CN102361137A - 阻抗为50ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，其包括一3*3*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片为氮化铝陶瓷基板贴片式负载片系列产品线中的一款，在3*3*1mm氮化铝陶瓷基板通过导线走向和表面电阻率的改变，使得该规格的氮化铝陶瓷基板负载片具有稳定的25瓦功率输出，同时保证了良好的产品特性。功率上较为完整的产品系列组合既整合了原材料的用量提供了有竞争力价格，又提供了客户多种选择从而扩大了使该尺寸的氮化铝陶瓷基板的使用领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，适用于SMT领域的特殊设计，在减少了制程的总成本的同时保证了制程控制质量的稳定性。
背景技术
氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率，如果不能承受要求的功率，负载就会烧坏，可能导致整个设备烧坏。，多数负载片是采用的手工焊接或者回流焊工艺把负载片焊接到客户的产品上，再把引线焊接到负载片的焊盘上，此工艺的负载片背导层都是一个整体，焊接到客户的产品上后，整个背面与产品完全吻合，散热性能较好。目前有些客户采用了SMT贴片工艺，这样负载片背导层就需要留出缝隙，贴片完成后，背导层不能完全有产品接触，散热能力会变差。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是在目前已有的贴片型氮化铝基板负载片的产品系列中增加新的功率规格，在3*3*1mm的氮化铝基板上设计出稳定25瓦输出的负载片，提供给市场最佳性价比的选择。并且性能优异，高频特性好，性能稳定可靠性强。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，其包括一3*3*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路 的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。
上述技术方案具有如下有益效果：该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，在3*3*1mm的氮化铝陶瓷基板上的通过改变导线分布和计算不同表面电阻率得到功率为25W的负载片，在相对较大的面积上进一步优化设计，使该氮化铝陶瓷基板负载片各项性能指标皆为表现优异，。采用在同一尺寸氮化铝陶瓷基板上设计衍生新产品，既保持了原有系列产品的优点，又可以通过总量来降低陶瓷基板原材料成本的价格，更可以拓宽市场的应用领域，从而以更多的市场需求促进原材料价格的进一步降低，形成供应链的良性循环。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示，该阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片包括一3*3*1mm的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有分离的背导层6，氮化 铝基板1的正面印刷有电阻3及导线2，导线2连接电阻3形成负载电路，负载电路的两端接地7与背导层通过银浆电连接，从而使负载电路接地导通。背导层及导线2由导电银浆印刷而成，电阻3由电阻浆料印刷而成。电阻3上印刷有玻璃保护膜4。导线2及玻璃保护膜4的上表面还印刷有一层黑色保护膜5。
该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，在3*3*1mm的氮化铝陶瓷基板上的功率稳定输出为25W，并且各项指标皆表现优异，高频特性好，性能稳定且可靠性强，延续了SMT贴片型氮化铝陶瓷基板负载片的特点，采用在原有系列产品规格上横向衍生的方式，为市场提供了性价比更优的产品。据检测该氮化铝陶瓷基板负载片能承受的功率非常稳定，能够完全达到通信期间吸收所需要功率的要求。可以使用于SMT领域进行机械化生产，从而加速制程，改变了原来的手工焊接方式，提高客户的生产效率。
以上对本发明实施例所提供的一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，其特征在于：其包括一3*3*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
2.根据权利要求1所述阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，其特征在于：所述背导层不是一个整体，其需要有两端接地浆料导通连接。
3.根据权利要求1所述的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，其特征在于：所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
4.根据权利要求1所述的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，其特征在于：所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。
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| US4883704A (en) * | 1987-03-30 | 1989-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate comprising nitride type ceramics, method for preparing it, and metallizing composition for use in it |
| CN101859620A (zh) * | 2009-04-08 | 2010-10-13 | 深圳市信特科技有限公司 | 一种高频高功率电阻的制成方法 |
| CN101923928A (zh) * | 2010-03-25 | 2010-12-22 | 四平市吉华高新技术有限公司 | 一种高频贴片电阻器及其制造方法 |
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2011
- 2011-09-16 CN CN2011102781280A patent/CN102361137A/zh active Pending
Patent Citations (3)
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