CN102295288A - 一种24对棒多晶硅还原炉供电*** - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种24对棒多晶硅还原炉供电***，多晶硅还原炉中的24个硅棒对呈外环一、外环二、外环三、中环一、中环二和内环排列，供电***包括运行电源、高压启动电源、三相三绕组变压器、第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、切换柜和控制柜。本发明公开的24对棒多晶硅还原炉供电***中，减小了占地面积；另外，多晶硅还原炉中的硅棒对呈外环、中环和内环排列，仅仅位于外环的硅棒对由高压启动电源启动，因此只有与位于外环的硅棒对对应的电极和电缆需要采用高绝缘等级材料制作，与现有的24对棒多晶硅还原炉供电***相比，可以减少电极和电缆产生的费用。

Description

一种24对棒多晶硅还原炉供电***

技术领域

本发明属于多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种24对棒多晶硅还原炉供电***。

背景技术

硅材料是半导体工业、电子信息产业和太阳能光伏电池产业中最重要功能性材料，多晶硅作为制备单晶硅的唯一原料和生产太阳能电池的材料，其需求量日益增大。多晶硅生产企业为了降低能耗，对多晶硅还原炉的设计选型越来越大型化，由原来的3～12对棒逐渐发展至24对棒及以上。

目前，针对24对棒多晶硅还原炉的供电，主要是采用两套12对棒多晶硅还原炉的供电***实现，其结构如图1所示。该供电***包括2台10千伏的三相交流变压器、2套高压启动电源、6台功率柜、6台隔离切换柜和2台控制柜，24个硅棒对分别与高压启动电源连接，在利用高压启动电源击穿硅棒对之后，将24个硅棒对切换至由功率柜供电。

上述24对棒多晶硅还原炉的供电***占地面积很大，而多晶硅生产场地有限。因此，如何减小24对棒多晶硅还原炉供电***的占地面积是本领域技术人员迫切需要解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种24对棒多晶硅还原炉供电***，可以减小供电***的占地面积。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种24对棒多晶硅还原炉供电***，所述多晶硅还原炉中的24个硅棒对呈外环一、外环二、外环三、中环一、中环二和内环排列，所述供电***包括运行电源、高压启动电源、三相三绕组变压器、第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、切换柜和控制柜；其中，

所述三相三绕组变压器的每相高压侧绕组与所述运行电源连接，每相中压侧绕组和低压侧绕组分别设置多个分抽头和一个末端抽头；

所述第一功率柜的第一L线依次通过第一开关电路、第一电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第一相中压侧绕组的分抽头连接，第一N线与所述三相三绕组变压器的第一相中压侧绕组的末端抽头连接，第二L线依次通过第二开关电路、第二电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第一相低压侧绕组的分抽头连接，第二N线与所述三相三绕组变压器的第一相低压侧绕组的末端抽头连接，所述位于外环一的硅棒对串联于所述第一L线和第一N线之间，所述位于外环二的硅棒对串联于所述第二L线和第二N线之间；

所述第二功率柜的第三L线依次通过第三开关电路、第三电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第二相中压侧绕组的分抽头连接，第三N线与所述三相三绕组变压器的第二相中压侧绕组的末端抽头连接，第四L线通过第四电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第二相低压侧绕组的分抽头连接，第四N线与所述三相三绕组变压器的第二相低压侧绕组的末端抽头连接，所述位于外环三的硅棒对串联于所述第三L线和第三N线之间，所述位于中环一的硅棒对通过第一切换电路连接于所述第二L线和第二N线之间；

所述第三功率柜的第五L线通过第五电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第三相中压侧绕组的分抽头连接，第五N线与所述三相三绕组变压器的第三相中压侧绕组的末端抽头连接，第六L线通过第六电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第三相低压侧绕组的分抽头连接，第六N线与所述三相三绕组变压器的第三相低压侧绕组的末端抽头连接，所述位于中环二的硅棒对通过第二切换电路连接于所述第五L线和第五N线之间，所述位于内环的硅棒对通过第三切换电路连接于所述第六L线和第六N线之间；

所述切换柜包括隔离开关、第一子开关、第二子开关和第三子开关，所述隔离开关与所述高压启动电源连接，所述位于外环一的多个硅棒对通过所述第一子开关与所述隔离开关连接、并且与所述第一N线的连接端通过所述第一子开关和隔离开关接地，所述位于外环二的多个硅棒对通过所述第二子开关与所述隔离开关连接、并且与所述第二N线的连接端通过所述第二子开关和隔离开关接地，所述位于外环三的多个硅棒对通过所述第三子开关与所述隔离开关连接、并且与所述第三N线的连接端通过所述第三子开关和隔离开关接地；

所述控制柜用于控制所述第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜和切换柜。

由此可见，在本发明公开的24对棒多晶硅还原炉供电***中，只包括一台三相三绕组变压器、三台功率柜、一台切换柜和一台控制柜，与现有的24对棒多晶硅还原炉供电***相比，减小了占地面积；另外，多晶硅还原炉中的硅棒对呈外环、中环和内环排列，仅仅位于外环的硅棒对由高压启动电源启动，因此只有与位于外环的硅棒对对应的电极和电缆需要采用高绝缘等级材料制作，与现有的24对棒多晶硅还原炉供电***相比，可以减少电极和电缆产生的费用。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的24对棒多晶硅还原炉供电***的结构示意图；

图2为硅棒对的结构示意图；

图3为本发明公开的24对棒多晶硅还原炉中硅棒对的分布示意图；

图4为本发明公开的一种24对棒多晶硅还原炉供电***的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明公开一种24对棒多晶硅还原炉供电***，可以减小供电***的占地面积。

多晶硅还原炉中设置有复数个硅棒，在装炉前将硅棒搭接成若干个闭合回路，每个闭合回路都由两根竖硅棒11和一根横硅棒12组成(如图2所示)，每个闭合回路为一个硅棒对。每个硅棒对中的两个竖硅棒11分别接在还原炉炉底的两个电极上，电极分别接通电源，对由两根竖硅棒11和一根横硅棒12形成的回路进行导电加热，每个硅棒对相当于一个电阻负载。

在本发明中，多晶硅还原炉中的24个硅棒对呈外环、中环和内环排列，并且，位于外环的硅棒对被进一步划分为外环一、外环二和外环三，位于中环的硅棒对被进一步划分为中环一和中环二(如图3所示)。其中，可以将位于外环一、外环二、外环三、中环一、中环二和内环的硅棒对的数量分别设置为4。

参见图4，图4为本发明公开的一种24对棒多晶硅还原炉的供电***的结构示意图。该供电***包括：运行电源(图中未示出)、高压启动电源(图中未示出)、三相三绕组变压器1、第一功率柜2、第二功率柜3、第三功率柜4、切换柜5和控制柜6。

其中，三相三绕组变压器1的每相高压侧绕组与运行电源连接，每相中压侧绕组和每相低压侧绕组分别设置多个分抽头和一个末端抽头。在本发明中优选为，每相中压侧绕组和低压侧绕组具有5个分抽头。

第一功率柜2包括：第一电子复合开关K11、第一开关电路K21、第一L线L1、第一N线N1、第二电子复合开关K12、第二开关电路K22、第二L线L2和第二N线N2。第一L线L1依次通过第一开关电路K21、第一电子复合开关K11与三相三绕组变压器的第一相中压侧绕组的分抽头连接，第一N线N1与三相三绕组变压器的第一相中压侧绕组的末端抽头连接，第二L线L2依次通过第二开关电路K22、第二电子复合开关K12与三相三绕组变压器的第一相低压侧绕组的分抽头连接，第二N线N2与三相三绕组变压器的第一相低压侧绕组的末端抽头连接。位于外环一的多个硅棒对R1、R2、R3和R4串联于第一L线L1和第一N线N1之间，位于外环二的多个硅棒对R5、R6、R7和R8串联于第二L线L2和第二N线N2之间。

第二功率柜3包括：第三电子复合开关K13、第三开关电路K23、第三L线L3、第三N线N3、第四电子复合开关K14、第一切换电路K31、第四L线L4和第四N线N4。第三L线L3依次通过第三开关电路K23、第三电子复合开关K13与三相三绕组变压器的第二相中压侧绕组的分抽头连接，第三N线N3与三相三绕组变压器的第二相中压侧绕组的末端抽头连接，第四L线L4通过第四电子复合开关K14与三相三绕组变压器的第二相低压侧绕组的分抽头连接，第四N线N4与三相三绕组变压器的第二相低压侧绕组的末端抽头连接。位于外环三的多个硅棒对R9、R10、R11和R12串联于第三L线L3和第三N线N3之间，位于中环一的多个硅棒对R13、R14、R15和R16通过第一切换电路K31连接于第二L线L2和第二N线N2之间。

第三功率柜4包括：第五电子复合开关K15、第二切换电路K32、第五L线L5、第五N线N5、第六电子复合开关K16、第三切换电路K33、第六L线L6和第六N线N6。第五L线L5通过第五电子复合开关K15与三相三绕组变压器的第三相中压侧绕组的分抽头连接，第五N线N5与三相三绕组变压器的第三相中压侧绕组的末端抽头连接，第六L线L6通过第六电子复合开关K16与三相三绕组变压器的第三相低压侧绕组的分抽头连接，第六N线N6与三相三绕组变压器的第三相低压侧绕组的末端抽头连接。位于中环二的多个硅棒对R17、R18、R19和R20通过第二切换电路K32连接于第五L线L5和第五N线N5之间，位于内环的多个硅棒对R21、R22、R23和R24通过第三切换电路K33连接于第六L线L6和第六N线N6之间。

切换柜5包括：隔离开关GLK、第一子开关QH1、第二子开关QH2和第三子开关QH3。隔离开关GLK与高压启动电源连接，位于外环一的多个硅棒对R1、R2、R3和R4通过第一子开关QH1与隔离开关GLK连接，并且与第一N线N1的连接端(即R4与第一N线N1连接的一端)通过第一子开关QH1和隔离开关GLK接地；位于外环二的多个硅棒对R5、R6、R7和R8通过第二子开关QH2与隔离开关GLK连接，并且与第二N线N2的连接端(即R8与第二N线N2连接的一端)通过第二子开关QH2和隔离开关GLK接地；位于外环三的多个硅棒对R13、R14、R15和R16通过第三子开关QH3与隔离开关GLK连接，并且与第三N线N3的连接端(即R16与第三N线N3连接的一端)通过第三子开关QH3和隔离开关GLK接地。

控制柜6用于控制第一功率柜2、第二功率柜3、第三功率柜4和切换柜5，具体的，控制柜6可以控制第一电子复合开关K11、第一开关电路K21、第二电子复合开关K12、第二开关电路K22、第三电子复合开关K13、第三开关电路K23、第四电子复合开关K14、第一切换电路K31、第五电子复合开关K15、第二切换电路K32、第六电子复合开关K16和第三切换电路K33中各开关部件的启闭。

第一电子复合开关K11、第二电子复合开关K12、第三电子复合开关K13、第四电子复合开关K14、第五电子复合开关K15和第六电子复合开关K16可采用相同结构。

各个电子复合开关的结构可以如图4所示，包括：多个反并联单向晶闸管，多个反并联单向晶闸管分别连接于绕组的分抽头和L线之间。例如，第一电子复合开关K11包括5个反并联单向晶闸管，三相三绕组变压器1的第一相中压侧绕组的5个分抽头分别与1个反并联单向晶闸管的一端连接，5个反并联单向晶闸管的另一端通过第一开关电路K21连接至第一L线L1。各个电子复合开关也可以由多个双向晶闸管组成，多个双向晶闸管分别连接于绕组的分抽头和L线之间，即用双向晶闸管替换图4中的反并联单向晶闸管。控制柜6通过向各晶闸管输入不同的触发脉冲，控制三相三绕组变压器1的各个中亚侧绕组和低压侧绕组输出不同的电压。

实施中，第一开关电路K21、第二开关电路K22和第三开关电路K23可以为断路器。当断路器的主触点闭合时，经过三相三绕组变压器1处理的运行电源加载到位于外环一、外环二和外环三的硅棒对上。

由于断路器的价格比较昂贵，本发明公开另一种第一开关电路K21、第二开关电路K22和第三开关电路K23的结构，如图4所示：第一开关电路K21包括第一断路器的第一主触头，以及并联于该第一主触头两端的接触器；第二开关电路K22包括第一断路器的第二主触头，以及并联于该第二主触头两端的接触器；第三开关电路K23为第二断路器。由于每个断路器都具有两个主触头，因此第一开关电路K21和第二开关电路K22共用一个断路器，可以降低供电***的成本。

位于中环一的第十三硅棒对R13、第十四硅棒对R14、第十五硅棒对R15和第十六硅棒对R16串联于第四L线L4与第四N线N4之间，位于中环二的第十七硅棒对R17、第十八硅棒对R18、第十九硅棒对R19和第二十硅棒对R20串联于第五L线L5和第五N线N5之间，位于内环的第二十一硅棒对R21、第二十二硅棒对R22、第二十三硅棒对R23和第二十四硅棒对R24串联于第六L线L6与第六N线N6之间。第一切换电路K31、第二切换电路K32和第三切换电路K33的结构如图4所示。第一切换电路K31包括：连接于第十四硅棒对、第十五硅棒对的公共端与第四N线之间的开关。第二切换电路K32包括：连接于第十八硅棒对R18、第十九硅棒对R19的公共端与第五N线N5之间的开关。第三切换电路K33包括：连接于第二十二硅棒对R22、第二十三硅棒对R23的公共端与第六N线之间的开关。

优选的，第一切换电路K31还包括连接于第十三硅棒对R13、第十四硅棒对R14的公共端与第四N线N4之间的开关，连接于第十五硅棒对R15、第十六硅棒对R16的公共端与第四N线N4之间的开关；第二切换电路K32还包括连接于第十七硅棒对R17、第十八硅棒对R18的公共端与第五N线N5之间的开关，连接于第十九硅棒对R19、第二十硅棒对R20的公共端与第五N线N5之间的开关；第三切换电路K33还包括连接于第二十一硅棒对R21、第二十二硅棒对R22的公共端与第六N线N6之间的开关，连接于第二十三硅棒对R23、第二十四硅棒对R24的公共端与第六N线N6之间的开关。

下面对上述24对棒多晶硅还原炉供电***的运行过程进行说明。

一、确保第一开关电路K21、第二开关电路K22、第三开关电路K23、隔离开关GLK、第一子开关QH1、第二子开关QH2、第三子开关QH3均处于断开状态，第一切换电路K31、第二切换电路K32和第三切换电路K33中的开关均处于闭合状态，此时24个硅棒对均未接入电源。

二、闭合隔离开关GLK，之后闭合第一子开关QH1，高压启动电源接入位于外环一的硅棒对R1、R2、R3和R4中，在很短时间内改变对棒对的导电特性，使电流强行通过、击穿对棒对，位于外环一的硅棒对击穿后开始发热，对其他硅棒对进行烘烤。在此过程中，硅棒对R4与第一N线N1连接的一端通过第一子开关QH1和隔离开关GLK接地，而且第一开关电路K21处于断开状态，起到三相三绕组变压器与高压启动电源之间的隔离作用，防止高压启动电源对三相三绕组变压器造成损害。当位于外环一的硅棒对R1、R2、R3和R4中的击穿电流达到10安培，并持续1分钟之后，断开第一子开关QH1，之后闭合第一开关电路K21中的接触器(图中未标示)，此时位于外环一的硅棒对R1、R2、R3和R4串联于第一L线L1和第一N线N1之间，由经过三相三绕组变压器1处理后的运行电源为其供电。

三、闭合第二子开关QH2，高压启动电源接入位于外环二的硅棒对R5、R6、R7和R8中，位于外环二的硅棒对击穿后开始发热，对其他硅棒对进行烘烤。在此过程中，硅棒对R8与第二N线N2连接的一端通过第二子开关QH2和和隔离开关GLK接地，而且第二开关电路K22处于断开状态，起到三相三绕组变压器与高压启动电源之间的隔离作用，防止高压启动电源对三相三绕组变压器造成损害。当位于外环二的硅棒对R5、R6、R7和R8中的击穿电流达到10安培，并持续1分钟之后，断开第二子开关QH2，之后闭合第二开关电路K22中的接触器(图中未标示)，此时位于外环二的硅棒对R5、R6、R7和R8串联于第二L线L2和第二N线N2之间，由经过三相三绕组变压器1处理后的运行电源为其供电，在运行一端时间后，断开第一开关电路K21和第二开关电路K22中的接触器，闭合第一断路器的第一主触头和第二主触头。

四、闭合第三子开关QH3，高压启动电源接入位于外环三的硅棒对R9、R10、R11和R12中，位于外环三的硅棒对击穿后开始发热，对其他硅棒对进行烘烤。在此过程中，硅棒对R12与第三N线N3连接的一端通过第三子开关QH3和和隔离开关GLK接地，而且第三开关电路K22处于断开状态，起到三相三绕组变压器与高压启动电源之间的隔离作用，防止高压启动电源对三相三绕组变压器造成损害。当位于外环三的硅棒对R9、R10、R11和R12中的击穿电流达到10安培，并持续1分钟之后，断开第三子开关QH3，之后闭合第三开关电路K22，此时位于外环三的硅棒对R9、R10、R11和R12串联于第三L线L3和第三N线N3之间，由经过三相三绕组变压器1处理后的运行电源为其供电。

五、位于外环一、外环二和外环三在击穿发热后对位于中环一、中环二和内环的硅棒对进行烘烤加热，当位于中环一、中环二和内环的硅棒对的温度上升到300℃时，可以直接由运行电源启动。

以位于中环一的硅棒对R13、R14、R15和R16为例进行说明。在初始时刻，第四电子复合开关K14中的各个晶闸管均处于关断状态，第一切换电路K31中的各个开关均闭合。首先，由控制柜6向第四电子复合开关K14输出控制脉冲，控制第四电子复合开关K14中的一个反并联单向晶闸管导通，此时硅棒对R13的一端与第四L线L4连接、另一端与第四N线N4连接，运行电源加载在硅棒对R13两端；然后，将连接于硅棒对R13、R14的公共端与第四N线N4之间的开关断开，此时硅棒对R13和R14串联于第四L线L4与第四N线N4之间；之后，将连接于硅棒对R14、R15的公共端与第四N线N4之间的开关断开，此时硅棒对R13、R14和R15串联于第四L线L4与第四N线N4之间；最后，将连接于硅棒对R15、R16的公共端与第四N线N4之间的开关断开，此时硅棒对R13、R14、R15和R16串联于第四L线L4与第四N线N4之间。

位于中环二和内环的硅棒对的启动过程与位于中环一的硅棒对的启动过程一致，在此不再赘述。

在本发明公开的24对棒多晶硅还原炉供电***中，只包括一台三相三绕组变压器、三台功率柜、一台切换柜和一台控制柜，与现有的24对棒多晶硅还原炉供电***相比，减小了占地面积，而且多晶硅还原炉中的硅棒对呈外环、中环和内环排列，仅仅位于外环的硅棒对由高压启动电源启动，因此只有与位于外环的硅棒对对应的电极和电缆需要采用高绝缘等级材料制作，与现有的24对棒多晶硅还原炉供电***相比，可以减少电极和电缆产生的费用。

在多晶硅还原炉运行过程中，要向炉底的电极供电和冷却水，目前主要通过设置冷却水管向电极供水，同时在功率柜和电极之间设置电缆进行供电，而还原炉的炉底空间有限，电缆和冷却水管会占据很大的炉底空间，造成对还原炉检修维护工作的不便。在本发明上述公开的供电***中，第一功率柜2、第二功率柜3和第三功率柜4均通过水冷电缆连接至多晶硅还原炉的电极，通过水冷电缆可以同时向电极供电和供水，可以最大限度节省炉底空间，给还原炉的检修维护工作提供便利。

优选的，本发明上述公开的供电***中，三相三绕组变压器1的高压侧绕组为35千伏，可以降低变压器中压侧和低压侧的断路电流，有利于元器件的选择和安全运行。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种24对棒多晶硅还原炉供电***，其特征在于，所述多晶硅还原炉中的24个硅棒对呈外环一、外环二、外环三、中环一、中环二和内环排列，所述供电***包括运行电源、高压启动电源、三相三绕组变压器、第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、切换柜和控制柜；其中，

所述三相三绕组变压器的每相高压侧绕组与所述运行电源连接，每相中压侧绕组和低压侧绕组分别设置多个分抽头和一个末端抽头；

所述第一功率柜的第一L线依次通过第一开关电路、第一电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第一相中压侧绕组的分抽头连接，第一N线与所述三相三绕组变压器的第一相中压侧绕组的末端抽头连接，第二L线依次通过第二开关电路、第二电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第一相低压侧绕组的分抽头连接，第二N线与所述三相三绕组变压器的第一相低压侧绕组的末端抽头连接，所述位于外环一的硅棒对串联于所述第一L线和第一N线之间，所述位于外环二的硅棒对串联于所述第二L线和第二N线之间；

所述第二功率柜的第三L线依次通过第三开关电路、第三电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第二相中压侧绕组的分抽头连接，第三N线与所述三相三绕组变压器的第二相中压侧绕组的末端抽头连接，第四L线通过第四电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第二相低压侧绕组的分抽头连接，第四N线与所述三相三绕组变压器的第二相低压侧绕组的末端抽头连接，所述位于外环三的硅棒对串联于所述第三L线和第三N线之间，所述位于中环一的硅棒对通过第一切换电路连接于所述第二L线和第二N线之间；

所述第三功率柜的第五L线通过第五电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第三相中压侧绕组的分抽头连接，第五N线与所述三相三绕组变压器的第三相中压侧绕组的末端抽头连接，第六L线通过第六电子复合开关与所述三相三绕组变压器的第三相低压侧绕组的分抽头连接，第六N线与所述三相三绕组变压器的第三相低压侧绕组的末端抽头连接，所述位于中环二的硅棒对通过第二切换电路连接于所述第五L线和第五N线之间，所述位于内环的硅棒对通过第三切换电路连接于所述第六L线和第六N线之间；

所述切换柜包括隔离开关、第一子开关、第二子开关和第三子开关，所述隔离开关与所述高压启动电源连接，所述位于外环一的多个硅棒对通过所述第一子开关与所述隔离开关连接、并且与所述第一N线的连接端通过所述第一子开关和隔离开关接地，所述位于外环二的多个硅棒对通过所述第二子开关与所述隔离开关连接、并且与所述第二N线的连接端通过所述第二子开关和隔离开关接地，所述位于外环三的多个硅棒对通过所述第三子开关与所述隔离开关连接、并且与所述第三N线的连接端通过所述第三子开关和隔离开关接地；

所述控制柜用于控制所述第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜和切换柜。

2.根据权利要求1所述的供电***，其特征在于：所述第一电子复合开关、第二电子复合开关、第三电子复合开关、第四电子复合开关、第五电子复合开关和第六电子复合开关结构相同，包括：多个双向晶闸管，所述多个双向晶闸管分别连接于绕组的分抽头和L线之间。

3.根据权利要求1所述的供电***，其特征在于：所述第一电子复合开关、第二电子复合开关、第三电子复合开关、第四电子复合开关、第五电子复合开关和第六电子复合开关结构相同，包括：多个反并联单向晶闸管，所述多个反并联单向晶闸管分别连接于绕组的分抽头和L线之间。

4.根据权利要求1所述的供电***，其特征在于：所述第一开关电路、第二开关电路和第三开关电路为断路器。

5.根据权利要求1所述的供电***，其特征在于：所述第一开关电路包括第一断路器的第一主触头，以及并联于所述第一主触头两端的接触器；所述第二开关电路包括第一断路器的第二主触头，以及并联于所述第二主触头两端的接触器；所述第三开关电路为第二断路器。

6.根据权利要求1所述的供电***，其特征在于，外环一、外环二、外环三、中环一、中环二和内环均包含4个硅棒对。

7.根据权利要求6所述的供电***，其特征在于，

位于中环一的第十三硅棒对、第十四硅棒对、第十五硅棒对和第十六硅棒对串联于所述第四L线与第四N线之间，所述第一切换电路包括：连接于所述第十四硅棒对、第十五硅棒对的公共端与所述第四N线之间的开关；

位于中环二的第十七硅棒对、第十八硅棒对、第十九硅棒对和第二十硅棒对串联于所述第五L线和第五N线之间，所述第二切换电路包括：连接于所述第十八硅棒对、第十九硅棒对的公共端与所述第五N线之间的开关；

位于内环的第二十一硅棒对、第二十二硅棒对、第二十三硅棒对和第二十四硅棒对串联于所述第六L线与第六N线之间，所述第三切换电路包括：连接于所述第二十二硅棒对、第二十三硅棒对的公共端与所述第六N线之间的开关。

8.根据权利要求7所述的供电***，其特征在于，

所述第一切换电路还包括连接于所述第十三硅棒对、第十四硅棒对的公共端与所述第四N线之间的开关，连接于所述第十五硅棒对、第十六硅棒对的公共端与所述第四N线之间的开关；

所述第二切换电路还包括连接于所述第十七硅棒对、第十八硅棒对的公共端与所述第五N线之间的开关，连接于所述第十九硅棒对、第二十硅棒对的公共端与所述第五N线之间的开关；

所述第三切换电路还包括连接于所述第二十一硅棒对、第二十二硅棒对的公共端与所述第六N线之间的开关，连接于所述第二十三硅棒对、第二十四硅棒对的公共端与所述第六N线之间的开关。

9.根据权利要求1所述的供电***，其特征在于，所述第一功率柜、第二功率柜和第三功率柜均通过水冷电缆连接至所述24对棒多晶硅还原炉的电极。

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