CN102368493A - 一种集成电路芯片的封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种集成电路芯片的封装方法,该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤:a)安接芯片组,b)性能检测,c)一次封装,d)二次封装,e)附金属外壳,f)成品检验。本发明揭示了一种集成电路芯片的封装方法,该封装方法工序安排合理,操作简便,按照此法制得的芯片封装体能有效屏蔽芯片工作时产生的电磁波,降低电磁波危害;同时,封装工艺成本低,实用价值高,值得推广。
Description
技术领域
本发明涉及一种芯片的封装方法,尤其涉及一种易于实施且功能突出的集成电路芯片的封装方法,属于芯片封装技术领域。
背景技术
在集成电路的制作中,芯片是通过晶圆制作、形成集成电路以及切割晶圆等步骤而获得。在晶圆的集成电路制作完成之后,由晶圆切割所形成的芯片可以向外电性连接到承载器上;其中,承载器可以是引脚架或是基板,而芯片可以采用打线结合或覆晶结合的方式电性连接至承载器。如果芯片和承载器是以打线结合的方式电性连接,则进入到填入封胶的制作步骤以构成芯片封装体。芯片封装技术就是将芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触,防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体,乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路,进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大,封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展,电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展,因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。
随着人们对电子产品功能要求的不断提高,制造功能强大的高频芯片逐渐成为当今研究的重要课题。高频芯片在工作运行中会释放一定量的电磁波,电磁波透过封装体向外界释放,容易造成周边电子产品的电磁波干扰,影响其他电子产品的正常运行。
发明内容
针对上述需求,本发明提供了一种集成电路芯片的封装方法,该封装方法工序安排合理,芯片封装易于实施,封装性能突出,使封装结构具有良好的电磁波屏蔽功能,有效降低对周边电子产品的影响。
本发明是一种集成电路芯片的封装方法,该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤:a)安接芯片组,b)性能检测,c)一次封装,d)二次封装,e)附金属外壳,f)成品检验。
在本发明一较佳实施例中,所述的步骤a)中,芯片组采用覆晶的方式,以锡块作为芯片的实体接触点,使芯片组电性连接在电路板上。
在本发明一较佳实施例中,所述的步骤c)中,一次封装采用热喷涂工艺,该工艺可使封装材料均匀的分布在芯片组上,其厚度易于控制,能对芯片组起到良好的保护作用。
在本发明一较佳实施例中,所述的一次封装所采用的封装材料主要由粘结剂、固化剂和稀释剂组成,原材料按照一定的比例进行混合配制。
在本发明一较佳实施例中,所述的热喷涂工艺主要通过喷枪喷淋工艺完成,其喷淋温度控制在40℃-60℃;喷淋完毕,在30℃-40℃条件下固化。
在本发明一较佳实施例中,所述的步骤d)中,二次封装材料的主要成分为硅胶,并含一定比例的金属纤维丝。
在本发明一较佳实施例中,所述的金属纤维丝与硅胶按一定比例充分混合,其中,金属纤维丝的含量占总量的1.5%-2.5%,其材料一般选用含铜、镍、钛的合金或是不锈钢。
在本发明一较佳实施例中,所述的步骤f)中,金属外壳采用压差吸附贴合的方式附着在封装体外层,其厚度一般为0.1-0.2mm,材料可以是铜或铝合金,并通过焊接工艺与电路板电性连接。
本发明揭示了一种集成电路芯片的封装方法,该封装方法工序安排合理,操作简便,按照此法制得的芯片封装体能有效屏蔽芯片工作时产生的电磁波,降低电磁波危害;同时,封装工艺成本低,实用价值高,值得推广。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是本发明实施例集成电路芯片的封装方法的步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
图1是本发明实施例集成电路芯片的封装方法的步骤示意图;该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤:a)安接芯片组,b)性能检测,c)一次封装,d)二次封装,e)附金属外壳,f)成品检验。
具体实施步骤如下:
a)安接芯片组,芯片组采用覆晶的方式,以锡块作为芯片的实体接触点,使芯片组电性连接在电路板上;
b)性能检测,主要检测芯片与电路板的电连接性能,降低废品率;
c)一次封装,一次封装采用热喷涂工艺,该工艺可使封装材料均匀的分布在芯片组上,其厚度易于控制,对芯片组起到良好的保护作用;其中,一次封装所采用的封装材料主要由粘结剂、固化剂和稀释剂组成,其混合比例可以是60%:32%:8%,其热喷涂工艺主要通过喷枪喷淋工艺完成,其喷淋温度控制在40℃-60℃;喷淋完毕,在30℃-40℃条件下固化;
d)二次封装,二次封装材料的主要成分为硅胶,并含一定比例的金属纤维丝,金属纤维丝与硅胶按一定比例充分混合;其中,金属纤维丝的含量占二次封装材料总量的1.5%-2.5%,其材料一般选用含铜、镍、钛的合金或是不锈钢,丝径为3-8um;金属纤维丝能有效遮蔽电磁波辐射,特别是对于一些高频芯片工作时产生的电磁波,具有良好的阻隔作用,能够对封装体周边的电子装置起到良好的保护作用;
e)附金属外壳,金属外壳采用压差吸附贴合的方式附着在封装体外层,其厚度一般为0.1-0.2mm,材料可以是铜或铝合金,其与电路板之间的焊接方式一般选用点焊或是激光焊;
f)成品检验,主要检验芯片的电性连接性能以及电磁波的外射值。
本发明揭示了一种集成电路芯片的封装方法,其特点是:该封装方法工序安排合理,操作简便,按照此法制得的芯片封装体能有效屏蔽芯片工作时产生的电磁波,降低电磁波危害;同时,封装工艺成本低,实用价值高,值得推广。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内,可不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种集成电路芯片的封装方法,该集成电路芯片的封装方法主要包括如下步骤:a)安接芯片组,b)性能检测,c)一次封装,d)二次封装,e)附金属外壳,f)成品检验。
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片的封装方法,其特征在于,所述的步骤a)中,芯片组采用覆晶的方式,以锡块作为芯片的实体接触点,使芯片组电性连接在电路板上。
3.根据权要求1所述的集成电路芯片的封装方法,其特征在于,所述的步骤c)中,一次封装采用热喷涂工艺,该工艺可使封装材料均匀的分布在芯片组上,其厚度易于控制,能对芯片组起到良好的保护作用。
4.根据权利要求3所述的集成电路芯片的封装方法,其特征在于,所述的一次封装所采用的封装材料主要由粘结剂、固化剂和稀释剂组成,原材料按照一定的比例进行混合配制。
5.根据权利要求3所述的集成电路芯片的封装方法,其特征在于,所述的热喷涂工艺主要通过喷枪喷淋工艺完成,其喷淋温度控制在40℃-60℃;喷淋完毕,在30℃-40℃条件下固化。
6.根据权利要求1所述的集成电路芯片的封装方法,其特征在于,所述的步骤d)中,二次封装材料的主要成分为硅胶,并含一定比例的金属纤维丝。
7.根据权利要求6所述的集成电路芯片的封装方法,其特征在于,所述的金属纤维丝与硅胶按一定比例充分混合,其中,金属纤维丝的含量占总量的1.5%-2.5%,其材料一般选用含铜、镍、钛的合金或是不锈钢。
8.根据权利要求1所述的集成电路芯片的封装方法,其特征在于,所述的步骤f)中,金属外壳采用压差吸附贴合的方式附着在封装体外层,其厚度一般为0.1-0.2mm,材料可以是铜或铝合金,并通过焊接工艺与电路板电性连接。
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