物,4-苯甲酰基-4-甲基二苯酮、二苄基酮等苯基酮化合物,2,2-二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮等苯乙酮化合物,2,4-二乙基噻吨-9-酮、2-氯噻吨等噻吨化合物,2-氨基蒽醌、2-乙基蒽醌等蒽醌化合物,苯并蒽酮、亚甲基蒽酮等蒽酮化合物,2,2-双(2-氯苯基)-4,4,5,5-四苯基-1,2-联咪唑等咪唑化合物,2-(3,4-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪等三嗪化合物,2-苯甲酰苯甲酸、过氧化苯甲酰等苯甲酰化合物,2-吡啶基三溴甲基砜、三溴甲基苯基砜等砜化合物,4-异丙基-4-甲基二苯基碘四(五氟苯基)硼酸盐、二苯基碘三氟甲磺酸盐等碘化合物,二硫化四甲基秋兰姆、9-芴酮、二苯并环庚酮、N-甲基吖啶酮、硝苯地平、樟脑醌、四溴化碳等。也可包含2种以上的上述化合物。
作为本发明所用的在外部能量的作用下产生碱的化合物,可例举在辐射线、紫外线的照射和/或热量的作用下产生碱的化合物。可例举例如双[(α-甲基)-2,4,6-三硝基苄氧基羰基]甲烷二亚苯基二胺、N-[(2-硝基苯基)-1-甲基甲氧基]羰基-2-丙胺等胺化合物,氨基甲酸苄酯、苄磺酰胺、苄基季铵盐、亚胺、亚铵盐(iminium)、钴胺络合物、肟化合物等。也可包含2种以上的上述化合物。
本发明的导电膜去除剂中,沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物的含量优选为除溶剂以外的成分中的1~80重量%。其中,沸点在80℃以上的酸的含量优选为除溶剂以外的成分中的10~70重量%,更优选为20~70重量%。沸点在80℃以上的碱的含量优选为除溶剂以外的成分中的0.01~70重量%。在外部能量的作用下产生酸的化合物的含量优选为除溶剂以外的成分中的0.1~70重量%。在外部能量的作用下产生碱的化合物的含量优选为除溶剂以外的成分中的1~80重量%。但是,并不局限于该范围,可根据化合物的分子量、产生的酸或碱的量、被去除的导电膜的材质和膜厚、加热温度和加热时间适当选择。
本发明的导电膜去除剂包含溶剂。作为溶剂的具体例子,可例举乙酸乙酯、乙酸丁酯等乙酸酯类,丙酮、苯乙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类,甲苯、二甲苯、苄醇等芳香族烃类,甲醇、乙醇、1,2-丙二醇、萜品醇、乙酰基萜品醇、丁基卡必醇、乙基溶纤剂、乙二醇、二缩三乙二醇、三缩四乙二醇、甘油等醇类,二缩三乙二醇单丁基醚等乙二醇单烷基醚类,乙二醇二烷基醚类,一缩二乙二醇单烷基醚乙酸酯类,乙二醇单芳基醚类,聚乙二醇单芳基醚类,丙二醇单烷基醚类,一缩二丙二醇二烷基醚类,丙二醇单烷基醚乙酸酯类,碳酸亚乙酯、碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、溶剂石脑油、水、N-甲基吡咯烷酮、二甲亚砜、六甲基磷酸三酰胺、二甲基亚乙基脲、N,N’-二甲基亚丙基脲、四甲基脲等。也可包含2种以上的上述溶剂。
本发明中,溶剂的含量优选为导电膜去除剂中的1重量%以上,更优选为30重量%以上,更优选为50重量%以上。通过使溶剂的含量达到1重量%以上,可提高导电膜去除剂的流动性,进一步提高涂布性。另一方面,溶剂的含量优选为99.9重量%以下,更优选为95重量%以下。通过使溶剂的含量达到99.9重量%以下,可将加热时的流动性保持在合适的范围内,能以良好的精度维持所需图案。
本发明的导电膜去除剂包含树脂。通过包含树脂,可获得具有非牛顿流动性的导电膜去除剂,可通过公知的方法容易地涂布于基板。还能限制加热处理时的导电膜去除剂的流动性,提高涂布位置的精度。作为树脂,可例举例如聚苯乙烯树脂、聚丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂(urethane resin)、苯并胍胺树脂、酚醛树脂、硅酮树脂、氟树脂等。也可包含2种以上的上述树脂。其中,如果包含非离子型、阴离子型、两性离子型、阳离子型等亲水性树脂,则可用水、下述碱性水溶液或有机溶剂的水溶液容易地清洗,可抑制去除面的残渣,进一步提高面内均一性。
作为亲水性树脂,具体可例举例如聚乙烯吡咯烷酮、亲水性聚氨酯、聚乙烯醇、聚乙基唑啉、聚丙烯酸、明胶、羟烷基瓜尔胶(ヒドロキシアルキルグア)、瓜尔胶、刺槐豆胶、角叉菜胶、褐藻酸、***胶、果胶、黄原胶、纤维素、乙基纤维素、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素钠、丙烯酰胺类共聚物、聚乙烯亚胺、聚胺锍(polyaminesulfonium)、聚乙烯吡啶、聚甲基丙烯酸二烷基氨基乙酯、聚丙烯酸二烷基氨基乙酯、聚二烷基氨基乙基甲基丙烯酰胺、聚二烷基氨基乙基丙烯酰胺、聚环氧胺、聚酰胺胺(polyamidoamine)、双氰胺-***缩合物、聚二甲基二烯丙基氯化铵、聚胺聚酰胺环氧氯丙烷、聚乙烯胺、聚丙烯胺等化合物以及它们的改性产物等。
这些树脂中,更优选即使在酸或高温条件下也不易变性、在极性溶剂中显示出高溶解性的阳离子型树脂。通过保持高溶解性,在加热处理后通过用液体进行清洗来去除导电膜的工序中,可在短时间内去除导电膜。作为阳离子型树脂,优选树脂结构中至少包含从伯氨基到季氨基中的任一种基团的树脂,可例举例如聚甲基丙烯酸二烷基氨基乙酯、聚丙烯酸二烷基氨基乙酯、聚二烷基氨基乙基甲基丙烯酰胺、聚二烷基氨基乙基丙烯酰胺、聚环氧胺、聚酰胺胺、双氰胺-***缩合物、聚二甲基二烯丙基氯化铵、瓜尔胶羟丙基三甲基氯化铵(guarhydroxypropyltrimonium chloride)、聚胺聚酰胺环氧氯丙烷、聚乙烯胺、聚烯丙胺、聚丙烯胺、聚季铵盐(Polyquaternium)-4、聚季铵盐-6、聚季铵盐-7、聚季铵盐-9、聚季铵盐-10、聚季铵盐-11、聚季铵盐-16、聚季铵盐-28、聚季铵盐-32、聚季铵盐-37、聚季铵盐-39、聚季铵盐-51、聚季铵盐-52、聚季铵盐-44、聚季铵盐-46、聚季铵盐-55、聚季铵盐-68等化合物以及它们的改性产物等。例如聚季铵盐-10的侧链末端具有三甲基铵基。在酸性条件下,三甲基铵基发生阳离子化,通过静电排斥作用显示出高溶解性。而且不易因加热而发生脱水缩聚,即使在加热后也能保持高溶剂溶解性。因此,在加热处理后通过用液体进行清洗来去除导电膜的工序中,可在短时间内去除导电膜。
本发明的导电膜去除剂中,树脂的含量优选为除溶剂以外的成分中的0.01~80重量%。为了将导电膜去除所需的加热温度控制在低水平,缩短加热时间,导电膜去除剂中的树脂含量更优选在维持非牛顿流动性的范围内尽可能地少。导电膜去除剂的粘度优选为2~500Pa·S(25℃)左右,可通过丝网印刷法容易地形成均匀的涂膜。导电膜去除剂的粘度例如可通过溶剂和树脂的含量来调整。
本发明的导电膜去除剂包含均化剂。通过包含均化剂,可赋予导电膜去除剂以高渗透力,即使是包含须晶状导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜也能容易地去除。均化剂是指具有如下性质的化合物:以0.1重量%的量添加于本发明中使用的所述溶剂时,通过测定静止的铂板浸润时的应力的威廉米法(悬片法,plate method)测得的表面张力低于50mN/m。作为具体例子,可例举改性聚丙烯酸酯等丙烯酸类化合物或丙烯酸类树脂、分子骨架中具有双键的乙烯基类化合物或乙烯基类树脂、具有烷氧基甲硅烷基和/或聚硅氧烷骨架等的硅酮类化合物或硅酮类树脂、具有氟代烷基和/或氟代苯基等的氟类化合物或氟类树脂等。可根据基材表面的材质和极性状态适当选择使用这些均化剂,而具有氟代烷基和/或氟代苯基等的氟类化合物或氟类树脂的降低表面张力的能力强,因此特别优选使用。具体可例举“MEGAFACE(注册商标)”F-114、F-410、F-443、F-444、F-445、F-470、F-471、F-472SF、F-474、F-475、R-30、F-477、F-478、F-479、F-480SF、F-482、F-483、F-489、F-493、F-494、F-555、BL-20、R-61、R-90(以上为DIC株式会社制)、FC-170C、FC-4430、FC-4432(以上为住友3M株式会社制)、“Asahi Guard(注册商标)”AG-7000、AG-7105(以上为旭硝子株式会社制)、“FTERGENT(注册商标)”100、150、501、250、251、300、310、410SW(NEOS株式会社制)等,但不限于此。本发明中,只要是具有使可在本发明中使用的所述溶剂的表面张力降低至低于50mN/m的性质的化合物,则即使是高分子化合物也可归类于均化剂。
本发明的导电膜去除剂中,从对基材的浸润性和均化性等表面活性能力与所得涂膜的酸含量之间的平衡的角度考虑,均化剂的含量优选为除溶剂以外的成分中的0.001~10重量%,更优选为0.01~5重量%,进一步优选为0.05~3重量%。
本发明中,包含沸点在80℃以上的酸或在外部能量的作用下产生酸的化合物时,较好是还包含硝酸盐或亚硝酸盐。酸和导电体的反应有时会因各自种类的不同而导致反应速度的差异,但通过包含硝酸盐或亚硝酸盐,在加热处理时,酸与硝酸盐或亚硝酸盐反应,在体系中生成硝酸,因此可进一步促进导电体的溶解。因此,可通过短时间的加热处理去除导电膜。作为硝酸盐,可例举例如硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸钙、硝酸铵、硝酸镁、硝酸钡、四丁基硝酸铵、四乙基硝酸铵、四丁基硝酸铵、四丁基硝酸铵或这些硝酸盐的水合物。作为亚硝酸盐,可例举例如亚硝酸钠、亚硝酸钾、亚硝酸钙、亚硝酸银、亚硝酸钡等。也可包含2种以上的上述化合物。其中,如果考虑到硝酸生成的反应速度等,则优选硝酸盐、更优选硝酸钠或硝酸钾。
本发明的导电膜去除剂也可根据目的包含氧化钛、氧化铝、二氧化硅等无机微粒,可赋予触变性的触变剂、防静电剂、消泡剂、粘度调整剂、耐光稳定剂、耐候剂、耐热剂、抗氧化剂、防锈剂、增滑剂、蜡、脱模剂、增容剂(相溶化剤)、分散剂、分散稳定剂、流变调节剂等。
接着,举例对本发明的导电膜去除剂的制造方法进行说明。首先,在溶剂中添加树脂,充分搅拌使其溶解。搅拌可以在加热条件下进行,为了提高溶解速度,优选于50~80℃搅拌。接着,添加沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、均化剂和根据需要添加的所述添加剂并搅拌。添加方法和添加顺序无特别限制。搅拌可以在加热条件下进行,为了提高添加剂的溶解速度,优选于50~80℃搅拌。
接着,采用附图对本发明的导电膜去除方法进行说明。图1是表示在带导电膜的基材上涂布有导电膜去除剂的状态(加热处理前)的示意图。图2是表示通过本发明的导电膜去除方法去除了导电膜的状态的示意图。
该方法包括:在带导电膜的基材的至少一部分涂布所述导电膜去除剂103的工序,所述带导电膜的基材在基材101上具有包含须晶状导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜102;在80℃以上进行加热处理的工序;以及通过用液体进行清洗来去除导电膜的工序。图2中,符号104表示去除了导电膜的部分。因为在基材上直接涂布导电膜去除剂并进行加热处理,所以导电膜去除剂在短时间内到达导电膜底层,反应迅速进行。因为本发明的导电膜去除剂对导电膜具有高渗透力,所以不仅是氧化物透明导电膜,对于以往难以去除的包含须晶状导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜也能发挥出特别优良的去除效果。
通过本发明的导电膜去除方法去除导电膜的导电膜基材在基材上具有包含须晶状导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜。也可包含2种以上的上述导电体。
作为基材,可例举例如聚乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯等热塑性树脂,聚对苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯等聚酯类,聚对亚苯硫醚、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚碳酸酯树脂、ABS树脂、各种玻璃、石英等。也可以是包含二氧化硅、玻璃等无机填料或丙烯酸珠等微粒的基材。可以对基材实施各种等离子体处理、UV-臭氧处理等表面处理,藉此可进一步提高涂布性和渗透性等。基材的形状可以是圆盘状、卡片状、薄片状等任意形状。
所述须晶状导电体,包括金属、碳类化合物、金属氧化物等,是长宽比(L/D)在3以上的化合物。作为金属,可例举属于元素短周期型周期表中的IIA属、IIIA属、IVA属、VA属、VIA属、VIIA属、VIII属、IB属、IIB属、IIIB属、IVB属或VB属的元素。具体可例举金、铂、银、镍、不锈钢、铜、黄铜、铝、镓、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、锰、锑、钯、铋、锝、铼、铁、锇、钴、锌、钪、硼、镓、铟、硅、锗、碲、锡、镁及包含这些元素的合金。作为碳类化合物,可例举碳纳米角(carbonnanohorn)、富勒烯(fullerene)、石墨烯等。作为金属氧化物,可例举InO2、InO2Sn、SnO2、ZnO、SnO2-Sb2O4、SnO2-V2O5、TiO2(Sn/Sb)O2、SiO2(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-C等。
作为所述纤维状导电体,可例举碳类纤维、导电性高分子、金属类纤维、金属氧化物类纤维等。纤维直径优选为0.001~1μm,纤维长度优选为0.01~100μm。作为碳类纤维,可例举聚丙烯腈类碳纤维、沥青类碳纤维、人造纤维类碳纤维、玻璃状碳、CNT、碳纳米线圈(nano-coil)、碳纳米线(nano-wire)、碳纳米纤维、碳须晶、石墨原纤维等。CNT既可以是单层也可以是多层,也可使用层数不同的2种以上的CNT。CNT优选直径0.3~100nm、长0.1~20μm的CNT。作为导电性高分子,可例举聚噻吩、聚苯胺、聚(2-乙基己氧基-5-甲氧基-1,4-苯亚乙烯基)等。作为金属类纤维,可例举从金、铂、银、镍、硅、不锈钢、铜、黄铜、铝、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、锰、锝、铼、铁、锇、钴、锌、钪、硼、镓、铟、硅、锗、锡、镁等制成的纤维状金属和纤维状金属合金等。作为金属氧化物类纤维,可例举从InO2、InO2Sn、SnO2、ZnO、SnO2-Sb2O4、SnO2-V2O5、TiO2(Sn/Sb)O2、SiO2(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-(Sn/Sb)O2、K2O-nTiO2-C等制成的纤维状金属氧化物和纤维状金属氧化物复合物等。可以对这些导电体实施表面处理。还有,在植物纤维、合成纤维、无机纤维等非金属材料的表面涂覆或蒸镀所述金属、所述金属氧化物或CNT而得的导电体也包括在纤维状导电体的范围内。这些纤维状导电体在基材上不会凝集,而是均匀地分散。
粒状导电体是包括金属、金属氧化物、金属氮化物、导电性高分子等的长宽比(L/D)小于3的粒子,优选平均粒径为100nm以下。作为金属,可例举作为构成纤维状导电体的金属而例举的金属。作为金属氧化物,可例举氧化铟或在氧化铟中掺杂有选自锡、锌、碲、银、锆、铪或镁的至少1种以上的元素的化合物,氧化锡或在氧化锡中掺杂有锑、锌或氟等元素的化合物,氧化锌或在氧化锌中掺杂有铝、镓、铟、硼、氟、锰等元素的化合物等。作为金属氮化物,可例举氮化镓、氮化钛、氮化铬、氮化铜、氮化铝、氮化铟、氮化锡、氮化锆、氮化镁或在这些金属氮化物中掺杂有锂、锗、锰、硅、镁等元素的氮化化合物等。作为导电性高分子,可例举作为构成纤维状导电体的导电性高分子而例举的导电性高分子。
本发明中,导电膜优选在所述导电体中也包含CNT或金属类纤维,更优选包含CNT。即使是反应性低的CNT,通过涂布本发明的导电膜去除剂并进行加热处理,CNT的表面缺陷和通过化学修饰引入至CNT表面的官能团等容易成为反应的起点,更容易发生分解、溶解、增溶,因此加工性提高。
本发明中,带导电膜的基材可以在导电膜上具有外敷层(overcoatlayer)。作为形成外敷层的材料,可例举有机或无机类的高分子材料和有机-无机混合树脂等。作为有机类高分子材料,可例举热塑性树脂、热固性树脂、纤维素树脂、光固化性树脂等,可根据可见光透射性、基材的耐热性、玻璃化转变温度和膜硬度等方面适当选择。作为热塑性树脂,可例举例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯等丙烯酸树脂,聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚乳酸等聚酯树脂,ABS树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等。作为热固性树脂,可例举例如酚醛树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、聚酰亚胺、环氧树脂、氟树脂、聚氨酯树脂等。作为纤维素树脂,可例举例如乙酰基纤维素、三乙酰基纤维素等。作为光固化性树脂,可例举例如包含各种低聚物、单体、光聚合引发剂的树脂等,但不限于此。作为无机类材料,可例举例如硅溶胶、氧化铝溶胶(alumina sol)、氧化锆溶胶、氧化钛溶胶等以及在这些无机类材料中添加水或酸催化剂而使其水解、脱水缩合而得的聚合物,或者使已聚合至四聚体~五聚体的市售的溶液进一步水解、脱水缩合而得的聚合物等。作为有机-无机混合树脂,可例举例如将所述无机材料的一部分用有机官能团修饰而得的树脂或者以硅烷偶联剂等各种偶联剂为主要成分的树脂等。
在所述带导电膜的基材的一部分涂布导电膜去除剂。在欲去除的部分的导电膜上涂布导电膜去除剂,带导电膜的基材具有外敷层时,在欲去除的部分的外敷层上涂布导电膜去除剂。本发明的导电膜去除剂具有非牛顿流动性,因此可采用公知的方法进行涂布,无需考虑基材的种类、大小、形状。作为涂布方法,可例举例如丝网印刷法、分配器法、镂空版印刷法、凹版移印法、喷涂、喷墨法、缩微凹版印刷法、刮刀涂布法、旋涂法、狭缝涂布法(slit coating method)、辊涂法、幕涂法、流涂法等,但不限于此。为了进一步减小导电膜的蚀刻不均,较好是将导电膜去除剂均匀地涂布在基材上。
导电膜去除膜的厚度可根据被去除的导电膜的材质和膜厚、加热温度和加热时间适当决定,优选按照干燥后的厚度达到0.1~200μm的条件进行涂布,更优选2~200μm。通过使干燥后的膜厚在所述范围内,涂膜中含有必要量的导电膜去除成分,可在面内更均匀地去除导电膜。此外,可抑制加热时朝横向的垂挂,因此可获得不存在涂膜边界线的位置偏移的所需图案。
接着,对涂布有导电膜去除剂的带导电膜的基材在80℃以上进行加热处理。加热处理温度优选比导电膜去除剂中的除溶剂以外的成分的沸点更低的温度,优选200℃以下。通过在所述温度范围内进行加热处理,涂布有导电膜去除剂的部分的导电膜发生分解、溶解或增溶。带导电膜的基材具有外敷层时,外敷层和导电膜发生分解、溶解或增溶。加热处理方法可根据目的和用途来选择,可例举例如加热板、热风炉、红外线炉、频率300MHz~3THz的微波照射等,但不限于此。
加热处理后,通过用液体进行清洗来去除导电膜去除剂和导电膜的分解、溶解产物,得到所需的导电图案。清洗工序中使用的液体优选能溶解导电膜去除剂中所含的树脂的液体,具体可例举丙酮、甲醇、四氢呋喃等有机溶剂,包含所述有机溶剂的水溶液,包含氢氧化钠、乙醇胺、三乙胺等的碱性水溶液,纯水等,但不限于此。在清洗工序中,为了清洗至基材上没有残渣,可以将所述液体加温至25~100℃后使用。
将本发明的导电膜去除方法应用于所述带导电膜的基材时,有时会在导电膜去除面的至少一部分吸附残存有一部分的本发明的导电膜去除剂中所含的化合物和/或所述酸与所述导电体的反应产物。具体而言,有本发明的导电膜去除剂中所含的化合物,氯化银、硫酸银、硝酸镍、硫酸铜、硝酸铜、硫酸锡、硝酸锡、硫酸铟等金属盐,对甲苯磺酸银、苯磺酸镍、苯酚磺酸锡等金属磺酸化合物,所述均化剂的氟化合物等。特别是因为导电膜去除剂和导电膜在粘稠的反应场所中进行反应,所以即使对基材进行清洗后,也存在去除剂或反应产物残存于基材的倾向,因此,通过分析残存物,有时可与采用公知的蚀刻剂的方法区分开。
此外,关于基材表面的残存物,本发明的导电膜去除方法中,因为不使用抗蚀剂,所以不会检测出抗蚀剂相关成分,与之相对,采用公知的蚀刻剂的方法中,因为通常使用抗蚀剂,所以能从基材表面检测出抗蚀剂、抗蚀剂显影液、抗蚀剂去除剂中的任一种或多种成分,因此有时可将本发明与公知的方法区分开。
残存于基材表面的成分可通过X射线光电子能谱法、荧光X射线分析法、飞行时间型二次离子质谱法等方法测定。通过采用X射线光电子能谱法,可检测出0.1原子%以上的银、铜、锡、铟、镍等导电层中所用的金属元素和/或氟、硫元素,如果采用荧光X射线分析法或飞行时间型二次离子质谱法,则可检测出1ppm以上的所述元素。
如果将本发明的导电膜去除剂丝网印刷成例如直线线条状,则涂布线条截面呈凸型形状,导电膜去除后的基材截面有时呈半圆凹状。如上所述,本发明的去除效果有时与其涂布厚度成比例,因此在导电膜去除部分的周缘部,去除程度有时处于中等水平。但是,因为去除剂不会从涂布部位移开,所以即使涂布量有一定程度的增减或者加热处理温度和时间有一定程度的变化,也基本上能在面内均匀地以高精度去除希望的部位。另一方面,采用公知的蚀刻剂的方法中,虽然在导电膜去除部分的周缘部几乎无法观察到中等水平的部分,但因为难以准确地控制蚀刻速度,所以随着蚀刻条件的一定程度的变化,容易发生蚀刻不足、过度蚀刻、侵蚀至抗蚀层的下表面的侧蚀现象(side etching)等,存在发生尺寸精度偏差的倾向。由此,有时可将本发明的方法与公知的方法区分开。
实施例
下面,基于实施例对本发明的导电膜去除剂和导电膜去除方法进行具体说明。但是,本发明不限于下述实施例。
(1)导电膜去除面的外观评价方法
通过使用sus#200网眼的丝网印刷法,以外框10cm×10cm、内框9×9cm的线宽1cm的框状图案在各实施例、比较例中记载的带导电膜的基材上涂布导电膜去除剂,使得干燥后的膜厚达到表1~表3中记载的值,然后放入红外线炉,以表1~表3中记载的条件进行加热处理。加热处理后,从炉中取出,放冷至室温后,以各实施例、比较例中记载的条件清洗,去除附着于基材的导电膜去除剂和分解产物。接着,将所述基板在压缩空气中除水,然后放入红外线炉,于80℃干燥1分钟,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。用光学显微镜(尼康株式会社制ECLIPSE-L200,倍率500倍)观察经图案形成的带导电膜的基材,针对外框10cm×10cm的框内,对外周(outer circumference)0.01mm以上的斑状和/或点状的残渣的有无进行评价。
(2)导电膜去除线宽的评价方法
使用sus#500网眼,在实施例26~38和比较例5中记载的带导电膜的基材上丝网印刷导电膜去除剂,使得干燥后的膜厚达到表3中记载的值。印刷图案是线长5cm、线宽30μm、50μm、100μm、500μm的各种直线线条。涂布导电膜去除剂后,以表3中记载的条件进行加热处理,从炉中取出,放冷至室温后,用25℃的纯水清洗1分钟,去除附着于基材的导电膜去除剂和分解产物。接着,将所述基板在压缩空气中除水,然后在红外线炉中于80℃干燥1分钟,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。接着,从蚀刻线条的两端部切下1cm的部分,得到以蚀刻线条划分开的3cm×10cm的带导电膜的基材。接着,将绝缘电阻计(三和电气计器株式会社制,EA709DA-1)的探针抵在蚀刻线条的右侧和左侧,施加直流25V的电压,将此时显示出10MΩ以上的电阻的图案的最小线宽作为导电膜去除线宽。导电膜去除线宽在500μm以下时,可以说能形成高精细的图案。
(3)蚀刻边界部的线条直线性(波动)的评价方法
用光学显微镜(尼康株式会社制ECLIPSE-L200,倍率500倍)观察通过上述(1)中记载的方法形成的框状的导电膜去除线。测定每100μm的该去除线的线宽,根据共计20个点的数据算出标准偏差(σ)。标准偏差在5以下时,可以说能形成高精细的图案。
实施例1
在容器中加入100g的N-甲基吡咯烷酮和10g纯水并混合,在其中添加2g聚季铵盐-10(花王株式会社制,C-60H),一边用油浴加热至60℃一边搅拌30分钟。接着,将容器从油浴中取出,放冷至室温后,添加0.1g均化剂(DIC株式会社制氟类表面活性剂F-477)和4g硫酸(和光纯药工业株式会社制,浓度98%,大气压下的沸点:290℃),搅拌15分钟。用膜滤器(密理博(Millipore)公司制Omnipore Membrane PTFE,标称0.45μm直径)过滤所得溶液,得到导电膜去除剂。接着,在尺寸21×15cm、厚188μm的PET膜上形成纤维状导电体、即双层碳纳米管(DWCNT)的薄膜,在由此得到的带导电膜的基材(按照550nm处的透射率为88%、表面电阻为860Ω/□的条件形成的带导电膜的基材)上,通过使用sus#200网眼的丝网印刷法以上述(1)中记载的框状图案涂布所述导电膜去除剂,通过上述(1)中记载的方法得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。用25℃的纯水进行1分钟的清洗。评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。用绝缘电阻计(三和电气计器株式会社制,EA709DA-1)对导电膜去除部分施加直流25V的电压,以1cm的间隔进行测定,结果绝缘电阻为40MΩ以上。
实施例2
除了将添加于导电膜去除剂的硫酸的量改为1g、将红外线炉的加热处理改为150℃5分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例3
除了将添加于导电膜去除剂的硫酸的量改为0.5g、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例4
除了将红外线炉的加热处理改为80℃60分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例5
除了将导电膜去除剂中所含的树脂改为羧甲基纤维素(东京化成工业株式会社制,重均分子量23万)、将清洗液改为加温至80℃的纯水、将清洗时间改为10分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例6
除了将导电膜去除剂中所含的树脂改为聚乙烯吡咯烷酮(东京化成工业株式会社制,重均分子量4万)、将清洗液改为加温至80℃的纯水、将清洗时间改为10分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例7
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为硝酸(大气压下的沸点:82.6℃)、将红外线炉的加热处理改为80℃15分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10个以上的外周0.1mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例8
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为乙酸(大气压下的沸点:118℃)、将红外线炉的加热处理改为100℃15分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10个以上的外周0.1mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例9
除了将红外线炉的加热处理改为80℃60分钟以外,进行与实施例7同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10个以上的外周0.1mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例10
除了将红外线炉的加热处理改为80℃60分钟以外,进行与实施例8同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10个以上的外周0.1mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例11
除了将带导电膜的基材的基材改为厚0.7mm的玻璃基板以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例12
除了将带导电膜的基材的基材改为厚1mm的聚碳酸酯基材以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例13
除了在导电膜去除剂中追加100g的N-甲基吡咯烷酮进行稀释、将丝网印版改为pet#300网眼、为了使导电膜去除剂的干燥后膜厚达到0.1μm而将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10~20个的外周0.05mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例14
除了复数次印刷导电膜去除剂而将干燥后膜厚改为200μm以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例15
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为碱性的2-乙醇胺、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10~20个的外周0.05mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例16
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为热酸产生剂1(thermal acidgenerator 1)(San-Aid(注册商标)SI-110,三新化学工业株式会社制)、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到1~10个的外周0.05mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例17
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为热酸产生剂2(ADEKAOPTOMER CP系列,ADEKA株式会社制)、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到1~10个的外周0.01mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例18
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为热碱产生剂1(U-CAT SA1,SAN-APRO株式会社制)、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10~20个的外周0.01mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例19
除了将带导电膜的基材的导电膜改为用掺锑的氧化锡进行真空蒸镀成膜而得的导电膜、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10~20个的外周0.1~0.3mm的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例20
除了将带导电膜的基材的导电膜改为通过电解镀敷法将铜成膜而得的导电膜、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10~20个的外周0.01mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例21
除了将带导电膜的基材的导电膜的CNT改为须晶状的掺锑的氧化锡的水分散体(石原产业株式会社制针状透明导电材料FS-10D,L/D=20~30)、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例22
除了采用在导电膜中使用粒状ITO的带导电膜的基材(TDK株式会社制“FLECLEAR(注册商标)”,L/D=0.8~1.3)、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例23
除了换成在导电膜上以100nm的厚度形成有外敷层(COLCOAT株式会社制N-丁基硅酸酯)的带导电膜的基材以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例24
除了将导电膜去除剂中所含的树脂改为聚烯丙胺(日东纺制,重均分子量2万)以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
实施例25
除了将导电膜去除剂中所含的树脂改为瓜尔胶羟丙基三甲基氯化铵(东邦化学工业株式会社制,重均分子量20万)、将均化剂改为氟类单体(NEOS株式会社制“FTERGENT(注册商标)”750FL)以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
比较例1
除了不在导电膜去除剂中添加树脂以外,进行与实施例1同样的操作。但是,导电膜去除剂未能固定在导电膜上,有一部分发生了排斥而移动,因此无法维持图案形状。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10个以上的外周1.5mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为1200Ω。
比较例2
除了不在导电膜去除剂中添加均化剂以外,进行与实施例1同样的操作。但是,导电膜去除剂有一部分在导电膜上发生排斥,无法维持图案形状。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到20个以上的外周2mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
比较例3
除了不在导电膜去除剂中添加树脂和均化剂、并且用作为碱的二甲基乙酰胺(东京化成工业株式会社制,大气压下的沸点:165℃)来代替酸、将红外线炉的加热处理改为130℃30分钟以外,进行与实施例1同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10个以上的外周1mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为2000Ω。
比较例4
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为碱性的氨水(大气压下的沸点:38℃)以外,进行与实施例1同样的操作。与实施例1同样地对清洗操作后的所述去除剂的涂布面进行外观评价,结果虽然在面内是均匀的,但导电膜无法去除至底层而残留于基材。与实施例1同样地测定所述去除剂的涂布部分的绝缘电阻,结果为1000Ω。
实施例26
在容器中加入70g乙二醇(和光纯药工业株式会社制)和30g的N,N’-二甲基亚丙基脲(东京化成工业株式会社制)并混合,在其中添加5g聚季铵盐-11(ISP日本制)和0.5g作为触变剂的AEROSIL R812S(日本AEROSIL株式会社制,二氧化硅微粒,平均一次粒径约7nm),一边用油浴加热至60℃一边搅拌30分钟。接着,将容器从油浴中取出,放冷至室温后,添加0.5g均化剂(DIC株式会社制,F-555)和4g硫酸(和光纯药工业株式会社制,浓度98%),搅拌15分钟。用膜滤器(密理博(Millipore)公司制Omnipore Membrane PTFE,标称0.45μm直径)过滤所得溶液,得到导电膜去除剂。使用所得的导电膜去除剂进行与实施例1同样的操作,评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。
此外,在尺寸21×15cm、厚188μm的PET膜上形成纤维状导电体、即双层碳纳米管(DWCNT)的薄膜,使用由此得到的带导电膜的基材(按照550nm处的透射率为88%、表面电阻为860Ω/□的条件形成的带导电膜的基材),通过上述(2)中记载的方法评价导电膜去除线宽,结果为100μm。此外,通过上述(3)中记载的方法评价蚀刻边界部的线条直线性(波动),结果标准偏差(σ)为10以下。
实施例27
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为10g对甲苯磺酸一水合物(东京化成工业株式会社制,大气压下的沸点:103~106℃)、将红外线炉的加热时间改为5分钟以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为100μm,标准偏差(σ)为5以下。
实施例28
除了在导电膜去除剂中添加5g硝酸钠(和光纯药工业株式会社制)、将红外线炉的加热时间改为3分钟以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为50μm,标准偏差(σ)为10以下。
实施例29
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为10g对甲苯磺酸一水合物、再添加5g硝酸钠、将红外线炉的加热时间改为3分钟以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为30μm,标准偏差(σ)为5以下。
实施例30
除了将带导电膜的基材的基材改为厚0.7mm的玻璃基板、将导电膜去除剂中所含的酸改为4g苯酚磺酸(东京化成工业株式会社制,固体:分解温度180℃以上)、将触变剂改为0.5g的AEROSIL 300(日本AEROSIL株式会社制,二氧化硅微粒,平均一次粒径约7nm)、再添加5g硝酸钾(和光纯药工业株式会社制)、将红外线炉的加热时间改为3分钟以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为30μm,标准偏差(σ)为5以下。
实施例31
除了将带导电膜的基材的导电层改为用The Journal of PhysicalChemistry B杂志2006年第110卷8535-8539页记载的方法进行成膜而得的石墨烯、将导电膜去除剂中所含的树脂改为聚季铵盐-10、将触变剂改为0.5g的Thixatrol MAX(日本海名斯(Elementis Japan)株式会社制,聚酯酰胺衍生物)以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为100μm,标准偏差(σ)为10以下。
实施例32
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为10g苯磺酸(东京化成工业株式会社制,固体:分解温度200℃以上)、将树脂改为3g羟乙基纤维素(Daicel化学工业株式会社制)、将触变剂改为0.5g的BYK-405(日本BYK株式会社制,聚羧酰胺)、再添加5g硝酸钠、将红外线炉的加热时间改为3分钟、将清洗液改为加温至80℃的纯水、将清洗时间改为10分钟以外,进行与实施例31同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例28同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为50μm,标准偏差(σ)为5以下。
实施例33
除了在导电膜去除剂中添加5g亚硝酸钠(和光纯药工业株式会社制)、将红外线炉的加热时间改为3分钟以外,进行与实施例31同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为100μm,标准偏差(σ)为10以下。
实施例34
除了将带导电膜的基材的导电膜改为用Chemistry of Materials杂志2002年第14卷4736-4745页记载的方法合成的银纳米线、将导电膜去除剂中所含的树脂改为聚季铵盐-10、将触变剂改为0.5g的ThixatrolMAX以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10~20个的外周0.01mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为20MΩ以下。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为500μm,标准偏差(σ)为30以下。
实施例35
除了在导电膜去除剂中添加5g硝酸钠、将红外线炉的加热时间改为3分钟以外,进行与实施例34同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为100μm,标准偏差(σ)为10以下。
实施例36
除了将导电膜去除剂中所含的酸改为10g对甲苯磺酸一水合物、再添加5g硝酸钠、将红外线炉的加热时间改为3分钟以外,进行与实施例34同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为30μm,标准偏差(σ)为5以下。
实施例37
除了将带导电膜的基材的导电层改为用日本公开专利公报2002-266007号记载的方法制膜而成的铜须晶、将导电膜去除剂中所含的树脂改为聚季铵盐-10、将触变剂改为Thixatrol MAX以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果观察到10~20个的外周0.01mm以上的残渣。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为100μm,标准偏差(σ)为10以下。
实施例38
除了将带导电膜的基材的导电层改为用日本公开专利公报2002-266007号记载的方法制膜而成的铜纳米线、将导电膜去除剂中所含的酸改为10g对甲苯磺酸一水合物、将树脂改为聚季铵盐-10、将触变剂改为Thixatrol MAX、再添加5g硝酸钠、将红外线炉的加热时间改为3分钟以外,进行与实施例26同样的操作,得到形成有导电膜图案的带导电膜的基材。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果未观察到残渣,外观良好。与实施例1同样地测定导电膜去除部分的绝缘电阻,结果为40MΩ以上。此外,与实施例26同样地评价导电膜去除线宽和蚀刻边界部的线条直线性,结果导电膜去除线宽为30μm,标准偏差(σ)为5以下。
比较例5
除了在导电膜去除剂中添加5g硝酸钠、并且不添加酸以外,进行与实施例26同样的操作。与实施例1同样地评价导电膜去除面的外观,结果导电膜未能去除,电阻值为860Ω。
各实施例和比较例的组成和评价结果示于表1~4。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
符号的说明
101 基材
102 导电膜
103 导电膜去除剂
104 去除了导电膜的部分
Claims (1)
1.一种导电膜去除剂,其特征在于,包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂,
所述树脂是阳离子型树脂,
所述阳离子型树脂是在一部分的结构中包含季氨基的树脂。
2. 权利要求1所述的导电膜去除剂,其特征在于,沸点在80℃以上的酸是硫酸或磺酸化合物。
3. 权利要求1所述的导电膜去除剂,其特征在于,包含沸点在80℃以上的酸或在外部能量的作用下产生酸的化合物,还包含硝酸盐或亚硝酸盐。
4. 一种导电膜去除方法,其特征在于,包括:
在带导电膜的基材的至少一部分涂布权利要求1所述的导电膜去除剂的工序,所述带导电膜的基材在基材上具有包含须晶状导电体、纤维状导电体或粒状导电体的导电膜;
在80℃以上进行加热处理的工序;以及
通过用液体进行清洗来去除导电膜的工序。
5. 权利要求4所述的导电膜去除方法,其特征在于,纤维状导电体是碳纳米管。
6. 权利要求4所述的导电膜去除方法,其特征在于,按照干燥后的厚度达到0.1~200μm的条件涂布导电膜去除剂。
7. 权利要求4所述的导电膜去除方法,其特征在于,从在导电膜上具有外敷层的带导电膜的基材上去除外敷层和导电膜。
8. 一种导电膜的图案形成方法,其特征在于,通过权利要求4所述的导电膜去除方法选择性地去除导电膜,从而形成所需图案。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009-081411 | 2009-03-30 | ||
JP2009081411 | 2009-03-30 | ||
JP2009-263510 | 2009-11-19 | ||
JP2009263510 | 2009-11-19 | ||
PCT/JP2010/055178 WO2010113744A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-03-25 | 導電膜除去剤および導電膜除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102369258A CN102369258A (zh) | 2012-03-07 |
CN102369258B true CN102369258B (zh) | 2014-12-10 |
Family
ID=42828037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080015763.3A Expired - Fee Related CN102369258B (zh) | 2009-03-30 | 2010-03-25 | 导电膜去除剂及导电膜去除方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8617418B2 (zh) |
EP (1) | EP2415849A4 (zh) |
JP (1) | JP4998619B2 (zh) |
KR (1) | KR20120003874A (zh) |
CN (1) | CN102369258B (zh) |
TW (1) | TWI494415B (zh) |
WO (1) | WO2010113744A1 (zh) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012083082A1 (en) * | 2010-12-15 | 2012-06-21 | Sun Chemical Corporation | Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film |
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EP2725587A4 (en) | 2011-06-24 | 2015-07-08 | Kuraray Co | METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM, CONDUCTIVE FILM, INSULATION METHOD, AND INSULATING FILM |
JP5542752B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2014-07-09 | 信越ポリマー株式会社 | 絶縁部形成方法及び導電パターン形成基板の製造方法 |
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US20160293289A1 (en) * | 2013-11-08 | 2016-10-06 | Merck Patent Gmbh | Method for structuring a transparent conductive matrix comprising nano materials |
TWI528877B (zh) * | 2013-11-08 | 2016-04-01 | 長興材料工業股份有限公司 | 鈍化組合物及其應用 |
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US10752638B2 (en) | 2014-10-16 | 2020-08-25 | Sk Innovation Co., Ltd. | Method for producing anhydrosugar alcohol by high-pressure reaction |
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JP2005086982A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Honda Motor Co Ltd | 高分子アクチュエータ |
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US20050266162A1 (en) | 2004-03-12 | 2005-12-01 | Jiazhong Luo | Carbon nanotube stripping solutions and methods |
KR101171175B1 (ko) | 2004-11-03 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 도전체용 식각액 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
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DE102005031469A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Merck Patent Gmbh | Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
DE102005035255A1 (de) | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Merck Patent Gmbh | Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten |
JP4804867B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-11-02 | 出光興産株式会社 | 透明導電膜、透明電極、電極基板及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-25 WO PCT/JP2010/055178 patent/WO2010113744A1/ja active Application Filing
- 2010-03-25 KR KR1020117023083A patent/KR20120003874A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-03-25 CN CN201080015763.3A patent/CN102369258B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-25 US US13/262,454 patent/US8617418B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-25 EP EP10758517.6A patent/EP2415849A4/en not_active Withdrawn
- 2010-03-25 JP JP2010512457A patent/JP4998619B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-29 TW TW099109368A patent/TWI494415B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5688366A (en) * | 1994-04-28 | 1997-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor |
CN101333418A (zh) * | 2004-09-28 | 2008-12-31 | 日立化成工业株式会社 | Cmp抛光剂以及衬底的抛光方法 |
CN101258263A (zh) * | 2005-09-01 | 2008-09-03 | 出光兴产株式会社 | 溅射靶、透明导电膜及透明电极 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2415849A1 (en) | 2012-02-08 |
JPWO2010113744A1 (ja) | 2012-10-11 |
KR20120003874A (ko) | 2012-01-11 |
US8617418B2 (en) | 2013-12-31 |
JP4998619B2 (ja) | 2012-08-15 |
TW201042009A (en) | 2010-12-01 |
TWI494415B (zh) | 2015-08-01 |
EP2415849A4 (en) | 2014-12-17 |
US20120031872A1 (en) | 2012-02-09 |
CN102369258A (zh) | 2012-03-07 |
WO2010113744A1 (ja) | 2010-10-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20141210 Termination date: 20160325 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |