CN102354675A - 晶圆垂直加工设备及方法 - Google Patents

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傅荣颢
刘玮荪
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Abstract

本发明提供了一种晶圆垂直加工设备及方法。根据本发明的晶圆垂直加工设备包括支撑部件；其中，在晶圆垂直加工过程中，所述支撑部件位于晶圆周围，用于在晶圆的边缘处支撑竖直放置的晶圆。通过利用根据本发明的晶圆垂直加工设备及晶圆垂直加工方法，支撑部件仅仅对晶圆边缘产生一个沿晶圆的直径的支撑力，而不是垂直于晶圆表面的压力；由此使得晶圆(即使是薄片晶圆)在垂直加工过程中也不容易破裂或破碎。

Description

晶圆垂直加工设备及方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种晶圆垂直加工设备及晶圆垂直加工方法，例如晶圆背面金属处理设备及晶圆背面金属处理方法。
背景技术
随着半导体器件封装工艺的发展，在以晶圆垂直的状态对晶圆进行加工的晶圆垂直加工工艺(例如晶圆背面沉积金属层的工艺)变得越来越普遍。
图1示意性地示出了根据现有技术的晶圆垂直加工设备的结构图。如图1所示，为了使晶圆1垂直(竖直)放置，需要在按压点2处对晶圆1施加压力来防止晶圆1滑落，该按压点2位于晶圆1的边缘。更具体地说，这样可以通过按压点2处的按压力所产生的摩擦力来固定垂直放置的晶圆1，由此来防止晶圆1滑落或倾倒。
即，在例如晶圆背面金属处理过程中，传统的固定晶圆2的结构都会给晶圆边缘带来压力，会导致晶圆1(尤其是薄片晶圆)容易破裂或破碎。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种使得晶圆(即使是薄片晶圆)也不容易破裂或破碎的晶圆垂直加工设备及晶圆垂直加工方法。
根据本发明的第一方面，提供了一种晶圆垂直加工设备，其特征在于包括支撑部件；其中，在晶圆垂直加工过程中，所述支撑部件位于晶圆周围，用于在晶圆的边缘处支撑或固定竖直放置的晶圆。
优选地，所述晶圆垂直加工设备用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
根据本发明的第二方面，提供了一种晶圆垂直加工设备，其特征在于包括：在晶圆垂直加工过程中，利用位于晶圆周围的支撑部件在晶圆的边缘处支撑竖直放置的晶圆。
优选地，所述晶圆垂直加工方法用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
通过利用根据本发明的晶圆垂直加工设备及晶圆垂直加工方法，支撑部件仅仅对晶圆边缘产生一个沿晶圆的直径的支撑力，而不是垂直于晶圆表面的压力；由此使得晶圆(即使是薄片晶圆)在垂直加工过程中也不容易破裂或破碎。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据现有技术的晶圆垂直加工设备的结构图。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备的结构图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备的结构图。
例如，根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备可用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
如图2所示，根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备具有一个支撑部件3，该支撑部件3用于在晶圆1的边缘处支撑竖直放置的晶圆1。在晶圆垂直加工过程中，支撑部件3位于晶圆1下方，如图2的虚线椭圆框所示。由此，支撑部件3仅仅对晶圆边缘产生一个沿晶圆1的直径的支撑力，而不是垂直于晶圆1表面的压力。
更具体地说，在一个具体示例中，晶圆周围例如有多个(例如3个)支撑部件，多个支撑部件等角度间隔(例如，3个支撑部件相互之间成120度夹角)，晶圆和这些多个支撑部件有时会同步旋转；所以，在某个时候，有可能是3个支撑部件中的一个支撑部件在最下面，但下一个时间可能就是3个支撑部件中的另一个支撑部件在下面。只有在下面的支撑部件对晶圆有往上的支撑力，而不在下面的支撑部件对晶圆只有左右的阻挡力。即，任意时刻，所述多个支撑部件中的一个在晶圆下方支撑晶圆，而其它支撑部件在晶圆侧部阻挡晶圆。
需要说明的是，图2所示的示意图是一种示例的结构，本发明的结构并不是限于上述结构，而是可以演变成许多类似的结构。重点在于，传统的固定薄片的结构都会给晶圆边缘带来压力，会导致薄片容易破碎，而本发明提供了新的解决方案，就是不给晶圆边缘有压力，只是有支撑力。这样，在晶圆垂直加工过程中位于晶圆左右两侧表面处的两个支撑部件可作为辅助部件，用于辅助地使得晶圆1固定地垂直布置。
在本发明的实施例中，阻挡晶圆的位置仍然是晶圆边缘，但是本发明实施例的晶圆垂直加工设备只是阻挡晶圆1，而不是对晶圆1实施传统的按压点2处的压力。晶圆1的中心因为有芯片，是不能接触的。
图2所示的改进结构是针对图1所示的特定机台结构作出的改进。本领域技术人员可以理解的是，针对不同的机台，可进行不一样的改进，只要新的晶圆垂直加工设备不对晶圆施加垂直于晶圆表面的压力，而是对晶圆施加沿晶圆半径方向的支撑力；由此本发明实施例提供一种使得晶圆(即使是薄片晶圆)也不容易在垂直加工过程中破裂或破碎的晶圆垂直加工设备。
另一方面，在根据本发明的晶圆垂直加工方法的新方案中，本发明的思想在于使晶圆垂直加工(例如背面加工)过程中应该没有垂直于晶圆表面的压力的，而只有沿晶圆半径方向的支撑力。显然，这个支撑力的大小就是晶圆的重量，由此该支撑力远小于传统方案中对晶圆的压力大小。即，与现有传统的结构对晶圆表面的垂直压力不同的是，本发明的新方案的支撑力不对晶圆表面垂直方向有作用力。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种晶圆垂直加工设备，其特征在于包括支撑部件；其中，在晶圆垂直加工过程中，所述支撑部件位于晶圆周围，用于在晶圆的边缘处支撑竖直放置的晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆垂直加工设备，其特征在于所述晶圆垂直加工设备用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆垂直加工设备，其特征在于，所述晶圆垂直加工设备具有多个支撑部件，并且在晶圆垂直加工过程中，所述多个支撑部件中的一个在晶圆下方支撑晶圆，其它支撑部件位于晶圆侧部阻挡晶圆。
4.一种晶圆垂直加工设备，其特征在于包括：在晶圆垂直加工过程中，利用位于晶圆周围的支撑部件在晶圆的边缘处支撑竖直放置的晶圆。
5.根据权利要求4所述的晶圆垂直加工方法，其特征在于所述晶圆垂直加工方法用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
6.根据权利要求4或5所述的晶圆垂直加工方法，其特征在于，所述晶圆垂直加工设备具有多个支撑部件，并且所述圆垂直加工方法包括：在晶圆垂直加工过程中，使所述多个支撑部件中的一个在晶圆下方支撑晶圆，并使其它支撑部件位于晶圆侧部阻挡晶圆。
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TA01 Transfer of patent application right

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Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201203 Shanghai Guo Shou Jing Road, Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 818

Applicant before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai

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